JP5286948B2 - 基板および電子装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、一面が電子部品を搭載する部品搭載面であり当該部品搭載面がモールド樹脂で封止される基板、および、そのような基板を有する電子装置の製造方法に関する。

従来より、この種の電子装置は、リードフレームや回路基板などの基板の一面に、半導体素子やワイヤなどの電子部品を搭載し、基板の一面にてこれら電子部品を包み込むようにモールド樹脂で封止してなる（たとえば、特許文献１等参照）。

この場合、従来では、基板の一面に半導体素子やワイヤなどの電子部品を搭載した後に、モールド樹脂と基板との密着性を確保するためのプライマーを、基板の一面におけるモールド樹脂で封止される部位に塗布して配置し、その後、モールド樹脂による封止を行うようにしている。
特開２００４−２９６９０６号公報

しかしながら、従来では、上述のように、基板の一面に電子部品を搭載した後にプライマーを塗布するため、塗布エリアに制約がある。具体的には、基板の一面にワイヤが接続されている場合には、当該ワイヤ直下の基板部分には、ワイヤが重なるため、プライマーを均一に塗布することが難しい。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、電子部品が搭載される一面がモールド樹脂で封止される基板において、基板の一面上の電子部品の制約を受けることなく、当該一面の必要な部位にプライマーを塗布できるようにすることを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（５０ａ）に電子部品（２０、３０）が搭載され、一面（５０ａ）がモールド樹脂（７０）で封止される基板（５０）であって、一面（５０ａ）とは反対側の他面（５０ｂ）から一面（５０ａ）に貫通する貫通穴（１）が設けられており、一面（５０ａ）のうちモールド樹脂（７０）で封止される部位には、溝（２）が設けられており、この溝（２）は、一面（５０ａ）にて当該一面（５０ａ）における貫通穴（１）の開口部まで延びて当該開口部に連通しており、モールド樹脂（７０）と当該基板（５０）との密着性を確保するためのプライマー（９０）が他面（５０ｂ）に設けられており、さらに、プライマー（９０）は、貫通穴（１）および溝（２）内に行き渡って存在していることを特徴としている。

それによれば、基板（５０）の部品搭載面である一面（５０ａ）とは反対の他面（５０ｂ）側からプライマー（９０）を供給するだけで、プライマー（９０）は、貫通穴（１）から溝（２）に沿って基板（５０）の一面（５０ａ）におけるモールド樹脂（７０）で封止される部位に行き渡るため、基板（５０）の一面（５０ａ）上の電子部品（２０、３０）の制約を受けることなく、当該一面（５０ａ）の必要な部位にプライマー（９０）を塗布できる。

また、請求項２に記載の発明では、前記一面（５０ａ）におけるモールド樹脂（７０）で封止される部位のうち溝（２）以外の部位に、ワイヤ（６０）が接続されていることを特徴とする。さらに、請求項３に記載の発明では、前記一面（５０ａ）におけるモールド樹脂（７０）で封止される部位のうちワイヤ（６０）が跨いでいる部位に、溝（２）が設けられていることを特徴とする。
ここで、請求項４に記載の発明のように、溝（２）の開口形状は、十字形状の溝が１方向に配列されて連なったものにでき、また、請求項５に記載の発明のように、溝（２）は、同方向に沿って並列する２本以上の溝の集合体よりなるものにできる。

これら請求項４、請求項５によれば、プライマー（９０）の塗布面積が広い場合であっても、溝（２）の幅を、表面張力によってプライマー（９０）を行き渡らせる程度に狭いものに維持できる。

また、請求項６に記載の発明は、基板（５０）の一面（５０ａ）に電子部品（２０、３０）を搭載した後、電子部品（２０、３０）とともに基板（５０）の一面（５０ａ）をモールド樹脂（７０）で封止してなる電子装置の製造方法において、次の点を特徴としている。

すなわち、本製造方法では、基板（５０）の一面（５０ａ）とは反対側の他面（５０ｂ）に、当該他面（５０ｂ）から一面（５０ａ）に貫通する貫通穴（１）を設け、基板（５０）の一面（５０ａ）のうちモールド樹脂（７０）で封止される部位に溝（２）を設けるとともに、溝（２）を、一面（５０ａ）における貫通穴（１）の開口部まで延びて当該開口部に連通したものとして形成し、次に、モールド樹脂（７０）と基板（５０）との密着性を確保するためのプライマー（９０）を、基板（５０）の他面（５０ｂ）側から貫通穴（１）に供給することにより、プライマー（９０）を、貫通穴（１）を介して基板（５０）の一面（５０ａ）側へ移し、プライマー（９０）の表面張力によって溝（２）内に行き渡らせ、その後、基板（５０）の一面（５０ａ）をモールド樹脂（７０）で封止することを特徴としている。

それによれば、基板（５０）の部品搭載面である一面（５０ａ）とは反対の他面（５０ｂ）側からプライマー（９０）を供給するだけで、プライマー（９０）は、貫通穴（１）から溝（２）に沿って基板（５０）の一面（５０ａ）におけるモールド樹脂（７０）で封止される部位に行き渡るため、基板（５０）の一面（５０ａ）上の電子部品（２０、３０）の制約を受けることなく、当該一面（５０ａ）の必要な部位にプライマー（９０）を塗布できる。

ここで、この製造方法においても、溝（２）としては、請求項７に記載の発明のように、溝（２）の開口形状を、十字形状の溝が１方向に配列されて連なったものとして形成したり、請求項８に記載の発明のように、溝（２）を、同方向に沿って並列する２本以上の溝の集合体よりなるものとして形成してもよい。

また、この種の基板においては、フルモールド構造とされることも多く、この場合、基板の部品搭載面である一面だけでなく、それとは反対側の他面までもモールド樹脂で封止される。そして、この場合、プライマーは、基板の一面および他面におけるモールド樹脂で封止される部位に塗布されるが、従来では、そのプライマーの塗布は、基板の一面側に塗布した後、他面側に塗布するというように２回の塗布工程を行うことでなされる。

このようにフルモールド構造の場合、プライマーの塗布工程を２回に分けて行うため、工程数がかかる。請求項９に記載の発明は、さらに、この点を考慮して創出されたものである。

すなわち、請求項９に記載の発明では、モールド樹脂（７０）による封止工程では、基板（５０）の他面（５０ｂ）もモールド樹脂（７０）によって封止するものであり、プライマー（９０）を、基板（５０）の他面（５０ｂ）側から当該他面（５０ｂ）のうちモールド樹脂（７０）で封止される部位および貫通穴（１）に供給することを特徴としている。

それによれば、基板（５０）の両面（５０ａ、５０ｂ）にプライマー（９０）を塗布する場合でも、他面（５０ｂ）側から行う塗布工程によって、基板両面の必要な部位に適切にプライマー（９０）を配置できるので、塗布の工数が低減される。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子装置１００を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図であり、（ｃ）は（ｂ）中のＡ部拡大図である。

本実施形態の電子装置１００は、大きくはセラミック配線板１０と、セラミック配線板１０の一面に搭載された第１の電子部品２０と、セラミック配線板１０の他面に搭載された第２の電子部品３０と、セラミック配線板１０の他面に接着剤４０を介して接着されたリードフレーム５０のアイランド５１と、セラミック配線板１０とワイヤ６０を介して接続されたリードフレーム５０のリード５２と、これら各部１０〜６０を封止するモールド樹脂７０とを備えて構成されている。

図１に示されるように、本電子装置１００は、四角形板状をなすモールドパッケージであるが、そのパッケージ寸法は、搭載される電子部品や回路の規模、電子部品の種類にもよるが、たとえば５０×５０×６．６ｍｍ程度である。

セラミック配線板１０は、アルミナなどのセラミックよりなる単層もしくは多層の基板であり、図示しない配線を有する配線基板として構成されている。ここでは、セラミック配線板１０は平面四角形をなす。

このセラミック配線板１０は、好ましくは、線膨張係数α１が７〜８ｐｐｍ／℃のアルミナ積層基板であり、そのサイズは４０ｍｍ×４０ｍｍ以下であり、厚みは０．８ｍｍ以上が好ましい。

第１の電子部品２０は、セラミック配線板１０の一面（図１（ａ）中の上面）に搭載されており、ＡｌやＡｕなどのボンディングワイヤ、あるいは、はんだ、導電性接着剤などのダイマウント材を介して、セラミック配線板１０に電気的に接続されている。この第１の電子部品２０としては、コイル、パワー素子、制御素子、コンデンサ、および振動子等が挙げられる。

一方、第２の電子部品３０は、セラミック配線板１０の上記一面とは反対側の他面（図１（ａ）中の下面）に搭載されており、たとえば、制御素子、抵抗体等である。図１では、第２の電子部品３０は、制御素子としてのフリップチップであり、バンプ３１を介してセラミック配線板１０に電気的に接続されている。また、ここでは、第２の電子部品３０とセラミック配線板１０との間には、エポキシ樹脂などよりなるアンダーフィル３２が充填されている。

また、リードフレーム５０は、一般的なリードフレーム素材をパターニングして、アイランド５１とその周囲に位置するリード５２とを形成した板状のものであり、アイランド５１の板厚はリード５２と実質同等である。本実施形態では、これらアイランド５１およびリード５２により構成されるリードフレーム５０が、基板として構成されている。

ここでは、アイランド５１の一面５０ａおよびリード５２の一面５０ａは、リードフレーム５０の一面５０ａであり、図１（ａ）中におけるリードフレーム５０の上面である。そして、リードフレーム５０の一面５０ａ側では、アイランド５１は、セラミック配線板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位以外の部位に接着剤４０を介して接着されている。

このリードフレーム５０は、放熱性を考慮してＣｕが主に用いられるが、セラミック配線板１０との線膨張係数の差が大きいため、線膨張係数を合わせる観点から、Ｆｅ系の材料も用いてよい。

好ましくは、当該リードフレーム５０としては、セラミック配線板１０との線膨張係数の整合性、基板端の応力を考慮すると、線膨張係数αが１１以下、且つヤング率Ｅが２００ＧＰａ未満程度の材料が好ましい。さらには、α＜９ＧＰａ以下、Ｅ＜１５０ＧＰａ以下の材料が好ましい。

また、このリードフレーム素材には、溶接性を考慮し、電解ニッケルメッキ、Ｓｎメッキ、Ａｕメッキ等、ＰＰＦ（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）などのメッキが施されていてもよい。さらに、モールド樹脂７０の剥離を防止するべく、素材表面を粗化処理したものであってもよい。

また、本実施形態では、セラミック配線板１０の他面のうちアイランド５１が位置する部位には、抵抗体８０が設けられ、この抵抗体８０を覆うように接着剤４０を介してアイランド５１が設けられている。

このアイランド５１を接着する接着剤４０としては、特に限定されないが、たとえばシリコーン樹脂を主成分とする接着剤が挙げられ、セラミック配線板１０上の熱を伝達するため、４ｗ／ｍ・Ｋ以上のものが好ましい。また、接着剤４０は上記抵抗体８０を封止しているが、望ましくは、この抵抗体８０を保護するため、ヤング率Ｅ１が８ＧＰａ未満であることが好ましい。

また、上記ワイヤ６０は、ＡｕやＡｌよりなるボンディングワイヤであり、通常のワイヤボンディングにより形成されるものである。また、モールド樹脂７０は、この種の電子装置の分野で一般的に用いられるエポキシ樹脂などよりなるモールド材料であり、トランスファーモールド法により形成されるものである。

このモールド樹脂７０としては、各部材とセラミック配線板１０との熱膨張係数αを合わせるため、当該αが８〜１４程度の樹脂が用いられることが多い。また、セラミック配線板１０の他面におけるモールド樹脂７０の充填性を考慮し、長いゲルタイムを有し、低粘度な樹脂であることが必要である。また高温での使用を考えると、モールド樹脂７０のガラス転移点Ｔｇは高いほうが良い。

モールド樹脂７０の好ましい条件の一例を述べる。Ｃｕよりなるリードフレーム５０を用いる場合には、モールド樹脂７０は、線膨張係数α１＜１７、ヤング率Ｅ１＜２０ＧＰａ、最低溶融粘度＜３０Ｐａ・ｓ（１７５℃）、ゲルタイム＞２０秒、スパイラルフロー＞８０ｃｍの物性が好ましい。また、モールド樹脂７０は、Ｔｇ＜１５０℃が好ましく、Ｔｇ＜１７５℃がより好ましい。さらには、１０＜α１＜１４、Ｅ１＜１７ＧＰａ、最低溶融粘度：２０（Ｐａ・ｓ）以下、が好ましい。さらには、モールド樹脂７０は、ゲルタイム＜２５秒、スパイラルフロー：１００ｃｍが好ましい。

ここで、リードフレーム５０のリード５２の一部は、アウターリードとしてモールド樹脂７０から突出しており、このアウターリードにより、本電子装置１００と外部との電気的な接続がなされるようになっている。

また、本電子装置１００においては、セラミック配線板１０の他面側にて、第２の電子部品３０はモールド樹脂７０により封止されているが、リードフレーム５０の一面５０ａとは反対側の他面５０ｂのうちアイランド５１の他面５０ｂは、モールド樹脂７０から露出している。

ここでは、図１（ａ）に示されるように、第２の電子部品３０を封止するモールド樹脂７０は、アイランド５１のモールド樹脂７０からの露出面であるアイランド５１の他面５０ｂよりも外方（図１（ａ）中の下方）に突出している。

また、ここでは、図１（ｂ）に示されるように、アイランド５１は、セラミック配線板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位にて開口しており、第２の電子部品３０を封止するモールド樹脂７０は、第２の電子部品３０上においてアイランド５１から露出している。

このような電子装置１００においては、リードフレーム５０が基板として構成され、このリードフレーム５０の一面５０ａ側では、第１及び第２の電子部品２０、３０を含むセラミック配線板１０がアイランド５１に搭載され、セラミック配線板１０とリード５２とがワイヤ６０により接続されている。

つまり、上記セラミック配線板１０、第１の電子部品２０、第２の電子部品３０およびワイヤ６０は、基板としてのリードフレーム５０の一面５０ａに搭載されている電子部品１０〜３０、６０として構成されている。

そして、本実施形態では、基板としてのリードフレーム５０において、次に述べるような独自の構成を施している。上述したように、リードフレーム５０は、一面５０ａに電子部品２０、３０が搭載され、一面５０ａがモールド樹脂７０で封止される基板である。

ここで、リードフレーム５０のうちモールド樹脂７０で封止されている面には、プライマー９０が塗布されており、リードフレーム５０とモールド樹脂７０の間にプライマー９０が介在している。

このプライマー９０は、図１（ａ）に示されるように、アイランド５１の一面５１ａにおけるモールド樹脂７０と接触する部位、および、リード５２のうちのモールド樹脂７０で封止される部位、すなわち、インナーリードの一面５０ａ、他面５０ｂに設けられている。

プライマー９０は、モールド樹脂７０とリードフレーム５０との密着性を確保するためのものである。プライマー９０の材質としては、一般的なシランカップリング剤が使用されるが、そのほかにも、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、シリコーンなどの樹脂が使用される。

このようなプライマー９０は、溶媒に溶かした状態で塗布され、溶媒を気化させることで溶媒を除去することによって硬化するものである。プライマー９０が固化した状態の物性としては、たとえば線膨張係数α１が１００ｐｐｍ／℃未満、ヤング率Ｅ１が５０００ＭＰａ未満、ガラス転移点Ｔｇが２００℃以上であることが好ましい。さらに、基板を構成するＮｉ、Ａｕ、Ａｌ、アルミナとの密着性が２０ＭＰａ以上が好ましい。

そして、本実施形態では、基板としてのリードフレーム５０の上記位置にプライマー９０を塗布するために、リードフレーム５０に、次のような工夫を施している。上述のように、リードフレーム５０は、一面５０ａに電子部品２０、３０が搭載され、当該一面５０ａがモールド樹脂７０で封止される基板である。

そして、リードフレーム５０には、他面５０ｂから一面５０ａに貫通する貫通穴１が設けられている。ここでは、図１に示されるように、貫通穴１は、アイランド５１の一面５０ａおよびリード５２の一面５０ａのうちモールド樹脂７０で封止される部位に設けられている。

本実施形態では、アイランド５１については、図１（ａ）、（ｂ）に示されるように、矩形板状であり、その一面５０ａの周辺部がモールド樹脂７０と接触する。ここでは、このモールド樹脂７０と接触するアイランド５１の一面５０ａの周辺部は、図１（ｂ）に示されるように、矩形環状である。そして、貫通穴１はこの矩形環状の接触部の各辺に１個ずつ設けられている。

また、リード５２については、図１（ａ）、（ｃ）に示されるように、短冊板状であり、そのインナーリード部分がモールド樹脂７０と接触する。そして、リード５２については、このインナーリード部分に貫通穴１が、１個設けられている。

なお、貫通穴１は、後述のようにプライマー９０を供給して溝２へ行き渡らせるためのものであり、その形成位置や大きさ、個数については、図１に限定されるものではない。また、穴形状も特に限定されるものではなく、丸穴でも角穴でもよい。

また、リードフレーム５０の一面５０ａのうちモールド樹脂７０で封止される部位には、溝２が設けられている。ここで、本実施形態でいう溝２とは、各種の辞書等に定義されているような細長いくぼみとしての溝である。

本実施形態では、図１に示されるように、アイランド５１の一面５０ａの周辺部にて、各貫通穴１を通り矩形環状をなす溝２が設けられている。また、リード５２のインナーリード部分の一面５０ａにて、貫通穴１を通り矩形環状をなす溝２が設けられている。そして、当該インナーリードの一面５０ａにおける矩形環状の溝２の内周部にて、ワイヤ６０が接続されるようになっている。

なお、図１において、（ａ）に示されるアイランド５１の断面は貫通穴１を通らない部分の断面であり、アイランド５１における貫通穴１の断面形状は示されていない。しかし、このアイランド５１における貫通穴１は、（ａ）に示されるリード５２における貫通穴１と同様、厚さ方向に貫通するものであることはもちろんである。

また、図１（ｂ）に示される各リード５２においては、貫通穴１および溝２は省略してあるが、当該図１（ｂ）に示される各リード５２について、図１（ｃ）に示される貫通穴１および溝２を有する構成となっている。また、図１（ａ）におけるリード５２の断面は、図１（ｃ）において貫通穴１を通り且つ図中の左右方向に沿った断面に相当するものである。

そして、アイランド５１およびリード５２の各一面５０ａにおいて、各溝２は、貫通穴１を通ることにより貫通穴１と連通している。つまり、本実施形態では、各溝２は、リードフレーム５０の一面５０ａにて当該一面５０ａにおける貫通穴１の開口部まで延びて当該開口部に連通している。また、これら貫通穴１および溝２は、切削加工、プレス加工またはエッチング加工などにより形成される。

そして、本実施形態では、後の製造方法にて述べるように、プライマー９０を、リードフレーム５０の他面５０ｂ側から貫通穴１に供給したとき、プライマー９０は、貫通穴１を介してリードフレーム５０の一面５０ａ側へ移り、その表面張力によって溝２内に行き渡るようになっている。

つまり、図１（ａ）に示されるように、プライマー９０は、この貫通穴１および溝２に沿って配置されている。具体的には、プライマー９０は、貫通穴１および溝２の内部に配置されるとともに、溝２については、当該溝２の開口部からアイランド５１の一面５０ａおよび上記インナーリードの一面５０ａよりも上方に、プライマー９０がはみ出た状態となっている。

なお、図１では、プライマー９０は（ａ）のみに表し、（ｂ）および（ｃ）では省略してあるが、上述のことから、プライマー９０は（ｂ）および（ｃ）における溝２に存在していることは明らかである。

次に、本実施形態の電子装置１００の製造方法について述べる。まず、セラミック配線板１０の一面、他面に、それぞれ第１の電子部品２０、第２の電子部品３０を搭載し、必要に応じてワイヤボンディングなどを行う。

そして、本実施形態では、上記リードフレーム５０を用意する。つまり、上記したように、プレスやエッチングなどによって、リードフレーム５０に貫通穴１を設けるとともに、リードフレーム５０の一面５０ａにおける貫通穴１の開口部まで延びて当該開口部に連通する上記溝２を形成する。

続いて、セラミック配線板１０の他面のうち第２の電子部品３０以外の部位に、接着剤４０を介してアイランド５１の一面５０ａを接着する。これによって、セラミック配線板１０を介して、リードフレーム５０のアイランド５１の一面５０ａに、電子部品２０、３０が搭載される。また、ワイヤボンディングによってセラミック配線板１０とリードフレーム５０のリード５２との間をワイヤ６０で接続する。

次に、プライマー配置工程を行う。すなわち、液状のプライマー９０を、リードフレーム５０の各貫通穴１に供給することにより、当該プライマー９０を、貫通穴１を介してリードフレーム５０の一面５０ａ側へ移し、当該プライマー９０の表面張力によって溝２内に行き渡らせる。その後、プライマー９０の溶媒を蒸発させて除去することにより、プライマー９０を硬化させる。これにより、プライマー９０の配置が完了する。

ここで、本実施形態では、上述の通り、リードフレーム５０のリード５１のインナーリード部分では、一面５０ａだけでなく他面５０ｂもモールド樹脂７０によって封止するものである。そのため、本プライマー配置工程では、リードフレーム５０の他面５０ｂ側から貫通穴１以外に、さらに当該インナーリードの他面５０ｂにも、プライマー９０を供給する。

その後、モールド工程を行う。すなわち、リードフレーム５０のアイランド５１の一面５０ａ、および、リード５２のインナーリード部分の一面５０ａ、他面５０ｂを、モールド樹脂７０で封止する。このモールド樹脂７０による封止は、トランスファーモールド法により行える。

なお、トランスファーモールド法では、ワークを、図示しない金型に設置し、その金型にモールド樹脂７０を注入することにより行うが、アイランド５１の他面５０ｂは、当該金型に密着させ、モールド樹脂７０で封止されないようにする。

このモールド工程では、セラミック配線板１０、電子部品２０、３０およびワイヤ６０がモールド樹脂７０にて封止される。こうして、封止が完了し、上記図１に示される本実施形態の電子装置１００ができあがる。

ところで、本実施形態によれば、リードフレーム５０の部品搭載面である一面５０ａとは反対の他面５０ｂ側からプライマー９０を供給するだけで、プライマー９０は、貫通穴１から溝２に沿ってリードフレーム５０の一面５０ａにおけるモールド樹脂７０で封止される部位に行き渡る。

そのため、リードフレーム５０の一面５０ａにおいて、セラミック配線板１０や電子部品２０がどのように配置されていたとしても、その配置に関係なくプライマー９０が行き渡る。

なお、図１では、リードフレーム５０のアイランド５１の一面５０ａには、セラミック配線板１０が搭載されているが、アイランド５０の一面５０ａには、図示しないその他の電子部品が搭載されていてもよい。そのような場合、セラミック配線板１０と当該その他の電子部品との狭い間、あるいは隣り合うその他の電子部品同士の狭い間にプライマー９０を配置することは、従来の塗布方法では、難しかったが、本実施形態のような溝２を採用すれば、容易にプライマー９０を配置できることは明らかである。

また、リードフレーム５０の一面５０ａのうちワイヤ６０で覆われている部位についても、当該部位に設けた溝２によってプライマー９０が到達する。具体的には、アイランド５１の一面５０ａおよびリード５２の一面５０ａには、その上をワイヤ６０が跨ぐ部分が存在するが、本実施形態では、当該一面５０ａにおけるワイヤ６０の下部に溝２が設けられているので、ワイヤ６０の有無に関係なくプライマー９０が配置される。

このように、本実施形態によれば、基板としてのリードフレーム５０の一面５０ａ上の電子部品２０、３０やワイヤ６０の制約を受けることなく、当該一面５０ａの必要な部位にプライマー９０を塗布することができる。

また、本実施形態では、リードフレーム５０のうちアイランド５１については一面５０ａ側のみがモールド樹脂７０で封止されるが、リード５２についてはインナーリード部分にて両面５０ａ、５０ｂがモールド樹脂７０で封止される。そこで、リード５２については、両面５０ａ、５０ｂにプライマー９０を配置する。

このように、リードフレーム５０の一面５０ａおよび他面５０ｂにプライマー９０を配置する場合、従来では、一面５０ａからの塗布を行った後、他面５０ｂ側からの塗布を行うというように、各面５０ａ、５０ｂとで別々の塗布工程が必要であった。

しかし、本実施形態によれば、リードフレーム５０の両面５０ａ、５０ｂにプライマー９０を塗布する場合でも、リードフレーム５０に上記貫通穴１および溝２を設けたことによる作用効果によって、他面５０ｂ側から行う塗布工程のみで、リードフレーム５０の両面５０ａ、５０ｂの必要な部位に適切にプライマー９０を配置できる。その結果、従来よりも、プライマー９０の塗布の工数を低減できる。

なお、上記図１では、溝２の長手方向と直交する方向に沿った断面形状すなわち溝形状は、矩形であったが、溝２の溝形状としては、液状のプライマー９０がその表面張力によって溝２を浸透していくものであればよく、特に限定されるものではない。

たとえば、溝２の溝形状としては、図２に示されるようなものであってもよい。図２は、溝２の溝形状の他の例を示す概略断面図であるが、当該溝形状としては、図２（ａ）に示されるようなＶ溝や、図２（ｂ）に示されるようなＵ溝であってもよい。

また、プライマー９０が表面張力によって溝２を浸透していきやすくするために、溝２の内面を、溝２の外部よりも粗化してもよい。具体的には、研磨や研削、エッチングなどによって、溝２の内面の表面粗さを、溝２の外部よりも大きくすればよい。

（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態に係る溝２の開口形状のバリエーションを示す概略平面図である。上記第１実施形態との相違点を中心に述べる。上記第１実施形態では、溝２の開口形状すなわちリードフレーム５０の一面５０ａの上方から見た溝２の平面形状は、１本の線状の溝であった。

このような１本の線状の溝２の場合、プライマー９０の塗布面積が広い場合、単純には溝２の幅を広くすることが考えられるが、当該幅が広すぎると表面張力によってプライマー９０が広がっていかなくなる。

その場合、図３（ａ）に示されるように、溝２の開口形状を、十字形状の溝が１方向に配列されて連なったものとしたり、図３（ｂ）に示されるように、溝２を、互いに同じ方向に沿って並列する２本の溝の集合体よりなるものとすればよい。

このようにすれば、溝２の幅を、表面張力によってプライマー９０を行き渡らせる程度に狭いものに維持しても、溝２の幅方向に広くプライマー９０を行き渡らせることができ、広いプライマー９０の塗布面積に対応することができる。

たとえば、図３（ａ）において１本の溝２は狭くても、２本あるいは３本以上並列させることにより、溝２の幅方向におけるプライマー９０の塗布面積を稼ぐことが可能である。また、図３（ｂ）においては、溝２の幅方向（図中の上下方向）に短い溝が延びているため、この短い溝をプライマー９０が表面張力にて伝っていくことにより、やはり、上記同様の効果が得られる。

（第３実施形態）
図４は、本発明の第３実施形態に係る電子装置を示す概略断面図である。本実施形態は、上記第１実施形態に示した電子装置を一部変形したところが相違するものであり、その相違点を中心に述べる。

上記第１実施形態では、リードフレーム５０のリード５１のインナーリード部分では、一面５０ａだけでなく他面５０ｂもモールド樹脂７０によって封止するが、アイランド５１の他面５０ｂは、モールド樹脂７０から露出させている。

それに対して、本実施形態では、図４に示されるように、リード５２のインナーリード部分だけでなく、アイランド５１についても一面５０ａおよび他面５０ｂを、モールド樹脂７０で封止するものである。つまり、一般的なフルモールド構造のパッケージであるのが、本実施形態の電子装置である。

そのため、本実施形態では、プライマー配置工程において、リードフレーム５０の他面５０ｂ側から貫通穴１にプライマー９０を供給するとともに、インナーリードの他面５０ｂに加えて、さらにアイランド５１の他面５０ｂの略全面にも、プライマー９０を供給するようにする。

これにより、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様に、リードフレーム５０の一面５０ａ上の電子部品２０、３０やワイヤ６０の制約を受けることなく、当該一面５０ａの必要な部位にプライマー９０を塗布することができる。また、フルモールド構造において、従来よりも、プライマー９０の塗布の工数を低減できる。

（他の実施形態）
なお、上記図１や図４に示される電子装置は、リードフレーム５０の両面５０ａ、５０ｂにてモールド樹脂７０で封止される部位が存在するものであるため、当該両面５０ａ、５０ｂにプライマー９０を配置していた。しかし、このリードフレームとしては、一面が電子部品を搭載する部品搭載面であり当該部品搭載面がモールド樹脂で封止されるものであればよい。

たとえば、ＱＦＮ（クワッド・フラット・ノンリード・パッケージ）のように、基板としてのリードフレームにおける部品搭載面のみがモールド樹脂で封止され、それとは反対側のリードフレームの面がモールド樹脂から露出する場合においても、上記貫通穴および溝を基板に設けてもよいことは、言うまでもない。

また、図５は他の実施形態としての基板５０’の概略断面図である。基板としては、上記したアイランド５１やリード５２がパターニングされたリードフレーム５０に限定されるものではなく、図５に示されるような１枚の単純な板状の基板５０でもよい。

この場合も、貫通穴１は基板５０の一面５０ａから他面５０ｂに貫通しており、溝２は、一面５０ａにおける貫通穴１の開口部まで延びて当該開口部に連通している。そして、この図５の基板５０としては、たとえばセラミック基板やプリント基板などの配線基板、あるいはヒートシンクなどでもよい。

また、図６は他の実施形態としての基板５０の他面側の概略平面図である。基板５０における貫通穴１は、後述のようにプライマー９０を供給して溝２へ行き渡らせるためのものであり、部品搭載面である一面に設けられた溝２に連通しているならば、貫通穴１は、図６に示されるように、基板５０の任意の場所に設けることが可能である。

本発明の第１実施形態に係る電子装置を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の下方から見たときの概略平面図であり、（ｃ）は（ｂ）中のＡ部拡大図である。 第１実施形態における溝形状の他の例を示す概略断面図である。 本発明の第２実施形態に係る溝の開口形状のバリエーションを示す概略平面図である。 本発明の第３実施形態に係る電子装置を示す概略断面図である。 他の実施形態としての基板の概略断面図である。 他の実施形態としての基板の概略平面図である。

符号の説明

１ 貫通穴
２ 溝
２０ 第１の電子部品
３０ 第２の電子部品
５０ 基板としてのリードフレーム
５０ａ リードフレームの一面
５０ｂ リードフレームの他面
７０ モールド樹脂
９０ プライマー

Claims (9)

1. 一面（５０ａ）に電子部品（２０、３０）が搭載され、前記一面（５０ａ）がモールド樹脂（７０）で封止される基板であって、
   前記一面（５０ａ）とは反対側の他面（５０ｂ）から前記一面（５０ａ）に貫通する貫通穴（１）が設けられており、
   前記一面（５０ａ）のうち前記モールド樹脂（７０）で封止される部位には、溝（２）が設けられており、
   この溝（２）は、前記一面（５０ａ）にて前記一面（５０ａ）における前記貫通穴（１）の開口部まで延びて当該開口部に連通しており、
   前記モールド樹脂（７０）と当該基板との密着性を確保するためのプライマー（９０）が前記他面（５０ｂ）に設けられており、
   さらに、前記プライマー（９０）は、前記貫通穴（１）および前記溝（２）内に行き渡って存在していることを特徴とする基板。
2. 前記一面（５０ａ）における前記モールド樹脂（７０）で封止される部位のうち前記溝（２）以外の部位に、ワイヤ（６０）が接続されていることを特徴とする請求項１に記載の基板。
3. 前記一面（５０ａ）における前記モールド樹脂（７０）で封止される部位のうち前記ワイヤ（６０）が跨いでいる部位に、前記溝（２）が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の基板。
4. 前記溝（２）の開口形状は、十字形状の溝が１方向に配列されて連なったものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の基板。
5. 前記溝（２）は、同方向に沿って並列する２本以上の溝の集合体よりなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の基板。
6. 基板（５０）の一面（５０ａ）に電子部品（２０、３０）を搭載した後、前記電子部品（２０、３０）とともに前記基板（５０）の前記一面（５０ａ）をモールド樹脂（７０）で封止してなる電子装置の製造方法において、
   前記基板（５０）の前記一面（５０ａ）とは反対側の他面（５０ｂ）に、当該他面（５０ｂ）から前記一面（５０ａ）に貫通する貫通穴（１）を設け、
   前記基板（５０）の前記一面（５０ａ）のうち前記モールド樹脂（７０）で封止される部位に溝（２）を設けるとともに、前記溝（２）を、前記一面（５０ａ）における前記貫通穴（１）の開口部まで延びて当該開口部に連通したものとして形成し、
   次に、前記モールド樹脂（７０）と前記基板（５０）との密着性を確保するためのプライマー（９０）を、前記基板（５０）の前記他面（５０ｂ）側から前記貫通穴（１）に供給することにより、前記プライマー（９０）を、前記貫通穴（１）を介して前記基板（５０）の前記一面（５０ａ）側へ移し、前記プライマー（９０）の表面張力によって前記溝（２）内に行き渡らせ、
   その後、前記基板（５０）の前記一面（５０ａ）を前記モールド樹脂（７０）で封止することを特徴とする電子装置の製造方法。
7. 前記溝（２）の開口形状を、十字形状の溝が１方向に配列されて連なったものとして形成することを特徴とする請求項６に記載の電子装置の製造方法。
8. 前記溝（２）を、同方向に沿って並列する２本以上の溝の集合体よりなるものとして形成することを特徴とする請求項６に記載の電子装置の製造方法。
9. 前記モールド樹脂（７０）による封止工程では、前記基板（５０）の前記他面（５０ｂ）も前記モールド樹脂（７０）によって封止するものであり、
   前記プライマー（９０）を、前記基板（５０）の前記他面（５０ｂ）側から当該他面（５０ｂ）のうち前記モールド樹脂（７０）で封止される部位および前記貫通穴（１）に供給することを特徴とする請求項６ないし８のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。

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