JP2822989B2 - リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を搭載
する放熱板と、その放熱板の外周に、略放射状に配置さ
れたリードとから構成されるリードフレーム及びその製
造方法並びに樹脂封止型半導体装置に関し、特に半導体
装置の低熱抵抗化を図り、かつ製造工程を簡略化するこ
とにより、製造コストの低廉化を図ったリードフレーム
及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置に関す
る。
する放熱板と、その放熱板の外周に、略放射状に配置さ
れたリードとから構成されるリードフレーム及びその製
造方法並びに樹脂封止型半導体装置に関し、特に半導体
装置の低熱抵抗化を図り、かつ製造工程を簡略化するこ
とにより、製造コストの低廉化を図ったリードフレーム
及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、樹脂封止型の半導体装置（以
下、「半導体装置」という）は、ダイパッド上に半導体
素子を搭載し、その半導体素子の外周に、略放射状に配
置されたリードと半導体素子の電極とを金属細線によっ
て接続し、ダイパッド、半導体素子、リードの内側であ
るインナーリード及び金属細線を封止樹脂によって封止
した構造をしている。ダイパッドとリードとは、帯状の
リードフレームが打ち抜き加工されることにより、同一
平面内に成形され、大量生産化が図られている。
下、「半導体装置」という）は、ダイパッド上に半導体
素子を搭載し、その半導体素子の外周に、略放射状に配
置されたリードと半導体素子の電極とを金属細線によっ
て接続し、ダイパッド、半導体素子、リードの内側であ
るインナーリード及び金属細線を封止樹脂によって封止
した構造をしている。ダイパッドとリードとは、帯状の
リードフレームが打ち抜き加工されることにより、同一
平面内に成形され、大量生産化が図られている。
【０００３】近年の半導体装置は、高密度実装の要請に
応えるため、半導体素子の高速・高密度化が進み、２０
０ピンクラスが開発されており、その消費電力は急速に
増加する傾向にある。このため、上記のような構造の半
導体装置で、高速・高密度化が図られると、半導体素子
が過加熱化され、動作しなくなるという問題が生じる。
応えるため、半導体素子の高速・高密度化が進み、２０
０ピンクラスが開発されており、その消費電力は急速に
増加する傾向にある。このため、上記のような構造の半
導体装置で、高速・高密度化が図られると、半導体素子
が過加熱化され、動作しなくなるという問題が生じる。
【０００４】このような不具合を解消するため、セラミ
ックなどを使用した低熱抵抗タイプの低抵抗の半導体装
置を使用することも可能であるが、部材費が大幅に増大
してしまう。例えば２００ピンクラスの半導体装置で比
較すると、セラミックタイプは従来のものよりも約１０
倍以上の資材費が必要となり、近年のユーザからの安価
供給の要請に応えることができない。
ックなどを使用した低熱抵抗タイプの低抵抗の半導体装
置を使用することも可能であるが、部材費が大幅に増大
してしまう。例えば２００ピンクラスの半導体装置で比
較すると、セラミックタイプは従来のものよりも約１０
倍以上の資材費が必要となり、近年のユーザからの安価
供給の要請に応えることができない。
【０００５】そこで、図６から図８に示すような低熱抵
抗化を図った半導体装置が開発されている。この半導体
装置は半導体素子１が大きな面積の放熱板２上に搭載さ
れることにより、低熱抵抗化が図られている。放熱板２
の外周部がリード３の内側であるインナーリード３ａの
内端部と重なり、その重なる部分に「□」字形の接着テ
ープ４が接着される。接着テープ４は図７（ｂ）に示す
ように、ポリイミドなどの絶縁フィルム４ａの表裏面に
絶縁性の接着剤（熱硬化性樹脂）４ｂ，４ｂが塗布され
た３層構造とされ、放熱板２とリード３との絶縁性が確
保されている。
抗化を図った半導体装置が開発されている。この半導体
装置は半導体素子１が大きな面積の放熱板２上に搭載さ
れることにより、低熱抵抗化が図られている。放熱板２
の外周部がリード３の内側であるインナーリード３ａの
内端部と重なり、その重なる部分に「□」字形の接着テ
ープ４が接着される。接着テープ４は図７（ｂ）に示す
ように、ポリイミドなどの絶縁フィルム４ａの表裏面に
絶縁性の接着剤（熱硬化性樹脂）４ｂ，４ｂが塗布され
た３層構造とされ、放熱板２とリード３との絶縁性が確
保されている。
【０００６】ここで、その放熱板２とインナーリード３
ａとを一体化する一例について、図８を参照しながら説
明する。リードフレームは図８（ａ）に示すように、多
数本のリード３が形成されたリードフレームの中間構体
１０と放熱板２とが別体に成形される。このリード３の
インナーリード３ａの先端部に「□」字形の接着テープ
４が仮接着される。その後、その接着テープ４の裏面に
放熱板２が加熱圧着される。さらに、インナーリード３
ａの先端部と接着テープ４と放熱板２とが加熱処理さ
れ、プラズマ洗浄されると、図８（ｂ）に示すように、
インナーリード３ａの先端部と放熱板２とが一体化され
たリードフレームが完成する。
ａとを一体化する一例について、図８を参照しながら説
明する。リードフレームは図８（ａ）に示すように、多
数本のリード３が形成されたリードフレームの中間構体
１０と放熱板２とが別体に成形される。このリード３の
インナーリード３ａの先端部に「□」字形の接着テープ
４が仮接着される。その後、その接着テープ４の裏面に
放熱板２が加熱圧着される。さらに、インナーリード３
ａの先端部と接着テープ４と放熱板２とが加熱処理さ
れ、プラズマ洗浄されると、図８（ｂ）に示すように、
インナーリード３ａの先端部と放熱板２とが一体化され
たリードフレームが完成する。
【０００７】このようなリードフレームの放熱板２上に
半導体素子１が搭載され、その半導体素子１の電極とイ
ンナーリード３ａとが金属細線５によって接続される。
その後、これらの部分はリードフレームごと、キャビテ
ィを形成した上下金型（図示せず）間にセッティングさ
れ、その上下金型間のキャビティ内に溶融樹脂が充填さ
れる。溶融樹脂が硬化すると、放熱板２上の半導体素子
１やインナーリード３ａ、金属細線５が封止樹脂６によ
って封止される。最後に、リード３の外側であるアウタ
ーリード３ｂの基端部分がリードフレーム１０から切断
され、所定の形状に折り曲げられると、半導体装置が完
成する。この半導体装置の熱抵抗は、放熱板２によって
従来の通常の半導体装置と比べて、約２５％程度、低減
される。
半導体素子１が搭載され、その半導体素子１の電極とイ
ンナーリード３ａとが金属細線５によって接続される。
その後、これらの部分はリードフレームごと、キャビテ
ィを形成した上下金型（図示せず）間にセッティングさ
れ、その上下金型間のキャビティ内に溶融樹脂が充填さ
れる。溶融樹脂が硬化すると、放熱板２上の半導体素子
１やインナーリード３ａ、金属細線５が封止樹脂６によ
って封止される。最後に、リード３の外側であるアウタ
ーリード３ｂの基端部分がリードフレーム１０から切断
され、所定の形状に折り曲げられると、半導体装置が完
成する。この半導体装置の熱抵抗は、放熱板２によって
従来の通常の半導体装置と比べて、約２５％程度、低減
される。
【０００８】また、アウターリード３ｂとインナーリー
ド３ａとの境界近傍は、上下金型間のキャビティ内に充
填された溶融樹脂が、漏れ出ないようにするためのダム
バー３ｃが形成されている。近年、放熱板付きリードフ
レームを必要とする製品は２００ピンクラス以上の製品
が主流であるが、例えば、特開平２ー１２２６６０号公
報、特開平４ー９１４６４号公報及び特開平４ー１３９
８６８号には、樹脂封止後のダムバー切断を不要とし、
半導体装置の多ピン・狭ピッチ化に対応すると共に、組
立工程簡略化を実現するために、ダムバーを絶縁性樹脂
で形成したリードフレームが開示されている。
ド３ａとの境界近傍は、上下金型間のキャビティ内に充
填された溶融樹脂が、漏れ出ないようにするためのダム
バー３ｃが形成されている。近年、放熱板付きリードフ
レームを必要とする製品は２００ピンクラス以上の製品
が主流であるが、例えば、特開平２ー１２２６６０号公
報、特開平４ー９１４６４号公報及び特開平４ー１３９
８６８号には、樹脂封止後のダムバー切断を不要とし、
半導体装置の多ピン・狭ピッチ化に対応すると共に、組
立工程簡略化を実現するために、ダムバーを絶縁性樹脂
で形成したリードフレームが開示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】高速・高密度化された
半導体装置は、低熱抵抗化を図るため、大きな面積の放
熱板２上に半導体素子１が搭載されている。この放熱板
２はインナーリード３ａの先端部と接合するため、接着
テープ４によって両者２，３ａの絶縁性を確保しつつ一
体化されている。
半導体装置は、低熱抵抗化を図るため、大きな面積の放
熱板２上に半導体素子１が搭載されている。この放熱板
２はインナーリード３ａの先端部と接合するため、接着
テープ４によって両者２，３ａの絶縁性を確保しつつ一
体化されている。
【００１０】しかし、放熱板２を接着テープ４によって
貼り付けると、接着セープ代及び貼り付け工賃等が加算
されるため、放熱板付きリードフレームの資材費及び製
造コストが高価になる。
貼り付けると、接着セープ代及び貼り付け工賃等が加算
されるため、放熱板付きリードフレームの資材費及び製
造コストが高価になる。
【００１１】また、放熱板２とインナーリード３ａと一
体化するには、インナーリード３ａの先端部を接着テー
プ４によって仮接着した後、加熱圧着し、加熱処理し、
プラズマ洗浄するといった技術的に高度でかつ複雑な製
造工程が必要となる。
体化するには、インナーリード３ａの先端部を接着テー
プ４によって仮接着した後、加熱圧着し、加熱処理し、
プラズマ洗浄するといった技術的に高度でかつ複雑な製
造工程が必要となる。
【００１２】例えば、２００ピンクラスの半導体装置を
製造するためのリードフレーム１０の製造コストは、従
来のリードフレームよりも約２倍以上となっていた。従
って、資材費及び製造コストの低減を図るために、放熱
板付きリードフレームの製造工程を含めた構造の見直し
が必要である。
製造するためのリードフレーム１０の製造コストは、従
来のリードフレームよりも約２倍以上となっていた。従
って、資材費及び製造コストの低減を図るために、放熱
板付きリードフレームの製造工程を含めた構造の見直し
が必要である。
【００１３】そこで本発明は、ダムバーを絶縁性樹脂で
形成したリードフレームを利用し、半導体装置の低熱抵
抗化を図り、かつ製造工程を簡略化することにより、製
造コストの低廉化を図ったリードフレーム及びその製造
方法並びに樹脂封止型半導体装置を提供することを目的
とする。
形成したリードフレームを利用し、半導体装置の低熱抵
抗化を図り、かつ製造工程を簡略化することにより、製
造コストの低廉化を図ったリードフレーム及びその製造
方法並びに樹脂封止型半導体装置を提供することを目的
とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、半導体素子を搭載する放熱板と、前記放熱板の周囲
に略放射状に配置され、内側のインナーリードと外側の
アウターリードとからなるリードと、放熱板とインナー
リードとを接着する絶縁性樹脂と、インナーリードとア
ウターリードとの境界近傍に形成され絶縁性樹脂からな
るダムバーとを有するものである。
は、半導体素子を搭載する放熱板と、前記放熱板の周囲
に略放射状に配置され、内側のインナーリードと外側の
アウターリードとからなるリードと、放熱板とインナー
リードとを接着する絶縁性樹脂と、インナーリードとア
ウターリードとの境界近傍に形成され絶縁性樹脂からな
るダムバーとを有するものである。
【００１５】本発明によれば、放熱板とインナーリード
とが絶縁性樹脂によって接着され、そしてインナーリー
ドとアウターリードとの境界近傍が絶縁性樹脂によって
連結されることにより、絶縁性樹脂からなるダムバーが
形成される。これらの絶縁性樹脂は、加熱圧着工程で成
形されるため、本発明に係るリードフレームは高度でか
つ複雑な製造工程を必要とすることなく製造される。
とが絶縁性樹脂によって接着され、そしてインナーリー
ドとアウターリードとの境界近傍が絶縁性樹脂によって
連結されることにより、絶縁性樹脂からなるダムバーが
形成される。これらの絶縁性樹脂は、加熱圧着工程で成
形されるため、本発明に係るリードフレームは高度でか
つ複雑な製造工程を必要とすることなく製造される。
【００１６】上記の絶縁性樹脂はポリイミド系の液状樹
脂又はフィルム材とするのが好ましい。
脂又はフィルム材とするのが好ましい。
【００１７】上記の放熱板の少なくともインナーリード
と接合する部分は、絶縁性被膜を備えた複合材料を積層
したものとするのが好ましい。
と接合する部分は、絶縁性被膜を備えた複合材料を積層
したものとするのが好ましい。
【００１８】本発明のリードフレームの製造方法は、半
導体素子を搭載する放熱板と、放熱板の周囲に略放射状
に配置されるインナーリードの先端部とを絶縁性樹脂に
よって接着する工程と、多数本のインナーリードと多数
本のアウターリードとの境界近傍に絶縁性樹脂によって
ダムバーを連結する工程とを同時に行うことを特徴とす
るものである。
導体素子を搭載する放熱板と、放熱板の周囲に略放射状
に配置されるインナーリードの先端部とを絶縁性樹脂に
よって接着する工程と、多数本のインナーリードと多数
本のアウターリードとの境界近傍に絶縁性樹脂によって
ダムバーを連結する工程とを同時に行うことを特徴とす
るものである。
【００１９】本発明によれば、放熱板とインナーリード
の先端部とを絶縁性樹脂によって接着する工程と、多数
本のインナーリードと多数本のアウターリードとの境界
近傍を絶縁性樹脂によって接着する工程とを同時に行う
ことにより、製造工程の簡略化が図られる。
の先端部とを絶縁性樹脂によって接着する工程と、多数
本のインナーリードと多数本のアウターリードとの境界
近傍を絶縁性樹脂によって接着する工程とを同時に行う
ことにより、製造工程の簡略化が図られる。
【００２０】上記の絶縁性樹脂と同一の絶縁性樹脂を、
半導体素子を搭載する放熱板上に積層することが望まし
い。
半導体素子を搭載する放熱板上に積層することが望まし
い。
【００２１】本発明の樹脂封止型半導体装置は、前記リ
ードフレームの放熱板上に半導体素子を搭載し、その半
導体素子の電極とインナーリードの端部とを金属細線で
接続し、封止樹脂で封止したことを特徴とするものであ
る。
ードフレームの放熱板上に半導体素子を搭載し、その半
導体素子の電極とインナーリードの端部とを金属細線で
接続し、封止樹脂で封止したことを特徴とするものであ
る。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１から図
５を参照しながら説明する。ただし、従来と同一に相当
する部分は同一の符号を附して、その説明を省略する。
５を参照しながら説明する。ただし、従来と同一に相当
する部分は同一の符号を附して、その説明を省略する。
【００２３】本発明は高速・高密度化された半導体装置
を製造するのに最適なリードフレーム及びその製造方法
に関するものである。したがって特に２００ピンクラス
以上の半導体装置を製造する際に有効であり、インナー
リード３ａとアウターリード３ｂの境界近傍には、図１
に示すように、絶縁性樹脂によってダムバー３ｃが形成
される。このダムバー３ｃによって、上下金型間のキャ
ビティ（図示せず）内に充填される溶融樹脂が、上下金
型間から漏れ出ることが防止される。
を製造するのに最適なリードフレーム及びその製造方法
に関するものである。したがって特に２００ピンクラス
以上の半導体装置を製造する際に有効であり、インナー
リード３ａとアウターリード３ｂの境界近傍には、図１
に示すように、絶縁性樹脂によってダムバー３ｃが形成
される。このダムバー３ｃによって、上下金型間のキャ
ビティ（図示せず）内に充填される溶融樹脂が、上下金
型間から漏れ出ることが防止される。
【００２４】他方、半導体素子１は低熱抵抗化を図るた
め、放熱板９上に搭載される。放熱板９は、図２に示す
ように、上記のダムバー３ｃを形成する絶縁性樹脂と同
じ材質の絶縁性樹脂７によってインナーリード３ａの内
端部と接着される。その絶縁性樹脂７は多数本のインナ
ーリード３ａの先端部の間及び下面に形成される。
め、放熱板９上に搭載される。放熱板９は、図２に示す
ように、上記のダムバー３ｃを形成する絶縁性樹脂と同
じ材質の絶縁性樹脂７によってインナーリード３ａの内
端部と接着される。その絶縁性樹脂７は多数本のインナ
ーリード３ａの先端部の間及び下面に形成される。
【００２５】放熱板９は図２（ｂ）に示すように、導電
性の基板９ａ上に絶縁被膜９ｂが被覆され、その絶縁被
膜９ｂがインナーリード３ａと接着することにより、イ
ンナーリード３ａ間が短絡しないようにされている。た
だし、絶縁被膜９ｂが放熱板９上に搭載する半導体素子
１の熱抵抗の性能を低下させないようにするため、その
絶縁被膜９ｂの厚さは最大、３０μｍとする。３０μｍ
の絶縁被膜９ｂが介在した半導体装置の熱抵抗は、０．
０５％以下程度しか低下しないという実験結果が得られ
ており、実用上、問題となることはない。
性の基板９ａ上に絶縁被膜９ｂが被覆され、その絶縁被
膜９ｂがインナーリード３ａと接着することにより、イ
ンナーリード３ａ間が短絡しないようにされている。た
だし、絶縁被膜９ｂが放熱板９上に搭載する半導体素子
１の熱抵抗の性能を低下させないようにするため、その
絶縁被膜９ｂの厚さは最大、３０μｍとする。３０μｍ
の絶縁被膜９ｂが介在した半導体装置の熱抵抗は、０．
０５％以下程度しか低下しないという実験結果が得られ
ており、実用上、問題となることはない。
【００２６】半導体素子１の電極とインナーリード３ａ
とは金属細線５によって接続される。そして、半導体素
子１、インナーリード３ａ及び金属細線５が封止樹脂６
によって被覆され、アウターリード３ｂが折曲される
と、半導体装置が完成する。
とは金属細線５によって接続される。そして、半導体素
子１、インナーリード３ａ及び金属細線５が封止樹脂６
によって被覆され、アウターリード３ｂが折曲される
と、半導体装置が完成する。
【００２７】このような半導体装置は図３及び図４に示
すような工程によって製造される。すなわち図３（ａ）
に示すように、インナーリード３ａとアウターリード３
ｂとの境界近傍にダムバー３ｃを形成していないリード
フレームの中間構体１１を形成する。次に図３（ｂ）に
示すように、前記リードフレームの中間構体１１のイン
ナーリード３ａとアウターリード３ｂとの境界近傍に直
線状の絶縁性樹脂によってダムバー３ｃが形成される。
この絶縁性樹脂としては熱硬化性ポリイミド又は熱可塑
性ポリイミドを使用することができる。
すような工程によって製造される。すなわち図３（ａ）
に示すように、インナーリード３ａとアウターリード３
ｂとの境界近傍にダムバー３ｃを形成していないリード
フレームの中間構体１１を形成する。次に図３（ｂ）に
示すように、前記リードフレームの中間構体１１のイン
ナーリード３ａとアウターリード３ｂとの境界近傍に直
線状の絶縁性樹脂によってダムバー３ｃが形成される。
この絶縁性樹脂としては熱硬化性ポリイミド又は熱可塑
性ポリイミドを使用することができる。
【００２８】熱硬化性ポリイミドを使用する場合には、
ディスペンス方式あるいはスクリーン印刷方式によっ
て、所定の位置にその絶縁性樹脂を塗布し、その後、加
圧熱処理することによってダムバー３ｃが形成される。
熱可塑性ポリイミドを使用する場合には、テープ状のも
のを金型などで所定の形状に打ち抜き加工し、それを所
定の位置に仮貼付し、その後加熱処理することにより、
ダムバー３ｃが形成される。
ディスペンス方式あるいはスクリーン印刷方式によっ
て、所定の位置にその絶縁性樹脂を塗布し、その後、加
圧熱処理することによってダムバー３ｃが形成される。
熱可塑性ポリイミドを使用する場合には、テープ状のも
のを金型などで所定の形状に打ち抜き加工し、それを所
定の位置に仮貼付し、その後加熱処理することにより、
ダムバー３ｃが形成される。
【００２９】このようなダムバー３ｃの形成と同時に、
図３（ｂ）に示すようにインナーリード３ａの先端部に
「□」字形の絶縁性樹脂７が形成される。この絶縁性樹
脂７は上記のダムバー３ｃを形成する絶縁性樹脂と同じ
材質とする。この絶縁性樹脂７には図３（ｃ）（ｄ）に
示すように、放熱板９の外周部が貼着される。
図３（ｂ）に示すようにインナーリード３ａの先端部に
「□」字形の絶縁性樹脂７が形成される。この絶縁性樹
脂７は上記のダムバー３ｃを形成する絶縁性樹脂と同じ
材質とする。この絶縁性樹脂７には図３（ｃ）（ｄ）に
示すように、放熱板９の外周部が貼着される。
【００３０】上記のダムバー３ｃを形成し、放熱板９を
貼着するには、図４に示すような上下のプレス金型２
１，２２が使用される。上側のプレス金型２１には、放
熱板９の厚み分の凹部２１ａが形成される。
貼着するには、図４に示すような上下のプレス金型２
１，２２が使用される。上側のプレス金型２１には、放
熱板９の厚み分の凹部２１ａが形成される。
【００３１】まず、リードフレームの中間構体１１の所
定の位置にダムバー３ｃ用の絶縁性樹脂と放熱板接着固
定用の絶縁性樹脂７とを塗布する。
定の位置にダムバー３ｃ用の絶縁性樹脂と放熱板接着固
定用の絶縁性樹脂７とを塗布する。
【００３２】次いで、放熱板９は図４（ａ）に示すよう
に、リードフレームの中間構体１１に仮貼着された状態
で、プレス金型２１，２２間にセッティングされる。そ
して、プレス金型２１，２２間で、放熱板９を仮貼着し
たリードフレームの中間構体１１が、図４（ｂ）に示す
ように押圧・加熱され、リードフレームの中間構体１１
のインナーリード３ａとアウターリード３ｂとの境界近
傍で、絶縁性樹脂が硬化してダムバー３ｃが形成され、
同時に、インナーリード３ａの先端部と放熱板９の外周
部とが絶縁性樹脂７によって接着される。したがって、
ダムバー３ｃの形成と、インナーリード３ａと放熱板９
との接着が同じ工程で行われる。
に、リードフレームの中間構体１１に仮貼着された状態
で、プレス金型２１，２２間にセッティングされる。そ
して、プレス金型２１，２２間で、放熱板９を仮貼着し
たリードフレームの中間構体１１が、図４（ｂ）に示す
ように押圧・加熱され、リードフレームの中間構体１１
のインナーリード３ａとアウターリード３ｂとの境界近
傍で、絶縁性樹脂が硬化してダムバー３ｃが形成され、
同時に、インナーリード３ａの先端部と放熱板９の外周
部とが絶縁性樹脂７によって接着される。したがって、
ダムバー３ｃの形成と、インナーリード３ａと放熱板９
との接着が同じ工程で行われる。
【００３３】その後、ダムバー３ｃを形成し、かつ放熱
板９を接着したリードフレームを、上下のプレス金型２
１，２２から取り出し、その放熱板９上に半導体素子１
を搭載する。そして、半導体素子１の電極とインナーリ
ード３ａとが金属細線５によって接続され、別の上下金
型（図示せず）によって封止樹脂で封止される。このと
き、ダムバー３ｃによって、溶融樹脂が上下金型間から
洩れ出ることがない。しかも、ダムバー３ｃは絶縁性樹
脂７によって形成されているため、別途、切断する必要
がなく、製造工程も簡略化される。最後に、アウターリ
ード３ｂが折り曲げられると、半導体装置が完成する。
板９を接着したリードフレームを、上下のプレス金型２
１，２２から取り出し、その放熱板９上に半導体素子１
を搭載する。そして、半導体素子１の電極とインナーリ
ード３ａとが金属細線５によって接続され、別の上下金
型（図示せず）によって封止樹脂で封止される。このと
き、ダムバー３ｃによって、溶融樹脂が上下金型間から
洩れ出ることがない。しかも、ダムバー３ｃは絶縁性樹
脂７によって形成されているため、別途、切断する必要
がなく、製造工程も簡略化される。最後に、アウターリ
ード３ｂが折り曲げられると、半導体装置が完成する。
【００３４】本発明は基本的に上記のようなリードフレ
ームによって半導体装置を製造するものであるが、これ
をさらに発展させることができる。
ームによって半導体装置を製造するものであるが、これ
をさらに発展させることができる。
【００３５】すなわち、半導体装置を製造する際に、放
熱板９にダイアタッチ用樹脂８（接着剤）が形成され
る。このダイアタッチ用樹脂８を、上記のダムバー３ｃ
を形成するための絶縁性樹脂や、インナーリード３ａと
放熱板９とを接着させるための絶縁性樹脂７と同じ絶縁
性樹脂とすることができる。
熱板９にダイアタッチ用樹脂８（接着剤）が形成され
る。このダイアタッチ用樹脂８を、上記のダムバー３ｃ
を形成するための絶縁性樹脂や、インナーリード３ａと
放熱板９とを接着させるための絶縁性樹脂７と同じ絶縁
性樹脂とすることができる。
【００３６】この場合は次のようにしてリードフレーム
が製造される。すなわち、図５（ａ）に示すように、ま
ず、予め放熱板９の絶縁被膜９ｂ面にダムバー３ｃ用の
絶縁性樹脂と同一の絶縁性樹脂８を仮貼付又は塗布して
おく。次いで、ダムバー３ｃ用の絶縁性樹脂、放熱板接
着固定用の絶縁性樹脂７をリードフレームの中間構体１
２の所定位置に貼り付け、あるいは塗布しておく。次い
で、放熱板９をインナーリード３ａの先端部に仮貼付す
る。
が製造される。すなわち、図５（ａ）に示すように、ま
ず、予め放熱板９の絶縁被膜９ｂ面にダムバー３ｃ用の
絶縁性樹脂と同一の絶縁性樹脂８を仮貼付又は塗布して
おく。次いで、ダムバー３ｃ用の絶縁性樹脂、放熱板接
着固定用の絶縁性樹脂７をリードフレームの中間構体１
２の所定位置に貼り付け、あるいは塗布しておく。次い
で、放熱板９をインナーリード３ａの先端部に仮貼付す
る。
【００３７】この放熱板９を仮貼付したリードフレーム
の中間構体１２は、図５（ａ）に示すように上下のプレ
ス金型２３，２４内にセッティングされる。このとき、
放熱板９はインナーリード３ａ上に載せられた状態とな
り、放熱板９に仮貼付又は塗布したダイアタッチ用樹脂
８が下側のプレス金型２４と対向するようにされる。放
熱板９上に所定の厚さのダイアタッチ用樹脂８が形成さ
れるようにするため、図５（ａ）に示すように下側のプ
レス金型２４に凸部２４ａが形成されている。従って、
上下のプレス金型２３，２４が図５（ｂ）に示すように
接合すると、下側のプレス金型２４の凸部２４ａと上側
のプレス金型２３とのに間隔が生じ、この間隔によって
放熱板９上にダイアタッチ用樹脂８が形成される。
の中間構体１２は、図５（ａ）に示すように上下のプレ
ス金型２３，２４内にセッティングされる。このとき、
放熱板９はインナーリード３ａ上に載せられた状態とな
り、放熱板９に仮貼付又は塗布したダイアタッチ用樹脂
８が下側のプレス金型２４と対向するようにされる。放
熱板９上に所定の厚さのダイアタッチ用樹脂８が形成さ
れるようにするため、図５（ａ）に示すように下側のプ
レス金型２４に凸部２４ａが形成されている。従って、
上下のプレス金型２３，２４が図５（ｂ）に示すように
接合すると、下側のプレス金型２４の凸部２４ａと上側
のプレス金型２３とのに間隔が生じ、この間隔によって
放熱板９上にダイアタッチ用樹脂８が形成される。
【００３８】放熱板９上にダイアタッチ用樹脂８を形成
する工程は、インナーリード３ａと放熱板９とを絶縁性
樹脂７によって接着する工程及びダムバー３ｃを形成す
る工程と同時に行うことができる。したがって、本発明
によれば、半導体装置の組立時におけるダイアタッチ材
の塗布又は貼付の工程を節減することができる。
する工程は、インナーリード３ａと放熱板９とを絶縁性
樹脂７によって接着する工程及びダムバー３ｃを形成す
る工程と同時に行うことができる。したがって、本発明
によれば、半導体装置の組立時におけるダイアタッチ材
の塗布又は貼付の工程を節減することができる。
【００３９】また、放熱板９上のダイアタッチ用樹脂８
として、熱可塑性のポリイミドを主成分とするフィルム
材を使用した場合は、半導体装置の温度サイクル試験に
おいて、従来のＡｇペーストによるダイアタッチに比
べ、少なくとも１０倍以上の耐久性が向上するという結
果が得られた。
として、熱可塑性のポリイミドを主成分とするフィルム
材を使用した場合は、半導体装置の温度サイクル試験に
おいて、従来のＡｇペーストによるダイアタッチに比
べ、少なくとも１０倍以上の耐久性が向上するという結
果が得られた。
【００４０】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れることなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項
の範囲内において、種々の変更が可能である。
れることなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項
の範囲内において、種々の変更が可能である。
【００４１】
【実施例】絶縁性樹脂によって、ダムバーを形成し、そ
してインナーリードと放熱板とを接着するために、上下
のプレス金型がリードフレームと放熱板とを加熱圧着す
る温度及び時間は、熱硬化性樹脂で約２００℃、６０
分、熱可塑性樹脂で約２７０℃、５秒であり、圧力は３
０kgf/cm2という条件化で実施することができる。
してインナーリードと放熱板とを接着するために、上下
のプレス金型がリードフレームと放熱板とを加熱圧着す
る温度及び時間は、熱硬化性樹脂で約２００℃、６０
分、熱可塑性樹脂で約２７０℃、５秒であり、圧力は３
０kgf/cm2という条件化で実施することができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、半導体素子を放熱板に
搭載することにより、本リードフレームから製造される
半導体装置の低熱抵抗化を図ることができる。また放熱
板とインナーリードとを絶縁性樹脂によって接着し、ダ
ムバーを同じく絶縁性樹脂によって形成することによ
り、製造工程を簡略化することができる。したがって、
本発明に係るリードフレームから製造される半導体装置
のコストダウンを図ることができる。
搭載することにより、本リードフレームから製造される
半導体装置の低熱抵抗化を図ることができる。また放熱
板とインナーリードとを絶縁性樹脂によって接着し、ダ
ムバーを同じく絶縁性樹脂によって形成することによ
り、製造工程を簡略化することができる。したがって、
本発明に係るリードフレームから製造される半導体装置
のコストダウンを図ることができる。
【図１】本発明に係るリードフレームを含む半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
【図２】（ａ）は本発明に係るリードフレームの平面図
であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】本発明に係るリードフレームの製造工程を示す
斜視図であり、（ａ）は本発明に係るリードフレームの
中間構体の斜視図、（ｂ）は本発明に係るリードフレー
ムの中間構体に放熱板を接着する前の裏面側からの斜視
図、（ｃ）は本発明に係るリードフレームの裏面側から
の斜視図、（ｄ）は本発明に係るリードフレームの表面
側からの斜視図である。
斜視図であり、（ａ）は本発明に係るリードフレームの
中間構体の斜視図、（ｂ）は本発明に係るリードフレー
ムの中間構体に放熱板を接着する前の裏面側からの斜視
図、（ｃ）は本発明に係るリードフレームの裏面側から
の斜視図、（ｄ）は本発明に係るリードフレームの表面
側からの斜視図である。
【図４】本発明に係るリードフレームの製造工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明に係る変形例のリードフレームの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図６】従来のリードフレームを含む半導体装置の断面
図である。
図である。
【図７】（ａ）は従来のリードフレームの平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図８】従来のリードフレームの製造工程を示す斜視図
であり、（ａ）は従来のリードフレームの中間構体に放
熱板を接着する前の表面側からの斜視図、（ｂ）は従来
のリードフレームの表面側からの斜視図である。
であり、（ａ）は従来のリードフレームの中間構体に放
熱板を接着する前の表面側からの斜視図、（ｂ）は従来
のリードフレームの表面側からの斜視図である。
１：半導体装置 ３：リード ３ａ：インナーリード ３ｂ：アウターリード ３ｃ：ダムバー ７：絶縁性樹脂 ９：放熱板
Claims (6)
- 【請求項１】開口部と、その開口部内で外側に向かって
略放射状に設けられ、内側のインナーリード及び外側の
アウターリードからなるリードとを備えた中間構体と、 半導体素子を搭載する放熱板と、 前記放熱板とインナーリードとを接着する絶縁性樹脂
と、 前記インナーリードとアウターリードとの境界近傍に形
成され絶縁性樹脂からなるダムバーと、を有し、 前記放熱板は、前記中間構体の開口部に配置され、少な
くとも前記インナーリードと接着する部分に絶縁性被膜
が積層される、ことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】前記絶縁性樹脂はポリイミド系の液状樹脂
又はフィルム材であることを特徴とする請求項１に記載
のリードフレーム。 - 【請求項３】半導体素子を搭載する放熱板と、その放熱
板の周囲に略放射状に配置されるインナーリードの先端
部とを絶縁性樹脂によって接着する工程と、 前記インナーリードとアウターリードとの境界近傍に絶
縁性樹脂でダムバーを形成する工程とを、同時に行うこ
とを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項４】前記絶縁性樹脂と同一の絶縁性樹脂を、半
導体素子を搭載する放熱板上に積層することを特徴とす
る請求項３に記載のリードフレームの製造方法。 - 【請求項５】前記絶縁性樹脂はポリイミド系の液状樹脂
又はフィルム材であることを特徴とする請求項３又は４
に記載のリードフレームの製造方法。 - 【請求項６】請求項１又は２に記載のリードフレームの
放熱板上に半導体素子を搭載し、その半導体素子の電極
とインナーリードとを金属細線で接続し、封止樹脂で封
止したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8212374A JP2822989B2 (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8212374A JP2822989B2 (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1056126A JPH1056126A (ja) | 1998-02-24 |
| JP2822989B2 true JP2822989B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=16621515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8212374A Expired - Lifetime JP2822989B2 (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2822989B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9536802B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-01-03 | Denso Corporation | Semiconductor device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000124378A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Hitachi Cable Ltd | 高放熱性パッケージ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケージ |
| JP5035356B2 (ja) | 2010-01-26 | 2012-09-26 | 株式会社デンソー | 樹脂封止型電子装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0595079A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Ibiden Co Ltd | リードフレーム、半導体集積回路搭載用基板及び半導体装置並びにそれらの製造方法 |
-
1996
- 1996-08-12 JP JP8212374A patent/JP2822989B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9536802B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-01-03 | Denso Corporation | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1056126A (ja) | 1998-02-24 |
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