JP2000124378A - 高放熱性パッケージ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケージ - Google Patents
高放熱性パッケージ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケージInfo
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱部材の接着層と封止用樹脂との間に良好
な接着状態を作り出し、これによってこれらの部分にお
ける剥離あるいはクラックの発生を防止することのでき
る高放熱性パッケージ用リードフレームとこのリードフ
レームを使用した高放熱性半導体パッケージを提供す
る。 【解決手段】 接着層７と銅板９とから構成される放熱
部材６を接着層７を介してリードフレーム４のインナー
リード５に貼り付けた後、接着層７の表面にプラズマ処
理を施すことにより接着層７と封止用樹脂の接着力を向
上させる。
な接着状態を作り出し、これによってこれらの部分にお
ける剥離あるいはクラックの発生を防止することのでき
る高放熱性パッケージ用リードフレームとこのリードフ
レームを使用した高放熱性半導体パッケージを提供す
る。 【解決手段】 接着層７と銅板９とから構成される放熱
部材６を接着層７を介してリードフレーム４のインナー
リード５に貼り付けた後、接着層７の表面にプラズマ処
理を施すことにより接着層７と封止用樹脂の接着力を向
上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高放熱性パッケー
ジ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケージに
関し、特に、封止用樹脂との間に良好な接着状態を作り
出すことのできる放熱部材を備えた高放熱性パッケージ
用リードフレームとこれを使用した高放熱性半導体パッ
ケージに関する。
ジ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケージに
関し、特に、封止用樹脂との間に良好な接着状態を作り
出すことのできる放熱部材を備えた高放熱性パッケージ
用リードフレームとこれを使用した高放熱性半導体パッ
ケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】放熱性を向上させた半導体パッケージと
して、インナーリードに放熱部材を貼り付けた構造の半
導体パッケージが知られている。
して、インナーリードに放熱部材を貼り付けた構造の半
導体パッケージが知られている。
【０００３】図３は、この種半導体パッケージの断面構
造を示したもので、６はインナーリード５の裏側に貼り
付けられた放熱部材を示す。この放熱部材６は、厚さが
０．１〜０．３ｍｍ程度の銅板９と、厚さが２０〜５０
μｍ程度の接着層７とから構成されている。
造を示したもので、６はインナーリード５の裏側に貼り
付けられた放熱部材を示す。この放熱部材６は、厚さが
０．１〜０．３ｍｍ程度の銅板９と、厚さが２０〜５０
μｍ程度の接着層７とから構成されている。
【０００４】１０は接着層７あるいはこれとは別に塗布
される銀ペーストによって放熱部材６に固着された半導
体チップ、１１はインナーリード５と半導体チップ１０
の電極間を接続したボンディングワイヤー、１２は加熱
モールドにより形成された封止用樹脂を示し、この封止
用樹脂１２は、インナーリード５、放熱部材６、半導体
チップ１０、およびボンディングワイヤー１１の周囲を
覆うように形成されている。１３は封止用樹脂１２の形
成後にリードフレーム（図示せず）から切断され、所定
の形に成形されたアウターリードを示す。
される銀ペーストによって放熱部材６に固着された半導
体チップ、１１はインナーリード５と半導体チップ１０
の電極間を接続したボンディングワイヤー、１２は加熱
モールドにより形成された封止用樹脂を示し、この封止
用樹脂１２は、インナーリード５、放熱部材６、半導体
チップ１０、およびボンディングワイヤー１１の周囲を
覆うように形成されている。１３は封止用樹脂１２の形
成後にリードフレーム（図示せず）から切断され、所定
の形に成形されたアウターリードを示す。
【０００５】以上のように構成される半導体パッケージ
は、はんだ付けによってプリント基板に接続されるが、
その際に加えられる熱によって封止用樹脂１２の内部に
水蒸気が発生し、封止用樹脂１２に剥離あるいはクラッ
クを発生させることがある。
は、はんだ付けによってプリント基板に接続されるが、
その際に加えられる熱によって封止用樹脂１２の内部に
水蒸気が発生し、封止用樹脂１２に剥離あるいはクラッ
クを発生させることがある。
【０００６】即ち、リフロー時の熱がパッケージ内の水
分を蒸発膨張させ、このときの膨張圧力のために放熱部
材６と封止用樹脂１２との間に剥離あるいはクラックが
発生するもので、この現象は、放熱部材６のサイズが大
きくなるほど多発する。
分を蒸発膨張させ、このときの膨張圧力のために放熱部
材６と封止用樹脂１２との間に剥離あるいはクラックが
発生するもので、この現象は、放熱部材６のサイズが大
きくなるほど多発する。
【０００７】このため、対策として、放熱部材６におけ
る銅板９の表面にメッキ処理、黒化処理あるいは粗化処
理等を施し、これによって銅板９の表面を活性化させ、
封止用樹脂１２との接着力を向上させることで剥離ある
いはクラックの発生を防止することが行われている。
る銅板９の表面にメッキ処理、黒化処理あるいは粗化処
理等を施し、これによって銅板９の表面を活性化させ、
封止用樹脂１２との接着力を向上させることで剥離ある
いはクラックの発生を防止することが行われている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の高放熱
性パッケージによると、表面を処理された銅板９と封止
用樹脂１２の間の接着力は向上するが、放熱部材６の接
着層７と封止用樹脂１２の間の接着力は十分でなく、依
然として剥離あるいはクラック発生の余地を内包させて
いる。
性パッケージによると、表面を処理された銅板９と封止
用樹脂１２の間の接着力は向上するが、放熱部材６の接
着層７と封止用樹脂１２の間の接着力は十分でなく、依
然として剥離あるいはクラック発生の余地を内包させて
いる。
【０００９】従って、本発明の目的は、放熱部材の接着
層と封止用樹脂との間に良好な接着状態を作り出し、こ
れによってこれらの部分における剥離あるいはクラック
の発生を防止することのできる高放熱性パッケージ用リ
ードフレームとこのリードフレームを使用した高放熱性
半導体パッケージを提供することにある。
層と封止用樹脂との間に良好な接着状態を作り出し、こ
れによってこれらの部分における剥離あるいはクラック
の発生を防止することのできる高放熱性パッケージ用リ
ードフレームとこのリードフレームを使用した高放熱性
半導体パッケージを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、インナーリードを有するリードフレーム
と、表面に接着層を有し、前記接着層を前記インナーリ
ードに接着させることにより前記インナーリードに貼り
付けられた放熱部材とから構成され、前記接着層は、前
記放熱部材が前記インナーリードに貼り付けられた後に
表面をプラズマ処理されたことを特徴とする高放熱性パ
ッケージ用リードフレームを提供するものである。
達成するため、インナーリードを有するリードフレーム
と、表面に接着層を有し、前記接着層を前記インナーリ
ードに接着させることにより前記インナーリードに貼り
付けられた放熱部材とから構成され、前記接着層は、前
記放熱部材が前記インナーリードに貼り付けられた後に
表面をプラズマ処理されたことを特徴とする高放熱性パ
ッケージ用リードフレームを提供するものである。
【００１１】また、本発明は、上記の目的を達成するた
め、インナーリードと、表面に接着層を有し、前記接着
層を前記インナーリードに接着させることにより前記イ
ンナーリードに貼り付けられた放熱部材と、前記放熱部
材に固着されて前記インナーリードとの間を電気的に接
続された半導体チップと、前記インナーリード、前記放
熱部材、および前記半導体チップの周囲を覆うように形
成された封止用樹脂とから構成され、前記接着層は、前
記放熱部材が前記インナーリードに貼り付けられた後に
表面をプラズマ処理され、前記封止用樹脂は、プラズマ
処理された前記接着層と接着させらたことを特徴とする
高放熱性半導体パッケージを提供するものである。
め、インナーリードと、表面に接着層を有し、前記接着
層を前記インナーリードに接着させることにより前記イ
ンナーリードに貼り付けられた放熱部材と、前記放熱部
材に固着されて前記インナーリードとの間を電気的に接
続された半導体チップと、前記インナーリード、前記放
熱部材、および前記半導体チップの周囲を覆うように形
成された封止用樹脂とから構成され、前記接着層は、前
記放熱部材が前記インナーリードに貼り付けられた後に
表面をプラズマ処理され、前記封止用樹脂は、プラズマ
処理された前記接着層と接着させらたことを特徴とする
高放熱性半導体パッケージを提供するものである。
【００１２】放熱部材は、金属材と接着層の複合体によ
り構成され、これに使用される金属材としては、熱伝導
率に優れる銅あるいは銅合金等が好適である。接着層の
構成材としては、熱可塑性樹脂の使用が好ましく、たと
えば、ポリイミドを主体とした熱可塑性樹脂などが使用
される。
り構成され、これに使用される金属材としては、熱伝導
率に優れる銅あるいは銅合金等が好適である。接着層の
構成材としては、熱可塑性樹脂の使用が好ましく、たと
えば、ポリイミドを主体とした熱可塑性樹脂などが使用
される。
【００１３】プラズマによる接着層の表面処理は、封止
用樹脂との接着力を高めるために行われるものであり、
この接着力の向上効果を充分に得るためには、プラズマ
処理の時期が重要となる。接着層の表面を予めプラズマ
処理した放熱部材をインナーリードに貼り付けたもの
と、インナーリードに貼り付けた後に接着層をプラズマ
処理したものとの間には大きな差が生ずる。
用樹脂との接着力を高めるために行われるものであり、
この接着力の向上効果を充分に得るためには、プラズマ
処理の時期が重要となる。接着層の表面を予めプラズマ
処理した放熱部材をインナーリードに貼り付けたもの
と、インナーリードに貼り付けた後に接着層をプラズマ
処理したものとの間には大きな差が生ずる。
【００１４】プラズマ処理による接着力向上の根拠は、
プラズマが接着層の表面に活性な官能基を生成させ、こ
の官能基が封止用樹脂との接着性を確実なものとすると
ころにある。従って、接着層表面の官能基は、封止用樹
脂が形成されるまで存在することが前提となるが、放熱
部材をインナーリードに貼り付ける前にプラズマ処理を
行うと、接着層の表面の官能基が消失するようになる。
プラズマが接着層の表面に活性な官能基を生成させ、こ
の官能基が封止用樹脂との接着性を確実なものとすると
ころにある。従って、接着層表面の官能基は、封止用樹
脂が形成されるまで存在することが前提となるが、放熱
部材をインナーリードに貼り付ける前にプラズマ処理を
行うと、接着層の表面の官能基が消失するようになる。
【００１５】即ち、インナーリードへの放熱部材の貼り
付けのためには、接着層をガラス転移温度（Ｔｇ）以上
に加熱することが必要となるが、この加熱が、接着層の
表面から官能基を消失させるように作用する。
付けのためには、接着層をガラス転移温度（Ｔｇ）以上
に加熱することが必要となるが、この加熱が、接着層の
表面から官能基を消失させるように作用する。
【００１６】以上のことから本発明においては、特に、
プラズマによる接着層の表面処理を、放熱部材をインナ
ーリードへ貼り付けた後とし、これにより接着層と封止
用樹脂との間に確実な接着状態を作り出すもので、この
ことは後述する実施例によって実証される。
プラズマによる接着層の表面処理を、放熱部材をインナ
ーリードへ貼り付けた後とし、これにより接着層と封止
用樹脂との間に確実な接着状態を作り出すもので、この
ことは後述する実施例によって実証される。
【００１７】プラズマ処理による接着力の向上効果をよ
り高めるためには、Ａｒ、Ｎ2 、Ｏ 2 、あるいはＣＦ4
等のガス雰囲気下でのプラズマ処理が望ましい。特に、
Ｏ2 あるいはＣＦ4 雰囲気下でのプラズマ処理には大き
な効果があり、高レベルの接着強度を得ることができ
る。
り高めるためには、Ａｒ、Ｎ2 、Ｏ 2 、あるいはＣＦ4
等のガス雰囲気下でのプラズマ処理が望ましい。特に、
Ｏ2 あるいはＣＦ4 雰囲気下でのプラズマ処理には大き
な効果があり、高レベルの接着強度を得ることができ
る。
【００１８】これらのガスを混合して使用することは差
し支えなく、たとえば、ＡｒとＮ2、ＡｒとＯ2 、ある
いはＯ2 とＣＦ4 の組み合わせ等が考えられる。プラズ
マには、ＲＦ（高周波）プラズマ、マイクロ波プラズ
マ、あるいはＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズ
マ等があり、いずれも本発明に適用可能である。
し支えなく、たとえば、ＡｒとＮ2、ＡｒとＯ2 、ある
いはＯ2 とＣＦ4 の組み合わせ等が考えられる。プラズ
マには、ＲＦ（高周波）プラズマ、マイクロ波プラズ
マ、あるいはＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズ
マ等があり、いずれも本発明に適用可能である。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明による高放熱性パッ
ケージ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケー
ジの実施の形態について説明する。
ケージ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケー
ジの実施の形態について説明する。
【００２０】図１は、プラズマ処理の有無、およびプラ
ズマ処理の時期の差による接着力向上効果を確認するた
めの試験方法を示したもので、１は銅板、２は銅板１の
上に形成された接着層を示し、ポリイミドを主成分とし
たＴｇ２３０℃の熱可塑性樹脂を接着成分として含む接
着液を塗布乾燥することによって形成されている。３は
接着層２の上にモールドされたエポキシ系の封止用樹脂
を示す。
ズマ処理の時期の差による接着力向上効果を確認するた
めの試験方法を示したもので、１は銅板、２は銅板１の
上に形成された接着層を示し、ポリイミドを主成分とし
たＴｇ２３０℃の熱可塑性樹脂を接着成分として含む接
着液を塗布乾燥することによって形成されている。３は
接着層２の上にモールドされたエポキシ系の封止用樹脂
を示す。
【００２１】試験は、銅板１を固定して封止用樹脂３に
矢印方向の力Ｆを作用させたときの銅板１と封止用樹脂
３間の剪断剥離強度を求めることによって行われた。表
１に、試験の結果を示す。
矢印方向の力Ｆを作用させたときの銅板１と封止用樹脂
３間の剪断剥離強度を求めることによって行われた。表
１に、試験の結果を示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】この表１によれば、プラズマ処理のないサ
ンプル６における剪断強度が０．５ｋｇｆ／ｍｍ2 とい
う低いレベルであるのに比べ、サンプル１〜５におい
て、プラズマ処理を行ったまゝの接着層２に封止用樹脂
３をモールドしたサンプル（イ）の場合には、２．７〜
６．２ｋｇｆ／ｍｍ2 という高レベルの剪断強度を示し
ており、プラズマ処理による効果が明確に認められる。
ンプル６における剪断強度が０．５ｋｇｆ／ｍｍ2 とい
う低いレベルであるのに比べ、サンプル１〜５におい
て、プラズマ処理を行ったまゝの接着層２に封止用樹脂
３をモールドしたサンプル（イ）の場合には、２．７〜
６．２ｋｇｆ／ｍｍ2 という高レベルの剪断強度を示し
ており、プラズマ処理による効果が明確に認められる。
【００２４】また、接着層２にプラズマ処理を施した後
に、一旦、これを２６０℃で１分間加熱した後、封止用
樹脂３をモールドしたサンプル（ロ）の場合には、いず
れもプラズマ処理なしのものと大差がなく、従って、こ
のことにより、プラズマ処理をしてから封止用樹脂３の
モールドを行う間に熱を作用させることは、接着性に悪
影響を与えることになるので、避ける必要のあることが
確認された。本発明が、インナーリードへ放熱部材を貼
り付ける前ではなく、貼り付けた後にプラズマ処理を行
う理由はここにある。
に、一旦、これを２６０℃で１分間加熱した後、封止用
樹脂３をモールドしたサンプル（ロ）の場合には、いず
れもプラズマ処理なしのものと大差がなく、従って、こ
のことにより、プラズマ処理をしてから封止用樹脂３の
モールドを行う間に熱を作用させることは、接着性に悪
影響を与えることになるので、避ける必要のあることが
確認された。本発明が、インナーリードへ放熱部材を貼
り付ける前ではなく、貼り付けた後にプラズマ処理を行
う理由はここにある。
【００２５】なお、プラズマ処理後に熱処理をすること
なく封止用樹脂３をモールドしたサンプル（イ）の中
で、Ｏ2 とＣＦ4 の雰囲気下にプラズマ処理を行ったサ
ンプル４、５の場合が、特に、優れた剪断強度を示して
いることも確認された。
なく封止用樹脂３をモールドしたサンプル（イ）の中
で、Ｏ2 とＣＦ4 の雰囲気下にプラズマ処理を行ったサ
ンプル４、５の場合が、特に、優れた剪断強度を示して
いることも確認された。
【００２６】以下、図２と図３により本発明の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【実施例】表面を粗化処理した厚さ１０５μｍの圧延銅
板に、ポリイミドを主成分としたＴｇ２３０℃の熱可塑
性樹脂を接着成分として含む接着液を塗布し、これを加
熱乾燥することによって溶媒を揮散させ、圧延銅板の片
面に接着層を形成した。接着層の厚さを測定したとこ
ろ、２０〜３０μｍの範囲内に分布していた。次いで、
この圧延銅板を２０ｍｍ角の大きさに切断し、これによ
り所定の放熱部材を準備した。
板に、ポリイミドを主成分としたＴｇ２３０℃の熱可塑
性樹脂を接着成分として含む接着液を塗布し、これを加
熱乾燥することによって溶媒を揮散させ、圧延銅板の片
面に接着層を形成した。接着層の厚さを測定したとこ
ろ、２０〜３０μｍの範囲内に分布していた。次いで、
この圧延銅板を２０ｍｍ角の大きさに切断し、これによ
り所定の放熱部材を準備した。
【００２７】図２は、以上の放熱部材を使用した高放熱
性リードフレームの構造概要を示したもので、４はリー
ドフレーム、５はインナーリード、６はインナーリード
５の先端部に接着層７により貼り付けられた放熱部材を
示す。接着層７の表面には、放熱部材６の貼り付け後に
プラズマ処理が施されている。８はプラズマ処理面、９
は銅板を示す。
性リードフレームの構造概要を示したもので、４はリー
ドフレーム、５はインナーリード、６はインナーリード
５の先端部に接着層７により貼り付けられた放熱部材を
示す。接着層７の表面には、放熱部材６の貼り付け後に
プラズマ処理が施されている。８はプラズマ処理面、９
は銅板を示す。
【００２８】図３は、以上の高放熱性リードフレームの
構造に基づいて組み立てられた半導体パッケージを示
し、５は銅合金製の２０８ピンＱＦＰ用リードフレーム
から残されたインナーリード、６はインナーリード５の
Ａｇめっき面の反対側に接着層７を介して貼り付けられ
た放熱部材を示す。
構造に基づいて組み立てられた半導体パッケージを示
し、５は銅合金製の２０８ピンＱＦＰ用リードフレーム
から残されたインナーリード、６はインナーリード５の
Ａｇめっき面の反対側に接着層７を介して貼り付けられ
た放熱部材を示す。
【００２９】インナーリード５への放熱部材６の貼り付
けは、３５０℃の加熱温度のもとに行われた。また、放
熱部材６の貼り付け後に施された接着層７へのプラズマ
処理は、圧力が３０ｍＴｏｒｒのＯ2 雰囲気下で行わ
れ、ＲＦ出力２５０Ｗ、処理時間１分の条件で行われ
た。
けは、３５０℃の加熱温度のもとに行われた。また、放
熱部材６の貼り付け後に施された接着層７へのプラズマ
処理は、圧力が３０ｍＴｏｒｒのＯ2 雰囲気下で行わ
れ、ＲＦ出力２５０Ｗ、処理時間１分の条件で行われ
た。
【００３０】プラズマ処理の後、接着層７上にＡｇペー
ストを塗布し、Ｓｉ半導体チップ１０を固着し、インナ
ーリード５と半導体チップ１０間をボンディングワイヤ
ー１１により接続した。次いで、インナーリード５、放
熱部材６、半導体チップ１０、およびボンディングワイ
ヤー１１の周囲にエポキシ樹脂系の封止用樹脂１２を加
熱加圧下にモールドし、その後、アウターリード１３を
リードフレームの枠から切断分離し、所定の形状に成型
することにより２８ｍｍ角の半導体パッケージを製造し
た。
ストを塗布し、Ｓｉ半導体チップ１０を固着し、インナ
ーリード５と半導体チップ１０間をボンディングワイヤ
ー１１により接続した。次いで、インナーリード５、放
熱部材６、半導体チップ１０、およびボンディングワイ
ヤー１１の周囲にエポキシ樹脂系の封止用樹脂１２を加
熱加圧下にモールドし、その後、アウターリード１３を
リードフレームの枠から切断分離し、所定の形状に成型
することにより２８ｍｍ角の半導体パッケージを製造し
た。
【００３１】
【従来例】実施例における接着層７へのプラズマ処理を
省略し、他を実施例と同一条件に設定することにより従
来タイプの所定の半導体パッケージを製造した。
省略し、他を実施例と同一条件に設定することにより従
来タイプの所定の半導体パッケージを製造した。
【００３２】
【参考例】実施例における接着層７へのプラズマ処理
を、放熱部材６をインナーリード５へ貼り付ける前に行
い、他を実施例と同一条件に設定することにより所定の
参考例の半導体パッケージを製造した。
を、放熱部材６をインナーリード５へ貼り付ける前に行
い、他を実施例と同一条件に設定することにより所定の
参考例の半導体パッケージを製造した。
【００３３】表２に、以上の実施例、従来例、および参
考例により得られた半導体パッケージを対象として実施
した性能試験の結果を示す。試験は、各例のサンプルを
８５℃／８５％ＲＨの恒温恒湿槽の中に２４時間、４８
時間、および７２時間放置した後、これに２４０℃のＩ
Ｒリフロー処理を施したときの、封止用樹脂１２の剥離
あるいはクラックの発生状況を確認することによって行
われた。
考例により得られた半導体パッケージを対象として実施
した性能試験の結果を示す。試験は、各例のサンプルを
８５℃／８５％ＲＨの恒温恒湿槽の中に２４時間、４８
時間、および７２時間放置した後、これに２４０℃のＩ
Ｒリフロー処理を施したときの、封止用樹脂１２の剥離
あるいはクラックの発生状況を確認することによって行
われた。
【００３４】
【表２】
【００３５】表２によれば、本発明による実施例の場合
が、各放置時間当たり５０個ずつの合計１５０個のサン
プルにおいて、１個の剥離あるいはクラックも発生させ
ていないのに比べ、従来例の場合には、２４時間放置の
場合が６％、４８時間放置の場合が３６％と高い割合で
の剥離あるいはクラックの発生が認められ、さらに、７
２時間放置品に至っては、すべてのサンプルに剥離ある
いはクラックを発生させており、また、インナーリード
への放熱部材の貼付け前にプラズマ処理をした参考例の
場合にも、従来例と同レベルの結果しか示しておらず、
これら各例の間には顕著な差が認められた。
が、各放置時間当たり５０個ずつの合計１５０個のサン
プルにおいて、１個の剥離あるいはクラックも発生させ
ていないのに比べ、従来例の場合には、２４時間放置の
場合が６％、４８時間放置の場合が３６％と高い割合で
の剥離あるいはクラックの発生が認められ、さらに、７
２時間放置品に至っては、すべてのサンプルに剥離ある
いはクラックを発生させており、また、インナーリード
への放熱部材の貼付け前にプラズマ処理をした参考例の
場合にも、従来例と同レベルの結果しか示しておらず、
これら各例の間には顕著な差が認められた。
【００３６】従来例および参考例における剥離とクラッ
クは、いずれも放熱部材の接着層と封止用樹脂の周辺部
に発生しており、プラズマ処理による剥離、クラックの
防止効果、および放熱部材の貼り付け後にプラズマ処理
をすることの意味を明白に確認することができた。
クは、いずれも放熱部材の接着層と封止用樹脂の周辺部
に発生しており、プラズマ処理による剥離、クラックの
防止効果、および放熱部材の貼り付け後にプラズマ処理
をすることの意味を明白に確認することができた。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、本発明による高放熱性パ
ッケージ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケ
ージによれば、放熱部材をインナーリードに貼り付けた
後に放熱部材の接着層にプラズマ処理を施すことによっ
て、接着層と封止用樹脂との間に良好な接着状態を作り
出し、これにより剥離およびクラックの発生を防止し得
たものであり、安定した高放熱性半導体パッケージを提
供することができる。
ッケージ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケ
ージによれば、放熱部材をインナーリードに貼り付けた
後に放熱部材の接着層にプラズマ処理を施すことによっ
て、接着層と封止用樹脂との間に良好な接着状態を作り
出し、これにより剥離およびクラックの発生を防止し得
たものであり、安定した高放熱性半導体パッケージを提
供することができる。
【図１】剪断強度の測定方法を示す説明図。
【図２】本発明による高放熱性パッケージ用リードフレ
ームの実施の形態を示す説明図であり、（イ）は平面
図、（ロ）は（イ）のＡ−Ａ部拡大断面図を示す。
ームの実施の形態を示す説明図であり、（イ）は平面
図、（ロ）は（イ）のＡ−Ａ部拡大断面図を示す。
【図３】高放熱性半導体パッケージの構造を示す説明
図。
図。
【符号の説明】 １ 銅板 ２ 接着層 ３ 封止用樹脂 ４ リードフレーム ５ インナーリード ６ 放熱部材 ７ 接着層 ８ プラズマ処理面 ９ 銅板 １０ 半導体チップ １１ ボンディングワイヤー １２ 封止用樹脂 １３ アウターリード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DB03 5F036 AA01 BB01 BD01 BE01 5F067 AA03 AA11 BE10 CA03 CC02 CC09
Claims (4)
- 【請求項１】インナーリードを有するリードフレーム
と、表面に接着層を有し、前記接着層を前記インナーリ
ードに接着させることにより前記インナーリードに貼り
付けられた放熱部材とから構成され、 前記接着層は、前記放熱部材が前記インナーリードに貼
り付けられた後に表面をプラズマ処理されたことを特徴
とする高放熱性パッケージ用リードフレーム。 - 【請求項２】前記プラズマ処理は、Ｏ2 、あるいはＣＦ
4 の雰囲気下に行われたものであることを特徴とする請
求項第１項記載の高放熱性パッケージ用リードフレー
ム。 - 【請求項３】インナーリードと、表面に接着層を有し、
前記接着層を前記インナーリードに接着させることによ
り前記インナーリードに貼り付けられた放熱部材と、前
記放熱部材に固着されて前記インナーリードとの間を電
気的に接続された半導体チップと、前記インナーリー
ド、前記放熱部材、および前記半導体チップの周囲を覆
うように形成された封止用樹脂とから構成され、 前記接着層は、前記放熱部材が前記インナーリードに貼
り付けられた後に表面をプラズマ処理され、 前記封止用樹脂は、プラズマ処理された前記接着層と接
着させられたことを特徴とする高放熱性半導体パッケー
ジ。 - 【請求項４】前記プラズマ処理は、Ｏ2 、あるいはＣＦ
4 の雰囲気下に行われたものであることを特徴とする請
求項第３項記載の高放熱性半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10290823A JP2000124378A (ja) | 1998-10-13 | 1998-10-13 | 高放熱性パッケージ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10290823A JP2000124378A (ja) | 1998-10-13 | 1998-10-13 | 高放熱性パッケージ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124378A true JP2000124378A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=17760952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10290823A Pending JP2000124378A (ja) | 1998-10-13 | 1998-10-13 | 高放熱性パッケージ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000124378A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152362A (ja) * | 1991-11-30 | 1993-06-18 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製法 |
| JPH08153833A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH1056126A (ja) * | 1996-08-12 | 1998-02-24 | Nec Corp | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置 |
-
1998
- 1998-10-13 JP JP10290823A patent/JP2000124378A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152362A (ja) * | 1991-11-30 | 1993-06-18 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製法 |
| JPH08153833A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH1056126A (ja) * | 1996-08-12 | 1998-02-24 | Nec Corp | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040113 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040312 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041109 |