JP2000095971A - 接着力を強化された金属材および高放熱性パッケージ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケージ - Google Patents
接着力を強化された金属材および高放熱性パッケージ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケージInfo
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 封止用樹脂との間に良好な接着状態を作り出
し、これによって剥離あるいはクラックの発生を防止す
ることのできるリードフレーム用放熱部材として好適な
接着力を強化された金属材と、この金属材を放熱部材と
して使用した高放熱性パッケージ用リードフレームと、
このリードフレームを使用した高放熱性半導体パッケー
ジを提供する。 【解決手段】 インナーリード９に貼り付けられる放熱
部材６′の接着層５の表面をプラズマ処理する。
し、これによって剥離あるいはクラックの発生を防止す
ることのできるリードフレーム用放熱部材として好適な
接着力を強化された金属材と、この金属材を放熱部材と
して使用した高放熱性パッケージ用リードフレームと、
このリードフレームを使用した高放熱性半導体パッケー
ジを提供する。 【解決手段】 インナーリード９に貼り付けられる放熱
部材６′の接着層５の表面をプラズマ処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着力を強化され
た金属材および高放熱性パッケージ用リードフレームお
よび高放熱性半導体パッケージに関し、特に、封止用樹
脂との間に良好な接着状態を作り出すことのできる接着
層を備えたリードフレーム用放熱部材として好適な接着
力を強化された金属材と、この金属材を放熱部材として
使用した高放熱性パッケージ用リードフレームと、この
リードフレームを使用した高放熱性半導体パッケージに
関する。
た金属材および高放熱性パッケージ用リードフレームお
よび高放熱性半導体パッケージに関し、特に、封止用樹
脂との間に良好な接着状態を作り出すことのできる接着
層を備えたリードフレーム用放熱部材として好適な接着
力を強化された金属材と、この金属材を放熱部材として
使用した高放熱性パッケージ用リードフレームと、この
リードフレームを使用した高放熱性半導体パッケージに
関する。
【０００２】
【従来の技術】放熱性を向上させた半導体パッケージと
して、インナーリードに放熱部材を貼り付けた構造の半
導体パッケージが知られている。
して、インナーリードに放熱部材を貼り付けた構造の半
導体パッケージが知られている。
【０００３】図３は、この種半導体パッケージの断面構
造を示したもので、６′はインナーリード９の裏側に貼
り付けられた放熱部材を示す。この放熱部材６′は、厚
さ０．１〜０．３ｍｍ程度の銅板４と、厚さ２０〜５０
μｍ程度の接着層５とから構成されている。
造を示したもので、６′はインナーリード９の裏側に貼
り付けられた放熱部材を示す。この放熱部材６′は、厚
さ０．１〜０．３ｍｍ程度の銅板４と、厚さ２０〜５０
μｍ程度の接着層５とから構成されている。
【０００４】１０は接着層５あるいはこれとは別に塗布
される銀ペーストによって放熱部材６′に固着された半
導体チップ、１１はインナーリード９と半導体チップ１
０の電極間を接続したボンディングワイヤー、１２は加
熱モールドにより形成された封止用樹脂を示し、この封
止用樹脂１２は、インナーリード９、半導体チップ１０
およびボンディングワイヤー１１の周辺を覆うように形
成されている。１３は封止用樹脂１２の形成後にリード
フレーム（図示せず）から切断され、所定の形に成形さ
れたアウターリードを示す。
される銀ペーストによって放熱部材６′に固着された半
導体チップ、１１はインナーリード９と半導体チップ１
０の電極間を接続したボンディングワイヤー、１２は加
熱モールドにより形成された封止用樹脂を示し、この封
止用樹脂１２は、インナーリード９、半導体チップ１０
およびボンディングワイヤー１１の周辺を覆うように形
成されている。１３は封止用樹脂１２の形成後にリード
フレーム（図示せず）から切断され、所定の形に成形さ
れたアウターリードを示す。
【０００５】以上のように構成される半導体パッケージ
は、はんだ付けによってプリント基板に接続されるが、
このはんだ付けの際の熱によって封止用樹脂１２の内部
に水蒸気が発生し、封止用樹脂１２に剥離あるいはクラ
ックを発生させることがある。
は、はんだ付けによってプリント基板に接続されるが、
このはんだ付けの際の熱によって封止用樹脂１２の内部
に水蒸気が発生し、封止用樹脂１２に剥離あるいはクラ
ックを発生させることがある。
【０００６】即ち、はんだ付け時の熱がパッケージ内に
伝導してパッケージ内の水分を蒸発膨張させ、この膨張
圧力のために放熱部材６′と封止用樹脂１２との間に剥
離あるいはクラックが発生するもので、この現象は、放
熱部材６′のサイズが大きくなるほど多発する。
伝導してパッケージ内の水分を蒸発膨張させ、この膨張
圧力のために放熱部材６′と封止用樹脂１２との間に剥
離あるいはクラックが発生するもので、この現象は、放
熱部材６′のサイズが大きくなるほど多発する。
【０００７】このため、これへの対策として、放熱部材
６′における銅板４の表面にメッキ処理、黒化処理ある
いは粗化処理等を施し、これによって表面を活性化さ
せ、封止用樹脂１２との接着力を向上させることで剥離
あるいはクラックの発生を防止することが行われてい
る。
６′における銅板４の表面にメッキ処理、黒化処理ある
いは粗化処理等を施し、これによって表面を活性化さ
せ、封止用樹脂１２との接着力を向上させることで剥離
あるいはクラックの発生を防止することが行われてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の高放熱
性パッケージによると、熱に対しての耐力が改善される
のは、あくまでも表面を処理された銅板４と封止用樹脂
１２との間であって、放熱部材６′の接着層５と封止用
樹脂１２との間には、依然として剥離あるいはクラック
発生の余地を内包させていた。
性パッケージによると、熱に対しての耐力が改善される
のは、あくまでも表面を処理された銅板４と封止用樹脂
１２との間であって、放熱部材６′の接着層５と封止用
樹脂１２との間には、依然として剥離あるいはクラック
発生の余地を内包させていた。
【０００９】従って、本発明の目的は、封止用樹脂との
間に良好な接着状態を作り出し、これによってこれらの
部分における剥離あるいはクラックの発生を防止するこ
とのできるリードフレーム用放熱部材として好適な接着
力を強化された金属材と、この金属材を放熱部材として
使用した高放熱性パッケージ用リードフレームと、この
リードフレームを使用した高放熱性半導体パッケージを
提供することにある。
間に良好な接着状態を作り出し、これによってこれらの
部分における剥離あるいはクラックの発生を防止するこ
とのできるリードフレーム用放熱部材として好適な接着
力を強化された金属材と、この金属材を放熱部材として
使用した高放熱性パッケージ用リードフレームと、この
リードフレームを使用した高放熱性半導体パッケージを
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、金属材と、前記金属材の表面に形成され
た接着層とから構成され、前記接着層は、表面をプラズ
マ処理されたことを特徴とする接着力を強化された金属
材を提供するものである。
達成するため、金属材と、前記金属材の表面に形成され
た接着層とから構成され、前記接着層は、表面をプラズ
マ処理されたことを特徴とする接着力を強化された金属
材を提供するものである。
【００１１】また、本発明は、上記の目的を達成するた
め、インナーリードを有するリードフレームと、表面に
接着層を有し、前記接着層を前記インナーリードに接着
させることによって前記インナーリードに貼り付けられ
た放熱部材とから構成され、前記接着層は、表面がプラ
ズマ処理されていることを特徴とする高放熱性パッケー
ジ用リードフレームを提供するものである。
め、インナーリードを有するリードフレームと、表面に
接着層を有し、前記接着層を前記インナーリードに接着
させることによって前記インナーリードに貼り付けられ
た放熱部材とから構成され、前記接着層は、表面がプラ
ズマ処理されていることを特徴とする高放熱性パッケー
ジ用リードフレームを提供するものである。
【００１２】さらに、本発明は、上記の目的を達成する
ため、インナーリードと、表面に接着層を有し、前記接
着層を前記インナーリードに接着させることによって前
記インナーリードに貼り付けられた放熱部材と、前記放
熱部材に固着されて前記インナーリードとの間を電気的
に接続された半導体チップと、前記インナーリードおよ
び前記半導体チップの周辺を覆うように形成された封止
用樹脂とから構成され、前記接着層は、前記封止用樹脂
と接している部分がプラズマ処理されていることを特徴
とする高放熱性半導体パッケージを提供するものであ
る。
ため、インナーリードと、表面に接着層を有し、前記接
着層を前記インナーリードに接着させることによって前
記インナーリードに貼り付けられた放熱部材と、前記放
熱部材に固着されて前記インナーリードとの間を電気的
に接続された半導体チップと、前記インナーリードおよ
び前記半導体チップの周辺を覆うように形成された封止
用樹脂とから構成され、前記接着層は、前記封止用樹脂
と接している部分がプラズマ処理されていることを特徴
とする高放熱性半導体パッケージを提供するものであ
る。
【００１３】上記接着層の構成材としては、熱可塑性樹
脂が好ましく、具体的にはポリイミドを主成分とした熱
可塑性樹脂などが使用される。金属材の構成材料として
は、熱伝導率に優れる銅あるいは銅合金等が好適であ
り、リードフレームの構成材にも銅あるいは銅合金等が
使用される。
脂が好ましく、具体的にはポリイミドを主成分とした熱
可塑性樹脂などが使用される。金属材の構成材料として
は、熱伝導率に優れる銅あるいは銅合金等が好適であ
り、リードフレームの構成材にも銅あるいは銅合金等が
使用される。
【００１４】プラズマ処理は、金属材の表面に接着層を
形成した後に行うのが普通であり、その場合、個々の放
熱部材を対象に行ってもよいが、個々の放熱部材に切断
する前の長尺の金属材の段階で行ってもよい。後者の方
法には、プラズマ処理を効率的に行える利点がある。金
属材を放熱部材としてインナーリードに貼り付けた後に
プラズマ処理を施すことは可能である。
形成した後に行うのが普通であり、その場合、個々の放
熱部材を対象に行ってもよいが、個々の放熱部材に切断
する前の長尺の金属材の段階で行ってもよい。後者の方
法には、プラズマ処理を効率的に行える利点がある。金
属材を放熱部材としてインナーリードに貼り付けた後に
プラズマ処理を施すことは可能である。
【００１５】プラズマ処理による接着効果をより高める
ためには、Ａｒ、Ｎ2 、Ｏ2 、あるいはＣＦ4 等のガス
雰囲気下でのプラズマ処理が望ましい。特に、Ｏ2 ある
いはＣＦ4 雰囲気下でのプラズマ処理には大きな効果が
あり、高レベルの接着強度を確保することができる。
ためには、Ａｒ、Ｎ2 、Ｏ2 、あるいはＣＦ4 等のガス
雰囲気下でのプラズマ処理が望ましい。特に、Ｏ2 ある
いはＣＦ4 雰囲気下でのプラズマ処理には大きな効果が
あり、高レベルの接着強度を確保することができる。
【００１６】これらのガスを混合して使用することは差
し支えなく、たとえば、ＡｒとＮ2、ＡｒとＯ2 、ある
いはＯ2 とＣＦ4 の組み合わせが考えられる。プラズマ
には、ＲＦ（高周波）プラズマ、マイクロ波プラズマ、
あるいはＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマ等
があり、いずれも本発明に適用可能である。
し支えなく、たとえば、ＡｒとＮ2、ＡｒとＯ2 、ある
いはＯ2 とＣＦ4 の組み合わせが考えられる。プラズマ
には、ＲＦ（高周波）プラズマ、マイクロ波プラズマ、
あるいはＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマ等
があり、いずれも本発明に適用可能である。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明による接着力を強化
された金属材、高放熱性パッケージ用リードフレーム、
および高放熱性半導体パッケージの実施の形態について
説明する。図１は、プラズマ処理の効果を確認するため
に行った試験方法を示したもので、１は銅板、２は銅板
１の上に形成された接着層を示し、この接着層２は、ポ
リイミドを主成分としたガラス転移温度２３０℃の熱可
塑性樹脂を接着成分として含有した接着液を塗布乾燥す
ることにより形成されている。３は接着層２の上に加熱
モールドされたエポキシ樹脂系の封止用樹脂を示す。
された金属材、高放熱性パッケージ用リードフレーム、
および高放熱性半導体パッケージの実施の形態について
説明する。図１は、プラズマ処理の効果を確認するため
に行った試験方法を示したもので、１は銅板、２は銅板
１の上に形成された接着層を示し、この接着層２は、ポ
リイミドを主成分としたガラス転移温度２３０℃の熱可
塑性樹脂を接着成分として含有した接着液を塗布乾燥す
ることにより形成されている。３は接着層２の上に加熱
モールドされたエポキシ樹脂系の封止用樹脂を示す。
【００１８】試験は、銅板１を固定して封止用樹脂３に
矢印方向の力Ｆを作用させたときの銅板１と封止用樹脂
３間の剪断剥離強度を求めることによって行われた。試
験の結果を表１に示す。
矢印方向の力Ｆを作用させたときの銅板１と封止用樹脂
３間の剪断剥離強度を求めることによって行われた。試
験の結果を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】この表１によれば、プラズマ処理のないサ
ンプル６における剪断強度が０．５ｋｇｆ／ｍｍ2 とい
う低いレベルでしかないのに比べ、プラズマ処理をした
サンプル１〜５の場合には、２．７〜６．２ｋｇｆ／ｍ
ｍ2 と格段に高い剪断強度を示しており、両者間には明
確な差が認められた。
ンプル６における剪断強度が０．５ｋｇｆ／ｍｍ2 とい
う低いレベルでしかないのに比べ、プラズマ処理をした
サンプル１〜５の場合には、２．７〜６．２ｋｇｆ／ｍ
ｍ2 と格段に高い剪断強度を示しており、両者間には明
確な差が認められた。
【００２１】なお、プラズマ処理をしたサンプルの中
で、プラズマ処理をＯ2 およびＣＦ4雰囲気下で行った
サンプル４と５の場合が特に優れた剪断強度を示してい
ることも確認された。
で、プラズマ処理をＯ2 およびＣＦ4雰囲気下で行った
サンプル４と５の場合が特に優れた剪断強度を示してい
ることも確認された。
【００２２】以下、図２および図３により本発明の実施
例を説明する。
例を説明する。
【実施例】図２において、表面を粗化処理した厚さ１０
５μｍの圧延銅板４に、ポリイミドを主成分としたガラ
ス転移温度２３０℃の熱可塑性樹脂を接着成分として含
む接着液を塗布し、これを加熱乾燥することによって溶
媒を揮散させ、接着層５を形成した。接着層５の厚さ
は、２０〜３０μｍの範囲内に分布していた。
５μｍの圧延銅板４に、ポリイミドを主成分としたガラ
ス転移温度２３０℃の熱可塑性樹脂を接着成分として含
む接着液を塗布し、これを加熱乾燥することによって溶
媒を揮散させ、接着層５を形成した。接着層５の厚さ
は、２０〜３０μｍの範囲内に分布していた。
【００２３】次いで、接着層５を対象としてプラズマ処
理を施し、その後、これを２０ｍｍ角の大きさに切断す
ることにより所定の金属材６とした。７はプラズマ処理
面を示す。プラズマ処理は、圧力が３０ｍＴｏｒｒのＯ
2 雰囲気下で行われ、ＲＦ出力２５０Ｗおよび処理時間
１分の条件下に行われた。
理を施し、その後、これを２０ｍｍ角の大きさに切断す
ることにより所定の金属材６とした。７はプラズマ処理
面を示す。プラズマ処理は、圧力が３０ｍＴｏｒｒのＯ
2 雰囲気下で行われ、ＲＦ出力２５０Ｗおよび処理時間
１分の条件下に行われた。
【００２４】図３において、９は銅合金製の２０８ピン
ＱＦＰ用リードフレーム（図示せず）のインナーリード
を示し、その先端には、放熱部材６′として図２の金属
材６が接着層５を介して貼り付けられている。放熱部材
６′の貼り付けは、３５０℃に加熱することによって行
われ、貼り付け完了後、放熱部材６′の接着層５の上に
は銀ペーストが塗布され、Ｓｉ半導体チップ１０が固着
された。
ＱＦＰ用リードフレーム（図示せず）のインナーリード
を示し、その先端には、放熱部材６′として図２の金属
材６が接着層５を介して貼り付けられている。放熱部材
６′の貼り付けは、３５０℃に加熱することによって行
われ、貼り付け完了後、放熱部材６′の接着層５の上に
は銀ペーストが塗布され、Ｓｉ半導体チップ１０が固着
された。
【００２５】次に、インナーリード９と半導体チップ１
０の電極（図示せず）をボンディングワイヤー１１によ
り接続し、引き続き、これらインナーリード９、半導体
チップ１０およびボンディングワイヤー１１の周辺を覆
うようにしてエポキシ樹脂系の封止用樹脂１２をモール
ド形成した後、アウターリード１３の切断と成形とを行
い、これによって２８ｍｍ角の所定の構造の半導体パッ
ケージを製造した。
０の電極（図示せず）をボンディングワイヤー１１によ
り接続し、引き続き、これらインナーリード９、半導体
チップ１０およびボンディングワイヤー１１の周辺を覆
うようにしてエポキシ樹脂系の封止用樹脂１２をモール
ド形成した後、アウターリード１３の切断と成形とを行
い、これによって２８ｍｍ角の所定の構造の半導体パッ
ケージを製造した。
【００２６】
【従来例】実施例における接着層５へのプラズマ処理を
省略し、他を同一条件に設定することによって従来タイ
プの所定の半導体パッケージを製造した。
省略し、他を同一条件に設定することによって従来タイ
プの所定の半導体パッケージを製造した。
【００２７】表２に、以上の実施例および従来例の半導
体パッケージを対象として実施した性能試験結果を示
す。試験は、両例のサンプルを８５℃／８５％ＲＨの恒
温恒湿槽の中に２４時間、４８時間、および７２時間放
置した後、これに２４０℃のＩＲリフロー処理を施した
ときの、封止用樹脂１２の剥離あるいはクラックの発生
状況を確認することによって行われた。
体パッケージを対象として実施した性能試験結果を示
す。試験は、両例のサンプルを８５℃／８５％ＲＨの恒
温恒湿槽の中に２４時間、４８時間、および７２時間放
置した後、これに２４０℃のＩＲリフロー処理を施した
ときの、封止用樹脂１２の剥離あるいはクラックの発生
状況を確認することによって行われた。
【００２８】
【表２】
【００２９】表２によれば、本発明による実施例の場合
が、各放置時間当たり５０個ずつの計１５０個のサンプ
ルにおいて、１個の剥離あるいはクラックも発生させて
いないのに比べ、従来例の場合には、２４時間放置の場
合が６％、４８時間放置の場合が３６％と高い割合での
剥離あるいはクラックの発生が認められ、さらに、７２
時間放置品に至っては、すべてのサンプルに剥離あるい
はクラックを発生させており、両例の間には明白な差が
認められた。従来例における剥離とクラックは、いずれ
も放熱部材の接着層と封止用樹脂の周辺部分に発生して
おり、プラズマ処理の効果が明白に確認された。
が、各放置時間当たり５０個ずつの計１５０個のサンプ
ルにおいて、１個の剥離あるいはクラックも発生させて
いないのに比べ、従来例の場合には、２４時間放置の場
合が６％、４８時間放置の場合が３６％と高い割合での
剥離あるいはクラックの発生が認められ、さらに、７２
時間放置品に至っては、すべてのサンプルに剥離あるい
はクラックを発生させており、両例の間には明白な差が
認められた。従来例における剥離とクラックは、いずれ
も放熱部材の接着層と封止用樹脂の周辺部分に発生して
おり、プラズマ処理の効果が明白に確認された。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明による接着力を強
化された金属材、高放熱性パッケージ用リードフレー
ム、および高放熱性半導体パッケージによれば、インナ
ーリードに放熱部材として貼り付けられる金属材の接着
層表面にプラズマ処理を施すことによって、接着層と封
止用樹脂との間に強固な接着状態を作り出すことができ
るものであり、従って、これらの部分における剥離ある
いはクラックの発生を未然に防止することができる。
化された金属材、高放熱性パッケージ用リードフレー
ム、および高放熱性半導体パッケージによれば、インナ
ーリードに放熱部材として貼り付けられる金属材の接着
層表面にプラズマ処理を施すことによって、接着層と封
止用樹脂との間に強固な接着状態を作り出すことができ
るものであり、従って、これらの部分における剥離ある
いはクラックの発生を未然に防止することができる。
【図１】剪断強度の測定方法を示す説明図。
【図２】本発明による接着力を強化された金属材の実施
の形態を示す説明図。
の形態を示す説明図。
【図３】高放熱性半導体パッケージの構造説明図。
１、４ 銅板 ２、５ 接着層 ３、１２ 封止用樹脂 ６ 金属材 ６′ 放熱部材 ７ プラズマ処理面 ９ インナーリード １０ 半導体チップ １１ ボンディングワイヤー １３ アウターリード
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J038 DJ001 NA13 PB09 PC02 4M109 AA01 BA01 CA21 DB04 EA02 EA12 FA04 FA10 GA05 5F067 AA03 AA04 AB03 BB08 BE10 CC02 CC07 EA04
Claims (5)
- 【請求項１】金属材と、前記金属材の表面に形成された
接着層とから構成され、 前記接着層は、表面をプラズマ処理されたことを特徴と
する接着力を強化された金属材。 - 【請求項２】前記接着層は、熱可塑性樹脂により構成さ
れたことを特徴とする請求項第１項記載の接着力を強化
された金属材。 - 【請求項３】前記プラズマ処理は、Ｏ2 あるいはＣＦ4
雰囲気下に行われたものであることを特徴とする請求項
第１項あるいは第２項記載の接着力を強化された金属
材。 - 【請求項４】インナーリードを有するリードフレーム
と、表面に接着層を有し、前記接着層を前記インナーリ
ードに接着させることによって前記インナーリードに貼
り付けられた放熱部材とから構成され、 前記接着層は、表面がプラズマ処理されていることを特
徴とする高放熱性パッケージ用リードフレーム。 - 【請求項５】インナーリードと、表面に接着層を有し、
前記接着層を前記インナーリードに接着させることによ
って前記インナーリードに貼り付けられた放熱部材と、
前記放熱部材に固着されて前記インナーリードとの間を
電気的に接続された半導体チップと、前記インナーリー
ドおよび前記半導体チップの周辺を覆うように形成され
た封止用樹脂とから構成され、 前記接着層は、前記封止用樹脂と接している部分がプラ
ズマ処理されていることを特徴とする高放熱性半導体パ
ッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268720A JP2000095971A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 接着力を強化された金属材および高放熱性パッケージ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268720A JP2000095971A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 接着力を強化された金属材および高放熱性パッケージ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000095971A true JP2000095971A (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=17462418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10268720A Pending JP2000095971A (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 接着力を強化された金属材および高放熱性パッケージ用リードフレームおよび高放熱性半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000095971A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101958290A (zh) * | 2009-07-14 | 2011-01-26 | 株式会社东芝 | 半导体器件及其制造方法 |
-
1998
- 1998-09-22 JP JP10268720A patent/JP2000095971A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101958290A (zh) * | 2009-07-14 | 2011-01-26 | 株式会社东芝 | 半导体器件及其制造方法 |
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