JP2011146506A - 気相成長装置用サセプタ及び気相成長装置 - Google Patents
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232455A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Sumco Corp | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
| JP2014165311A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャル成長装置の汚染検出方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2016518699A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-06-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 強化されたプロセスの均一性および低減された基板の滑りのためのサセプタ |
| WO2016174860A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-11-03 | 株式会社Sumco | サセプタ、エピタキシャル成長装置、及びエピタキシャルウェーハ |
| JPWO2018207942A1 (ja) * | 2017-05-12 | 2020-03-12 | 東洋炭素株式会社 | サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板 |
| JP2020178035A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | 住友金属鉱山株式会社 | サセプタ、サセプタの再生方法、及び、成膜方法 |
| US11274371B2 (en) | 2015-04-27 | 2022-03-15 | Sumco Corporation | Susceptor and epitaxial growth device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03295882A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 炭化珪素質部材及びその製造方法 |
| JPH092895A (ja) * | 1995-06-15 | 1997-01-07 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ガラス状カーボン製サセプタ |
| JP2002373930A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Hitachi Chem Co Ltd | サセプタ− |
| JP2003324106A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-11-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置、半導体デバイスの製造方法及び基板の製造方法 |
| JP2004319623A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | サセプタ及び気相成長装置 |
-
2010
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03295882A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 炭化珪素質部材及びその製造方法 |
| JPH092895A (ja) * | 1995-06-15 | 1997-01-07 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ガラス状カーボン製サセプタ |
| JP2002373930A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Hitachi Chem Co Ltd | サセプタ− |
| JP2003324106A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-11-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置、半導体デバイスの製造方法及び基板の製造方法 |
| JP2004319623A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | サセプタ及び気相成長装置 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232455A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Sumco Corp | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
| JP2014165311A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャル成長装置の汚染検出方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2016518699A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-06-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 強化されたプロセスの均一性および低減された基板の滑りのためのサセプタ |
| WO2016174860A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-11-03 | 株式会社Sumco | サセプタ、エピタキシャル成長装置、及びエピタキシャルウェーハ |
| JPWO2016174860A1 (ja) * | 2015-04-27 | 2017-09-07 | 株式会社Sumco | サセプタ、エピタキシャル成長装置、及びエピタキシャルウェーハ |
| US11274371B2 (en) | 2015-04-27 | 2022-03-15 | Sumco Corporation | Susceptor and epitaxial growth device |
| JPWO2018207942A1 (ja) * | 2017-05-12 | 2020-03-12 | 東洋炭素株式会社 | サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板 |
| JP7233361B2 (ja) | 2017-05-12 | 2023-03-06 | 東洋炭素株式会社 | サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板 |
| KR20240172248A (ko) * | 2017-05-12 | 2024-12-09 | 토요 탄소 가부시키가이샤 | 서셉터, 애피택셜 기판의 제조 방법, 및 애피택셜 기판 |
| KR102790593B1 (ko) | 2017-05-12 | 2025-04-07 | 토요 탄소 가부시키가이샤 | 서셉터, 애피택셜 기판의 제조 방법, 및 애피택셜 기판 |
| JP2020178035A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | 住友金属鉱山株式会社 | サセプタ、サセプタの再生方法、及び、成膜方法 |
| JP7220845B2 (ja) | 2019-04-18 | 2023-02-13 | 住友金属鉱山株式会社 | サセプタ、サセプタの再生方法、及び、成膜方法 |
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