JPH03295882A - 炭化珪素質部材及びその製造方法 - Google Patents
炭化珪素質部材及びその製造方法Info
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はシリコン含浸炭化珪素基材の表面にガラス状カ
ーボン層を有する炭化珪素質部材及びその製造方法に関
する。
ーボン層を有する炭化珪素質部材及びその製造方法に関
する。
(先行の技術)
半導体素子製造用の拡散炉の材料として耐熱衝撃性及び
機械的強度に優れた炭化珪素が広く用いられている。
機械的強度に優れた炭化珪素が広く用いられている。
炭化珪素の該拡散炉への使用においては、炭化珪素成形
体中の微量の不純物の残留が問題となっている。そのた
め半導体用の炭化珪素は、内部の純化を行なって不純物
を取除くとともに、不純物拡散の原因となる気孔中にシ
リコンを含浸させ、不純物の拡散を防いでいるのが実情
である。この不純物の除去方法として、例えば炭化珪素
を1300℃程度の温度で塩化水素ガスを吹付ける等の
方法が採用されており、常に拡散炉内を高純度に保つた
めに、前述のような純化処理を定期的に行なうことが必
要である。
体中の微量の不純物の残留が問題となっている。そのた
め半導体用の炭化珪素は、内部の純化を行なって不純物
を取除くとともに、不純物拡散の原因となる気孔中にシ
リコンを含浸させ、不純物の拡散を防いでいるのが実情
である。この不純物の除去方法として、例えば炭化珪素
を1300℃程度の温度で塩化水素ガスを吹付ける等の
方法が採用されており、常に拡散炉内を高純度に保つた
めに、前述のような純化処理を定期的に行なうことが必
要である。
しかし、上記のような塩化水素ガス等の処理ガスを用い
る純化方法では、処理ガスと含浸したシリコンが反応し
、シリコン含浸炭化珪素基材表面が侵食され、また、侵
食された部分は、拡散犬5等として使用するときに、不
純物を残しやすく、次第に半導体用拡散炉としては使え
なくなるという欠点を有していた。
る純化方法では、処理ガスと含浸したシリコンが反応し
、シリコン含浸炭化珪素基材表面が侵食され、また、侵
食された部分は、拡散犬5等として使用するときに、不
純物を残しやすく、次第に半導体用拡散炉としては使え
なくなるという欠点を有していた。
本発明は、以上のような欠点を解消するためになされた
ものであり、純化処理しやすく、なおかつ、純化により
、表面が侵されない炭化珪素質部材を提供するものであ
る。
ものであり、純化処理しやすく、なおかつ、純化により
、表面が侵されない炭化珪素質部材を提供するものであ
る。
(問題点を解決する為の手段)
本発明の炭化珪素質部材はシリコン含浸炭化珪素基材に
ガラス状カーボンが含浸及び/又は塗布されその表面が
ガラス状カーボンで被覆されているものである。
ガラス状カーボンが含浸及び/又は塗布されその表面が
ガラス状カーボンで被覆されているものである。
ガラス状カーボンは高温において、化学的にも、強度的
にも安定しており、また、気孔が非常に少ないために、
シリコン含浸炭化珪素基材表面に塗布および/または、
含浸された場合、純化処理ガス等に対し、反応すること
なくシリコン含浸炭化珪素基材を保護する役目を有する
。加えて、ガラス状カーボンは、非常に不純物を通しや
すい性質を備えており、そのためシリコン含浸炭化珪素
基材表面に一様にガラス状カーボンを塗布および/また
は、含浸してもシリコン含浸炭化珪素基材まで十分に純
化できるものである。
にも安定しており、また、気孔が非常に少ないために、
シリコン含浸炭化珪素基材表面に塗布および/または、
含浸された場合、純化処理ガス等に対し、反応すること
なくシリコン含浸炭化珪素基材を保護する役目を有する
。加えて、ガラス状カーボンは、非常に不純物を通しや
すい性質を備えており、そのためシリコン含浸炭化珪素
基材表面に一様にガラス状カーボンを塗布および/また
は、含浸してもシリコン含浸炭化珪素基材まで十分に純
化できるものである。
本発明のシリコン含浸炭化珪素基材としては、その表面
にCVDによるSiC膜を有するものを用いてもよい。
にCVDによるSiC膜を有するものを用いてもよい。
CVD−8iC膜を有するものにガラス状カーボンを含
浸および/または塗布すれば、Hα等の純化ガスにおか
されずに不純物の低減にさらなる効果をあげることは言
うまでもない。
浸および/または塗布すれば、Hα等の純化ガスにおか
されずに不純物の低減にさらなる効果をあげることは言
うまでもない。
ガラス状炭素の厚みは特に限定されていないが、0.1
〜1000JJI、より好ましくは0.5〜2θ0虜で
あることが好ましい。薄すぎれば膜の効果がなく、厚す
ぎれば不純物を取除くにくくなる。
〜1000JJI、より好ましくは0.5〜2θ0虜で
あることが好ましい。薄すぎれば膜の効果がなく、厚す
ぎれば不純物を取除くにくくなる。
本発明のシリンコ含浸珪素基材は、例えば粒径0.1〜
200 asの高純度炭化珪素粉末を原料として公知の
方法を用いて造られる。その方法を簡単に説明すると、
純化した炭化珪素粉末にフェノール樹脂を加えて、混練
して造粒物を造る。得られた造粒物を用いてプレス成形
、押出成形等を行ない成形体を得る。成形体を約130
℃に加熱してフェノール樹脂を硬化し、仮焼して多孔質
炭化珪素成形体を得る。この多孔質炭化珪素成形体を公
知の方法で純化処理して更に、公知の方法でシリコンを
含浸して、シリコン含浸炭化珪素基材を得る。
200 asの高純度炭化珪素粉末を原料として公知の
方法を用いて造られる。その方法を簡単に説明すると、
純化した炭化珪素粉末にフェノール樹脂を加えて、混練
して造粒物を造る。得られた造粒物を用いてプレス成形
、押出成形等を行ない成形体を得る。成形体を約130
℃に加熱してフェノール樹脂を硬化し、仮焼して多孔質
炭化珪素成形体を得る。この多孔質炭化珪素成形体を公
知の方法で純化処理して更に、公知の方法でシリコンを
含浸して、シリコン含浸炭化珪素基材を得る。
純化処理の方法とは、例えば、(i) HOG℃程度の
温度下で塩化水素ガスを吹き付ける公知の方法、又は(
i i)不活性ガスをキャリヤーガスとしてハロゲン又
はハロゲン化水素の雰囲気下で1600〜2000℃の
温度に加熱する公知の方法等が挙げられる。
温度下で塩化水素ガスを吹き付ける公知の方法、又は(
i i)不活性ガスをキャリヤーガスとしてハロゲン又
はハロゲン化水素の雰囲気下で1600〜2000℃の
温度に加熱する公知の方法等が挙げられる。
炭化珪素基材にガラス状炭素を含浸及び/又は塗布しガ
ラス状カーボンを被覆する方法は公知の方法を適用し得
る。
ラス状カーボンを被覆する方法は公知の方法を適用し得
る。
以下にその例を記載する。
(1)フラン樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂に
酸触媒を所要のモル比で混合し、初期縮合物を生成する
。
酸触媒を所要のモル比で混合し、初期縮合物を生成する
。
ハロゲン化水素でエツチング処理された炭化珪素基材を
オートクレーブに入れ約20nm+Hg程度で減圧処理
した後に、該熱硬化性樹脂初期縮合物をオートクレーブ
中に注入する。引き続き、オートクレーブ中に空気を導
入し、約4 kg/cJ以上に加圧して熱硬化性樹脂初
期縮合物を炭化珪素基材に含浸、且つその表面を被覆す
る。得られた含浸・被覆された炭化珪素基材を不活性ガ
ス雰囲気下で1.000〜2.000℃で焼成してガラ
ス状カーボンで被覆された炭化珪素質部材を得る。
オートクレーブに入れ約20nm+Hg程度で減圧処理
した後に、該熱硬化性樹脂初期縮合物をオートクレーブ
中に注入する。引き続き、オートクレーブ中に空気を導
入し、約4 kg/cJ以上に加圧して熱硬化性樹脂初
期縮合物を炭化珪素基材に含浸、且つその表面を被覆す
る。得られた含浸・被覆された炭化珪素基材を不活性ガ
ス雰囲気下で1.000〜2.000℃で焼成してガラ
ス状カーボンで被覆された炭化珪素質部材を得る。
シリコン含浸炭化珪素基材の表面がなめらかな場合は、
熱硬化性樹脂初期縮合物をその表面に塗布し、不活性ガ
ス雰囲気中で1,000〜2,000℃で焼成してガラ
ス状カーボンで被覆された炭化珪素質部材を得る。
熱硬化性樹脂初期縮合物をその表面に塗布し、不活性ガ
ス雰囲気中で1,000〜2,000℃で焼成してガラ
ス状カーボンで被覆された炭化珪素質部材を得る。
本発明で用いるガラス状カーボンの前駆体として用いる
熱硬化性樹脂には、フェノール系やフラン系初期縮合物
以外、メラミン等のガラス状カーボンを生成する他の前
駆体を用いても、本発明の目的を奏効し得る。
熱硬化性樹脂には、フェノール系やフラン系初期縮合物
以外、メラミン等のガラス状カーボンを生成する他の前
駆体を用いても、本発明の目的を奏効し得る。
(2)フルフリールアルコールにp−トルエンスルフォ
ン酸を加えて得た粘度1000−4000ポイズの混合
液を炭化珪素基材に塗布し、得られた塗布された炭化珪
素基材を不活性ガス雰囲気下で1.000〜2.000
℃で焼成してガラス状カーボンで被覆された炭化珪素質
部材を得る。
ン酸を加えて得た粘度1000−4000ポイズの混合
液を炭化珪素基材に塗布し、得られた塗布された炭化珪
素基材を不活性ガス雰囲気下で1.000〜2.000
℃で焼成してガラス状カーボンで被覆された炭化珪素質
部材を得る。
(発明の効果)
本発明の炭化珪素質部材は、ハロゲンガス又はハロゲン
化水素で純化処理することによって、炭化珪素部材中の
シリコンが侵食(エツチング)されることなく、またガ
ラス状カーボンも全く侵食されることなく炭化珪素部材
の内部まで純化することが出来る。更に、シリコン含浸
炭化珪素基材とガラス状カーボン層との接着力が強(、
剥離がほとんど起らず、耐熱衝撃性及び機械的強度の優
れた炭化珪素質部材である。
化水素で純化処理することによって、炭化珪素部材中の
シリコンが侵食(エツチング)されることなく、またガ
ラス状カーボンも全く侵食されることなく炭化珪素部材
の内部まで純化することが出来る。更に、シリコン含浸
炭化珪素基材とガラス状カーボン層との接着力が強(、
剥離がほとんど起らず、耐熱衝撃性及び機械的強度の優
れた炭化珪素質部材である。
従って、本発明の炭化珪素質部材は半導体素子製造用の
拡散炉の材料とし、て有用なものである。
拡散炉の材料とし、て有用なものである。
以下、実施例によって本発明の詳細な説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。
明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例及び比較例
純化した炭化珪素粉末にバインダーとして)エノール樹
脂を加えて、混練して造粒物を造り、得られた造粒物を
用いてプレス成形を行ない成形体を得た。成形体を乾燥
後1800℃で仮焼して、次いで純化し、さらに160
0℃の溶融シリコンに浸漬してシリコン含浸炭化珪素基
材を得た。得られたシ・リコン含浸炭化珪素基材にフル
フリルアルコールにパラトルエンスルホン酸を加え、粘
性を調整したものを所定の厚さまで塗布し、不活性雰囲
気で1600℃まで昇温し、シリコン含浸炭化珪素基材
の表面に0−(比較例)、2−(実施例1)、75虜(
実施例2)、500IiIi(実施例3) 、1500
虜(比較例2)のガラス状カーボン膜厚を有するシリコ
ン含浸炭化珪素部材を得た。該シリコン含浸炭化珪素部
材をそれぞれ1300℃に加熱し、塩化水素ガスを用い
て純化を行なった。
脂を加えて、混練して造粒物を造り、得られた造粒物を
用いてプレス成形を行ない成形体を得た。成形体を乾燥
後1800℃で仮焼して、次いで純化し、さらに160
0℃の溶融シリコンに浸漬してシリコン含浸炭化珪素基
材を得た。得られたシ・リコン含浸炭化珪素基材にフル
フリルアルコールにパラトルエンスルホン酸を加え、粘
性を調整したものを所定の厚さまで塗布し、不活性雰囲
気で1600℃まで昇温し、シリコン含浸炭化珪素基材
の表面に0−(比較例)、2−(実施例1)、75虜(
実施例2)、500IiIi(実施例3) 、1500
虜(比較例2)のガラス状カーボン膜厚を有するシリコ
ン含浸炭化珪素部材を得た。該シリコン含浸炭化珪素部
材をそれぞれ1300℃に加熱し、塩化水素ガスを用い
て純化を行なった。
結果は次表の通りであった。
◎:非常に良い O:良い Δ:少し劣る ×:
劣るIJJIa〜1000−のガラス状カーボン膜を有
するものは基材の純度、膜のライフが飛躍的に向上する
のに対し、膜なしおよび0.1−未満の薄膜は基材の純
度は非常に良い(良く純化される)が純化ガスにより、
基材中のシリコンがエツチングされる。
劣るIJJIa〜1000−のガラス状カーボン膜を有
するものは基材の純度、膜のライフが飛躍的に向上する
のに対し、膜なしおよび0.1−未満の薄膜は基材の純
度は非常に良い(良く純化される)が純化ガスにより、
基材中のシリコンがエツチングされる。
また、薄膜は耐食性に劣り、100OJIより厚い超厚
膜はヒートサイクル時に熱膨張係数の違いから応力が発
生し、クラックが生じ、純度低下を招くことがわかる。
膜はヒートサイクル時に熱膨張係数の違いから応力が発
生し、クラックが生じ、純度低下を招くことがわかる。
Claims (2)
- (1)シリコン含浸炭化珪素基材の表面にガラス状カー
ボン層を有する炭化珪素質部材。 - (2)シリコン含浸及び純化処理した炭化珪素基材にガ
ラス状カーボンの前駆体を含浸及び/又は塗布し、熱処
理することから成る炭化珪素質部材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9813490A JP2938926B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 炭化珪素質部材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9813490A JP2938926B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 炭化珪素質部材及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03295882A true JPH03295882A (ja) | 1991-12-26 |
JP2938926B2 JP2938926B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=14211776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9813490A Expired - Fee Related JP2938926B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 炭化珪素質部材及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2938926B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011146506A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Sumco Corp | 気相成長装置用サセプタ及び気相成長装置 |
JP2017024923A (ja) * | 2015-07-16 | 2017-02-02 | イビデン株式会社 | セラミック複合材 |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP9813490A patent/JP2938926B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011146506A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Sumco Corp | 気相成長装置用サセプタ及び気相成長装置 |
JP2017024923A (ja) * | 2015-07-16 | 2017-02-02 | イビデン株式会社 | セラミック複合材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2938926B2 (ja) | 1999-08-25 |
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