JP2011145290A5 - 電流測定方法、半導体装置の検査方法及び特性評価用素子 - Google Patents

電流測定方法、半導体装置の検査方法及び特性評価用素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2011145290A5
JP2011145290A5 JP2010280167A JP2010280167A JP2011145290A5 JP 2011145290 A5 JP2011145290 A5 JP 2011145290A5 JP 2010280167 A JP2010280167 A JP 2010280167A JP 2010280167 A JP2010280167 A JP 2010280167A JP 2011145290 A5 JP2011145290 A5 JP 2011145290A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
current
electric
measurement method
current measurement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2010280167A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011145290A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2010280167A priority Critical patent/JP2011145290A/ja
Priority claimed from JP2010280167A external-priority patent/JP2011145290A/ja
Publication of JP2011145290A publication Critical patent/JP2011145290A/ja
Publication of JP2011145290A5 publication Critical patent/JP2011145290A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Claims (6)

  1. 電流素子に流れる電流測定方法であって、
    前記電流素子は第1端子と第2の端子を有し、
    第1の期間において、前記第1端子と前記第2端子との間に電位差を生じさせ、
    前記第1の期間の後の第2の期間において、前記第1端子の電位は固定され、前記第2端子の電位の変化量を測定し、
    前記第2端子の電位の変化量から、前記電気素子の前記第1端子と前記第2端子との間を流れる電流値を算出する、電流測定方法。
  2. 請求項1において、
    前記第2端子に電荷を与えることで、第1の期間において、前記第1端子と前記第2端子との間に電位差を生じさせる、電流測定方法。
  3. 請求項1または請求項2において、
    前記電流素子はトランジスタであり、
    前記第1端子は、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方であり、
    前記第2端子は、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方であり
    前記第2の期間では前記トランジスタオフ状態であり、
    前記トランジスタのオフ状態における、前記電気素子の前記第1端子と前記第2端子との間を流れる電流値を算出する、電流測定方法。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
    前記第2端子には容量素子が電気的に接続されている、電流測定方法。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の電流測定方法を用いて、前記電気素子特性を検査する、半導体装置の検査方法。
  6. 第1端子と第2端子を有する電気素子と、
    第1端子と第2端子とを有する容量素子と、
    出力回路と、を有し、
    前記電気素子の第1端子は、電源と電気的に接続され
    前記電気素子の第2端子は、前記容量素子の第1端子と電気的に接続され
    前記電気素子の第2端子は、前記出力回路の入力端子と電気的に接続される特性評価用素子。
JP2010280167A 2009-12-18 2010-12-16 電流測定方法、半導体装置の検査方法、半導体装置、および特性評価用素子 Withdrawn JP2011145290A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010280167A JP2011145290A (ja) 2009-12-18 2010-12-16 電流測定方法、半導体装置の検査方法、半導体装置、および特性評価用素子

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009287978 2009-12-18
JP2009287978 2009-12-18
JP2010280167A JP2011145290A (ja) 2009-12-18 2010-12-16 電流測定方法、半導体装置の検査方法、半導体装置、および特性評価用素子

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015108130A Division JP6054473B2 (ja) 2009-12-18 2015-05-28 半導体装置の作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011145290A JP2011145290A (ja) 2011-07-28
JP2011145290A5 true JP2011145290A5 (ja) 2014-01-09

Family

ID=44150141

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010280167A Withdrawn JP2011145290A (ja) 2009-12-18 2010-12-16 電流測定方法、半導体装置の検査方法、半導体装置、および特性評価用素子
JP2015108130A Active JP6054473B2 (ja) 2009-12-18 2015-05-28 半導体装置の作製方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015108130A Active JP6054473B2 (ja) 2009-12-18 2015-05-28 半導体装置の作製方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9057758B2 (ja)
JP (2) JP2011145290A (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5730529B2 (ja) 2009-10-21 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI525377B (zh) 2010-01-24 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
KR102008754B1 (ko) * 2010-01-24 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
KR102069496B1 (ko) 2010-01-24 2020-01-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8552712B2 (en) 2010-04-16 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Current measurement method, inspection method of semiconductor device, semiconductor device, and test element group
TWI627756B (zh) 2011-03-25 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路
KR102248765B1 (ko) 2012-11-30 2021-05-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9153649B2 (en) * 2012-11-30 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device
JP6478562B2 (ja) * 2013-11-07 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9817040B2 (en) 2014-02-21 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measuring method of low off-state current of transistor
JP2015206789A (ja) * 2014-04-11 2015-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 電流測定方法
US10559667B2 (en) 2014-08-25 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device
JP6693885B2 (ja) * 2014-11-20 2020-05-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TW201624708A (zh) 2014-11-21 2016-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及記憶體裝置
US9633710B2 (en) 2015-01-23 2017-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for operating semiconductor device
US9647132B2 (en) * 2015-01-30 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
JP6677563B2 (ja) * 2016-04-06 2020-04-08 ローム株式会社 Δσa/dコンバータ、a/dコンバータ集積回路
CN107727983B (zh) * 2017-11-29 2023-11-24 国网安徽省电力公司池州供电公司 一种感应电压检测装置

Family Cites Families (134)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
US4801878A (en) * 1987-06-18 1989-01-31 Hewlett-Packard Company In-circuit transistor beta test and method
JPH04318950A (ja) 1991-04-18 1992-11-10 Sharp Corp トランジスタ検査装置
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
WO1997006554A2 (en) 1995-08-03 1997-02-20 Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JP3625598B2 (ja) * 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
US6028438A (en) * 1997-10-31 2000-02-22 Credence Systems Corporation Current sense circuit
DE19802042A1 (de) * 1998-01-21 1999-07-22 Bosch Gmbh Robert Schaltung zum Überwachen des Zündkreises für eine Sicherheitseinrichtung in einem Kraftfahrzeug
US6239609B1 (en) * 1998-02-11 2001-05-29 Lsi Logic Corporation Reduced voltage quiescent current test methodology for integrated circuits
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) * 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
US6492831B2 (en) * 1998-12-02 2002-12-10 Advantest Corporation Current measuring method and current measuring apparatus
TW460731B (en) * 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP2001249147A (ja) * 2000-03-03 2001-09-14 Nec Corp 電流検出回路および電流検出方法
JP2002040059A (ja) * 2000-07-24 2002-02-06 Sony Corp 電流検出装置およびその制御方法
JP2002040098A (ja) * 2000-07-24 2002-02-06 Advantest Corp 試験装置
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) * 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP2002223526A (ja) * 2001-01-25 2002-08-09 Honda Motor Co Ltd 電気二重層コンデンサの残容量検出装置
JP3997731B2 (ja) * 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
US6611146B2 (en) * 2001-06-28 2003-08-26 International Business Machines Corporation Stress testing for semiconductor devices
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
DE10145021C1 (de) * 2001-09-13 2003-04-30 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltung mit einer Strommesseinheit und ein Verfahren zum Messen eines Stromes
US6642738B2 (en) * 2001-10-23 2003-11-04 Fairchild Semiconductor Corporation Method and apparatus for field-effect transistor current sensing using the voltage drop across drain to source resistance that eliminates dependencies on temperature of the field-effect transistor and/or statistical distribution of the initial value of drain to source resistance
US6897662B2 (en) * 2001-10-26 2005-05-24 Micrel, Incorporated Method and apparatus for optimizing the accuracy of an electronic circuit
US7061014B2 (en) * 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4083486B2 (ja) * 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) * 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) * 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2003298062A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP3580297B2 (ja) * 2002-04-01 2004-10-20 日産自動車株式会社 電流検出機能付き半導体装置
US7339187B2 (en) * 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) * 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
AU2003289260A1 (en) * 2002-12-26 2004-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for testing semiconductor device
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
DE10316223B3 (de) * 2003-04-09 2004-09-09 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung des Schaltzustandes eines Transistors
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) * 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7145174B2 (en) * 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7282782B2 (en) * 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
JP4620046B2 (ja) 2004-03-12 2011-01-26 独立行政法人科学技術振興機構 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US7297977B2 (en) * 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7211825B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) * 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) * 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) * 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
WO2006051995A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
CA2708335A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
US7791072B2 (en) * 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
AU2005302963B2 (en) * 2004-11-10 2009-07-02 Cannon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7829444B2 (en) * 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7453065B2 (en) * 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7863611B2 (en) * 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI562380B (en) * 2005-01-28 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7608531B2 (en) * 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) * 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) * 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) * 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) * 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP3767829B1 (ja) * 2005-06-09 2006-04-19 エスティケイテクノロジー株式会社 半導体デバイスの検査装置
JP2006344849A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) * 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) * 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) * 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) * 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP4888994B2 (ja) * 2005-08-31 2012-02-29 株式会社山武 電流モニタ装置
JP5116225B2 (ja) * 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP2007073705A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4907942B2 (ja) * 2005-09-29 2012-04-04 シャープ株式会社 トランジスタおよび電子デバイス
EP3614442A3 (en) 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
JP2007115735A (ja) * 2005-10-18 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd トランジスタ
JP5037808B2 (ja) * 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) * 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) * 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) * 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) * 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) * 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) * 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
US20070252928A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
KR101014473B1 (ko) * 2006-06-02 2011-02-14 가시오게산키 가부시키가이샤 산화아연의 산화물 반도체 박막층을 포함하는 반도체 장치및 그 제조방법
JP5028033B2 (ja) * 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) * 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) * 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) * 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) * 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) * 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7622371B2 (en) * 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) * 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
US7812628B2 (en) * 2006-12-13 2010-10-12 Renesas Electronics Corporation Method of on-chip current measurement and semiconductor IC
KR101303578B1 (ko) * 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) * 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) * 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
CN101680081B (zh) * 2007-03-20 2012-10-31 出光兴产株式会社 溅射靶、氧化物半导体膜及半导体器件
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
WO2008133345A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
JP5043499B2 (ja) * 2007-05-02 2012-10-10 財団法人高知県産業振興センター 電子素子及び電子素子の製造方法
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US8339202B2 (en) * 2007-06-14 2012-12-25 Panasonic Automotive Systems of America, division of Panasonic Corporation of North America Current sensing system and method
US20090021271A1 (en) * 2007-07-20 2009-01-22 Infineon Technologies Austria Ag Measuring the On-Resistance of a Transistor Load Path
US7863908B2 (en) * 2007-11-16 2011-01-04 Infineon Technologies Ag Current measurement based on a charge in a capacitor
US8049523B2 (en) * 2007-12-05 2011-11-01 Solaredge Technologies Ltd. Current sensing on a MOSFET
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP5121501B2 (ja) * 2008-02-27 2013-01-16 富士通テン株式会社 過電流保護装置および電子機器
JP5250753B2 (ja) * 2008-07-17 2013-07-31 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 負荷駆動回路
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
US8575917B2 (en) * 2009-09-24 2013-11-05 Apple Inc. Multirange load detection circuitry
KR101329849B1 (ko) * 2009-11-28 2013-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011145290A5 (ja) 電流測定方法、半導体装置の検査方法及び特性評価用素子
MX339946B (es) Sistemas y metodos para medir el uso de energia electrica en una estructura y sistemas y metodos para calibrarlo.
WO2013001098A3 (en) Active shield for capacitive measurement system
MX2013002024A (es) Medicion de temperatura de fluido de proceso.
JP2011237418A5 (ja) 電流測定方法
MX2009006676A (es) Sensor de rogowski y procedimiento para medir una corriente.
FR3044096B1 (fr) Capteur de courant et dispositif pour la mesure d'un courant electrique
FR3002646B1 (fr) Capteur electronique de temperature pour mesurer la temperature de jonction d'un interrupteur electronique de puissance en fonctionnement et procede de mesure de la temperature de la jonction par ce capteur electronique
JP2010528288A5 (ja)
WO2010018197A3 (de) ANORDNUNG ZUR MESSUNG VON STROMERTRAGS- UND/ODER VERBRAUCHSGRÖßEN IN EINEM NIEDERSPANNUNGSNETZ
MD3949G2 (ro) Metodă de măsurare a rezistenţei
EA201390104A1 (ru) Бытовой прибор для сушки белья и способ определения измеряемого параметра, коррелированного со степенью сухости белья
CN102707146A (zh) 一种电阻阻值测定实验装置
ATE525262T1 (de) Überwachungsvorrichtung zur überwachung eines anschlusses einer anschlusskomponente
WO2012088488A3 (en) Assembly and circuit structure for measuring current through an integrated circuit module device
JP2015195353A5 (ja)
EA201291425A1 (ru) Способ эксплуатации прибора для сушки белья и прибор для сушки белья
RU2015136512A (ru) Измерение однородной температуры катушки путем увеличения сопротивления провода
CN202929118U (zh) 一种伏安法测电阻实验装置
MD591Y (en) Method for measurement of impedance component
MD351Y (en) Admittance meter
CN206497195U (zh) 一种新型磁通量传感器温度测量装置
MD859Y (en) Method for measuring impedance components
Kim et al. A study on the condition monitoring of transmission line by on-line circuit parameter measurement
CN203881829U (zh) 阻抗转换盒及其应用的测量装置