JP2011129917A - 積層セラミックキャパシタ - Google Patents
積層セラミックキャパシタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011129917A JP2011129917A JP2010277799A JP2010277799A JP2011129917A JP 2011129917 A JP2011129917 A JP 2011129917A JP 2010277799 A JP2010277799 A JP 2010277799A JP 2010277799 A JP2010277799 A JP 2010277799A JP 2011129917 A JP2011129917 A JP 2011129917A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thickness
- multilayer ceramic
- ceramic capacitor
- layer
- outer portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 12
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
【課題】静電容量を安定的に確保しながら、熱衝撃によるセラミック積層体のクラック及び絶縁破壊を効果的に防止することができる積層セラミックキャパシタを提供する。
【解決手段】内部電極４及び誘電体層６が交互に積層された有効層２０と、この有効層２０の上面及び下面に誘電体層６が積層されて形成された保護層１０とを含む。有効層２０は積層方向において外側部、内側部及び外側部の順で構成され、外側部の内部電極の厚さは内側部の内部電極の厚さより薄く形成され、外側部の厚さは保護層１０の厚さの０．１から０．５倍である。
【選択図】図２
【解決手段】内部電極４及び誘電体層６が交互に積層された有効層２０と、この有効層２０の上面及び下面に誘電体層６が積層されて形成された保護層１０とを含む。有効層２０は積層方向において外側部、内側部及び外側部の順で構成され、外側部の内部電極の厚さは内側部の内部電極の厚さより薄く形成され、外側部の厚さは保護層１０の厚さの０．１から０．５倍である。
【選択図】図２
Description
本発明は積層セラミックキャパシタに関するもので、より詳細には安定的に静電容量を確保しながら、熱衝撃によるクラック及び絶縁破壊を防止することができる積層セラミックキャパシタに関する。
一般的に多層セラミックキャパシタは、複数のセラミック誘電体シートと該複数のセラミック誘電体シートとの間に挿入された内部電極を含む。このような多層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高い静電容量を具現することができ、基板上に容易に実装することができるため、多様な電子装置の容量性部品として広く使用されている。
最近、電子製品が小型化され、多機能化されるに伴ってチップ部品も小型化及び高機能化される傾向にあり、多層セラミックキャパシタもそのサイズが小さいながらも容量の大きい、高容量の製品が求められている。従って、最近は誘電体層の厚さが２μｍ以下で、且つ積層数が５００層以上の積層セラミックキャパシタが製造されている。
しかし、このようなセラミック誘電体層の薄膜化と高積層化により内部電極層が占める体積の割合が増加し、焼成及びリフロー半田付け等による回路基板への実装工程等で加わる熱衝撃によりセラミック積層体にクラック（ｃｒａｃｋ）または絶縁破壊が発生するという問題がある。
具体的に、クラックは、セラミック層と内部電極層を形成する材料の熱膨張係数の差による応力がセラミック積層体に作用し発生するものであり、特に積層セラミックキャパシタの上部及び下部の両端に多く発生する。
また、熱変化により誘電体の最上部と最下部に応力が発生するが、このとき、電圧が印加されると誘電層の絶縁破壊が発生することがある。
本発明の目的は、静電容量を安定的に確保しながら、熱衝撃によるセラミック積層体のクラック及び絶縁破壊を効果的に防止することができる積層セラミックキャパシタを提供することである。
本発明の一実施例による積層セラミックキャパシタは、内部電極及び誘電体層が交互に積層された有効層と、上記有効層の上面及び下面に誘電体層が積層されて形成された保護層とを含み、上記有効層は積層方向において外側部、内側部及び外側部の順で構成され、上記外側部の内部電極の厚さは上記内側部の内部電極の厚さより薄く形成され、上記外側部の厚さは上記保護層の厚さの０．１から０．５倍であることができる。
本発明の他の実施例による積層セラミックキャパシタの外側部の内部電極の厚さは、上記内側部の内部電極の厚さの０．７から０．９５倍であることができる。
本発明のさらに他の実施例による積層セラミックキャパシタの有効層の誘電体層の厚さは、５μｍ以下であることができる。
本発明のさらに他の実施例による積層セラミックキャパシタの有効層の誘電体層の積層数は１００から１０００であることができる。
本発明による積層セラミックキャパシタは、誘電体層と内部電極とが交互に積層された有効層の上部及び下部の内部電極の厚さを、有効層の内部の他の内部電極より薄く形成することで、有効層の上部及び下部で生じやすいクラック及び絶縁破壊現象を防止することができる。
また、内部電極を薄く形成する有効層の内部の厚さを調節することで、安定的に静電容量を確保しながらクラック及び絶縁破壊現象を効果的に防止することができる。
以下、添付の図面を参照して、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できるように、好ましい実施例を詳細に説明する。但し、本発明の好ましい実施例を詳細に説明するにあたり、関る公知の機能または構成に対する具体的な説明が、本発明の要旨を不必要に不明確にすると判断される場合は、その詳細な説明を省略する。
また、類似する機能及び作用をする部分に対しては、図面全体において同じ符号を使用する。
また、ある構成要素を‘含む’とは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
図１は本発明の一実施例による積層セラミックキャパシタの斜視図である。
図１を参照すると、本発明の一実施例による積層セラミックキャパシタは、キャパシタ本体１及び外部電極２を含むことができる。
上記キャパシタ本体１は、その内部に複数の誘電体層が積層され、上記複数の誘電体層の間に内部電極を挿入することができる。この際、誘電体層はチタン酸バリウム（Ｂａ２ＴｉＯ３）を利用して形成することができ、内部電極はニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）またはコバルト（Ｃｏ）等を利用して形成することができる。
上記外部電極２は上記キャパシタ本体１の両側面に形成することができる。上記外部電極２は上記キャパシタ本体１の外表面に露出された内部電極と電気的に連結されるように形成されることで、外部端子の役割をすることができる。この際、上記外部電極２は銅（Ｃｕ）等を利用して形成することができる。
図２は図１のＡ−Ａ´に沿って切断した断面図であり、図３は図１のＢ−Ｂ´に沿って切断した断面図である。
図２及び図３を参照すると、本発明の一実施例による積層セラミックキャパシタは、内部に、誘電体層６と内部電極４とが交互に積層された有効層２０を含むことができる。また、上記有効層２０の上面及び下面には誘電体層が積層されて形成された保護層１０を含むことができる。
上記有効層２０は、その積層方向において外側部２４、内側部２２及び外側部２４の順で構成される。
上記保護層１０は、上記有効層２０の上面及び下面に複数の誘電体層が連続で積層され形成されることで、上記有効層２０を外部の衝撃等から保護することができる。
上記有効層２０の内部電極４がニッケル（Ｎｉ）で形成されると、その熱膨張係数は約１３×１０−６／℃であり、セラミックで形成された誘電体層６の熱膨張係数は約８×１０−６／℃となる。このような誘電体層６と内部電極４の間の熱膨張係数の差により、焼成及びリフロー半田付け等による回路基板への実装工程等で熱衝撃が加わると、誘電体層６には応力が加わる。従って、熱衝撃時に応力により誘電体層６にクラックが発生したり、応力が加わった状態で電圧が印加されると絶縁破壊現象が発生することがある。特に、上記有効層２０の上部及び下部、即ち、外側部２４でこのようなクラック及び絶縁破壊現象が発生する可能性が高い。
従って、図２及び図３に図示されたように、本発明の一実施例による積層セラミックキャパシタでは、有効層２０における外側部２４の内部電極の厚さｔ１を内側部２２の内部電極の厚さｔ２より薄く形成することで、このようなクラック及び絶縁破壊現象を防止することができる。
一方、内部電極４の厚さを薄く形成すると、内部電極４に気孔が含まれる可能性が高く、積層セラミックキャパシタの静電容量が減少することがある。従って、内側部２２の内部電極の厚さｔ２に比べて外側部２４の内部電極の厚さｔ１を薄く形成するほど、積層セラミックキャパシタの静電容量は減少する。また、内部電極４の厚さを薄く形成する外側部２４の全体の厚さが厚くなるほど、積層セラミックキャパシタの静電容量は減少する。
安定的に静電容量を確保しながら、熱衝撃によるクラック及び絶縁破壊現象も防止することが重要であるため、外側部２４の内部電極の厚さｔ１を内側部２２の内部電極の厚さｔ２に比べてどの程度薄く形成するか、または外側部２４の全体の厚さを保護層１０の厚さの何割で形成するかに対して実験を通じて適切な数値を設定することができる。
表１は積層セラミックキャパシタの内部電極の厚さに対する割合（ｔ１／ｔ２）を変えながら、熱衝撃に対するクラック及び静電容量に対して実験を行った結果を示したものである。このとき、保護層に対する外側部の厚さの割合（Ｙ／Ｘ、このとき、Ｘは積層方向における保護層１０の厚さであり、Ｙは積層方向における外側部２４の厚さである。）は０．３で一定に具現した。
内部電極４を形成するための導電性ペーストとして、ニッケル（Ｎｉ）粉末は粒子のサイズが０．１〜０．２μｍのものを使用し、ニッケル粉末の含量は４０〜５０％で作製した。このように形成された積層セラミックキャパシタの外側部２４の内部電極の厚さｔ１は約０．５〜０．９μｍで、内側部２２の内部電極の厚さｔ２は約０．７〜０．８μｍで具現された。また、熱衝撃試験は３２０℃の鉛槽に２秒間浸潰させる方式で行われた。
表１を参照すると、内部電極の厚さに対する割合（ｔ１／ｔ２）が０．９５以下の地点からクラックの発生数が減り、０．７０未満では静電容量が減少することが確認できる。
従って、安定的に静電容量を確保すると同時にクラックの発生を防止するためには、内部電極の厚さに対する割合（ｔ１／ｔ２）を０．７０から０．９５とすることが適切であることが分かる。
表２は積層セラミックキャパシタの外側部の厚さの割合（Ｙ／Ｘ、このとき、Ｘは積層方向における保護層１０の厚さであり、Ｙは積層方向における外側部２４の厚さである。）を変えながら、熱衝撃に対するクラック及び静電容量に対して実験を行った結果を示したものである。このとき、内部電極の厚さに対する割合（ｔ１／ｔ２）は０．９５と一定に具現した。
内部電極４を形成するめの導電性ペーストとして、ニッケル（Ｎｉ）粉末は粒子のサイズが０．１〜０．２μｍのものを使用し、ニッケル粉末の含量は４０〜５０％で作製した。このように形成された積層セラミックキャパシタの外側部２４の内部電極の厚さｔ１は約０．５〜０．９μｍで、内側部２２の内部電極の厚さｔ２は約０．７〜０．８μｍで具現された。また、熱衝撃試験は３２０℃の鉛槽に２秒間浸潰させる方式で行われた。
表２を参照すると、保護層に対する外側部の厚さの割合（Ｙ／Ｘ）が０．１未満であると、クラックの発生個数が増え、絶縁破壊電圧が低くなり、０．５を超えると、静電容量が減少することが確認できる。
従って、安定的に静電容量を確保すると同時に、クラックの発生を防止するためには保護層に対する外側部の厚さの割合（Ｙ／Ｘ）を０．１から０．５とすることが適切であることが分かる。
本発明は上述の実施例及び添付の図面により限定されるものではない。本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が本発明の技術的思想から外れない範囲内で本発明による構成要素を置換、変形及び変更できることは明白である。
１ キャパシタ本体
２ 外部電極
４ 内部電極
６ 誘電体層
１０ 保護層
２０ 有効層
２２ 内側部
２４ 外側部
２ 外部電極
４ 内部電極
６ 誘電体層
１０ 保護層
２０ 有効層
２２ 内側部
２４ 外側部
Claims (4)
- 内部電極及び誘電体層が交互に積層された有効層と、
前記有効層の上面及び下面に誘電体層が積層されて形成された保護層とを含み、
前記有効層は積層方向において外側部、内側部及び外側部の順で構成され、前記外側部の内部電極の厚さは前記内側部の内部電極の厚さより薄く形成され、
前記外側部の厚さは前記保護層の厚さの０．１から０．５倍である積層セラミックキャパシタ。 - 前記外側部の内部電極の厚さは、前記内側部の内部電極の厚さの０．７から０．９５倍であることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記有効層の誘電体層の厚さは、５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記有効層の誘電体層の積層数は、１００以上であることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090125092A KR101101612B1 (ko) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | 적층 세라믹 커패시터 |
| KR10-2009-0125092 | 2009-12-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011129917A true JP2011129917A (ja) | 2011-06-30 |
Family
ID=44142655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010277799A Pending JP2011129917A (ja) | 2009-12-15 | 2010-12-14 | 積層セラミックキャパシタ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110141659A1 (ja) |
| JP (1) | JP2011129917A (ja) |
| KR (1) | KR101101612B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014146654A (ja) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Kyocera Corp | 積層型電子部品 |
| JP2020504436A (ja) * | 2016-09-27 | 2020-02-06 | パーキンエルマー・ヘルス・サイエンシーズ・カナダ・インコーポレイテッドＰｅｒｋｉｎｅｌｍｅｒ Ｈｅａｌｔｈ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ Ｃａｎａｄａ， Ｉｎｃ． | コンデンサ及び無線周波発生器、ならびにこれらを使用する他のデバイス |
| WO2023189749A1 (ja) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102004773B1 (ko) * | 2013-11-21 | 2019-07-29 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품의 실장 기판 |
| JP2015065455A (ja) * | 2014-11-13 | 2015-04-09 | 株式会社村田製作所 | ３端子型コンデンサ |
| KR20220084657A (ko) | 2020-12-14 | 2022-06-21 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007158266A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Tdk Corp | 積層型電子部品およびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08298227A (ja) * | 1995-04-25 | 1996-11-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層コンデンサ |
| JP3681900B2 (ja) * | 1998-06-29 | 2005-08-10 | 京セラ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| KR101108958B1 (ko) * | 2003-02-25 | 2012-01-31 | 쿄세라 코포레이션 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조방법 |
| JP4650007B2 (ja) * | 2005-02-01 | 2011-03-16 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
-
2009
- 2009-12-15 KR KR1020090125092A patent/KR101101612B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-12-13 US US12/966,380 patent/US20110141659A1/en not_active Abandoned
- 2010-12-14 JP JP2010277799A patent/JP2011129917A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007158266A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Tdk Corp | 積層型電子部品およびその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014146654A (ja) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Kyocera Corp | 積層型電子部品 |
| JP2020504436A (ja) * | 2016-09-27 | 2020-02-06 | パーキンエルマー・ヘルス・サイエンシーズ・カナダ・インコーポレイテッドＰｅｒｋｉｎｅｌｍｅｒ Ｈｅａｌｔｈ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ Ｃａｎａｄａ， Ｉｎｃ． | コンデンサ及び無線周波発生器、ならびにこれらを使用する他のデバイス |
| JP7108605B2 (ja) | 2016-09-27 | 2022-07-28 | パーキンエルマー・ヘルス・サイエンシーズ・カナダ・インコーポレイテッド | コンデンサ及び無線周波発生器、ならびにこれらを使用する他のデバイス |
| WO2023189749A1 (ja) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101101612B1 (ko) | 2012-01-02 |
| US20110141659A1 (en) | 2011-06-16 |
| KR20110068232A (ko) | 2011-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107644735B (zh) | 电容器和具有该电容器的板 | |
| JP6278595B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP2011129863A (ja) | 積層セラミックキャパシタ | |
| JP5777179B2 (ja) | 基板内蔵用積層セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板 | |
| KR101630068B1 (ko) | 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판 | |
| KR101079464B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
| KR101659153B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터, 적층 세라믹 커패시터의 제조방법 및 적층 세라믹 커패시터의 실장 기판 | |
| KR20160084614A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터의 실장 기판 | |
| US8233264B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| US9633785B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component and board having the same | |
| JP6376604B2 (ja) | 基板内蔵用積層セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板 | |
| JP2015057810A (ja) | 基板内蔵用積層セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板 | |
| JP2011135079A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| JP6309313B2 (ja) | 基板内蔵用積層セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板 | |
| US9672987B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and board having the same | |
| JP2011129917A (ja) | 積層セラミックキャパシタ | |
| JP5220837B2 (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| KR20140032212A (ko) | 도전성 수지 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 전자 부품 | |
| JP2011135035A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| US10297386B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and board having the same | |
| JP5694464B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品の実装基板 | |
| KR20110134866A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
| JP2015204452A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及び積層セラミックキャパシタの実装基板 | |
| KR20110068230A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
| KR20150080799A (ko) | 적층 세라믹 전자 부품 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120124 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120424 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120427 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120517 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120724 |