KR20110068232A - 적층 세라믹 커패시터 - Google Patents
적층 세라믹 커패시터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110068232A KR20110068232A KR1020090125092A KR20090125092A KR20110068232A KR 20110068232 A KR20110068232 A KR 20110068232A KR 1020090125092 A KR1020090125092 A KR 1020090125092A KR 20090125092 A KR20090125092 A KR 20090125092A KR 20110068232 A KR20110068232 A KR 20110068232A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thickness
- layer
- multilayer ceramic
- ceramic capacitor
- effective
- Prior art date
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 51
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 11
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Abstract
Description
실시예 |
내부전극의 두께 비율 (t1/t2) | 보호층에 대한 외측부의 두께 비율(Y/X) | 정전용량 (uF) |
열충격 시험 크랙 발생 개수 |
1 | 1.22 | 0.3 | 10.3 | 23/300 |
2 | 1.00 | 0.3 | 10.2 | 11/300 |
3 | 0.97 | 0.3 | 10.2 | 5/300 |
4 | 0.95 | 0.3 | 10.2 | 0/300 |
5 | 0.89 | 0.3 | 10.2 | 0/300 |
6 | 0.83 | 0.3 | 10.1 | 0/300 |
7 | 0.70 | 0.3 | 10.1 | 0/300 |
8 | 0.68 | 0.3 | 9.9 | 0/300 |
9 | 0.65 | 0.3 | 9.6 | 0/300 |
실시예 |
내부전극의 두께 비율 (t1/t2) | 보호층에 대한 외측부의 두께 비율(Y/X) | 정전용량 (uF) |
열충격 시험 크랙 발생 개수 |
1 | 0.95 | 0.095 | 10.2 | 2/300 |
2 | 0.95 | 0.1 | 10.2 | 0/300 |
3 | 0.95 | 0.3 | 10.2 | 0/300 |
4 | 0.95 | 0.4 | 10.1 | 0/300 |
5 | 0.95 | 0.5 | 10.0 | 0/300 |
6 | 0.95 | 0.6 | 9.8 | 0/300 |
Claims (4)
- 내부전극 및 유전체층이 교대로 적층된 유효층;상기 유효층의 상면 및 하면에 유전체층이 적층되어 형성된 보호층;을 포함하며,상기 유효층은 적층방향에 있어서 순서대로 외측부, 내측부, 및 외측부로 구성되며, 상기 외측부의 내부전극의 두께는 상기 내측부의 내부전극의 두께보다 얇게 형성되며,상기 외측부의 두께는 상기 보호층의 두께의 0.1 내지 0.5배인 적층 세라믹 커패시터.
- 제1항에 있어서,상기 외측부의 내부전극의 두께는 상기 내측부의 내부전극의 두께의 0.7 내지 0.95배인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터.
- 제1항에 있어서,상기 유효층의 유전체층의 두께는 5um 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터.
- 제1항에 있어서,상기 유효층의 유전체층의 적층수는 100 이상인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090125092A KR101101612B1 (ko) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | 적층 세라믹 커패시터 |
US12/966,380 US20110141659A1 (en) | 2009-12-15 | 2010-12-13 | Multilayer ceramic capacitor |
JP2010277799A JP2011129917A (ja) | 2009-12-15 | 2010-12-14 | 積層セラミックキャパシタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090125092A KR101101612B1 (ko) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | 적층 세라믹 커패시터 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110125622A Division KR20110134866A (ko) | 2011-11-29 | 2011-11-29 | 적층 세라믹 커패시터 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110068232A true KR20110068232A (ko) | 2011-06-22 |
KR101101612B1 KR101101612B1 (ko) | 2012-01-02 |
Family
ID=44142655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090125092A KR101101612B1 (ko) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | 적층 세라믹 커패시터 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110141659A1 (ko) |
JP (1) | JP2011129917A (ko) |
KR (1) | KR101101612B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150058824A (ko) * | 2013-11-21 | 2015-05-29 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품의 실장 기판 |
KR20220084657A (ko) | 2020-12-14 | 2022-06-21 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6117557B2 (ja) * | 2013-01-28 | 2017-04-19 | 京セラ株式会社 | 積層型電子部品 |
JP2015065455A (ja) * | 2014-11-13 | 2015-04-09 | 株式会社村田製作所 | 3端子型コンデンサ |
EP3520126A4 (en) * | 2016-09-27 | 2020-05-27 | Perkinelmer Health Sciences Canada, Inc | RADIO FREQUENCY CAPACITORS AND GENERATORS AND OTHER DEVICES USING THE SAME |
WO2023189749A1 (ja) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08298227A (ja) * | 1995-04-25 | 1996-11-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層コンデンサ |
JP3681900B2 (ja) * | 1998-06-29 | 2005-08-10 | 京セラ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
KR101108958B1 (ko) * | 2003-02-25 | 2012-01-31 | 쿄세라 코포레이션 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조방법 |
JP4650007B2 (ja) * | 2005-02-01 | 2011-03-16 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
JP4788323B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2011-10-05 | Tdk株式会社 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
-
2009
- 2009-12-15 KR KR1020090125092A patent/KR101101612B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-12-13 US US12/966,380 patent/US20110141659A1/en not_active Abandoned
- 2010-12-14 JP JP2010277799A patent/JP2011129917A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150058824A (ko) * | 2013-11-21 | 2015-05-29 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품의 실장 기판 |
KR20220084657A (ko) | 2020-12-14 | 2022-06-21 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
US11605502B2 (en) | 2020-12-14 | 2023-03-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011129917A (ja) | 2011-06-30 |
US20110141659A1 (en) | 2011-06-16 |
KR101101612B1 (ko) | 2012-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101070151B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
KR101659151B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 | |
KR101952860B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 | |
KR101070068B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
KR101452068B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터가 실장된 회로 기판 | |
KR101867982B1 (ko) | 커패시터 및 그 실장 기판 | |
KR101462754B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법. | |
KR101659153B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터, 적층 세라믹 커패시터의 제조방법 및 적층 세라믹 커패시터의 실장 기판 | |
US9218910B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor, manufacturing method of the same, and circuit board with multilayer ceramic capacitor mounted thereon | |
JP5777179B2 (ja) | 基板内蔵用積層セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板 | |
KR101565651B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 | |
KR101933416B1 (ko) | 커패시터 부품 | |
KR101514559B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 | |
KR101197787B1 (ko) | 적층형 세라믹 캐패시터 및 이의 제조방법 | |
KR101101612B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
US8259434B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and method of fabricating the same | |
KR101474152B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 | |
KR20180068911A (ko) | 커패시터 및 그 실장 기판 | |
KR20140046301A (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 | |
KR101412842B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 | |
KR20140143341A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 | |
JP6626966B2 (ja) | 積層型コンデンサ | |
KR20110068231A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
KR20110134866A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
KR20110068230A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141001 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151005 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161004 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171011 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181002 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191001 Year of fee payment: 9 |