JP7108605B2 - コンデンサ及び無線周波発生器、ならびにこれらを使用する他のデバイス - Google Patents
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Description
本出願は、2016年9月27日に出願された、米国仮出願第62/400,271号に関連するとともに、その優先権及び利益を主張する。この仮出願の開示全体は、本明細書で参照することにより、すべての目的に関して組み込まれる。
別の態様では、本明細書に記載のコンデンサであって、コンデンサを提供するように、電極、誘電体の媒体、または両方の、3次元プリントによって製造される、コンデンサが記載される。
コンデンサ及びシステムの特定の具体的構成は、添付図面を参照して以下に記載する。
セルフシールドされた4つの電極のコンデンサを、低CTEのInvar 36合金の電極(CTE<1ppm/℃)を低CTEの石英誘電体層(CTE<1.0ppm/℃)で挟むことによって生成した。結果として得られるコンデンサの写真が、図15に示されている。誘電体層は、誘電体層の各々の外側縁部において、低CTEのエポキシ材料を使用して互いに結合した。電極の下、または電極の下のエリア間には、エポキシ樹脂は存在していなかった。外部の電極のための電極の端子は、コンデンサの一方側に存在し、内部の電極のための電極の端子は、コンデンサの反対側に存在するものとした。コンパクトな設計により、コンデンサをシールドするいずれの特別なボックスまたはエンクロージャを必要とすることなく、配置を下げることが許容された。内部の電極からの敏感な低電圧信号は、外部の電極の高電圧信号によってシールドされた。
実施例1のコンデンサを、その安定性に関してテストした。コンデンサは、10kVのピークからピークの高電圧RF発生器に存在する(図9に示すように)フィードバックループの一部として存在するものとした。RF発生器は、質量分光測定機器のクワドラポール質量フィルタを駆動するために使用した。表1は、フィードバックネットワークにおけるセルフシールドされたコンデンサのドリフトと、RF発生器の回路構成要素の残りからのわずかなドリフトとを合わせたものによって主に引き起こされる、RF発生器の出力の測定されたドリフトを示している。表2は、セラミックコンデンサ(Ceramic NP0コンデンサ)が使用された際の測定されたドリフトを示している。
Claims (17)
- コンデンサであって、
15ppm/℃以下の熱膨張率を有する第1の誘電体層と、
15ppm/℃以下の熱膨張率を有し、一体型の固形材料を備えた第1の電極層と、
第2の誘電体層であって、前記第1の電極層が前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層との間に配置され、前記第2の誘電体層が15ppm/℃以下の熱膨張率を有する、前記第2の誘電体層と、
前記第1の電極層から前記第2の誘電体層を通して空間的に離間し、15ppm/℃以下の熱膨張率を有し、一体型の固形材料を備えた第2の電極層と、
第3の誘電体層であって、前記第2の電極層が前記第2の誘電体層と前記第3の誘電体層との間に位置し、前記第1の誘電体層、前記第2の誘電体層、及び前記第3の誘電体層の各々の前記熱膨張率が、15ppm/℃以下である、前記第3の誘電体層と、
前記第2の電極層から前記第3の誘電体層を通して空間的に離間し、15ppm/℃以下の熱膨張率を有し、一体型の固形材料を備えた第3の電極層と、
第4の誘電体層であって、前記第3の電極層が前記第3の誘電体層と前記第2の誘電体層との間に配置され、前記第4の誘電体層の熱膨張率が15ppm/℃以下である、前記第4の誘電体層と、
前記第3の電極層から前記第4の誘電体層を通して空間的に離間し、15ppm/℃以下の熱膨張率を有し、一体型の固形材料を備えた第4の電極層と、
第5の誘電体層であって、前記第4の電極層が前記第4の誘電体層と前記第5の誘電体層との間に配置され、前記第5の誘電体層の熱膨張率が15ppm/℃以下である、前記第5の誘電体層と、を備え、
前記第1の電極層、前記第2の電極層、前記第3の電極層、および、前記第4の電極層は、隣接している前記第1の誘電体層、前記第2の誘電体層、前記第3の誘電体層、前記第4の誘電体層および前記第5の誘電体層の間に、前記第1の誘電体層、前記第2の誘電体層、前記第3の誘電体層、前記第4の誘電体層および前記第5の誘電体層に対して機械的に保持されており、
前記第1の電極層および前記第4の電極層は、漂遊容量エネルギから前記第2の電極層および前記第3の電極層をシールドするように配置されており、
前記第1の誘電体層、前記第2の誘電体層、前記第3の誘電体層、前記第4の誘電体層および前記第5の誘電体層における隣接している誘電体層は、15ppm/℃以下の熱膨張率を有するエポキシ材料を使用して外側縁部で互いに結合されて前記コンデンサを共に保持しており、
前記第2の電極層および前記第3の電極層の各々のための電極の端子は、前記コンデンサの第1側方側に存在し、前記コンデンサにおける前記第1側方側に設けられた前記電極の端子を通して、前記第2の電極層および前記第3の電極層をフィードバック回路に電気的に結合しており、
前記第1の電極層および前記第4の電極層の各々のための電極の端子は、前記コンデンサの第2側方側に存在し、前記コンデンサにおける前記第2側方側に設けられた前記電極の端子を通して、前記第1の電極層および前記第4の電極層を前記フィードバック回路に電気的に結合している、
コンデンサ。 - 前記第1の電極層の前記一体型の固形材料が、前記第2の電極層の前記一体型の固形材料とは異なっている、請求項1に記載のコンデンサ。
- 前記第1の電極層が、前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層との間に、接着剤を伴わずに機械的に保持されている、請求項1に記載のコンデンサ。
- 前記第2の電極層が、前記第2の誘電体層と前記第3の誘電体層との間に、接着剤を伴わずに機械的に保持されている、請求項3に記載のコンデンサ。
- 前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層との間に、前記第1の電極層に接触することなく配された第1の接着剤をさらに備え、前記第1の接着剤が、15ppm/℃以下の熱膨張率を有する、請求項1に記載のコンデンサ。
- 前記第2の誘電体層と前記第3の誘電体層との間に、前記第2の電極層に接触することなく配された第2の接着剤をさらに備え、前記第2の接着剤が、15ppm/℃以下の熱膨張率を有する、請求項5に記載のコンデンサ。
- 前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層との間に配され、前記第1の電極層の端子部分に接触する第1の接着剤をさらに備え、前記第1の接着剤が、15ppm/℃以下の熱膨張率を有する、請求項1に記載のコンデンサ。
- 前記第1の電極層と前記第2の電極層の各々の前記一体型の固形材料が、金属の合金を含んでいる、請求項1に記載のコンデンサ。
- 前記金属の合金が、5ppm/℃以下の熱膨張率を有する、請求項8に記載のコンデンサ。
- 前記第1の誘電体層、前記第2の誘電体層、及び前記第3の誘電体層の少なくとも1つにおける誘電材料が、他の誘電体層の1つの誘電材料とは異なっている、請求項9に記載のコンデンサ。
- 前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層とが、同じ誘電材料を有している、請求項9に記載のコンデンサ。
- 前記第1の誘電体層と、前記第2の誘電体層と、前記第3の誘電体層と、前記第4の誘電体層と、前記第5の誘電体層とが、同じ誘電材料を有している、請求項9に記載のコンデンサ。
- 前記第1の誘電体層と、前記第2の誘電体層と、前記第3の誘電体層と、前記第4の誘電体層と、前記第5の誘電体層との前記誘電材料が、5ppm/℃以下の熱膨張率を有する石英を含んでいる、請求項12に記載のコンデンサ。
- 前記第1の電極層及び前記第2の電極層が、いずれのフィルムも含まずに構築及び配置されている、請求項1に記載のコンデンサ。
- 第1のポール、第2のポール、第3のポール、及び第4のポールを備えているマルチポールアセンブリと、
無線周波発生器であって、前記無線周波発生器が、前記マルチポールアセンブリの前記第1のポール、前記第2のポール、前記第3のポール、及び前記第4のポールの各々に電気的に結合され、RF電圧を前記第1のポール、前記第2のポール、前記第3のポール、及び前記第4のポールの各々に提供し、前記無線周波発生器が、請求項1に記載のコンデンサを備えるフィードバック回路を備えている、前記無線周波発生器と、を含む、
質量フィルタ。 - 前記第2の誘電体層の少なくとも1つの縁部が、前記第3の誘電体層の縁部に融合されて、前記第2の電極層を前記第2の誘電体層と前記第3の誘電体層との間に保持している、請求項1に記載のコンデンサ。
- 前記第2の誘電体層の前記熱膨張率が、前記第1の電極層の前記一体型の固形材料の前記熱膨張率と同じであり、かつ、前記第2の電極層の前記一体型の固形材料の前記熱膨張率と同じである、請求項1に記載のコンデンサ。
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---|---|---|---|---|
CN111707391B (zh) * | 2020-03-20 | 2021-03-16 | 电子科技大学 | 一种基于液态金属的高Q值温度感知Anapole谐振结构 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006253668A (ja) | 2005-02-09 | 2006-09-21 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
JP2007142089A (ja) | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 誘電体積層構造体とその製造方法、及びコンデンサ |
JP2010087260A (ja) | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Tdk Corp | 積層コンデンサ |
JP2011129917A (ja) | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックキャパシタ |
US20160042865A1 (en) | 2014-08-05 | 2016-02-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multi-layer ceramic capacitor |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3277354A (en) * | 1964-03-25 | 1966-10-04 | New Nippon Electric Co | Glass capacitors having a chrome oxide layer on the electrodes |
US3267342A (en) * | 1965-05-18 | 1966-08-16 | Corning Glass Works | Electrical capacitor |
US3946290A (en) * | 1973-10-09 | 1976-03-23 | Tdk Electronics Co. Ltd. | High tension ceramic condenser |
DE3378393D1 (en) * | 1982-05-11 | 1988-12-08 | Nec Corp | Multilayer electrostrictive element which withstands repeated application of pulses |
US4879261A (en) * | 1987-01-13 | 1989-11-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low Dielectric constant compositions |
US4835656A (en) * | 1987-04-04 | 1989-05-30 | Mitsubishi Mining And Cement Co., Ltd. | Multi-layered ceramic capacitor |
JPH065656B2 (ja) * | 1988-02-19 | 1994-01-19 | 株式会社村田製作所 | セラミック積層体の製造方法 |
US5316985A (en) * | 1991-12-09 | 1994-05-31 | Aluminum Company Of America | Suppression of crystal growth in low dielectric inorganic composition using ultrafine alumina |
JPH07283077A (ja) * | 1994-04-11 | 1995-10-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 薄膜コンデンサ |
US6081416A (en) * | 1998-05-28 | 2000-06-27 | Trinh; Hung | Lead frames for mounting ceramic electronic parts, particularly ceramic capacitors, where the coefficient of thermal expansion of the lead frame is less than that of the ceramic |
JP3542079B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2004-07-14 | 三井金属鉱業株式会社 | ニッケル粉及び導電ペースト |
US8195295B2 (en) * | 2008-03-20 | 2012-06-05 | Greatbatch Ltd. | Shielded three-terminal flat-through EMI/energy dissipating filter |
US20030034124A1 (en) * | 2001-06-19 | 2003-02-20 | Yasuhiro Sugaya | Dielectric resonator, dielectric filter and method of producing the same, filter device combined to a transmit-receive antenna and communication apparatus using the same |
TWI266342B (en) * | 2001-12-03 | 2006-11-11 | Tdk Corp | Multilayer capacitor |
US6844547B2 (en) * | 2002-02-04 | 2005-01-18 | Thermo Finnigan Llc | Circuit for applying supplementary voltages to RF multipole devices |
US7095108B2 (en) * | 2004-05-05 | 2006-08-22 | Intel Corporation | Array capacitors in interposers, and methods of using same |
JP4499548B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2010-07-07 | 新光電気工業株式会社 | キャパシタ部品 |
JP3901196B2 (ja) * | 2005-05-26 | 2007-04-04 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
US7652869B2 (en) * | 2005-08-19 | 2010-01-26 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor |
JP4546415B2 (ja) * | 2005-09-01 | 2010-09-15 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板、セラミックキャパシタ |
JP5089880B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-12-05 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板内蔵用キャパシタ、キャパシタ内蔵配線基板及びその製造方法 |
US8194387B2 (en) * | 2009-03-20 | 2012-06-05 | Paratek Microwave, Inc. | Electrostrictive resonance suppression for tunable capacitors |
WO2011041902A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Dh Technologies Development Pte. Ltd. | Apparatus for measuring rf voltage from a quadrupole in a mass spectrometer |
JP5506035B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2014-05-28 | 富士フイルム株式会社 | アクチュエータの製造方法 |
US8575545B2 (en) * | 2011-07-15 | 2013-11-05 | Bruker Daltonics, Inc. | Fixed connection assembly for an RF drive circuit in a mass spectrometer |
KR101983128B1 (ko) * | 2011-12-19 | 2019-05-29 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 |
JP6041731B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2016-12-14 | 新光電気工業株式会社 | インターポーザ、及び電子部品パッケージ |
CN105229764B (zh) * | 2013-04-29 | 2018-03-20 | 卡文迪什动力有限公司 | 用于改进mems dvc器件线性度的控制电极屏蔽 |
US10134573B2 (en) * | 2013-09-20 | 2018-11-20 | Micromass Uk Limited | High frequency voltage supply control method for multipole or monopole analysers |
JP6694813B2 (ja) | 2013-10-23 | 2020-05-20 | パーキンエルマー・ヘルス・サイエンシーズ・インコーポレイテッドPerkinelmer Health Sciences, Inc. | ジェネレータ及びシステム |
US9635750B2 (en) | 2013-10-23 | 2017-04-25 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Oscillator generators and methods of using them |
AU2015211303B2 (en) | 2014-01-28 | 2019-07-25 | Perkinelmer U.S. Llc | Induction devices and methods of using them |
CN104200994B (zh) * | 2014-08-26 | 2017-08-08 | 中国科学院物理研究所 | 层状交错电容的制备方法和层状交错电容 |
DE102015102866B4 (de) * | 2015-02-27 | 2023-02-02 | Tdk Electronics Ag | Keramisches Bauelement, Bauelementanordnung und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Bauelements |
DE102016202763B4 (de) * | 2015-03-12 | 2023-12-14 | Schott Ag | Angepasste Durchführung |
-
2017
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- 2017-09-26 CA CA3038465A patent/CA3038465A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006253668A (ja) | 2005-02-09 | 2006-09-21 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
JP2007142089A (ja) | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 誘電体積層構造体とその製造方法、及びコンデンサ |
JP2010087260A (ja) | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Tdk Corp | 積層コンデンサ |
JP2011129917A (ja) | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックキャパシタ |
US20160042865A1 (en) | 2014-08-05 | 2016-02-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multi-layer ceramic capacitor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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