JP2011108592A5 - - Google Patents

Description

（１）本発明の超電導化合物用基板は、
非磁性の金属板と、
その上層に設けられた銅層と、
その上層に設けられた保護層とを有する、超電導化合物用基板であって、
前記非磁性金属板に前記銅が１０ｎｍ以上拡散している、
ことを特徴とする。
（２）本発明の超電導化合物用基板は、前記（１）において、前記金属板が非磁性ステンレス鋼板であることを特徴とする。
（３）本発明の超電導化合物用基板の製造方法は、
圧下率９０％以上で加工された銅箔の表面をスパッタエッチングして表面の吸着物を除去する工程と、
非磁性の金属板の表面をスパッタエッチングする工程と、
前記銅箔と前記金属板とを圧延ロールにより加圧して接合し積層体を形成する工程と、
前記積層体を加熱して前記銅を結晶配向させるとともに、前記銅を前記金属板に１０ｎｍ以上熱拡散させる熱処理工程と、
前記積層体の銅表面上に保護層を積層する工程と、を有することを特徴とする。
（４）本発明の超電導化合物用基板の製造方法は、前記（３）の熱処理工程において、熱処理温度を１５０℃以上とすることを特徴とする。
（５）本発明の超電導化合物用基板の製造方法は、前記（３）又は（４）において、前記金属板が非磁性ステンレス鋼板であることを特徴とする。
（６）本発明の超電導化合物用基板の製造方法は、前記（５）の熱処理工程において、熱処理温度を４００℃以上とすることを特徴とする。

Claims (6)

1. 非磁性の金属板と、その上層に設けられた銅層と、その上層に設けられた保護層とを有する、超電導化合物用基板であって、
   前記非磁性金属板に前記銅が１０ｎｍ以上拡散している、ことを特徴とする超電導化合物用基板。
2. 前記金属板が非磁性ステンレス鋼板であることを特徴とする請求項１に記載の超電導化合物用基板。
3. 圧下率９０％以上で加工された銅箔の表面をスパッタエッチングして表面の吸着物を除去する工程と、
   非磁性の金属板の表面をスパッタエッチングする工程と、
   前記銅箔と前記金属板とを圧延ロールにより加圧して接合し積層体を形成する工程と、
   前記積層体を加熱して前記銅を結晶配向させるとともに、前記銅を前記金属板に１０ｎｍ以上熱拡散させる熱処理工程と、
   前記積層体の銅表面上に保護層を積層する工程と、を有する、
   ことを特徴とする超電導化合物用基板の製造方法。
4. 前記熱処理工程において、熱処理温度を１５０℃以上とすることを特徴とする請求項３に記載の超電導化合物用基板の製造方法。
5. 前記金属板が非磁性ステンレス鋼板であることを特徴とする請求項３又は４に記載の超電導化合物用基板の製造方法。
6. 前記熱処理工程において、熱処理温度を４００℃以上とすることを特徴とする請求項５に記載の超電導化合物用基板の製造方法。