JP6074527B2 - エピタキシャル成長用基板及びその製造方法、並びに超電導線材用基板 - Google Patents
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Description
前記Cu層のX線回折による(111)極点図でのφスキャンピーク(α=35°)の半値幅ΔφがΔφ≦5.5°であり、
前記保護層はめっき処理により形成され、
前記保護層のめっき歪εが15×10−6以下であり、
前記めっき処理を行う際の電流密度が10A/dm2以上である、前記製造方法。
(2)前記Ni又はNi合金からなる保護層のΔφが6°以下である前記(1)に記載のエピタキシャル成長用基板の製造方法。
(3)めっき処理が、スルファミン酸浴を用いて行われ、pH3.5〜4.5、浴温40〜70℃、電流密度10〜35A/dm2にて施される前記(1)又は(2)に記載のエピタキシャル成長用基板の製造方法。
(4)めっき処理が、ワット浴を用いて行われ、pH4〜5、浴温40〜60℃、電流密度10〜25A/dm2にて施される前記(1)又は(2)に記載のエピタキシャル成長用基板の製造方法。
(5)非磁性の金属板上にCu層を積層させる工程と、Cu層の2軸結晶配向性を向上させる工程と、2軸結晶配向性を向上させたCu層上に、前記(1)〜(4)のいずれかに記載のエピタキシャル成長用基板の製造方法によりNi又はNi合金からなる保護層を設ける工程とを含む超電導線材用基板の製造方法。
本発明のエピタキシャル成長用基板は、Cu層と、そのCu層上に設けられた保護層とを有し、保護層のめっき歪εが15×10−6以下であることを特徴とする。ここで、めっき歪とは、金属板等の下地にめっき処理を施した場合に、めっき皮膜内に生ずる歪(ひずみ)の度合いを表し、下記式により定義される値である。
ε=ΔR/(R・K)
(式中、ΔR:伸縮による抵抗変化、R:ひずみゲージの元の抵抗値、K:ゲージ率、ε:めっき歪)
硫酸ニッケル 200〜300g/l
塩化ニッケル 30〜60g/l
ホウ酸 30〜40g/l
pH 4〜5
浴温 40〜60℃
スルファミン酸ニッケル 200〜600g/l
塩化ニッケル 0〜15g/l
ホウ酸 30〜40g/l
添加剤 適量
pH 3.5〜4.5
浴温 40〜70℃
まず、銅からなる標準試験片(株式会社山本鍍金試験器製、裏面はマスキングされ、歪ゲージが付いている)をカソードとして、表1に示すめっき条件にてニッケルめっきを施し、歪ゲージ式精密応力計(B−72−SG、株式会社山本鍍金試験器製)を用いて、めっき皮膜内のめっき歪εを測定した。なお、ニッケルめっき厚は2.5μmとし、めっき浴温はワット浴が60℃、スルファミン酸浴が70℃、めっき浴のpHはワット浴、スルファミン酸浴ともにpH4に設定した。また、各実施例及び比較例で用いたワット浴及びスルファミン酸浴の組成は下記の通りである。
硫酸ニッケル 300g/l
塩化ニッケル 45g/l
ホウ酸 30g/l
スルファミン酸ニッケル 450g/l
塩化ニッケル 5g/l
ホウ酸 30g/l
添加剤(ピットレスS) 5ml/l
Claims (5)
- 2軸結晶配向したCu層上にNi又はNi合金からなる保護層を設ける工程を含むエピタキシャル成長用基板の製造方法であって、
前記Cu層のX線回折による(111)極点図でのφスキャンピーク(α=35°)の半値幅ΔφがΔφ≦5.5°であり、
前記保護層はめっき処理により形成され、
前記保護層のめっき歪εが15×10−6以下であり、
前記めっき処理を行う際の電流密度が10A/dm2以上である、前記製造方法。 - 前記Ni又はNi合金からなる保護層のΔφが6°以下である請求項1に記載のエピタキシャル成長用基板の製造方法。
- めっき処理が、スルファミン酸浴を用いて行われ、pH3.5〜4.5、浴温40〜70℃、電流密度10〜35A/dm2にて施される請求項1又は2に記載のエピタキシャル成長用基板の製造方法。
- めっき処理が、ワット浴を用いて行われ、pH4〜5、浴温40〜60℃、電流密度10〜25A/dm2にて施される請求項1又は2に記載のエピタキシャル成長用基板の製造方法。
- 非磁性の金属板上にCu層を積層させる工程と、Cu層の2軸結晶配向性を向上させる工程と、2軸結晶配向性を向上させたCu層上に、請求項1〜4のいずれかに記載のエピタキシャル成長用基板の製造方法によりNi又はNi合金からなる保護層を設ける工程とを含む超電導線材用基板の製造方法。
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