JP2011107713A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に位置し、相互に交差して画素領域を定義するゲート配線204及びデータ配線と、ゲート配線に接続されるゲート電極202と、ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に位置するアクティブ層220と、アクティブ層上に位置し、相互に離間されたソース電極234及びドレイン電極236と、アクティブ層及びソース電極間、並びにアクティブ層及びドレイン電極間に位置するオーミックコンタクト層と、アクティブ層上に位置し、ソース電極及びドレイン電極の内側に向かう二つの側面を有し、二つの側面のうち、少なくとも一つは、ソース電極及びドレイン電極の内側間に位置するシールドパターン222と、画素領域に位置し、ドレイン電極に接続される画素電極とを設けた。
【選択図】図7
Description
第1マスク工程:ゲート電極とゲート配線(及びゲートパッド)の形成工程。
第2マスク工程:ゲート電極の上部のアクティブ層及びオーミックコンタクト層の形成工程。
第3マスク工程:データ配線(及びデータパッド)とソース電極及びドレイン電極の形成工程。
第4マスク工程:基板全面に保護膜を形成して、ドレイン電極を露出するコンタクトホールを形成する工程。
第5マスク工程:コンタクトホールを通じてドレイン電極に接触する画素電極を形成する工程。
以上のような5つのマスク工程によって液晶表示装置用アレイ基板を製作することができる。
第1マスク工程:ゲート配線(及びゲート電極)とゲートパッド電極の形成工程。
第2マスク工程:アクティブ層と、アクティブ層の一部領域にシールドパターンを形成する工程。
第3マスク工程:ゲートパッドコンタクトホールと、ソース電極及びドレイン電極と、データパッド電極及びデータ配線と、ソース電極及びドレイン電極の下部にオーミックコンタクト層を形成する工程。
第4マスク工程:画素電極とゲートパッド電極端子とデータパッド電極端子の形成工程。
Claims (27)
- 基板上に位置し、相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、
前記ゲート配線に接続されるゲート電極と、
前記ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に位置するアクティブ層と、
前記アクティブ層上に位置し、相互に離間されたソース電極及びドレイン電極と、
前記アクティブ層及び前記ソース電極間、並びに前記アクティブ層及びドレイン電極間に位置するオーミックコンタクト層と、
前記アクティブ層と前記オーミックコンタクト層との間に位置し、前記ソース電極及びドレイン電極中一つと重畳され、前記ソース電極及びドレイン電極中他の一つと離隔されるシールドパターンと、
前記画素領域に位置し、前記ドレイン電極に接続される画素電極と
を備え、
前記アクティブ層は、前記ゲート電極により遮られる
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記ソース電極は、英文字のアルファベットのU字状であり、前記ドレイン電極は、バー状であり、かつ前記シールドパターンは、U字状である
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 他のシールドパターンをさらに備え、
前記他のシールドパターンは、前記アクティブ層と前記オーミックコンタクト層との間に位置し、前記ソース電極及びドレイン電極中他の一つと重畳され、前記ソース電極及びドレイン電極中一つと離隔される
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 前記シールドパターンは、前記ゲート電極によって遮られる
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 前記ゲート電極は、前記ゲート配線の一部である
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 前記ゲート配線は、前記データ配線と交差する部分にホールを有する
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 前記ソース電極の下部のオーミックコンタクト層から伸延され、前記データ配線の下部に位置する第1半導体パターンをさらに備えた
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 前記ゲート配線と重なり、前記画素電極に接続するストレージ電極と、
前記ストレージ電極の下部に位置し、前記オーミックコンタクト層と同一な物質で形成された第2半導体パターンをさらに備えた
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 前記画素電極は、画素領域で前記ゲート絶縁膜と接触する
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 前記ゲート配線の一端に位置するゲートパッド電極と、
前記データ配線の一端に位置するデータパッド電極とをさらに備えた
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 前記ゲート絶縁膜に形成されたゲートパッドコンタクトホールを通じて、前記ゲートパッド電極に接続するゲートパッド電極端子と、
前記データパッド電極に接続するデータパッド電極端子とをさらに備えた
ことを特徴とする請求項10記載の液晶表示装置。 - 前記アクティブ層は、純粋非晶質シリコンを含み、前記オーミックコンタクト層は、不純物非晶質シリコンを含み、かつ前記シールドパターンは、無機絶縁物質を含む
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 基板上にゲート配線及びゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート配線及びゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にアクティブ層を形成し、前記アクティブ層上にシールドパターンを形成する工程と、
前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線、並びに相互に離間されたソース電極及びドレイン電極を形成し、前記アクティブ層及び前記ソース電極間、並びに前記アクティブ層及びドレイン電極間に位置するオーミックコンタクト層を形成する工程と、
前記画素領域に、前記ドレイン電極に接続される画素電極を形成する工程とを含み、
前記シールドパターンは、前記アクティブ層と前記オーミックコンタクト層との間に位置し、前記ソース電極及びドレイン電極中一つと重畳され、前記ソース電極及びドレイン電極中他の一つと離隔され、
前記アクティブ層は、前記ゲート電極により遮られる
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記ソース電極は、英文字のアルファベットのU字状であり、前記ドレイン電極は、バー状であり、かつ前記シールドパターンは、U字状である
ことを特徴とする請求項13記載の液晶表示装置の製造方法。 - 他のシールドパターンをさらに備え、
前記他のシールドパターンは、前記アクティブ層と前記オーミックコンタクト層との間に位置し、前記ソース電極及びドレイン電極中他の一つと重畳され、前記ソース電極及びドレイン電極中一つと離隔される
ことを特徴とする請求項13記載の液晶表示装置。 - 前記シールドパターンは、前記ゲート電極によって遮られる
ことを特徴とする請求項13記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲート電極は、前記ゲート配線の一部である
ことを特徴とする請求項13記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲート配線及びゲート電極を形成する工程は、
前記データ配線と交差する前記ゲート配線の部分にホールを形成する工程を含む
ことを特徴とする請求項13記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記アクティブ層を形成し、前記シールドパターンを形成する工程は、
前記ゲート絶縁膜上に純粋非晶質シリコン及びシールド層を順に形成する工程と、
マスクを使用して、前記ゲート電極の一部に対応する第1部分、及び前記第1部分の両側に対応して前記第1部分より薄い厚さの第2部分を有する感光パターンを形成する工程と、
前記感光パターンを使用して、前記純粋非晶質シリコン層及び前記遮断層をパターニングすることによって前記アクティブ層を形成する工程と、
前記第2部分を除去するように前記感光パターンをアッシングする工程と、
前記アッシングされた感光パターンを使用して、前記パターニングされたシールド層をパターニングすることによって前記シールドパターンを形成する工程とを含む
ことを特徴とする請求項13記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記感光パターンを形成する工程は、
前記シールド層上に感光層を形成する工程と、
前記ゲート電極の一部に対応する遮断部及び前記遮断部の両側に位置する半透過部を有する前記マスクを利用して、前記感光層を露光する工程とを含む
ことを特徴とする請求項19記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲート配線の一端にゲートパッド電極を形成するとともに、前記データ配線の一端にデータパッド電極を形成する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項13記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記データ配線及びデータパッド電極の下部に前記オーミックコンタクト層から伸延された第1半導体パターンを形成する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項21記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記データ配線、データパッド電極、ソース電極及びドレイン電極、オーミックコンタクト層、並びに第1半導体パターンを形成する工程は、
前記シールドパターンを有する基板上に不純物非晶質シリコン層及び導電層を順に形成する工程と、
マスクを使用して、前記ゲート電極の一部、前記画素領域、前記ゲートパッド電極の一部の側部、及びデータ領域の側部に対応した第1部分と、前記ゲート電極の一部の両側及び前記データ領域に対応した前記第1部分より厚い厚さの第2部分とを有するとともに、前記ゲートパッド電極の一部を露出する感光パターンを形成する工程と、
前記感光パターンを使用して前記導電層及び前記不純物非晶質シリコン層をパターニングすることによって前記ゲートパッド電極の一部を露出するゲートパッドコンタクトホールを形成する工程と、
前記第1部分を除去するように前記感光パターンをアッシングする工程と、
前記アッシングされた感光パターンを使用して前記パターニングされた導電層及び不純物非晶質シリコン層をパターニングすることによって前記ソース電極及びドレイン電極、前記オーミックコンタクト層、並びに前記第1半導体パターンを形成するとともに、前記データ領域に前記データ配線及びデータパッド電極を形成する工程とを含む
ことを特徴とする請求項22記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記感光パターンを形成する工程は、
前記導電層上に感光層を形成する工程と、
前記ゲートパッド電極の一部に対応する透過部と、前記ゲート電極の一部、前記画素領域、前記ゲートパッド電極の一部の側部及び前記データ領域の側部に対応する半透過部と、前記ゲート電極の一部の両側及び前記データ領域に対応する遮断部とを有する前記マスクを利用して、前記感光層を露光する工程とを含む
ことを特徴とする請求項23記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲート配線と重なり、前記画素電極に接続するストレージ電極を形成し、前記ストレージ電極の下部に第2半導体パターンを形成する工程をさらに含み、
前記ストレージ電極及び前記第2半導体パターンは、前記ソース電極及びドレイン電極、並びに前記オーミックコンタクト層を形成する工程と同じ工程で形成される
ことを特徴とする請求項13記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲートパッドコンタクトホールを通じて前記ゲートパッド電極に接続するゲートパッド電極端子、及び前記データパッド電極と接触するデータパッド電極端子を形成する工程をさらに含み、
前記ゲートパッド電極端子及び前記データパッド電極端子は、前記画素電極と同じ工程で形成される
ことを特徴とする請求項23記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記アクティブ層は、純粋非晶質シリコンを含み、前記オーミックコンタクト層は、不純物非晶質シリコンを含み、かつ前記シールドパターンは、無機絶縁物質を含む
ことを特徴とする請求項13記載の液晶表示装置の製造方法。
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