KR100983587B1 - 액정표시소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 드레인 전극을 꺽어진 형태로 형성하여 패턴의 미스-얼라인 발생시 전패널에 대한 채널영역의 W/L 편차를 줄여 화질을 향상시키는 액정표시소자에 관한 것으로서, 수직 교차하여 단위화소를 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선의 소정 부위에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층과, 상기 데이터 배선에서 분기되어 상기 반도체층 상부에 형성된 소스 전극과, 상기 소스 전극에서 일정간격으로 이격되어 상기 반도체층 상부에서 꺽어진 형태를 가지는 드레인 전극과, 상기 데이터 배선을 포함한 전면에 형성된 보호막과, 상기 보호막을 관통하여 상기 드레인 전극에 콘택되는 화소전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

U자형 TFT, 프린팅 기술, 스티치 불량, 미스-얼라인

Description

액정표시소자{Liquid Crystal Display Device}

도 1은 일반적인 액정표시소자의 평면도.

도 2a 내지 도 2c는 박막트랜지스터의 미스-얼라인을 나타낸 평면도.

도 3은 종래 기술에 의한 문제점을 설명하기 위한 액정표시소자의 평면도.

도 4a 내지 도 4e는 레지스트 프린팅 기술을 설명하기 위한 공정단면도.

도 5는 본 발명에 의한 액정표시소자의 평면도.

도 6a 내지 도 6c는 본 발명에 의한 박막트랜지스터의 미스-얼라인을 나타낸 평면도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호설명

112 : 게이트 배선 112a : 게이트 전극

114 : 반도체층 115a : 소스 전극

115b : 드레인 전극 117 : 화소전극

본 발명은 액정표시소자(LCD ; Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로, 특히 화질 개선을 위한 액정표시소자에 관한 것이다.

최근, 계속해서 주목받고 있는 평판표시소자 중 하나인 액정표시소자는 액체의 유동성과 결정의 광학적 성질을 겸비하는 액정에 전계를 가하여 광학적 이방성을 변화시키는 소자로서, 종래 음극선관(Cathod Ray Tube)에 비해 소비전력이 낮고 부피가 작으며 대형화 및 고정세가 가능하여 널리 사용하고 있다.

이러한 액정표시소자는 상부기판인 컬러필터(color filter) 기판과 하부기판인 박막트랜지스터(TFT:Thin Film Transistor) 기판이 서로 대향되도록 배치되고, 그 사이에 유전 이방성을 갖는 액정이 형성되는 구조를 가져, 화소 선택용 어드레스(address) 배선을 통해 수십 만개의 화소에 부가된 TFT를 스위칭 동작시켜 해당 화소에 전압을 인가하고, 커패시터에 의해 다음 어드레스까지 해당 화소에 충진된 전압을 유지시켜 주는 방식으로 구동된다.

상기와 같이, 소자를 구동시키기 위해서는 트랜지스터(transistor), 커패시터(capacitor) 등의 다양한 패턴이 요구되는데, 이러한 패턴을 형성하기 위해 통상적으로, 사진식각기술(photo-lithography)을 사용한다.

사진식각기술은 어떤 특정한 포토 레지스트(photo-resist)가 빛을 받으면 화학반응을 일으켜서 성질이 변화하는 원리를 이용한 것으로, 구체적으로, 기판 상에 필름을 증착하고 그 위에 포토 레지스트를 도포하는 단계와, 자외선 파장을 이용하여 상기 포토 레지스트를 선택적으로 노광(exposure)하는 단계와, 노광된 포토 레지스트를 현상(develop)하는 단계와, 현상된 포토 레지스트를 마스크로 하여 상기 필름을 식각하는 단계와, 상기 포토 레지스트를 박리하는 단계로 이루어진 일련의 복잡한 과정을 수행하여야 하므로 그 과정이 복잡하고 번거롭다.

또한, 각종장비를 갖추어야 하므로, 장비가 차지하는 면적이 넓어지고 공정시간 및 공정비용도 많이 소비된다.

레지스트 패턴을 형성하는 공정을 간소화하여 공정시간 및 공정비용을 절감하기 위해 사진식각기술 대신에, 레지스트 프린팅 기술이 이용된다.

레지스트 프린팅 기술은 인쇄롤 외주면 전개한 레지스트를 필름 상에 전사하고 전사된 레지스트를 마스크로 하여 상기 필름을 식각하여 패턴을 형성하는 과정으로 이루어진다.

그러나, 상기 레지스트 프린팅 기술은 막 두께가 약 10% 정도의 편차가 있어 해상도(resolution) 및 얼라인 정확도가 약한 단점이 있으나, 생산성이 뛰어나기 때문에 치수 정도가 그다지 엄격하지 않은 액정표시소자의 패턴 형성에 이용되고 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 의한 액정표시소자를 설명하면 다음과 같다.

도 1은 일반적인 액정표시소자의 평면도이고, 도 2a 내지 도 2c는 박막트랜지스터의 미스-얼라인을 나타낸 평면도이며, 도 3은 종래 기술에 의한 문제점을 설명하기 위한 액정표시소자의 평면도이다.

그리고, 도 4a 내지 도 4e는 레지스트 프린팅 기술을 설명하기 위한 공정단면도이다.

액정표시소자는 전술한 바와 같이, TFT 어레이 기판과 컬러필터 어레이 기판이 액정층을 사이에 두고 대향 합착되는 바, 상기 TFT 어레이 기판에는 도 1에 도 시된 바와 같이, 주사신호를 전달하기 위한 복수개의 게이트 배선(12)과, 상기 게이트 배선에 절연되어 게이트 배선(12)을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막(도시하지 않음)과, 상기 게이트 배선(12) 상부의 게이트 절연막 상에 섬 모양으로 형성된 반도체층(14)과, 상기 반도체층(14)에 일정부분이 오버랩되도록 상기 게이트 배선(12)에 수직한 방향으로 형성되어 영상신호를 전달하는 데이터 배선(15)과, 상기 게이트 배선(12) 및 데이터 배선(15)의 교차 지점에 형성되는 박막트랜지스터(TFT)와, 상기 박막트랜지스터(TFT)를 포함한 전면에 형성된 보호막(도시하지 않음)과, 상기 보호막 상에서 상기 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되는 화소전극(17)이 형성되어 있다.

이 때, 상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선의 소정영역인 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상에 형성된 반도체층(14)과, 상기 반도체층(14) 상에서 상기 데이터 배선에서 분기된 소스전극(15a)과, 상기 반도체층(14) 상에서 상기 소스 전극(15a)과 일정 간격 떨어진 드레인 전극(15b)을 포함하여 구성된다. 상기 박막트랜지스터는 스위칭 특성을 향상시키기 위하여 "U"자 형상의 채널을 갖도록 형성한다.

상기 소스전극(15a)과 드레인 전극(15b) 사이의 영역은 캐리어가 이동하는 채널 영역으로서, "U"자 모양을 갖는다. 도 1에서, 상기 채널영역의 폭을 W(Width)로 나타내고 그 길이를 L(Length)로 나타내었다.

이 때, 상기 패턴들을 형성함에 있어서, 치수 정도가 그다지 엄격하지 않다면 레지스트 프린팅 기술을 이용하여 형성한다.

상기 레지스트 프린팅 기술에 의하여 박막트랜지스터 패턴을 형성할 경우에는, 채널영역의 W/L의 변화가 커지게 되는데, 이처럼, W/L의 변화가 클 경우에는 U자형 TFT를 적용하는 것이 기생용량 Cgs변동에 있어서 적합하다.

이하에서, 레지스트 프린팅 기술을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.

레지스트를 기판에 프린팅하는 방식으로 통상, 그라비어 오프셋(gravure offset) 방식을 사용하는데, 상기 그라비어 오프셋 방식은 레지스트를 클리체의 홈에 채우는 단계와, 홈에 채워진 레지스트를 로울러에 묻히는 단계와, 로울러에 묻어 있는 레지스트를 기판 상에 옮겨 붙이는 단계 이루어진다.

그라비아 인쇄는 전사롤을 이용하여 기판상에 레지스트를 전사하기 때문에, 원하는 표시소자의 면적에 대응하는 전사롤을 이용함으로써 대면적의 표시소자의 경우에도 1회의 전사에 의해 패턴을 형성할 수 있게 된다.

먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, 기판에 형성하고자 하는 패턴에 대응하는 특정 위치에 오목 홈(81)이 기형성되어 있는 클리체(cliche;82)를 준비한다. 이후, 상기 클리체(82) 내측면에 레지스트(72)를 도포하고, 밀개 또는 닥터 블레이드(doctor blade, 80)를 클리체(82)에 접촉한 상태에서 일방향으로 밀어서 클리체(82)의 오목 홈(81)에 레지스트(72)가 충진되도록 한다. 이 때, 클리체(82) 표면에 남아 있는 레지스트(72)는 닥터 브레이드(80)에 의해 제거된다.

다음, 도 4b에 도시된 바와 같이, 블랭킷(blanket, 71)이 그 외주면에 감겨져 있는 인쇄롤(70)을 상기 클리체(82) 내측면에 접촉한 상태에서 일방향으로 회전, 전진시킨다. 이 때, 클리체(82)의 오목 홈(81)에 충진되었던 레지스트(72)가 인쇄롤(70)의 블랭킷(71)에 전사된다.

이후, 도 4c에 도시된 바와 같이, 투명한 유리기판(73)이나 플라스틱기판 또는 불투명한 절연기판을 준비하여 특정물질의 필름(74)을 형성한 뒤, 그 표면에서 상기 인쇄롤(70)을 일방향으로 회전하여 레지스트(72)를 필름(74)이 형성된 기판(73) 상에 재전사한다.

계속하여, 전사된 레지스트(72)를 큐어링(curing)하여 레지스트(72) 패턴을 완성한다. 이와같이, 상기 인쇄롤(70)의 1회전에 의해 표시소자의 기판(73) 전체에 걸쳐 원하는 레지스트 패턴을 형성할 수 있으므로, 대면적 표시소자일 경우 더욱 유용하다.

여기서, 상기 레지스트(72) 패턴을 이중 두께로 형성하기를 원한다면 회절노광기술을 적용한다.

계속하여, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 레지스트(72) 패턴을 마스크로 하여 기판(73) 상의 필름(74)을 선택적으로 식각하여 필름(74) 패턴을 형성한다. 여기서, 식각공정은 플라즈마를 이용한 건식식각방법과 화학용액을 이용한 습식식각방법이 있다.

이후, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 필름(74) 상부에 형성된 레지스트(732)를 스트리퍼를 사용하여 필름으로부터 떼어낸다. 상기 스트리퍼는 유기계, 무기계, 수계 등으로 분류할 수 있는데, 스트립 후의 레지스트 재부착 방지용으로 이소플로필 알코올(IPA;iso-propyl alchol)을 쓰기도 한다.

이와같이 프린팅 기술로 레지스트 패턴을 형성함으로써 사진식각공정을 보다 간이하게 패터닝 공정을 수행할 수 있다.

그러나, 액정표시소자가 대형 패널인 경우, 프린팅 기술에 의하여 패턴을 형성하면 전패널에 대해 부분적으로 미스-얼라인이 발생하게 된다.

즉, 인쇄롤의 크기가 한정되어 있기 때문에 대형기판에 레지스트를 전사하기 위해서는 기판을 여러 구역으로 나누어 여러 번 전사를 실시하여야 한다. 따라서, 기판의 각 구역별로 레지스트가 쉬프트될 염려가 있다.

레지스트 패턴이 쉬프트되면 제 1 전사영역과 제 2 전사영역 사이의 경계에서 스티치(stitch) 불량이 발생하여 각 구역별로 기생용량이 차이나게 되고, 소자의 구동시 전사영역 경계에서 스티치 얼룩이 생긴다. 또는 전 채널에 대해 부분적으로 패턴이 미스-얼라인되기 때문에 화상이 고르지 못해 화질이 떨어진다.

도 2a는 미스-얼라인이 발생하지 않은 박막트랜지스터를 나타낸 것이고, 도 2b는 미스-얼라인이 상측으로 5㎛ 발생한 경우의 박막트랜지스터를 나타낸 것이며, 도 2c는 미스-얼라인이 하측으로 5㎛ 발생한 경우의 박막트랜지스터를 나타낸 것이다.

만일, 도 2a에 도시된 바와 같이, 채널 영역에 오버랩되는 영역의 드레인 전극의 길이를 10㎛라 가정할 경우, 도 2b 및 도 2c에 도시된 바와 같이, 상,하측으로 각각 5㎛의 미스-얼라인이 발생하게 되면 총 10㎛의 편차가 발생하게 된다.

또한, 채널영역에 드레인 전극이 오버랩되는 영역은 채널영역의 L에도 영향을 미치는데, 이는 픽셀 전압의 충전률을 결정한다. 즉, 채널영역의 길이가 길어지면 Vth(threshold voltage)가 작아져 픽셀 전압의 충전률이 커지게 된다.

구체적으로, 도 2a의 채널영역 길이 L은 소스/드레인 전극이 쉬프트됨에 따라, 도 2b에 도시된 바와 같이, 그 길이가 L'로 줄어들기도 하고 도 2c에 도시된 바와 같이, 그 길이가 L"로 늘기도 하는데, 이처럼 채널영역의 길이 편차가 매우 커져 픽셀 전압의 충전률이 달라짐으로써 전 패널에 대한 화질이 불균일해진다.

참고로, 채널영역의 폭 W가 커지면 Vth가 커져 픽셀 전압의 충전률이 작아진다.

이와같이, 레지스트 프린팅 기술에 의할 때, 채널영역의 W/L의 변화가 커지게 되는데, W/L의 변동이 큰 문제점을 극복하기 위해서 게이트 설계시 이러한 마진을 고려하여 설계한다.

즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 채널영역을 넓히기 위해 게이트 전극(52a)과 반도체층(54)을 보다 크게 형성하여, 소스 전극(54a) 및 드레인 전극(54b)이 상, 하측으로 미스-얼라인 되더라도 채널영역의 W/L 변화가 없도록 한다. 미스-얼라인될 경우를 고려하여 게이트 전극(52a)과 반도체층(54)의 폭과 길이를 크게 형성하는 것이다.

그러나, 이러한 액정표시소자는 차광층인 게이트 전극(52a)에 의해서 소자의 개구율이 감소한다는 또다른 문제점이 발생한다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 드레인 전극을 꺽어진 형태로 형성하여 패턴의 미스-얼라인 발생시 전패널에 대한 채널영역의 W/L 편차를 줄여 화질을 향상시키는 액정표시소자를 제공하는데 그 목적이 있 다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 액정표시소자는 수직 교차하여 단위화소를 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선의 소정 부위에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층과, 상기 데이터 배선에서 분기되어 상기 반도체층 상부에 형성된 소스 전극과, 상기 소스 전극에서 분리되어 상기 반도체층 상부에서 꺽어진 형태로 형성된 드레인 전극과, 상기 데이터 배선을 포함한 전면에 형성된 보호막과, 상기 보호막을 관통하여 상기 드레인 전극에 콘택되는 화소전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

즉, 드레인 전극을 꺽어진 형태로 형성함으로써, 패턴의 미스-얼라인 발생시 채널영역의 W/L 편차를 작게하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 액정패널 내에서 함으로써 W/L 편차에 기인한 불량을 줄일 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 액정표시소자를 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 5는 본 발명에 의한 액정표시소자의 평면도이고, 도 6a 내지 도 6c는 본 발명에 의한 박막트랜지스터의 미스-얼라인을 나타낸 평면도이다.

본 발명에 의한 액정표시소자의 박막 어레이 기판에는, 도 5에 도시된 바와 같이, 일렬로 배치된 복수개의 게이트 배선(112)과 상기 게이트 배선에 수직 교차 하는 복수개의 데이터 배선(115)에 의해 단위 화소가 정의되고, 상기 단위 화소 내에는 상기 두 배선의 교차 지점에 형성되어 꺽어진 형태의 드레인 전극(115b)을 포함하는 박막트랜지스터(TFT)와, 상기 박막트랜지스터(TFT)에 연결되는 화소전극(117)이 구비된다.

이 때, 상기 드레인 전극(115b)은 상기 반도체층(114) 내부에서 꺽어지도록 설계한다. 반도체층(114) 외부에서 꺽어지도록 설계하면, 미스-얼라인시 W/L 편차가 줄어드는 효과가 떨어지기 때문이다.

이 때, 도시하지는 않았으나, 상기 게이트 배선(112) 및 데이터 배선(115) 사이에는 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기 절연물질을 PECVD 방법으로 증착시킨 게이트 절연막이 구비되고, 상기 데이터 배선(115)과 화소전극(117) 사이에는 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기절연물질을 증착시키거나 또는 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 수지(acryl resin)와 같은 유기절연물질을 도포시킨 보호막이 구비된다.

따라서, 상기 박막트랜지스터와 화소전극(117)은 상기 보호막을 선택적으로 제거하여 형성된 콘택홀(120)을 통해 연결된다.

한편, 상기 박막트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 배선(112)의 소정 부분인 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막에 비정질 실리콘(a-Si) 및 비정질 실리콘에 불순물을 이온 주입한 n+a-Si을 차례로 증착하여 형성된 반도체층(114)과, 상기 데이터 배선(115)에서 분기되어 상기 반도체층(114) 상부에 형성된 U자형상인 소스 전극(115a)과, 상기 소스 전극(115a)의 U자 내부로 삽입되고 꺽어진 형태의 드레인 전극(115b)으로 이루어져 단위 화소에 인가되는 전압의 온/오프를 제어한다.

여기서, 상기의 다양한 패턴은 레지스트 프린팅 기술로 형성할 수 있다. 다만, 상기 레지스트 프린팅 기술은 저해상도의 액정표시소자에 적합하다.

구체적으로, 인쇄롤에 일정 패턴의 레지스트를 전사한 후 필름이 형성된 기판에 대해 밀착시켜 일방향으로 밀어서 필름 상부에 레지스트를 인쇄한다. 다음, 인쇄된 레지스트 사이로 노출된 부분의 필름을 식각하여 필름을 패터닝한다.

이후, 필름 상부에 형성된 레지스트를 스트리퍼를 사용하여 필름으로부터 떼어낸다. 상기 스트리퍼는 유기계, 무기계, 수계 등으로 분류할 수 있는데, 스트립 후의 레지스트 재부착 방지용으로 이소플로필 알코올(IPA;iso-propyl alchol)을 쓰기도 한다.

이와같이 프린팅 기술로 레지스트 패턴을 형성함으로써 사진식각공정을 보다 간이하게 패터닝 공정을 수행할 수 있다.

이 때, 상기 필름은 배선용 물질이거나 또는 전극용 물질을 말하는데, 상기 게이트 배선, 데이터 배선용 필름은 낮은 비저항을 가지는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd : Aluminum Neodymium), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등으로 형성하고, 상기 반도체층용 필름은 비정질 실리콘(a-Si:H)을 증착하여 형성하며, 상기 화소전극용 필름은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명도전물질을 사용하여 형성한다.

본 발명은 상기 프린팅 기술을 적용하여 패턴을 형성함에 있어서, 드레인 전극을 꺽어진 형태로 형성하는 것을 특징으로 한다.

이와같이, 드레인 전극(115b)을 꺽어진 형태로 형성함으로써, 패턴의 미스-얼라인 발생시 채널영역의 W/L 편차를 작게 할 수 있다.

이하에서 구체적으로 살펴본다.

도 6a는 미스-얼라인이 발생하지 않은 본 발명에 의한 박막트랜지스터를 나타낸 것이고, 도 6b는 미스-얼라인이 상측으로 5㎛ 발생한 경우에서의 본 발명에 의한 박막트랜지스터를 나타낸 것이며, 도 6c는 미스-얼라인이 하측으로 5㎛ 발생한 경우에서의 본 발명에 의한 박막트랜지스터를 나타낸 것이다.

만일, 도 6a에 도시된 바와 같이, 채널 영역에 상응하는 드레인 전극의 길이를 10㎛라 가정할 경우, 도 6b 및 도 6c에 도시된 바와 같이, 데이터 배선(115), 소스전극(115a), 드레인 전극(115b)이 상,하측으로 각각 5㎛의 미스-얼라인되면, 총 5㎛의 편차가 발생하게 된다. 이는 상,하측으로 각각 5㎛만큼 미스-얼라인이 발생할 경우 총 10㎛의 L 편차가 발생하였던 종래 기술과 차이가 난다.

구체적으로, 상측으로 미스-얼라인이 발생한 경우에만 채널영역의 길이가 L'로 줄어들 뿐, 하측으로 미스-얼라인이 발생한 경우에는 채널영역의 길이가 L로 유지되므로 전 액정패널 내에서 W/L 편차에 기인한 불량을 줄일 수 있는 것이다.

이 때, 도 6c에 도시된 바와 같이, 드레인 전극(115b)의 꺽어진 부분에서의 사이드 효과(side effect)는 무시 가능하므로 L길이에서 제외된다. 즉, 꺽어진 부분에서의 채널영역의 폭이 W'로 커져 Vth에 끼치는 영향이 미비하므로 채널영역의 길이에서 꺽어진 부분에 해당하는 영역의 길이를 제외한 것이다. 따라서, 드레인 전극(115b)이 꺽어진 정도가 커질수록 사이드 효과를 더욱 무시할 수 있을 것이다.

이와같이, 드레인 전극을 꺽어진 형태로 형성하면 미스-얼라인 경우에 있어서, 채널영역의 W/L 큰 변동을 제거할 수 있다.

또한, 채널영역의 W/L의 변화가 미비하므로, W/L의 변동을 해결하기 위해 게이트 설계시 이러한 마진을 고려하지 않아도 된다.

이러한 구조의 박막 어레이 기판은, 도시하지는 않았으나, 대향기판에 대향합착되고 두 기판 사이에 액정층이 구비하는데, 상기 대향기판에는 빛의 누설을 방지하는 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스 사이에 R,G,B의 컬러 레지스트가 일정한 순서대로 형성된 컬러필터층과, 상기 컬러필터층 상부에서 상기 컬러필터층을 보호하고 컬러필터층의 표면을 평탄화하기 위한 오버코트층과, 상기 오버코트층 상에 형성되어 박막 어레이 기판의 화소전극과 더불어 전계를 형성하는 공통전극이 형성되어 있다.

여기서, 액정표시소자가 횡전계방식으로 구동될 경우에는 상기 공통전극이, 상기 박막 어레이 기판 상에 형성된 상기 화소전극과 평행하게 형성되어 수평전계를 발생하여 액정의 배열방향을 제어한다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

상기와 같은 본 발명에 의한 액정표시소자는 다음과 같은 효과가 있다.

첫째, 드레인 전극을 꺽어진 형태로 형성함으로써, 패턴의 미스-얼라인 발생시 채널영역의 W/L 편차를 작게하여 액정패널 내에서의 W/L 편차에 기인한 불량을 줄일 수 있다.

따라서, 패턴의 미스-얼라인시 발생하는 스티치 얼룩 불량이 발생하지 않으므로 화상품질이 향상된다.

둘째, 채널영역의 W/L의 변화가 미비하므로, W/L의 변동을 해결하기 위해 게이트 설계시 이러한 마진을 고려하지 않아도 된다. 따라서, 게이트 전극이 돌출되도록 형성하는 것에 의해 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

셋째. 보다 안정적으로 레지스트 프린팅 기술의 적용이 가능하므로 생산성이 뛰어난 프린팅 기술로서 다양한 패턴을 보다 용이하게 형성할 수 있다.

Claims (4)

1. 기판 상에, 일 방향으로 형성되며, 폭 내에 게이트 전극이 정의된 게이트 배선;

   상기 게이트 배선과 수직 교차하여 단위화소를 정의하는 데이터 배선;

   상기 게이트 전극을 포함한 상기 기판 전면에 형성된 게이트 절연막;

   상기 게이트 전극 상부에 대응되어, 상기 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층;

   상기 데이터 배선에서 분기하여, 서로 다른 방향으로 일변과 이변을 갖는 'ㄱ'자 형상이며, 상기 일변이 게이트 배선과 평행한 상기 반도체층 상부에 형성된 소스 전극;

   상기 소스 전극과 이격하여, 상기 소스 전극과 상기 데이터 배선이 이루는 'U'자 형상의 내부로 삽입되며, 상기 게이트 전극과 오버랩하는 부분에서 상기 데이터 배선과 평행하며, 상기 게이트 전극 외부에서 꺾인 드레인 전극;

   상기 데이터 배선을 포함한 상기 게이트 절연막 전면에 형성된 보호막;

   상기 보호막을 관통하여 상기 드레인 전극에 콘택되는 화소전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
2. 제 1 항에 있어서, 상기의 각종 배선 또는 전극은 레지스트 프린팅 기술에 의해 패턴된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
3. 삭제
4. 제 1 항에 있어서, 상기 드레인 전극은 상기 반도체층 내에서 꺾어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.

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