JP2011103358A5 -

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基板と、
前記基板上に実装された、側面に凹凸部が設けられたシリコン基板と、
前記シリコン基板の上に実装された半導体チップと、
前記半導体チップを覆うと共に、前記シリコン基板の上面を封止する絶縁層とを備える、半導体実装構造体。
前記凹凸部の表面は、金属膜で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の半導体実装構造体。
前記金属膜は、Ｔｉ（チタニウム）或いはＣｕ（銅）を含む材料から形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体実装構造体。
前記シリコン基板の上面には、前記凹凸部に接続される放熱用の金属パターンが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体実装構造体。
前記凹凸部は、前記シリコン基板の上下方向に所定長だけ延在する複数の溝を備え、当該溝は所定ピッチだけ離間していることを特徴とする請求項１に記載の半導体実装構造体。
前記シリコン基板と前記半導体チップとを覆って、前記基板に封止する放熱層をさらに備える請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体実装構造体。