JP2012134222A5 - パワーモジュール - Google Patents
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Description
本発明は、パワーモジュールに関し、より具体的には、半導体素子からの熱を放熱する機能を備えたパワーモジュールに関する。
本発明は、前記問題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、放熱性を維持しながら、絶縁樹脂シートとの密着性を向上させるパワーモジュールを提供することにある。
上記する課題を解決するために、本発明に係るパワーモジュールは、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。
本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、ＣｕまたはＣｕ合金からなる導体板と、少なくとも該導体板の半導体素子を搭載する一方面とは反対側の他方面に形成されたＡｌ膜とを備えるリードフレームと、前記導体板の前記一方面に搭載された半導体素子と、少なくとも前記半導体素子と前記導体板を封止する封止樹脂と、前記Ａｌ膜を介して前記導体板と接着される絶縁樹脂シートとを具備することを特徴とするパワーモジュールである。
以下、本発明に係るパワーモジュールの実施の形態を、図面を参照して説明する。
Claims (11)
- ＣｕまたはＣｕ合金からなる導体板と、少なくとも該導体板の半導体素子を搭載する一方面とは反対側の他方面に形成されたＡｌ膜とを備えるリードフレームと、
前記導体板の前記一方面に搭載された半導体素子と、
少なくとも前記半導体素子と前記導体板を封止する封止樹脂と、
前記Ａｌ膜を介して前記導体板と接着される絶縁樹脂シートとを具備することを特徴とするパワーモジュール。 - 前記パワーモジュールの前記リードフレームは、前記半導体素子と前記導体板から離れた位置に配置され、導線を介して前記半導体素子と接続されていて、その一部を前記封止樹脂から露出するように、前記導線と共に前記封止樹脂に封止されている、ＣｕまたはＣｕ合金からなるリードをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール。
- 前記導体板の前記他方面が粗化処理されていることを特徴とする、請求項１または２に記載のパワーモジュール。
- 前記導体板上に形成された前記Ａｌ膜が粗化処理されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のパワーモジュール。
- 前記導体板上に形成された前記Ａｌ膜が化成処理されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のパワーモジュール。
- 前記導体板上に形成された前記Ａｌ膜が陽極酸化されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のパワーモジュール。
- 前記封止樹脂と前記絶縁樹脂シートの熱伝導率が異なることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のパワーモジュール。
- 前記絶縁樹脂シートの熱伝導率が３Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載のパワーモジュール。
- 前記導体板上に形成された前記Ａｌ膜の膜厚が０．２〜１０μｍであることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載のパワーモジュール。
- 前記Ａｌ膜がめっき法によって形成されることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載のパワーモジュール。
- 前記Ａｌ膜がスパッタリング法によって形成されることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載のパワーモジュール。
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