JP5120284B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5120284B2
JP5120284B2 JP2009024167A JP2009024167A JP5120284B2 JP 5120284 B2 JP5120284 B2 JP 5120284B2 JP 2009024167 A JP2009024167 A JP 2009024167A JP 2009024167 A JP2009024167 A JP 2009024167A JP 5120284 B2 JP5120284 B2 JP 5120284B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating substrate
heat sink
thermal expansion
expansion coefficient
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009024167A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010182831A (ja
Inventor
昌吾 森
栄次 河野
敬司 藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Industries Corp
Original Assignee
Toyota Industries Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Industries Corp filed Critical Toyota Industries Corp
Priority to JP2009024167A priority Critical patent/JP5120284B2/ja
Priority to KR1020100006982A priority patent/KR101076644B1/ko
Priority to US12/698,183 priority patent/US8283773B2/en
Priority to EP10152477A priority patent/EP2224481A1/en
Priority to CN2010101104211A priority patent/CN101794754B/zh
Publication of JP2010182831A publication Critical patent/JP2010182831A/ja
Priority to US13/361,446 priority patent/US8299606B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5120284B2 publication Critical patent/JP5120284B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、半導体装置に関するものである。
半導体素子が実装された絶縁基板を放熱用板材上に接合搭載し、半導体素子の発する熱を絶縁基板を介して放熱用板材に逃がす構成を採った場合、絶縁基板と放熱用板材との熱膨張係数の差に起因して放熱用板材に反りが発生する。この対策として、例えば、特許文献１においては、絶縁基板の一方の面に半導体素子が実装されるとともに、絶縁基板の他方の面に銅ベース板が半田にて接合され、銅ベース板における絶縁基板接合面とは反対の面に、絶縁基板と実質的に等しい熱膨張係数を有する補助ベース板（モリブデン板等）を半田により接合し、これにより、熱変化に対する銅ベース板の表裏の応力バランスを保持し、銅ベース板の反りの発生を防止している。
特開２０００−３３２１７０号公報
ところが、補助ベース板としてのモリブデン板をヒートシンクとしての銅ベース板に接合する場合、半田付けはできても容易にアルミロウ付けすることができなかった。また、半田付けは接合としては弱いため信頼性が低かった。
本発明は、このような背景の下になされたものであり、その目的は、ヒートシンクの反りを抑制できるとともに反り抑制用板材をヒートシンクに容易にロウ付けすることができ、信頼性も高い半導体装置を提供することにある。
請求項１〜３に記載の発明では、セラミック基板の両面に金属層を形成してなる絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面に接合された半導体素子と、板状をなし、前記絶縁基板における前記半導体素子の接合面とは反対の面側に配置固定され、前記絶縁基板を介して前記半導体素子と熱的に結合するヒートシンクと、を備えた半導体装置であって、前記絶縁基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層を形成してなり、前記ヒートシンクにおける前記絶縁基板の配置固定面とは反対の面にロウ付けされた反り抑制用板材を備えた。
特に、請求項１に記載の発明では、前記絶縁基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層を形成してなり、前記ヒートシンクでの前記絶縁基板の配置固定面における前記絶縁基板の周囲において前記ヒートシンクにロウ付けされた反り抑制用板材を、更に備えたことを要旨とする。
特に、請求項２に記載の発明では、前記絶縁基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層を形成してなり、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの間に介在され、前記絶縁基板にロウ付けされると共に前記ヒートシンクにロウ付けされた反り抑制用板材を、更に備えたことを要旨とする。
特に、請求項３に記載の発明では、前記ヒートシンクは内部に放熱フィンを備え、少なくとも放熱フィン以外は前記絶縁基板の熱膨張係数と前記放熱フィンの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層が形成されたものであることを要旨とする。
請求項１〜３に記載の発明によれば、反り抑制用板材は、絶縁基板の熱膨張係数とヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層を形成してなり、当該反り抑制用板材がヒートシンクにおける絶縁基板の配置固定面とは反対の面にロウ付けされている。よって、反り抑制用板材によりヒートシンクの反りを抑制できる。また、反り抑制用板材をヒートシンクに容易にロウ付けすることができる。
特に、請求項３に記載の発明によれば、反り抑制用板材をヒートシンクに容易にロウ付けすることができる。
請求項４及び５に記載の発明では、セラミック基板の両面に金属層を形成してなる絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面に接合された半導体素子と、板状をなし、前記絶縁基板における前記半導体素子の接合面とは反対の面側に配置固定され、前記絶縁基板を介して前記半導体素子と熱的に結合するヒートシンクと、を備えた半導体装置であって、前記絶縁基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層を形成してなり、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの間に介在され、前記絶縁基板にロウ付けされると共に前記ヒートシンクにロウ付けされた反り抑制用板材を備えた。
特に、請求項４に記載の発明では、前記絶縁基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層を形成してなり、前記ヒートシンクでの前記絶縁基板の配置固定面における前記絶縁基板の周囲において前記ヒートシンクにロウ付けされた反り抑制用板材を、更に備えたことを要旨とする。
特に、請求項５に記載の発明では、前記ヒートシンクは内部に放熱フィンを備え、少なくとも放熱フィン以外は前記絶縁基板の熱膨張係数と前記放熱フィンの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層が形成されたものである。
請求項４及び５に記載の発明によれば、反り抑制用板材は、絶縁基板の熱膨張係数とヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層を形成してなり、当該反り抑制用板材が絶縁基板とヒートシンクとの間に介在され、絶縁基板にロウ付けされると共にヒートシンクにロウ付けされている。よって、反り抑制用板材によりヒートシンクの反りを抑制できる。また、反り抑制用板材をヒートシンクに容易にロウ付けすることができる。
特に、請求項５に記載の発明によれば、反り抑制用板材をヒートシンクに容易にロウ付けすることができる。
請求項６に記載の発明によれば、セラミック基板の両面に金属層を形成してなる絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面に接合された半導体素子と、板状をなし、前記絶縁基板における前記半導体素子の接合面とは反対の面側に配置固定され、前記絶縁基板を介して前記半導体素子と熱的に結合するヒートシンクと、を備えた半導体装置であって、前記絶縁基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する鋼板の表面にメッキ層を形成してなり、前記ヒートシンクにおける前記絶縁基板の配置固定面とは反対の面にロウ付けされた反り抑制用板材を備えたことを要旨とする。
請求項６に記載の発明によれば、反り抑制用板材は、絶縁基板の熱膨張係数とヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する鋼板の表面にメッキ層を形成してなり、当該反り抑制用板材がヒートシンクにおける絶縁基板の配置固定面とは反対の面にロウ付けされている。よって、反り抑制用板材によりヒートシンクの反りを抑制できる。また、反り抑制用板材をヒートシンクに容易にロウ付けすることができる。
請求項７に記載の発明によれば、前記鋼板における前記ヒートシンクに接合される面の面積は、前記絶縁基板における前記ヒートシンクに接合される面の面積よりも広いことを要旨とする。
請求項８に記載のように、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記ヒートシンクはアルミ製であると、実用上好ましい。
本発明によれば、ヒートシンクの反りを抑制できるとともに反り抑制用板材をヒートシンクに容易にロウ付けすることができ、信頼性も高い半導体装置を提供することができる。
第１の実施形態における半導体装置の縦断面図。 半導体装置を分解した状態での縦断面図。 第２の実施形態における半導体装置の縦断面図。 半導体装置を分解した状態での縦断面図。 別例の半導体装置の縦断面図。 他の別例の半導体装置の縦断面図。 他の別例の半導体装置の縦断面図。 他の別例の半導体装置の縦断面図。
（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施形態を、図１，２に従って説明する。
本実施形態においては、車両に搭載されて使用されるパワーモジュールに具体化している。
図２に示すように、半導体装置としてのパワーモジュールは、絶縁基板１０と半導体素子２０とヒートシンク３０とを具備しており、図１に示すように、絶縁基板１０の上面が半導体素子搭載面となり、絶縁基板１０の下面にヒートシンク３０が配置固定されている。
絶縁基板１０は、絶縁性の基板であるセラミック基板１１の両面に金属層１２，１３を形成してなる。詳しくは、セラミック基板１１の一方の面（上面）である半導体素子搭載面に第１の金属層（金属回路層）１２が形成されているとともに、セラミック基板１１の他方の面（下面）に第２の金属層１３が形成されている。セラミック基板１１は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等により形成されている。また、金属層１２，１３はアルミニウムよりなる。
セラミック基板１１の熱膨張係数（線熱膨張係数）は３〜７ｐｐｍ／℃程度である。具体的には、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）ならば約４ｐｐｍ／℃、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）ならば約７ｐｐｍ／℃、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）ならば約３ｐｐｍ／℃である。このようにして、セラミック基板１１の両面に形成した金属層１２，１３は薄く、絶縁基板１０の熱膨張係数（線熱膨張係数）は３〜７ｐｐｍ／℃程度となっている。
絶縁基板１０の上面（一方の面）の半導体素子搭載面において金属層１２に発熱体としての半導体素子（半導体チップ）２０が半田を介して接合されている。半導体素子２０としては、例えば、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ダイオード等のパワー素子が用いられる。半導体素子２０は駆動時（通電時）に発熱する。
板状をなすヒートシンク３０は放熱性のよい金属、具体的には、アルミニウムにより形成されている。アルミ製ヒートシンク３０の熱膨張係数（線熱膨張係数）は約２４ｐｐｍ／℃である。
ヒートシンク３０はその内部に複数の冷却水通路３１が並列状に設けられた扁平中空状をなし、各通路３１に冷却水が流れる。冷却水通路３１は、図示しない入口部及び出口部を備え、入口部及び出口部は、車両に装備された冷却水循環路に連結可能に形成されている。
ヒートシンク３０の上面において中央部には絶縁基板１０が配置され、絶縁基板１０の金属層１３とヒートシンク３０とがアルミロウ付けされている（ヒートシンク３０は絶縁基板１０における半導体素子２０の接合面とは反対の面側に配置固定されている）。これにより、ヒートシンク３０は絶縁基板１０を介して半導体素子２０と熱的に結合しており、半導体素子２０の発する熱は絶縁基板１０を介して放熱用板材としてのヒートシンク３０に逃がされる。なお、ヒートシンク３０の冷却能力は、半導体素子２０が駆動されて発熱状態にある場合、半導体素子２０で発生した熱が絶縁基板１０を介してヒートシンク３０に伝導されて円滑に除去されるように設定されている。
ヒートシンク３０の上面での絶縁基板１０の周囲において反り抑制用板材としての天板４０がヒートシンク３０にロウ付けされている。天板４０は、金属板としての鋼板４１と、鋼板４１の表面のアルミメッキ層４２により構成されている。つまり、天板４０は、鋼板４１の表面にアルミメッキ層４２を形成してなる。鋼板４１はステンレス鋼板を用いてもよい。天板４０は、図２に示すように、その中央部分に貫通孔４３が形成され、この貫通孔４３は絶縁基板１０よりも若干大きくなっている。そして、図１に示すように、天板４０はヒートシンク３０の上面、即ち、ヒートシンク３０での絶縁基板１０の配置固定面における絶縁基板１０の周囲においてヒートシンク３０にアルミロウ付けされている。
また、ヒートシンク３０の下面には、反り抑制用板材としての底板５０がヒートシンク３０の下面における全面にわたりロウ付けされている。底板５０は、金属板としての鋼板５１と、鋼板５１の表面のアルミメッキ層５２により構成されている。つまり、底板５０は、鋼板５１の表面にアルミメッキ層５２を形成してなる。鋼板５１はステンレス鋼板を用いてもよい。底板５０はヒートシンク３０の下面、即ち、ヒートシンク３０における絶縁基板１０の配置固定面とは反対の面にアルミロウ付けされている。
また、ヒートシンク３０、絶縁基板１０、天板４０、底板５０は一括ロウ付けされている。詳しくは、図２において、ヒートシンク３０の上面にアルミロウ材を介して絶縁基板１０および天板４０を配置するとともにヒートシンク３０の下面にアルミロウ材を介して底板５０を配置し、この状態で炉内において高温とすることによりロウ材を溶融し、その後に室温に戻すことによりロウ付けする。その後に、絶縁基板１０の上面に半導体素子（半導体チップ）２０が半田付けされる。
鋼板の熱膨張係数（線熱膨張係数）は１２ｐｐｍ／℃程度であり、天板４０の金属板（４１）および底板５０の金属板（５１）についてその熱膨張係数は、絶縁基板１０の熱膨張係数（３〜７ｐｐｍ／℃程度）とヒートシンク３０の熱膨張係数（約２４ｐｐｍ／℃）の間となっている。このようにして、天板４０および底板５０は、いずれも鋼板をアルミメッキして構成しており、天板４０および底板５０の熱膨張係数は鋼板の熱膨張係数とほぼ同じ１２ｐｐｍ／℃程度である。
これにより、ロウ付け工程において高温から室温へ温度が変化する際のヒートシンク３０の反りを天板４０と底板５０を用いて抑制することができる。詳しくは、底板５０の熱膨張係数が絶縁基板１０よりも小さいと正反り（中央部が上に凸となる反り）とはならずに逆反り（中央部が下に凸となる反り）になってしまうが、底板５０の方が絶縁基板１０よりも面積が大きく、かつ、天板４０および底板５０の熱膨張係数が絶縁基板１０の熱膨張係数とヒートシンク３０の熱膨張係数の間の値をとることで、正反りとし、かつ、その反り量を低減することができる。
また、絶縁基板１０とヒートシンク３０とは直接ロウ付けされているので、放熱経路における絶縁基板１０とヒートシンク３０との間の熱抵抗を最小にすることができ、放熱性に優れている。
上記のごとく本実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）絶縁基板１０の熱膨張係数とヒートシンク３０の熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板（５１）の表面にアルミメッキ層５２を形成してなる底板５０をヒートシンク３０の下面にロウ付けした。これによりヒートシンク３０の反りを抑制できるとともに反り抑制用板材をヒートシンク３０に容易にロウ付けすることができ、信頼性も高いものとなる。
（２）絶縁基板１０の熱膨張係数とヒートシンク３０の熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板（４１）の表面にアルミメッキ層４２を形成してなる天板４０をヒートシンク３０の上面での絶縁基板１０の周囲においてヒートシンク３０にロウ付けした。これによりヒートシンク３０の反りを抑制できるとともに反り抑制用板材をヒートシンク３０に容易にロウ付けすることができ、信頼性も高いものとなる。特に、底板５０に加えて天板４０があると、ヒートシンク３０の反りを更に抑制することができる。
（３）ヒートシンク３０に対し絶縁基板１０と天板４０と底板５０とを一括ロウ付けすることができる。
（４）金属板（４１，５１）は鋼板であるので、安価であり、実用上好ましい。
（５）ヒートシンク３０はアルミ製であるので、安価であり、実用上好ましい。
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態を、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。
第１の実施形態（図１，２）に代わる第２の実施形態では図３，４に示すように、絶縁基板１０とヒートシンク３０との間には、反り抑制用板材としての緩衝板６０が介在されている。緩衝板６０は、金属板としての鋼板６１と、鋼板６１の表面のアルミメッキ層６２により構成されている。つまり、緩衝板６０は、鋼板６１の表面にアルミメッキ層６２を形成してなる。鋼板６１はステンレス鋼板を用いてもよい。そして、図３に示すように、緩衝板６０は絶縁基板１０とヒートシンク３０との間において絶縁基板１０にアルミロウ付けされると共にヒートシンク３０にアルミロウ付けされている。
また、ヒートシンク３０、緩衝板６０、絶縁基板１０、天板４０、底板５０が一括ロウ付けされている。詳しくは、図４において、ヒートシンク３０の上面にアルミロウ材を介して緩衝板６０、天板４０を配置するとともに緩衝板６０の上面にアルミロウ材を介して絶縁基板１０を配置し、さらに、ヒートシンク３０の下面にアルミロウ材を介して底板５０を配置する。この状態で炉内において高温とすることによりロウ材を溶融し、その後に室温に戻すことによりロウ付けする。その後に、絶縁基板１０の上面に半導体素子（半導体チップ）２０が半田付けされる。
鋼板の熱膨張係数（線熱膨張係数）は１２ｐｐｍ／℃程度であり、天板４０の金属板（４１）、底板５０の金属板（５１）、緩衝板６０の金属板（６１）についてその熱膨張係数は、絶縁基板１０の熱膨張係数（３〜７ｐｐｍ／℃程度）とヒートシンク３０の熱膨張係数（約２４ｐｐｍ／℃）の間となっている。このようにして、緩衝板６０は鋼板をアルミメッキして構成しており、緩衝板６０の熱膨張係数は鋼板の熱膨張係数とほぼ同じ１２ｐｐｍ／℃程度である。
これにより、ロウ付け工程において高温から室温へ温度が変化する際のヒートシンク３０の反りを抑制することができる。詳しくは、ヒートシンク３０と絶縁基板１０との熱膨張係数の相違に起因してヒートシンク３０と絶縁基板１０との間に熱応力が発生するが、緩衝板６０により熱応力の緩和が図られ、これによりヒートシンク３０の反りが抑制される。また、絶縁基板１０とヒートシンク３０とは緩衝板６０を介してロウ付けされているが、緩衝板６０は薄い板材（鋼板６１）をアルミメッキして構成しており、放熱経路における絶縁基板１０とヒートシンク３０との間の熱抵抗を極力小さくでき、放熱性の悪化を回避することができる。
上記のごとく第２の実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）絶縁基板１０の熱膨張係数とヒートシンク３０の熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板（６１）の表面にアルミメッキ層６２を形成してなる緩衝板６０を絶縁基板１０とヒートシンク３０との間に介在して絶縁基板１０にロウ付けすると共にヒートシンク３０にロウ付けした。これによりヒートシンク３０の反りを抑制できるとともに反り抑制用板材をヒートシンク３０に容易にロウ付けすることができ、信頼性も高いものとなる。特に、天板４０、底板５０に加えて緩衝板６０があると、ヒートシンク３０の反りを更に抑制することができる。
（２）ヒートシンク３０に対し緩衝板６０と絶縁基板１０と天板４０と底板５０とを一括ロウ付けすることができる。
（３）金属板（６１）は鋼板であるので、安価であり、実用上好ましい。
上記各実施形態は、例えば、以下のように変更してもよい。
・図１に代わり、図５に示すように、天板４０は無く、底板５０のみロウ付けしてもよい。
・図５において、ヒートシンク３０と絶縁基板１０との間に、多数の貫通孔を有する金属板（パンチングメタル等）を介在させ、当該金属板をヒートシンク３０および絶縁基板１０とロウ付けしてもよい。
・図３に代わり、図６に示すように、天板４０および底板５０は無く、緩衝板６０のみロウ付けしてもよい。図６の場合、底板がないのでヒートシンク３０の下面に被冷却体（発熱体）を接合した場合において当該被冷却体の熱をヒートシンク３０に伝えやすくなる。
・図３に代わり、底板５０は無く、天板４０と緩衝板６０をロウ付けしてもよい。天板４０と緩衝板６０があると、一方のみの場合に比べヒートシンク３０の反りを更に抑制することができる。
・放熱部材であるヒートシンク３０は内部に水が流れる構成としたが、水以外にもアルコール等の他の冷却液体が流れる構成としてもよい。
・ヒートシンクは液体を流す構成であったが、大気に熱を逃がす方式（空冷式）であってもよい。この場合、強制空冷でもファンを用いない自然放熱方式でもよい。
・天板４０、底板５０、緩衝板６０は鋼板にアルミメッキを施したものを用いたが、鋼板以外の金属板を用いてもよく、またアルミメッキ層以外のメッキ層でもよい。要は、絶縁基板の熱膨張係数とヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層が形成されていればよい。
・ヒートシンクはアルミ製であったが、他の材料、例えば銅製であってもよい。銅製ヒートシンクの熱膨張係数（線熱膨張係数）は約１７ｐｐｍ／℃である。
・ヒートシンクの構成として図７に示すものを使用してもよい。図７において、ヒートシンク７０は、筐体（箱体）７１と、筐体７１内に収納されたアルミ製放熱フィン（アルミ板）７２よりなる。筐体７１内においてアルミ製放熱フィン７２が接合され、この放熱フィン７２により複数本の冷却水通路７３が区画形成されている。筐体７１は、絶縁基板１０の熱膨張係数と放熱フィン７２の熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板としての鋼板７４と、その表面のアルミメッキ層７５により構成されている。よって、ヒートシンク７０は少なくとも放熱フィン７２以外は反り抑制用板材（図７では緩衝板６０）と同じ材料である。鋼板７４はステンレス鋼板でもよい。放熱フィン７２は筐体７１にアルミロウ付けされている。
このようにしてヒートシンク７０は内部に放熱フィン７２を備え、少なくとも放熱フィン７２以外は絶縁基板１０の熱膨張係数と放熱フィン７２の熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板（７４）の表面にメッキ層７５が形成されたものであってもよい。この場合、反り抑制用板材（図７での緩衝板６０や図１での底板５０や天板４０）をヒートシンクに容易にロウ付けすることができる。
・底板５０は絶縁基板１０と同じかそれよりも大きくすればよい。
・絶縁基板１０における金属層１２，１３として銅を用いてもよい。
・天板は金属板にメッキを施したもの以外にも、絶縁基板の熱膨張係数とヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する単一材料の板材であってもよい。
・図７の変形例として、図７における緩衝板６０を使用せずに図８に示すような構成とすることもできる。図８においてヒートシンク７０は、図７と同様に、箱型中空容器を構成する筐体７１の内部に冷却水通路７３を区画形成するアルミ製放熱フィン７２が接合され、筐体７１は絶縁基板１０の熱膨張係数と放熱フィン７２の熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板（鋼板７４）の表面にアルミメッキ層７５が形成され、しかも、次のようになっている。六面体をなす筐体（箱体）７１は、上面７１ａと下面７１ｂと４つの側面７１ｃを有している。筐体７１の上面７１ａにおいて絶縁基板１０とアルミロウ付けされ、また、筐体７１の下面７１ｂを構成する鋼板７４の板厚ｔ１は、筐体７１の上面７１ａを構成する鋼板７４の板厚ｔ２よりも厚くなっている。これにより、筐体７１の上面７１ａを構成する鋼板７４が薄いので、半導体素子２０の放熱経路における絶縁基板１０から筐体７１内の冷却水通路７３への熱抵抗を小さくすることができ、放熱性に優れている。また、筐体７１の下面７１ｂを構成する鋼板７４が厚いので、ヒートシンク自身を反りにくくすることができる。このようにして、セラミック基板１１の両面に金属層１２，１３を形成してなる絶縁基板１０と、絶縁基板１０の一方の面に接合された半導体素子２０と、板状をなし、絶縁基板１０における半導体素子２０の接合面とは反対の面にロウ付けされ、絶縁基板１０を介して半導体素子２０と熱的に結合するヒートシンク７０と、を備えた半導体装置であって、ヒートシンク７０は、中空容器を構成する筐体７１の内部に放熱フィン７２を備え、筐体７１は絶縁基板１０の熱膨張係数と放熱フィン７２の熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板（鋼板７４）の表面にメッキ層７５を形成してなり、かつ、絶縁基板１０とのロウ付け面とは反対の面における金属板（鋼板７４）の板厚ｔ１が絶縁基板１０とのロウ付け面における金属板（鋼板７４）の板厚ｔ２よりも厚い構成をなしている。これにより、放熱性に優れるとともにヒートシンクの反りを抑制でき、かつヒートシンクに絶縁基板を容易にロウ付けすることができる。
１０…絶縁基板、１１…セラミック基板、１２…金属層、１３…金属層、２０…半導体素子、３０…ヒートシンク、４０…天板、４１…鋼板、４２…アルミメッキ層、５０…底板、５１…鋼板、５２…アルミメッキ層、６０…緩衝板、６１…鋼板、６２…アルミメッキ層、７０…ヒートシンク、７２…放熱フィン、７４…鋼板、７５…メッキ層。

Claims (8)

  1. セラミック基板の両面に金属層を形成してなる絶縁基板と、
    前記絶縁基板の一方の面に接合された半導体素子と、
    板状をなし、前記絶縁基板における前記半導体素子の接合面とは反対の面側に配置固定され、前記絶縁基板を介して前記半導体素子と熱的に結合するヒートシンクと、
    を備えた半導体装置であって、
    前記絶縁基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層を形成してなり、前記ヒートシンクにおける前記絶縁基板の配置固定面とは反対の面にロウ付けされた反り抑制用板材を備え、
    前記絶縁基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層を形成してなり、前記ヒートシンクでの前記絶縁基板の配置固定面における前記絶縁基板の周囲において前記ヒートシンクにロウ付けされた反り抑制用板材を、更に備えたことを特徴とする半導体装置。
  2. セラミック基板の両面に金属層を形成してなる絶縁基板と、
    前記絶縁基板の一方の面に接合された半導体素子と、
    板状をなし、前記絶縁基板における前記半導体素子の接合面とは反対の面側に配置固定され、前記絶縁基板を介して前記半導体素子と熱的に結合するヒートシンクと、
    を備えた半導体装置であって、
    前記絶縁基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層を形成してなり、前記ヒートシンクにおける前記絶縁基板の配置固定面とは反対の面にロウ付けされた反り抑制用板材を備え、
    前記絶縁基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層を形成してなり、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの間に介在され、前記絶縁基板にロウ付けされると共に前記ヒートシンクにロウ付けされた反り抑制用板材を、更に備えたことを特徴とする半導体装置。
  3. セラミック基板の両面に金属層を形成してなる絶縁基板と、
    前記絶縁基板の一方の面に接合された半導体素子と、
    板状をなし、前記絶縁基板における前記半導体素子の接合面とは反対の面側に配置固定され、前記絶縁基板を介して前記半導体素子と熱的に結合するヒートシンクと、
    を備えた半導体装置であって、
    前記絶縁基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層を形成してなり、前記ヒートシンクにおける前記絶縁基板の配置固定面とは反対の面にロウ付けされた反り抑制用板材を備え、
    前記ヒートシンクは内部に放熱フィンを備え、少なくとも放熱フィン以外は前記絶縁基板の熱膨張係数と前記放熱フィンの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層が形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
  4. セラミック基板の両面に金属層を形成してなる絶縁基板と、
    前記絶縁基板の一方の面に接合された半導体素子と、
    板状をなし、前記絶縁基板における前記半導体素子の接合面とは反対の面側に配置固定され、前記絶縁基板を介して前記半導体素子と熱的に結合するヒートシンクと、
    を備えた半導体装置であって、
    前記絶縁基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層を形成してなり、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの間に介在され、前記絶縁基板にロウ付けされると共に前記ヒートシンクにロウ付けされた反り抑制用板材を備え、
    前記絶縁基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層を形成してなり、前記ヒートシンクでの前記絶縁基板の配置固定面における前記絶縁基板の周囲において前記ヒートシンクにロウ付けされた反り抑制用板材を、更に備えたことを特徴とする半導体装置。
  5. セラミック基板の両面に金属層を形成してなる絶縁基板と、
    前記絶縁基板の一方の面に接合された半導体素子と、
    板状をなし、前記絶縁基板における前記半導体素子の接合面とは反対の面側に配置固定され、前記絶縁基板を介して前記半導体素子と熱的に結合するヒートシンクと、
    を備えた半導体装置であって、
    前記絶縁基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層を形成してなり、前記絶縁基板と前記ヒートシンクとの間に介在され、前記絶縁基板にロウ付けされると共に前記ヒートシンクにロウ付けされた反り抑制用板材を備え、
    前記ヒートシンクは内部に放熱フィンを備え、少なくとも放熱フィン以外は前記絶縁基板の熱膨張係数と前記放熱フィンの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する金属板の表面にメッキ層が形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
  6. セラミック基板の両面に金属層を形成してなる絶縁基板と、
    前記絶縁基板の一方の面に接合された半導体素子と、
    板状をなし、前記絶縁基板における前記半導体素子の接合面とは反対の面側に配置固定され、前記絶縁基板を介して前記半導体素子と熱的に結合するヒートシンクと、
    を備えた半導体装置であって、
    前記絶縁基板の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する鋼板の表面にメッキ層を形成してなり、前記ヒートシンクにおける前記絶縁基板の配置固定面とは反対の面にロウ付けされた反り抑制用板材を備えたことを特徴とする半導体装置。
  7. 前記鋼板における前記ヒートシンクに接合される面の面積は、前記絶縁基板における前記ヒートシンクに接合される面の面積よりも広いことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
  8. 前記ヒートシンクはアルミ製であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
JP2009024167A 2009-02-04 2009-02-04 半導体装置 Expired - Fee Related JP5120284B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009024167A JP5120284B2 (ja) 2009-02-04 2009-02-04 半導体装置
KR1020100006982A KR101076644B1 (ko) 2009-02-04 2010-01-26 반도체 장치
US12/698,183 US8283773B2 (en) 2009-02-04 2010-02-02 Semiconductor device having anti-warping sheet
EP10152477A EP2224481A1 (en) 2009-02-04 2010-02-03 Semiconductor device
CN2010101104211A CN101794754B (zh) 2009-02-04 2010-02-03 半导体装置
US13/361,446 US8299606B2 (en) 2009-02-04 2012-01-30 Semiconductor device includes a ceramic substrate and heat sink

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009024167A JP5120284B2 (ja) 2009-02-04 2009-02-04 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010182831A JP2010182831A (ja) 2010-08-19
JP5120284B2 true JP5120284B2 (ja) 2013-01-16

Family

ID=42184077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009024167A Expired - Fee Related JP5120284B2 (ja) 2009-02-04 2009-02-04 半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8283773B2 (ja)
EP (1) EP2224481A1 (ja)
JP (1) JP5120284B2 (ja)
KR (1) KR101076644B1 (ja)
CN (1) CN101794754B (ja)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8472193B2 (en) * 2008-07-04 2013-06-25 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Semiconductor device
JP5546889B2 (ja) * 2010-02-09 2014-07-09 日本電産エレシス株式会社 電子部品ユニット及びその製造方法
JP5515947B2 (ja) * 2010-03-29 2014-06-11 株式会社豊田自動織機 冷却装置
JP5348047B2 (ja) * 2010-03-29 2013-11-20 株式会社豊田自動織機 冷却装置
JP5720694B2 (ja) * 2010-10-26 2015-05-20 富士電機株式会社 半導体装置、放熱部材、および、半導体装置の製造方法
CN102142407B (zh) * 2010-11-04 2014-02-19 华为机器有限公司 一种导热垫
JP5523299B2 (ja) 2010-12-20 2014-06-18 株式会社日立製作所 パワーモジュール
JP6086863B2 (ja) * 2011-06-27 2017-03-01 ローム株式会社 半導体モジュール
CN103988297B (zh) * 2011-12-12 2018-11-23 三菱综合材料株式会社 功率模块及其制造方法
JP6060553B2 (ja) 2012-04-06 2017-01-18 株式会社豊田自動織機 半導体装置
JP5918008B2 (ja) * 2012-05-08 2016-05-18 昭和電工株式会社 冷却器の製造方法
JP2014093365A (ja) * 2012-11-01 2014-05-19 Toyota Industries Corp 半導体装置
US8987875B2 (en) 2013-03-08 2015-03-24 Delphi Technologies, Inc. Balanced stress assembly for semiconductor devices
JP6322930B2 (ja) 2013-08-27 2018-05-16 富士通株式会社 受熱器、冷却ユニット、電子機器
JP6168152B2 (ja) 2013-09-05 2017-07-26 富士電機株式会社 電力用半導体モジュール
WO2015141284A1 (ja) 2014-03-19 2015-09-24 富士電機株式会社 半導体モジュールユニットおよび半導体モジュール
CN106062949B (zh) * 2014-09-17 2018-11-30 富士电机株式会社 半导体模块
JP6341822B2 (ja) * 2014-09-26 2018-06-13 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6409690B2 (ja) * 2014-11-20 2018-10-24 株式会社デンソー 冷却モジュール
JP6717238B2 (ja) * 2017-03-07 2020-07-01 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付パワーモジュール用基板
JP1602558S (ja) * 2017-04-25 2018-04-23
CN107454799A (zh) * 2017-07-31 2017-12-08 阳泉煤业（集团）有限责任公司 利用半导体热电效应改善变频器功率模块散热性能的方法
CN108598054A (zh) * 2018-03-28 2018-09-28 合肥凯利科技投资有限公司 一种电机控制器igbt用风冷散热装置及其控制系统
JP7116576B2 (ja) * 2018-04-02 2022-08-10 富士電機株式会社 冷却装置、半導体モジュールおよび車両
CN108980791B (zh) * 2018-08-10 2023-08-11 南昌市诺珂光电有限公司 一种便于自动化生产的模组及其生产工艺
US11129310B2 (en) * 2018-11-22 2021-09-21 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module, vehicle and manufacturing method
CN109545697B (zh) * 2018-12-26 2024-06-18 桂林电子科技大学 半导体封装方法及半导体封装结构
US11778776B2 (en) 2019-03-22 2023-10-03 Resonac Corporation Cooling structure
EP3944306A4 (en) 2019-03-22 2022-04-20 Showa Denko Materials Co., Ltd. COOLING STRUCTURE
US20220149692A1 (en) 2019-03-22 2022-05-12 Showa Denko Materials Co., Ltd. Cooling structure
CN112151545B (zh) * 2019-06-28 2024-05-14 西部数据技术公司 包括磁性压持层的半导体设备
WO2021009856A1 (ja) * 2019-07-16 2021-01-21 株式会社 東芝 半導体装置
WO2021009857A1 (ja) * 2019-07-16 2021-01-21 株式会社 東芝 半導体装置
CN111933604B (zh) * 2020-07-08 2021-07-27 南京晟芯半导体有限公司 一种提高半导体场效应晶体管芯片短路能力的结构及方法
DE102022204169A1 (de) 2022-04-28 2023-11-02 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Elektronische Baugruppe

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE759783A (fr) 1969-12-15 1971-05-17 Chausson Usines Sa Procede pour le brasage de pieces en acier inoxydable avec des pieces en aluminium et alliages d'aluminium
DE69217810T2 (de) * 1991-10-12 1997-10-09 Sumitomo Spec Metals Verfahren zur Herstellung eines warmleitenden Materials
US5956576A (en) * 1996-09-13 1999-09-21 International Business Machines Corporation Enhanced protection of semiconductors with dual surface seal
US5990552A (en) * 1997-02-07 1999-11-23 Intel Corporation Apparatus for attaching a heat sink to the back side of a flip chip package
JP2856193B2 (ja) * 1997-05-15 1999-02-10 日本電気株式会社 マルチチップモジュールの実装構造体
US6245442B1 (en) * 1997-05-28 2001-06-12 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Metal matrix composite casting and manufacturing method thereof
JP2000332170A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
EP1742265B1 (en) * 2000-04-19 2013-08-07 Denso Corporation Coolant cooled type semiconductor device
JP2004103641A (ja) 2002-09-05 2004-04-02 Denso Corp 半導体装置
US6903929B2 (en) * 2003-03-31 2005-06-07 Intel Corporation Two-phase cooling utilizing microchannel heat exchangers and channeled heat sink
KR100705868B1 (ko) * 2003-05-06 2007-04-10 후지 덴키 디바이스 테크놀로지 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
US7002247B2 (en) * 2004-06-18 2006-02-21 International Business Machines Corporation Thermal interposer for thermal management of semiconductor devices
US7180179B2 (en) * 2004-06-18 2007-02-20 International Business Machines Corporation Thermal interposer for thermal management of semiconductor devices
JP2006294971A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Toyota Industries Corp パワーモジュール用基板及びその製造方法
JP4345066B2 (ja) * 2005-05-24 2009-10-14 日立金属株式会社 セラミックス回路基板及びこれを用いたパワー半導体モジュール
JP4617209B2 (ja) 2005-07-07 2011-01-19 株式会社豊田自動織機 放熱装置
US7382620B2 (en) * 2005-10-13 2008-06-03 International Business Machines Corporation Method and apparatus for optimizing heat transfer with electronic components
US8030760B2 (en) * 2006-12-05 2011-10-04 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof
WO2008075409A1 (ja) 2006-12-19 2008-06-26 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki パワーモジュール用ベース、パワーモジュール用ベースの製造方法及びパ ワーモジュール
US7893527B2 (en) * 2007-07-24 2011-02-22 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Semiconductor plastic package and fabricating method thereof
JP5011088B2 (ja) * 2007-12-26 2012-08-29 日新製鋼株式会社 放熱装置及びパワーモジュール
US8115303B2 (en) * 2008-05-13 2012-02-14 International Business Machines Corporation Semiconductor package structures having liquid coolers integrated with first level chip package modules
US8472193B2 (en) * 2008-07-04 2013-06-25 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Semiconductor device
JP5473733B2 (ja) * 2010-04-02 2014-04-16 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US8299606B2 (en) 2012-10-30
JP2010182831A (ja) 2010-08-19
CN101794754B (zh) 2012-06-27
US20100193941A1 (en) 2010-08-05
US8283773B2 (en) 2012-10-09
KR20100089755A (ko) 2010-08-12
KR101076644B1 (ko) 2011-10-27
EP2224481A1 (en) 2010-09-01
US20120126390A1 (en) 2012-05-24
CN101794754A (zh) 2010-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5120284B2 (ja) 半導体装置
JP4617209B2 (ja) 放熱装置
JP5070014B2 (ja) 放熱装置
KR101188150B1 (ko) 냉각 장치
JP6409690B2 (ja) 冷却モジュール
KR101017452B1 (ko) 반도체 패키지
JP2013197246A (ja) 放熱器一体型基板の製造方法および放熱器一体型基板
JP2010161203A (ja) 放熱装置、パワーモジュール、パワーモジュールの製造方法
JP4600220B2 (ja) 冷却器及びパワーモジュール
JP2008270297A (ja) パワーユニットおよび放熱容器
JPWO2016158020A1 (ja) 半導体モジュール
JP5136461B2 (ja) 半導体装置
JP2007141932A (ja) パワーモジュール用ベース
JP5217246B2 (ja) パワーモジュール用ユニットの製造方法
JP2009200258A (ja) 半導体モジュール
JP2008124187A (ja) パワーモジュール用ベース
JP5065202B2 (ja) 半導体装置
JP5282075B2 (ja) 放熱装置
JP2008135595A (ja) パワーモジュール
JP2009224556A (ja) 印刷版及びそれを用いたパワーモジュールの組み付け方法
JP2008262974A (ja) 半導体装置
JP4747284B2 (ja) 冷却シンク部付き絶縁回路基板
JP5320354B2 (ja) 放熱装置
JP2019186390A (ja) 半導体装置および電力変換装置
JP5227681B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110903

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120510

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120515

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120717

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120925

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121008

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees