JP2011249684A5 - - Google Patents

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本放熱用部品は、基板上に実装された半導体素子上に、熱伝導部材を介して配置される放熱用部品であって、前記半導体素子に近い側に配置される第1層と、前記第1層上に積層され前記半導体素子から遠い側に配置される第2層と、を有し、前記第1層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも厚く、前記第2層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも薄く、前記第2層の熱膨張係数が、前記第1層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする。
本半導体パッケージは、基板上に接続端子を介して半導体素子が実装された半導体パッケージであって、前記半導体素子上に、熱伝導部材を介して放熱用部品が配置され、前記放熱用部品は、前記半導体素子に近い側に配置される第1層と、前記第1層上に積層され前記半導体素子から遠い側に配置される第2層と、を有し、前記第1層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも厚く、前記第2層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも薄く、前記第2層の熱膨張係数が、前記第1層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする。

Claims (5)

  1. 基板上に実装された半導体素子上に、熱伝導部材を介して配置される放熱用部品であって、
    前記半導体素子に近い側に配置される第1層と、前記第1層上に積層され前記半導体素子から遠い側に配置される第2層と、を有し、
    前記第1層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも厚く、
    前記第2層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも薄く、
    前記第2層の熱膨張係数が、前記第1層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする放熱用部品。
  2. 前記第1層の熱膨張係数と前記第2層の熱膨張係数との差と、前記基板の熱膨張係数と前記半導体素子の熱膨張係数との差との差が5ppm/℃以下であることを特徴とする請求項記載の放熱用部品。
  3. 前記第1層の前記半導体素子に近い側に第3層を、前記第2層の前記半導体素子から遠い側に第4層を更に有し、
    前記第3層及び前記第4層は、同一の材料から構成され、
    前記第3層は、前記第4層よりも層厚が厚くされていることを特徴とする請求項1又は2記載の放熱用部品。
  4. 前記第3層及び前記第4層は、めっきにより形成されていることを特徴とする請求項記載の放熱用部品。
  5. 基板上に接続端子を介して半導体素子が実装された半導体パッケージであって、
    前記半導体素子上に、熱伝導部材を介して放熱用部品が配置され、
    前記放熱用部品は、
    前記半導体素子に近い側に配置される第1層と、前記第1層上に積層され前記半導体素子から遠い側に配置される第2層と、を有し、
    前記第1層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも厚く、
    前記第2層において、前記半導体素子上部に配置される部分の厚さが、他の部分の厚さよりも薄く、
    前記第2層の熱膨張係数が、前記第1層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする半導体パッケージ。
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