JPH06112390A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH06112390A JPH06112390A JP4254977A JP25497792A JPH06112390A JP H06112390 A JPH06112390 A JP H06112390A JP 4254977 A JP4254977 A JP 4254977A JP 25497792 A JP25497792 A JP 25497792A JP H06112390 A JPH06112390 A JP H06112390A
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- resin
- lead frame
- coating films
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、コーティングする材料や手法を特
定することにより、モールド樹脂との密着性を一層向上
し、リフロー実装時および実用時においてもクラック等
の問題を起こさない信頼性のある樹脂封止半導体装置を
得るためのリードフレームを提供する。 【構成】 本発明は、リードで囲まれたダイパッドの表
面及び裏面に、１〜３０μｍの厚さを有するアルミニウ
ムか、アルミニウム或いは珪素の酸化物（Ａｌ2Ｏ3 ，
ＳｉＯ2 ）からなる溶射被膜を形成してなることを特徴
とするリードフレームである。
定することにより、モールド樹脂との密着性を一層向上
し、リフロー実装時および実用時においてもクラック等
の問題を起こさない信頼性のある樹脂封止半導体装置を
得るためのリードフレームを提供する。 【構成】 本発明は、リードで囲まれたダイパッドの表
面及び裏面に、１〜３０μｍの厚さを有するアルミニウ
ムか、アルミニウム或いは珪素の酸化物（Ａｌ2Ｏ3 ，
ＳｉＯ2 ）からなる溶射被膜を形成してなることを特徴
とするリードフレームである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モールド時樹脂との剥
離や、リフロー時における樹脂クラックが発生しない、
実装性に優れたリードフレームに関するものである。
離や、リフロー時における樹脂クラックが発生しない、
実装性に優れたリードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にリードフレームは、４２Ｎｉ合金
やＣｕ等の導電材料よりなる薄い金属を、プレス法或い
はエッチィング法で、中央部に半導体チップを搭載する
ためのダイパッドを有し、その周囲に所定数のリードが
配置される形状に成形加工して制作され、樹脂モールド
半導体装置の枢要な部分として使用される。
やＣｕ等の導電材料よりなる薄い金属を、プレス法或い
はエッチィング法で、中央部に半導体チップを搭載する
ためのダイパッドを有し、その周囲に所定数のリードが
配置される形状に成形加工して制作され、樹脂モールド
半導体装置の枢要な部分として使用される。
【０００３】樹脂モールド半導体装置は、図６にその一
例を断面で示すように、リードフレーム１の中央部にあ
るダイパッド３に、Ａｇペーストなどの接合材１８で半
導体チップ５をダイボンディングした後、該チップ上の
電極パッド１４とリードフレーム１のインナ−リード１
ａ上に設けたＡｇメッキ（パッド）１９とをＡｕ細線な
どのボンディングワイヤ６で接合して形成された構成体
を、樹脂７でモールドされる。
例を断面で示すように、リードフレーム１の中央部にあ
るダイパッド３に、Ａｇペーストなどの接合材１８で半
導体チップ５をダイボンディングした後、該チップ上の
電極パッド１４とリードフレーム１のインナ−リード１
ａ上に設けたＡｇメッキ（パッド）１９とをＡｕ細線な
どのボンディングワイヤ６で接合して形成された構成体
を、樹脂７でモールドされる。
【０００４】この様にして作製された半導体装置は、は
んだ１５を付着したリードフレーム１の先端（アウター
リード）１ｂを、はんだ付けして強固に回路基盤１６に
固定するために熱伝導や熱伝達により加熱してはんだを
溶融する、所謂リフロー処理に付される。一般に半導体
装置のモールド樹脂は吸湿性を有するため経時的に水分
を吸収する傾向がある。また構成部品に付着している水
分もある。この様な含有水分は主に樹脂との界面を破壊
し、その隙間に溜った水分はリフロー加熱によって急激
な気化を起こして膨脹し、樹脂破壊１７を生じさせる。
一方、潜在的に常温時においては、樹脂と構成部品、特
にダイパッド間でそれぞれの熱膨張差に起因する歪みが
発生してその界面に剪断剥離が起きることが分ってお
り、リフロー加熱時にこの剥離した間隙部分に発生する
水蒸気が剥離を助長する。特に応力集中が起きやすいダ
イパッドの端部では剥離が大きく、蒸気圧の作用と相俟
って図に示すようなクラック１７が発生する。このため
半導体装置の封止性能を落し信頼性を損なうことにな
る。
んだ１５を付着したリードフレーム１の先端（アウター
リード）１ｂを、はんだ付けして強固に回路基盤１６に
固定するために熱伝導や熱伝達により加熱してはんだを
溶融する、所謂リフロー処理に付される。一般に半導体
装置のモールド樹脂は吸湿性を有するため経時的に水分
を吸収する傾向がある。また構成部品に付着している水
分もある。この様な含有水分は主に樹脂との界面を破壊
し、その隙間に溜った水分はリフロー加熱によって急激
な気化を起こして膨脹し、樹脂破壊１７を生じさせる。
一方、潜在的に常温時においては、樹脂と構成部品、特
にダイパッド間でそれぞれの熱膨張差に起因する歪みが
発生してその界面に剪断剥離が起きることが分ってお
り、リフロー加熱時にこの剥離した間隙部分に発生する
水蒸気が剥離を助長する。特に応力集中が起きやすいダ
イパッドの端部では剥離が大きく、蒸気圧の作用と相俟
って図に示すようなクラック１７が発生する。このため
半導体装置の封止性能を落し信頼性を損なうことにな
る。
【０００５】モールド樹脂とダイパッドとの剥離を防止
するために、例えば特開昭５８−１９９５４８号公報や
特開昭５５−４９８３号公報にはダイパッドに凹凸や切
抜き加工を施して接触面積を大きくしたり、また、特開
平６０−９７６４５号公報のようにダイパッドの裏面に
封止樹脂と近似した熱膨張係数を有する有機樹脂（ポリ
イミド系）を取り付けた半導体装置を提案している。し
かし、いずれの場合も樹脂との接合界面における水分の
付着を防ぐことは難しく、特に、ポリイミド系の有機樹
脂を使用する場合には、該樹脂自体にも吸湿性を有して
いるので問題が残る。
するために、例えば特開昭５８−１９９５４８号公報や
特開昭５５−４９８３号公報にはダイパッドに凹凸や切
抜き加工を施して接触面積を大きくしたり、また、特開
平６０−９７６４５号公報のようにダイパッドの裏面に
封止樹脂と近似した熱膨張係数を有する有機樹脂（ポリ
イミド系）を取り付けた半導体装置を提案している。し
かし、いずれの場合も樹脂との接合界面における水分の
付着を防ぐことは難しく、特に、ポリイミド系の有機樹
脂を使用する場合には、該樹脂自体にも吸湿性を有して
いるので問題が残る。
【０００６】最近、リードフレームやダイパッドの裏面
にＳｉ化合物等の皮膜をコーティングし、モールド樹脂
との密着性を向上することが、例えば、特開平２−６０
１５４号公報や、特開平２−８２６４５号公報などに開
示されている。また、特開平２−６３１４８号公報には
半導体チップを含めたモールド樹脂との接触面に絶縁膜
をコーティングすることを記述している。これらの公報
には、ＳｉＣ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 , Ａｌ2 Ｏ3 など
のコーティングをプラズマＣＶＤ法等で施した例を提示
している。
にＳｉ化合物等の皮膜をコーティングし、モールド樹脂
との密着性を向上することが、例えば、特開平２−６０
１５４号公報や、特開平２−８２６４５号公報などに開
示されている。また、特開平２−６３１４８号公報には
半導体チップを含めたモールド樹脂との接触面に絶縁膜
をコーティングすることを記述している。これらの公報
には、ＳｉＣ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 , Ａｌ2 Ｏ3 など
のコーティングをプラズマＣＶＤ法等で施した例を提示
している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記プラズマＣＶＤ等
のコーティングにおいて、特開平２−６３１４８号公報
の方法では、ワイヤボンディングした半導体チップやリ
ードの露出面に全面コーティングするため組み立て後の
ＩＣは取扱いにくく、マスクを施すにも非常に困難であ
り、実用的でない。また、リードフレームやダイパッド
の裏面へのコーティングでは、コーティング面（裏面）
とその反対面（表面）とでモールド樹脂との密着性に差
が生じる一方、コーティングの反対面には皮膜材の回り
込みがあり、回り込んだ付着膜のリードフレーム材料と
の密着性は悪く不均一となる。
のコーティングにおいて、特開平２−６３１４８号公報
の方法では、ワイヤボンディングした半導体チップやリ
ードの露出面に全面コーティングするため組み立て後の
ＩＣは取扱いにくく、マスクを施すにも非常に困難であ
り、実用的でない。また、リードフレームやダイパッド
の裏面へのコーティングでは、コーティング面（裏面）
とその反対面（表面）とでモールド樹脂との密着性に差
が生じる一方、コーティングの反対面には皮膜材の回り
込みがあり、回り込んだ付着膜のリードフレーム材料と
の密着性は悪く不均一となる。
【０００８】本発明は、上記した従来のコーティングに
見られる問題点を克服するものであって、コーティング
する材料や手法を特定することにより、モールド樹脂と
の密着性を一層向上し、リフロー実装時および実用時に
おいてもクラック等の問題を起こさない信頼性のある樹
脂封止半導体装置を得るためのリードフレームを提供す
ることを目的とする。
見られる問題点を克服するものであって、コーティング
する材料や手法を特定することにより、モールド樹脂と
の密着性を一層向上し、リフロー実装時および実用時に
おいてもクラック等の問題を起こさない信頼性のある樹
脂封止半導体装置を得るためのリードフレームを提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、リードで囲まれたダイパッドの表面及び裏
面に、１〜３０μｍの厚さを有するアルミニウム（Ａ
ｌ）か、アルミニウム或いは珪素の酸化物（Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ）からなる溶射被膜を形成してなるこ
とを特徴とするリードフレームである。
に本発明は、リードで囲まれたダイパッドの表面及び裏
面に、１〜３０μｍの厚さを有するアルミニウム（Ａ
ｌ）か、アルミニウム或いは珪素の酸化物（Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ）からなる溶射被膜を形成してなるこ
とを特徴とするリードフレームである。
【００１０】以下に本発明を図に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。図１は本発明リードフレーム１の断面
を示すものであって、リード２に囲まれたダイパッド３
の裏面３ａおよび表面３ｂの両面に溶射皮膜４ａおよび
４ｂをコーティングしている。図２は、図１に示すリー
ドフレームの改良であり、ダイパッド３の外にリード
２，２の裏面２ａおよび２ｂの両面にも溶射皮膜４ｃ，
４ｄをコーティングしている。以下の説明は図１の構成
を主体に行う。
詳細に説明する。図１は本発明リードフレーム１の断面
を示すものであって、リード２に囲まれたダイパッド３
の裏面３ａおよび表面３ｂの両面に溶射皮膜４ａおよび
４ｂをコーティングしている。図２は、図１に示すリー
ドフレームの改良であり、ダイパッド３の外にリード
２，２の裏面２ａおよび２ｂの両面にも溶射皮膜４ｃ，
４ｄをコーティングしている。以下の説明は図１の構成
を主体に行う。
【００１１】溶射皮膜は、ノズルより噴射される溶融粒
子がダイパッド３の表面に飛着して凝固し、更に凝固し
た粒子上に溶融粒子が被着して被覆層を形成する。この
際固着した粒子間には空隙が構成され、皮膜表面は全体
的にポーラスになる。従って、表面積が大きくモールド
樹脂との密着性が良好となる。このような目的を達成す
る溶射被覆材料としてはＡｌ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2の
何れかを使用する。すなわち、これらの材料は溶射が容
易であり、しかも、溶射の接合強度および樹脂と溶射膜
の接着強度が共に大であって、所期の目的を容易に達成
できるからである。
子がダイパッド３の表面に飛着して凝固し、更に凝固し
た粒子上に溶融粒子が被着して被覆層を形成する。この
際固着した粒子間には空隙が構成され、皮膜表面は全体
的にポーラスになる。従って、表面積が大きくモールド
樹脂との密着性が良好となる。このような目的を達成す
る溶射被覆材料としてはＡｌ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2の
何れかを使用する。すなわち、これらの材料は溶射が容
易であり、しかも、溶射の接合強度および樹脂と溶射膜
の接着強度が共に大であって、所期の目的を容易に達成
できるからである。
【００１２】本発明においてはダイパッド３の表裏両面
に溶射皮膜をコーティングするのであるが、片面のみに
コーティングした場合には、ダイパッド３と溶射皮膜４
との熱膨張係数の差異によりダイパッド３に反りが発生
する。例えば、４２合金よりなるダイパッド３に、Ａｌ
を溶射した場合には、Ａｌの熱膨張係数は４２合金のほ
ぼ４．５倍であるためＡｌ溶射コーティング側に反り曲
がる。また、Ｃｕからなるダイパッド３の片面にＡｌ2
Ｏ3 を溶射コーティングした場合には、逆にＣｕの無被
覆面側に反りが発生する。図５は、ダイパッド３の裏面
３ａにＡｌ2 Ｏ3 を溶射コーティングしたリードフレー
ムを用い、該ダイパッド３の無被覆面３ｂに半導体チッ
プ５を載置し、リード２とボンディングワイヤ６で接続
した半導体装置を樹脂モールド７した装置を示している
が、片面溶射コーティングしたダイパッド３が反り曲が
っており、組立ても困難である上、モールド樹脂との接
着が極めて不安定になっている。
に溶射皮膜をコーティングするのであるが、片面のみに
コーティングした場合には、ダイパッド３と溶射皮膜４
との熱膨張係数の差異によりダイパッド３に反りが発生
する。例えば、４２合金よりなるダイパッド３に、Ａｌ
を溶射した場合には、Ａｌの熱膨張係数は４２合金のほ
ぼ４．５倍であるためＡｌ溶射コーティング側に反り曲
がる。また、Ｃｕからなるダイパッド３の片面にＡｌ2
Ｏ3 を溶射コーティングした場合には、逆にＣｕの無被
覆面側に反りが発生する。図５は、ダイパッド３の裏面
３ａにＡｌ2 Ｏ3 を溶射コーティングしたリードフレー
ムを用い、該ダイパッド３の無被覆面３ｂに半導体チッ
プ５を載置し、リード２とボンディングワイヤ６で接続
した半導体装置を樹脂モールド７した装置を示している
が、片面溶射コーティングしたダイパッド３が反り曲が
っており、組立ても困難である上、モールド樹脂との接
着が極めて不安定になっている。
【００１３】本発明はダイパッド３の表裏両面３ａ，３
ｂに同質の材料からなる溶射皮膜４ａ，４ｂを形成する
ため、図４に示すようにダイパッド３の変形は無く、極
めて安定した樹脂モールド７が可能となり、しかもポー
ラスな表面を有する溶射皮膜４とモールド樹脂が強固に
密着する。
ｂに同質の材料からなる溶射皮膜４ａ，４ｂを形成する
ため、図４に示すようにダイパッド３の変形は無く、極
めて安定した樹脂モールド７が可能となり、しかもポー
ラスな表面を有する溶射皮膜４とモールド樹脂が強固に
密着する。
【００１４】図３に本発明のリードフレーム１を溶射す
る方法の一例を示している。すなわち、リードフレーム
１は格納ラック８に収納されており、溶射装置９に自動
的に引き出される。溶射装置９には一対のマスク１０ａ
および１０ｂを、リードフレーム１が通過できる間隔を
設けて対向設置すると共に、この一対のマスク１０ａ，
１０ｂにはダイパッド３の露出部ｓを設けて、リードフ
レーム１の進行方向にタンデムに配置する。露出部ｓに
は、溶射ノズル１１と吸引フード１２を対向設置し、か
つこれらが各露出部ｓ毎に交互に逆方向になるように位
置せしめている。１３はリードフレームを収容する収納
ラックである。リードフレーム１は格納ラック８から自
動的に引き出され、マスク１０ａ，１０ｂ間を間欠的に
移動し、ダイパッド３が露出部に到達したときに停止し
てこの部分を一面毎に溶射コーティングを施す。この
際、リード２はマスク１０ａ，１０ｂでカバーされてい
るため、コーティングは遮蔽される。また、溶射時には
吸引フード１２のドラフトが作動し、ダイパッド３の反
溶射面への溶射粒子の回り込みを防止する。
る方法の一例を示している。すなわち、リードフレーム
１は格納ラック８に収納されており、溶射装置９に自動
的に引き出される。溶射装置９には一対のマスク１０ａ
および１０ｂを、リードフレーム１が通過できる間隔を
設けて対向設置すると共に、この一対のマスク１０ａ，
１０ｂにはダイパッド３の露出部ｓを設けて、リードフ
レーム１の進行方向にタンデムに配置する。露出部ｓに
は、溶射ノズル１１と吸引フード１２を対向設置し、か
つこれらが各露出部ｓ毎に交互に逆方向になるように位
置せしめている。１３はリードフレームを収容する収納
ラックである。リードフレーム１は格納ラック８から自
動的に引き出され、マスク１０ａ，１０ｂ間を間欠的に
移動し、ダイパッド３が露出部に到達したときに停止し
てこの部分を一面毎に溶射コーティングを施す。この
際、リード２はマスク１０ａ，１０ｂでカバーされてい
るため、コーティングは遮蔽される。また、溶射時には
吸引フード１２のドラフトが作動し、ダイパッド３の反
溶射面への溶射粒子の回り込みを防止する。
【００１５】上記方法によって形成する溶射皮膜４の厚
さは、あまり薄くなると密着効果がなくなるため少なく
とも１μｍは必要であり、また、３０μｍを超えて被覆
しても効果は飽和すると共にコスト増になるので３０μ
ｍを上限とする。
さは、あまり薄くなると密着効果がなくなるため少なく
とも１μｍは必要であり、また、３０μｍを超えて被覆
しても効果は飽和すると共にコスト増になるので３０μ
ｍを上限とする。
【００１６】以上本発明を、ダイパッドに溶射コーティ
ングした場合について説明したが、本発明はこれに限定
されることなく、リード部分にも溶射コーティングを施
してもよい。リード部の溶射コーティングの場合にも、
ダイパッドと同様の効果が得られる。特に、大チップで
小型パッケージに収納する場合にはリード部にも溶射し
た方が効果が大きい。
ングした場合について説明したが、本発明はこれに限定
されることなく、リード部分にも溶射コーティングを施
してもよい。リード部の溶射コーティングの場合にも、
ダイパッドと同様の効果が得られる。特に、大チップで
小型パッケージに収納する場合にはリード部にも溶射し
た方が効果が大きい。
【００１７】尚、リードフレーム、ダイパッドには、溶
射コーティングする前に予めこれらの表面をダル加工し
ておくことが好ましい。すなわち表面を粗面にすること
により、封止樹脂との接着性或いは無機被膜の接合力を
向上させることができる。この粗面形成は、例えば必要
部分をエッチング等の手段で行うことも可能である。
射コーティングする前に予めこれらの表面をダル加工し
ておくことが好ましい。すなわち表面を粗面にすること
により、封止樹脂との接着性或いは無機被膜の接合力を
向上させることができる。この粗面形成は、例えば必要
部分をエッチング等の手段で行うことも可能である。
【００１８】
【実施例】図３の工程で製造した本発明リードフレーム
を用いて、図４に示す態様の樹脂封止した半導体装置
を、温度３０℃、湿度８５％に保持した雰囲気に表１に
示す各種時間放置し、その後回路基盤へのハンダ付けと
同一条件である２１５℃×９０秒の加熱を行った。本発
明リードフレームにはダイパッドの表裏に溶射法でそれ
ぞれＡｌ2 Ｏ3 ，Ａｌ，ＳｉＯ2 の薄膜を被覆した。比
較のためにコーティングなしのものを同様に処理した。
加熱後の樹脂のクラック発生状況を調査した。結果を表
１に示す。
を用いて、図４に示す態様の樹脂封止した半導体装置
を、温度３０℃、湿度８５％に保持した雰囲気に表１に
示す各種時間放置し、その後回路基盤へのハンダ付けと
同一条件である２１５℃×９０秒の加熱を行った。本発
明リードフレームにはダイパッドの表裏に溶射法でそれ
ぞれＡｌ2 Ｏ3 ，Ａｌ，ＳｉＯ2 の薄膜を被覆した。比
較のためにコーティングなしのものを同様に処理した。
加熱後の樹脂のクラック発生状況を調査した。結果を表
１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１の検査結果において、分母は試料数、
分子はくラック発生試料数であり、これから明らかのよ
うに、本発明装置は加湿雰囲気で１６８時間経過後もく
ラックの発生が見られなかったが、無機コーティングな
しの比較試料では４８時間経過でクラックが発生し、そ
の後時間経過と共に多くの試料にくラックの発生が見ら
れた。
分子はくラック発生試料数であり、これから明らかのよ
うに、本発明装置は加湿雰囲気で１６８時間経過後もく
ラックの発生が見られなかったが、無機コーティングな
しの比較試料では４８時間経過でクラックが発生し、そ
の後時間経過と共に多くの試料にくラックの発生が見ら
れた。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、両面に溶
射コーティングによるＡｌ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 の薄
膜を被覆したダイパッド或いはリードを樹脂封止半導体
装置に使用することにより、封止樹脂との接着が非常に
強固になされ、水分を吸着しても接着が剥離したり破壊
が起こらず、そのため水分が界面に溜まることがないの
で従来問題になっていたリフロー実装時の水分の急激な
膨脹によるくラックの発生を防止できる。また接着剥離
も起きないのでダイパッドコーナーでの応力集中も無
く、極めて信頼性の高い半導体装置を提供できる。
射コーティングによるＡｌ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 の薄
膜を被覆したダイパッド或いはリードを樹脂封止半導体
装置に使用することにより、封止樹脂との接着が非常に
強固になされ、水分を吸着しても接着が剥離したり破壊
が起こらず、そのため水分が界面に溜まることがないの
で従来問題になっていたリフロー実装時の水分の急激な
膨脹によるくラックの発生を防止できる。また接着剥離
も起きないのでダイパッドコーナーでの応力集中も無
く、極めて信頼性の高い半導体装置を提供できる。
【００２２】さらに、上記材料の溶射に当たっては、他
のドライコーティングと比べて加工速度が早く、かつ素
地との密着性が良好であり、しかも安価に製造できるた
め、生産性およびコスト面でも実用上極めて有利であ
る。また、コーティング時にマスキングの活用で種々の
形状のコーティングが可能であるため、所望の形状を選
択できるという効用もある。
のドライコーティングと比べて加工速度が早く、かつ素
地との密着性が良好であり、しかも安価に製造できるた
め、生産性およびコスト面でも実用上極めて有利であ
る。また、コーティング時にマスキングの活用で種々の
形状のコーティングが可能であるため、所望の形状を選
択できるという効用もある。
【図１】本発明リードフレームの断面を示す図。
【図２】本発明リードフレームの他の例の断面を示す
図。
図。
【図３】本発明リードフレームの製造装置の一例を示す
断面説明図
断面説明図
【図４】本発明のリードフレームを使用した樹脂モール
ド半導体装置の断面説明図。
ド半導体装置の断面説明図。
【図５】本発明外のリードフレームを使用した樹脂モー
ルド半導体装置の断面説明図。
ルド半導体装置の断面説明図。
【図６】従来の樹脂モールド半導体装置の断面説明図。
１：リードフレーム ２：リード ３：ダイパッド ３ａ，３ｂ：表面、裏面 ４ａ，４ｂ：溶射皮膜 ５：半導体チップ ６：ボンディングワイヤ ７：モールド樹脂 ８：格納ラック ９：溶射装置 １０ａ，１０ｂ：マスク １１：溶射ノズル １２：吸引フード １３：収納ラック １４：電極パッド １５：はんだ １６：回路基板 １７：樹脂破壊 １８：接合材 １９：Ａｇメッキ
Claims (1)
- 【請求項１】 リードで囲まれたダイパッドの表面及び
裏面に、１〜３０μｍの厚さを有するアルミニウムか、
アルミニウム或いは珪素の酸化物からなる溶射被膜を形
成してなることを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4254977A JPH06112390A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4254977A JPH06112390A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112390A true JPH06112390A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17272502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4254977A Withdrawn JPH06112390A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112390A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011082389A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| WO2011145202A1 (ja) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
| WO2012086464A1 (ja) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 株式会社日立製作所 | パワーモジュールおよびパワーモジュール用リードフレーム |
| JP2014013931A (ja) * | 2013-09-12 | 2014-01-23 | Denso Corp | 半導体パッケージ |
| JP2014187180A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体装置用接合体、パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
-
1992
- 1992-09-24 JP JP4254977A patent/JPH06112390A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011082389A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| WO2011145202A1 (ja) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
| CN102652357A (zh) * | 2010-05-21 | 2012-08-29 | 丰田自动车株式会社 | 半导体装置 |
| US8436461B2 (en) | 2010-05-21 | 2013-05-07 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| CN102652357B (zh) * | 2010-05-21 | 2015-09-09 | 丰田自动车株式会社 | 半导体装置 |
| WO2012086464A1 (ja) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 株式会社日立製作所 | パワーモジュールおよびパワーモジュール用リードフレーム |
| JP2012134222A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Hitachi Ltd | パワーモジュールおよびパワーモジュール用リードフレーム |
| US9076780B2 (en) | 2010-12-20 | 2015-07-07 | Hitachi, Ltd. | Power module and lead frame for power module |
| JP2014187180A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体装置用接合体、パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
| JP2014013931A (ja) * | 2013-09-12 | 2014-01-23 | Denso Corp | 半導体パッケージ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |