JPH0252443A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

Info

Publication number
JPH0252443A
JPH0252443A JP63204378A JP20437888A JPH0252443A JP H0252443 A JPH0252443 A JP H0252443A JP 63204378 A JP63204378 A JP 63204378A JP 20437888 A JP20437888 A JP 20437888A JP H0252443 A JPH0252443 A JP H0252443A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
wire bonding
wire
film conductor
thick film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63204378A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Shimizu
晃一 清水
Ryuji Tanaka
龍二 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63204378A priority Critical patent/JPH0252443A/ja
Publication of JPH0252443A publication Critical patent/JPH0252443A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48455—Details of wedge bonds
    • H01L2224/48456—Shape
    • H01L2224/48458—Shape of the interface with the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8501—Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
    • H01L2224/85013—Plasma cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/858—Bonding techniques
    • H01L2224/8584—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置等における基板上に形成された厚
膜導体にワイヤボンディング手段によってワイヤを接続
するためのワイヤボンディング方法の改良に関するもの
である。
〔従来の技術〕
第３図はワイヤボンディングに供する従来の厚膜導体基
板、例えば金（Ａｕ）導体基板のワイヤボンディング接
続部の断面図であり、図において（１）は基板、（２）
はこの基板（１）上に形成された厚膜導体、（３）はこ
の導体（２）を形成する金属粒子、例えば金（Ａｕ）、
（４）はこの金属粒子（３）を結合させるガラス質で、
一般にＳｉＯ□が主成分である。（４ａ）は導体（２）
の表面に析出したガラス質、（５）はワイヤである。
上記の厚膜導体基板は、基板（１）上に厚膜導体ペース
トを塗布し、焼成して導体（２）を形成する。
このとき、厚膜ペースト中の金属粒子（３）はガラス質
（４）によって結合し、導体（２）を形成する。そして
導体（２）の表面にワイヤ（５）がワイヤボンディング
により接続する。
この場合、厚膜導体ペーストによる導体（２）の形成に
おいて、厚膜導体ペーストの成分であるガラス質（４）
は、厚膜導体ペーストが基板（１）に印刷された後の焼
成工程において基板（１）側にリッチとなり、導体（２
）と基板（１）とを接合する作用をしているが、一部は
金属粒子（３）間を充填し、さらに一部（４ａ）は導体
（２）の表面に析出する。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上のように形成される厚膜導体（２）に、金属間固相
反応によりワイヤ（５）をワイヤボンディングする場合
、導体（２）の表面に析出したガラス質（４ａ）が妨げ
となり、不安定な接続となったり、あるいは全く接続で
きない状態が発生する等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、導体表面に析出したガラス質を除去し、清浄
な金属粒子表面を露出させて安定なワイヤボンディング
を行うことができるワイヤボンディング方法を得ること
を目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
この発明のワイヤボンディング方法は、鋸板上に厚膜導
体ペーストを塗布し焼成して形成された厚膜導体とワイ
ヤボンディング用ワイヤを接続するワイヤボンディング
方法において、ワイヤボンディングに先立ち導体表面を
プラズマエツチングして導体表面に析出したガラス質を
除去し、ワイヤボンディングを行う方法である。
〔作　用〕
この発明のワイヤボンディング方法においては、基板上
に厚膜導体ペーストを塗布し焼成して厚膜導体を形成し
た後、ワイヤボンディングに先立ち厚膜導体の表面をプ
ラズマエツチングして、厚膜導体表面に析出したガラス
質を除去することにより、清浄な金属粒子表面を露出さ
せ、ワイヤボンディングを行う。
この発明においては、ワイヤボンディングされるべき厚
膜導体の表面に析出したガラス質が除去されるため、厚
膜導体の金属粒子とワイヤが充分に接触し、ワイヤボン
ディングが安定する。
〔実施例〕
第１図はこの発明の一実施例を示すワイヤボンディング
接続部の断面図であり、図において第３図と同一符号は
同一または相当部分を示す。基板（］、　）の表面に厚
膜導体ペーストを塗布し焼成して、金属粒子（３）とガ
ラス質（４）からなる厚膜導体（２）が形成される。導
体（２）の金属粒子（３）のワイヤ（５）と対向する表
面は、プラズマエツチングすることにより全面にわたっ
て表面が露出し、これによりワイヤボンディングによっ
て、　ワイヤ（５）との間で広い面積にわたり金属間固
相反応による接続がなされている。
第２図は厚膜導体表面のプラズマエツチングを説明する
断面図であり、導体（２）の表面に析出したガラス質（
４ａ）に対しフロン（ＣＦ４）から生じるフッ素遊離原
子（Ｆ＊）　（６）が ＳｉＯ□＋４Ｆ＊（遊隙原子）→ＳｉＦ４↑＋０□↑の
反応を生じ、導体（２）の表面に析出したガラス質（４
ａ）は５ｉＦｎ　（７）および０２（８）となって金属
粒子（３）の表面から除去される。
次に超音波熱圧着法によるワイヤボンディングを適用し
ワイヤを接続する。
なお上記実施例では金（Ａｕ）導体に対する超音波熱圧
着について説明したが、導体に使用する材料は他の金属
、例えば銀バラジュウム（ＡｇＰｄ）や銅（Ｃｕ）の場
合でも同様の効果が得られる。
また超音波熱圧着によるワイヤボンディングの他、熱圧
着および超音波方式のワイヤボンディングの場合でも同
様の効果がある。
さらに導体、の表面に酸化物が形成されている場合、こ
れを除去する効果も得られる。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、ワイヤボンディングに
先立って厚膜導体表面をプラズマエッチフグするように
したので、ワイヤボンディングを妨げるガラス質が除去
され、これによりワイヤボンディングの接続不良が少な
く、信頼性が向上する効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の実施例によるワイヤボンディング接
続部の断面図、第２図はプラズマエツチングを説明する
断面図、第３図は従来のワイヤボンディング接続部の断
面図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、（１）
は基板、（２）は厚膜導体、（３）は金属粒子、　（４
）。 （４ａ）はガラス質、（５）はワイヤである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基板上に厚膜導体ペーストを塗布し焼成して形成
    された厚膜導体とワイヤボンディング用ワイヤを接続す
    るワイヤボンディング方法において、ワイヤボンディン
    グに先立ち導体表面をプラズマエッチングして導体表面
    に析出したガラス質を除去し、ワイヤボンディングを行
    うことを特徴とするワイヤボンディング方法。
JP63204378A 1988-08-17 1988-08-17 ワイヤボンディング方法 Pending JPH0252443A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63204378A JPH0252443A (ja) 1988-08-17 1988-08-17 ワイヤボンディング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63204378A JPH0252443A (ja) 1988-08-17 1988-08-17 ワイヤボンディング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0252443A true JPH0252443A (ja) 1990-02-22

Family

ID=16489532

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63204378A Pending JPH0252443A (ja) 1988-08-17 1988-08-17 ワイヤボンディング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0252443A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3346492A3 (en) * 2017-01-05 2018-08-08 MediaTek Inc. Semiconductor chip package and fabrication method thereof
US10340259B2 (en) 2015-05-14 2019-07-02 Mediatek Inc. Method for fabricating a semiconductor package
US10685943B2 (en) 2015-05-14 2020-06-16 Mediatek Inc. Semiconductor chip package with resilient conductive paste post and fabrication method thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10340259B2 (en) 2015-05-14 2019-07-02 Mediatek Inc. Method for fabricating a semiconductor package
US10685943B2 (en) 2015-05-14 2020-06-16 Mediatek Inc. Semiconductor chip package with resilient conductive paste post and fabrication method thereof
EP3346492A3 (en) * 2017-01-05 2018-08-08 MediaTek Inc. Semiconductor chip package and fabrication method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6231819B2 (ja)
JPS62145758A (ja) パラジウムを用いる銅製ボンデイングパツドの酸化防止法
JP2772157B2 (ja) 半導体装置の配線方法
JPH0252443A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH058570B2 (ja)
JP2821623B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03101234A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0897072A (ja) 積層セラミックチップ型電子部品
JPH05198917A (ja) セラミックス配線基板の製造方法
GB2074793A (en) Thin film circuit assembly
JPS63122248A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2748530B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US7022251B2 (en) Methods for forming a conductor on a dielectric
JP2808401B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CA1153128A (en) Electrical circuit assemblies
JPH0998043A (ja) 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
JPH0373535A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH07211575A (ja) セラミックコンデンサ
JPS5815254A (ja) 半導体素子の製造方法
JPH05206098A (ja) 金属多層膜を有するセラミックス基材のエッチング方法
JP2583331B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02229433A (ja) 配線材料
JPH02140955A (ja) 半導体装置
JPS58161351A (ja) ガラス封止半導体装置
JPH01281757A (ja) ハンダバンプ製造方法