JPH05218265A - 半導体装置用複合リードフレーム - Google Patents
半導体装置用複合リードフレームInfo
- Publication number
- JPH05218265A JPH05218265A JP1722592A JP1722592A JPH05218265A JP H05218265 A JPH05218265 A JP H05218265A JP 1722592 A JP1722592 A JP 1722592A JP 1722592 A JP1722592 A JP 1722592A JP H05218265 A JPH05218265 A JP H05218265A
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- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- semiconductor device
- coupling agent
- silane coupling
- metal plate
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- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フレーム全域でパッケージ樹脂密着性が高く、
安価で信頼性の高いリードフレームを工業的に安定して
製作する。 【構成】ＩＣ等の半導体装置を搭載するアイランド部を
除去し、インナーリード１の下側に配した絶縁材３を介
して半導体装置搭載用の金属板４を固定した半導体装置
用複合リードフレームであって、インナーリード１、絶
縁材３および金属板４を含むリードフレーム全体に、こ
れらに施されたＡｇめっき２等の機能めっき部を含めて
全面にシランカップリング剤６を塗布する。これによ
り、ディップや噴射塗布等の安価かつ安定性の高い方法
でカップリング剤６の塗布が可能になり、パッケージ樹
脂密着性が向上すると共に、カップリング剤６を１〜１
００層程度にすることで機能めっき部での接続不良も確
実に解消できる。
安価で信頼性の高いリードフレームを工業的に安定して
製作する。 【構成】ＩＣ等の半導体装置を搭載するアイランド部を
除去し、インナーリード１の下側に配した絶縁材３を介
して半導体装置搭載用の金属板４を固定した半導体装置
用複合リードフレームであって、インナーリード１、絶
縁材３および金属板４を含むリードフレーム全体に、こ
れらに施されたＡｇめっき２等の機能めっき部を含めて
全面にシランカップリング剤６を塗布する。これによ
り、ディップや噴射塗布等の安価かつ安定性の高い方法
でカップリング剤６の塗布が可能になり、パッケージ樹
脂密着性が向上すると共に、カップリング剤６を１〜１
００層程度にすることで機能めっき部での接続不良も確
実に解消できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ等の半導体装置を搭
載する半導体装置用複合リードフレームに関するもので
ある。
載する半導体装置用複合リードフレームに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、Ｌｏｇｉｃ系ＩＣにおいては、演
算スピード、処理数の増大が開発の推進力である。これ
ら開発のポイントはＩＣ回路設計であるが、その回路を
安定して動作させる技術も合せて必要である。特に、Ｉ
Ｃの信号を外に伝える信号線での電気的雑音の低下およ
びＩＣで発生する熱の放散がＩＣを包むパッケージとし
て非常に重要な技術となってきた。
算スピード、処理数の増大が開発の推進力である。これ
ら開発のポイントはＩＣ回路設計であるが、その回路を
安定して動作させる技術も合せて必要である。特に、Ｉ
Ｃの信号を外に伝える信号線での電気的雑音の低下およ
びＩＣで発生する熱の放散がＩＣを包むパッケージとし
て非常に重要な技術となってきた。
【０００３】その試みの一つとして、ＩＣを搭載する部
分を熱伝導性の良い厚めの金属板とし、これをリードフ
レームのほぼ中央に貼り付ける構造が最近注目されるよ
うになった。この構造により金属板がＩＣで発生した熱
を効率良く熱拡散すると共に、金属板をアースに接続し
て電位的に安定させれば、信号線間の相互Ｃおよび相互
Ｌ成分を低下させる効果が期待され、電気雑音対策が可
能となる。
分を熱伝導性の良い厚めの金属板とし、これをリードフ
レームのほぼ中央に貼り付ける構造が最近注目されるよ
うになった。この構造により金属板がＩＣで発生した熱
を効率良く熱拡散すると共に、金属板をアースに接続し
て電位的に安定させれば、信号線間の相互Ｃおよび相互
Ｌ成分を低下させる効果が期待され、電気雑音対策が可
能となる。
【０００４】しかし、これら金属を内包した樹脂封止パ
ッケージでは、金属と樹脂との接触面積が従来のリード
フレームに較べて飛躍的に増大し、パッケージ封止性が
低下してしまう。そして、封止性が低下すると外部から
の水分がパッケージ内に容易に侵入し、ＩＣのパッドや
ボンディング線を腐食する恐れが急増するばかりでな
く、樹脂と金属の密着性が悪く、半田リフロー時にパッ
ケージクラックを起こし易くなるなど、ＩＣパッケージ
として致命的な事故につながる可能性が高い。
ッケージでは、金属と樹脂との接触面積が従来のリード
フレームに較べて飛躍的に増大し、パッケージ封止性が
低下してしまう。そして、封止性が低下すると外部から
の水分がパッケージ内に容易に侵入し、ＩＣのパッドや
ボンディング線を腐食する恐れが急増するばかりでな
く、樹脂と金属の密着性が悪く、半田リフロー時にパッ
ケージクラックを起こし易くなるなど、ＩＣパッケージ
として致命的な事故につながる可能性が高い。
【０００５】そこで、これらリードフレーム及び金属板
の表面に樹脂との密着性の良い化学処理を施し、樹脂封
止性を高くしたものがある。この樹脂封止性を高くする
科学処理としては、プライマーとして使用されるカップ
リング剤を代表に種々存在する。
の表面に樹脂との密着性の良い化学処理を施し、樹脂封
止性を高くしたものがある。この樹脂封止性を高くする
科学処理としては、プライマーとして使用されるカップ
リング剤を代表に種々存在する。
【０００６】カップリング剤を使用する一例としては、
リードフレーム等の機能めっき部に対して部分マスキン
グを施し、カップリング剤をリードフレーム等に塗布す
る方法が提案されている（特開平３−６２９５９）。こ
れにより、パッケージクラックの発生等を解消すること
ができる。
リードフレーム等の機能めっき部に対して部分マスキン
グを施し、カップリング剤をリードフレーム等に塗布す
る方法が提案されている（特開平３−６２９５９）。こ
れにより、パッケージクラックの発生等を解消すること
ができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構造の金
属板付きリードフレームは部分的に異なる厚みをもって
いるため、工業的に安定した安価なマスキング（例えば
ゴム等による機械的シールマスクなど）を用いることは
難しいという問題点がある。
属板付きリードフレームは部分的に異なる厚みをもって
いるため、工業的に安定した安価なマスキング（例えば
ゴム等による機械的シールマスクなど）を用いることは
難しいという問題点がある。
【０００８】また、上記方法では、パッケージの密着性
が高いレベルで要求されるインナーリード先端（ワイヤ
ボンティング近傍）やアウターリード近傍等はマスキン
グによりカプリング剤が塗布されないので、カップリン
グ剤を塗布する効果が半減するという問題点がある。
が高いレベルで要求されるインナーリード先端（ワイヤ
ボンティング近傍）やアウターリード近傍等はマスキン
グによりカプリング剤が塗布されないので、カップリン
グ剤を塗布する効果が半減するという問題点がある。
【０００９】本発明は以上の問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は金属板を有する複合リードフレームに
おいてパッケージの樹脂封止性を向上させる化学処理を
より安価かつ安定性の高い方法、すなわちディップや噴
射塗布等で行うことを可能とし、最終的に全域で密着性
が高く、安価で信頼性の高いリードフレームを工業的に
安定して製作することにある。
ので、その目的は金属板を有する複合リードフレームに
おいてパッケージの樹脂封止性を向上させる化学処理を
より安価かつ安定性の高い方法、すなわちディップや噴
射塗布等で行うことを可能とし、最終的に全域で密着性
が高く、安価で信頼性の高いリードフレームを工業的に
安定して製作することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、ＩＣ等の半導体装置を搭載するアイランド
部を除去し、インナーリードの下側に配した絶縁層を介
して半導体装置搭載用の金属板を固定した半導体装置用
複合リードフレームにおいて、上記インナーリード、絶
縁層および金属板を含むリードフレームに、これらに施
された機能めっき部も含めて全面にシランカップリング
剤を塗布したことを特徴とする。
に本発明は、ＩＣ等の半導体装置を搭載するアイランド
部を除去し、インナーリードの下側に配した絶縁層を介
して半導体装置搭載用の金属板を固定した半導体装置用
複合リードフレームにおいて、上記インナーリード、絶
縁層および金属板を含むリードフレームに、これらに施
された機能めっき部も含めて全面にシランカップリング
剤を塗布したことを特徴とする。
【００１１】
【作用】Ｓｉを含むシランカップリング剤は有機成分を
有するが、Ａｇめっき面や、アウターリード部に１〜１
００層程度塗布した場合には、それらＡｇめっき面等の
機能はほとんど低下しない。本発明はこの特徴を利用し
たものである。
有するが、Ａｇめっき面や、アウターリード部に１〜１
００層程度塗布した場合には、それらＡｇめっき面等の
機能はほとんど低下しない。本発明はこの特徴を利用し
たものである。
【００１２】即ち、例えばＡｇめっき面のワイヤボンデ
ィングは一般に超音波を負荷してＡｇめっき面とＡｕワ
イヤ面とをその接合部で機械的に破壊して新しい金属面
を出し接合する。このため、１〜１００層程度のシラン
カップリング剤では、超音波振動数及び温度の各条件を
適宜設定することで、特にワイヤボンディング性を低下
させることはほとんどない。一方、アウターリード部で
は、モールド後電気めっき、溶融めっき処理をするが、
電気めっき時には通常行われている電解脱脂等により、
また溶融めっきではこの溶融めっき前のプライマー処理
時又は溶融めっきで加熱される際に、シランカップリン
グ剤は分解する。このため、半田濡れ性等にはほとんど
影響がない。
ィングは一般に超音波を負荷してＡｇめっき面とＡｕワ
イヤ面とをその接合部で機械的に破壊して新しい金属面
を出し接合する。このため、１〜１００層程度のシラン
カップリング剤では、超音波振動数及び温度の各条件を
適宜設定することで、特にワイヤボンディング性を低下
させることはほとんどない。一方、アウターリード部で
は、モールド後電気めっき、溶融めっき処理をするが、
電気めっき時には通常行われている電解脱脂等により、
また溶融めっきではこの溶融めっき前のプライマー処理
時又は溶融めっきで加熱される際に、シランカップリン
グ剤は分解する。このため、半田濡れ性等にはほとんど
影響がない。
【００１３】従って、シラン系カップリング剤を用いる
ことにより、従来技術のようなマスキングを必要とせ
ず、ディップ又は噴射塗布等により大量処理が可能な安
定した化学処理を容易に行うことができるようになる。
さらに、パッケージ樹脂密着性が向上する。
ことにより、従来技術のようなマスキングを必要とせ
ず、ディップ又は噴射塗布等により大量処理が可能な安
定した化学処理を容易に行うことができるようになる。
さらに、パッケージ樹脂密着性が向上する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
【００１５】図１は本実施例の半導体装置用複合リード
フレームの具体的構造を示す横断面図である。図中の１
は周囲から一点に集中するように配設されたインナーリ
ードで、このインナーリード１の内側先端部にワイヤボ
ンディング用のＡｇめっき２が施されている。インナー
リード１先端の下側部には接着性の絶縁材３が取付けら
れ、この絶縁材３の下側に熱伝導性に優れた銅系の金属
板４が取付けられている。そして、これらインナーリー
ド１、絶縁材３及び金属板４でデバイスホール５が形成
されている。
フレームの具体的構造を示す横断面図である。図中の１
は周囲から一点に集中するように配設されたインナーリ
ードで、このインナーリード１の内側先端部にワイヤボ
ンディング用のＡｇめっき２が施されている。インナー
リード１先端の下側部には接着性の絶縁材３が取付けら
れ、この絶縁材３の下側に熱伝導性に優れた銅系の金属
板４が取付けられている。そして、これらインナーリー
ド１、絶縁材３及び金属板４でデバイスホール５が形成
されている。
【００１６】以上の構成の複合リードフレームにおい
て、シランカップリング剤６はインナーリード１、絶縁
材３及び金属板４を含むリードフレームの全面に塗布さ
れる。さらに、このシランカップリング剤６は機能めっ
き部（Ａｇめっき２及び図示しないアウターリード側の
半田めっき部等）にも塗布される。
て、シランカップリング剤６はインナーリード１、絶縁
材３及び金属板４を含むリードフレームの全面に塗布さ
れる。さらに、このシランカップリング剤６は機能めっ
き部（Ａｇめっき２及び図示しないアウターリード側の
半田めっき部等）にも塗布される。
【００１７】このシランカップリング剤の塗布は次によ
うにして行う。上記構成の複合リードフレームをシラン
カップリング剤を適量溶解したアルコール液中に約２秒
間ディップした後、４０℃で乾燥する。
うにして行う。上記構成の複合リードフレームをシラン
カップリング剤を適量溶解したアルコール液中に約２秒
間ディップした後、４０℃で乾燥する。
【００１８】次いで、デバイスホール５に半導体装置
（図示せず）を搭載し、この半導体装置と各インナーリ
ード１とをワイヤボンディングで結線する。このワイヤ
ボンディングは超音波を用いて行う。即ち、ボンディン
グワイヤとしてのＡｕワイヤ（図示せず）をＡｇめっき
２に当接して超音波振動を加え、これらの接合部で互い
の当接面を機械的に破壊して新しい金属面を出し接合す
る。このとき、Ａｇめっき２の面に塗布したシランカッ
プリング剤は破壊されてＡｕワイヤとの接続部分のみ取
り除かれ、確実に結線される。なお、超音波振動数及び
温度の各条件はシランカップリング剤の塗布層の厚さ等
に合せて適宜設定する。
（図示せず）を搭載し、この半導体装置と各インナーリ
ード１とをワイヤボンディングで結線する。このワイヤ
ボンディングは超音波を用いて行う。即ち、ボンディン
グワイヤとしてのＡｕワイヤ（図示せず）をＡｇめっき
２に当接して超音波振動を加え、これらの接合部で互い
の当接面を機械的に破壊して新しい金属面を出し接合す
る。このとき、Ａｇめっき２の面に塗布したシランカッ
プリング剤は破壊されてＡｕワイヤとの接続部分のみ取
り除かれ、確実に結線される。なお、超音波振動数及び
温度の各条件はシランカップリング剤の塗布層の厚さ等
に合せて適宜設定する。
【００１９】一方、アウターリード部には電気めっき又
は溶融めっき処理を施す。この場合において、電気めっ
き時には通常行われている電解脱脂等により、シランカ
ップリング剤は分解する。また溶融めっきではこの溶融
めっき前に施すプライマー処理時又は溶融めっきで加熱
され、シランカップリング剤は分解する。これにより、
半田濡れ性には影響がなく、確実に結線される。
は溶融めっき処理を施す。この場合において、電気めっ
き時には通常行われている電解脱脂等により、シランカ
ップリング剤は分解する。また溶融めっきではこの溶融
めっき前に施すプライマー処理時又は溶融めっきで加熱
され、シランカップリング剤は分解する。これにより、
半田濡れ性には影響がなく、確実に結線される。
【００２０】以上のようにしてシラン系カップリング剤
を用いることにより、従来技術のようなマスキングを必
要とせず、ディップにより大量処理が可能な安定した化
学処理が可能になる。
を用いることにより、従来技術のようなマスキングを必
要とせず、ディップにより大量処理が可能な安定した化
学処理が可能になる。
【００２１】さらに、Ａｇめっき２等の機能めっき部に
もシランカップリング剤が確実に塗布されているので、
パッケージ樹脂密着性が大幅に向上する。このとき、機
能めっき部へのシランカップリング剤の塗布による結線
時の接続不良も確実に防止できる。
もシランカップリング剤が確実に塗布されているので、
パッケージ樹脂密着性が大幅に向上する。このとき、機
能めっき部へのシランカップリング剤の塗布による結線
時の接続不良も確実に防止できる。
【００２２】なお、前記シランカップリング剤の塗布層
は均一な１層構造とするのが望ましい。これは、複数の
結合層が発生すると、その結合層から結合の手がはな
れ、一般に樹脂との密着性は低下する傾向にあるためで
ある。
は均一な１層構造とするのが望ましい。これは、複数の
結合層が発生すると、その結合層から結合の手がはな
れ、一般に樹脂との密着性は低下する傾向にあるためで
ある。
【００２３】このシランカップリング剤の塗布層は、密
着性および後処理での機能めっき部に対するダメージの
大きさの観点から１００層以下とすることが望ましい。
着性および後処理での機能めっき部に対するダメージの
大きさの観点から１００層以下とすることが望ましい。
【００２４】さらに、シランカップリング剤の塗布方法
としては、ディップに限らず、噴射塗布等の他の手段で
もよい。
としては、ディップに限らず、噴射塗布等の他の手段で
もよい。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の半導体装置
用複合リードフレームによれば、以下の効果を奏する。
用複合リードフレームによれば、以下の効果を奏する。
【００２６】（１） 従来カップリング処理しなかった
Ａｇめっき面等の機能めっき面を含めて半導体装置用複
合リードフレームの全面にシランカップリング剤を塗布
するので、パッケージ内の全域で樹脂封止性の良いフレ
ームが得られる。この場合にシランカップリング剤を１
〜１００層程度にすることで機能めっき部での接続不良
を確実に解消できる。
Ａｇめっき面等の機能めっき面を含めて半導体装置用複
合リードフレームの全面にシランカップリング剤を塗布
するので、パッケージ内の全域で樹脂封止性の良いフレ
ームが得られる。この場合にシランカップリング剤を１
〜１００層程度にすることで機能めっき部での接続不良
を確実に解消できる。
【００２７】（２） 金属板を積層した複合リードフレ
ームにおいても、パッケージ内の全域で樹脂封止性の良
いフレームが得られる。
ームにおいても、パッケージ内の全域で樹脂封止性の良
いフレームが得られる。
【００２８】（３） 従来のように製造コスト、製造歩
留りの面で問題のある部分マスクを使用する必要がな
く、安価で安定性の高い方法、すなわちディップや噴射
塗布等でシランカップリング剤の塗布が行えるので、製
造コストが低減すると共に製造歩留り率が向上し、製品
コストの低減が図れる。
留りの面で問題のある部分マスクを使用する必要がな
く、安価で安定性の高い方法、すなわちディップや噴射
塗布等でシランカップリング剤の塗布が行えるので、製
造コストが低減すると共に製造歩留り率が向上し、製品
コストの低減が図れる。
【図１】本発明の半導体装置用複合リードフレームの実
施例を示す横断面図である。
施例を示す横断面図である。
１ インナーリード ２ Ａｇめっき ３ 絶縁材 ４ 金属板 ５ デバイスホール ６ シランカップリング剤
Claims (1)
- 【請求項１】ＩＣ等の半導体装置を搭載するアイランド
部を除去し、インナーリードの下側に配した絶縁層を介
して半導体装置搭載用の金属板を固定した半導体装置用
複合リードフレームにおいて、上記インナーリード、絶
縁層および金属板を含むリードフレームに、これらに施
された機能めっき部も含めて全面にシランカップリング
剤を塗布したことを特徴とする半導体装置用複合リード
フレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1722592A JPH05218265A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 半導体装置用複合リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1722592A JPH05218265A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 半導体装置用複合リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218265A true JPH05218265A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11938011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1722592A Pending JPH05218265A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 半導体装置用複合リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218265A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831985A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-02-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2018037639A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ、及び半導体パッケージの製造方法 |
| CN111176039A (zh) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 乐金显示有限公司 | 显示面板和显示设备 |
-
1992
- 1992-02-03 JP JP1722592A patent/JPH05218265A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831985A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-02-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| EP0691681A3 (en) * | 1994-07-05 | 1996-05-01 | Ibm | Semiconductor package |
| JP2018037639A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ、及び半導体パッケージの製造方法 |
| CN111176039A (zh) * | 2018-11-09 | 2020-05-19 | 乐金显示有限公司 | 显示面板和显示设备 |
| CN111176039B (zh) * | 2018-11-09 | 2023-01-24 | 乐金显示有限公司 | 显示面板和显示设备 |
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