JPH0831985A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造コストを低減しつつ、半導体装置の熱放
散性を良好な状態に長期間維持する。 【構成】 ヒートシンク２２をアルカリ脱脂した後に水
洗処理して乾燥することにより、ヒートシンク２２を水
酸化処理する。この後、希釈したシランカップリング剤
をヒートシンク２２の表面に付けて、ヒートシンク２２
を乾燥し、シランカップリング剤の層Ａをヒートシンク
２２の表面に設ける。さらに、ダイパッド１６に搭載さ
れたチップ１２及び、ワイヤ２０でこのチップ１２に接
続された状態のリードフレーム１８等を金型内に置くと
共に、ヒートシンク２２をこの金型内に置き、成形加工
することにより半導体装置１０が製造される。
散性を良好な状態に長期間維持する。 【構成】 ヒートシンク２２をアルカリ脱脂した後に水
洗処理して乾燥することにより、ヒートシンク２２を水
酸化処理する。この後、希釈したシランカップリング剤
をヒートシンク２２の表面に付けて、ヒートシンク２２
を乾燥し、シランカップリング剤の層Ａをヒートシンク
２２の表面に設ける。さらに、ダイパッド１６に搭載さ
れたチップ１２及び、ワイヤ２０でこのチップ１２に接
続された状態のリードフレーム１８等を金型内に置くと
共に、ヒートシンク２２をこの金型内に置き、成形加工
することにより半導体装置１０が製造される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パッケージとなるモー
ルドへのヒートシンクの接着性を向上した半導体装置及
び半導体装置の製造方法に関する。
ルドへのヒートシンクの接着性を向上した半導体装置及
び半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体素子には作動中に発熱
するものがあり、このように半導体素子が発熱する場
合、効率良く冷却する必要が生じる。この為、半導体素
子を封止するモールド内に放熱のためのヒートシンクを
埋め込んだ構造の半導体装置が知られている。
するものがあり、このように半導体素子が発熱する場
合、効率良く冷却する必要が生じる。この為、半導体素
子を封止するモールド内に放熱のためのヒートシンクを
埋め込んだ構造の半導体装置が知られている。
【０００３】そして、ヒートシンクのモールドとの間の
接着力を維持して水分の接着部分からの浸入を阻止しつ
つヒートシンクをモールド内に配置する必要から、半導
体装置の製造に際して、従来より種々の方法が考えられ
ていた。
接着力を維持して水分の接着部分からの浸入を阻止しつ
つヒートシンクをモールド内に配置する必要から、半導
体装置の製造に際して、従来より種々の方法が考えられ
ていた。
【０００４】ここで、従来技術の半導体装置の製造方法
を図３から図５に基づき説明する。例えば、まず図３
（ａ）に示すように、予めヒートシンク１１８より少し
大きめの空間１２０を設けたモールド１１４を成形加工
することにより、リードフレーム１１６と接続されたチ
ップ１１２を封止する。そして、その後、図３（ｂ）に
示すように、ヒートシンク１１８をこの空間１２０内に
置き、モールド１１４とヒートシンク１１８との間の空
隙に接着材となる樹脂１２２を流し込んで、ヒートシン
ク１１８をこの空間１２０内に固定する。
を図３から図５に基づき説明する。例えば、まず図３
（ａ）に示すように、予めヒートシンク１１８より少し
大きめの空間１２０を設けたモールド１１４を成形加工
することにより、リードフレーム１１６と接続されたチ
ップ１１２を封止する。そして、その後、図３（ｂ）に
示すように、ヒートシンク１１８をこの空間１２０内に
置き、モールド１１４とヒートシンク１１８との間の空
隙に接着材となる樹脂１２２を流し込んで、ヒートシン
ク１１８をこの空間１２０内に固定する。
【０００５】しかし、この図３に示す第１の製造方法で
は、モールド１１４の成形加工後にヒートシンク１１８
を空間１２０内に置き、さらに、モールド１１４とヒー
トシンク１１８との間に樹脂１２２を流し込む等の特別
な工程が必要となり、半導体装置の製造コストが高くな
る欠点を有してした。
は、モールド１１４の成形加工後にヒートシンク１１８
を空間１２０内に置き、さらに、モールド１１４とヒー
トシンク１１８との間に樹脂１２２を流し込む等の特別
な工程が必要となり、半導体装置の製造コストが高くな
る欠点を有してした。
【０００６】また、図４（ａ）に示すように、リードフ
レーム１３６にヒートスプレッダ１４２を両面テープ１
４４で貼り合わせたものを通常のリードフレームと同様
に扱って、図４（ｂ）に示すように、リードフレーム１
３６と接続されたチップ１３２をこのヒートスプレッダ
１４２に載せつつ樹脂材料により形成されたモールド１
３４内に封止する。
レーム１３６にヒートスプレッダ１４２を両面テープ１
４４で貼り合わせたものを通常のリードフレームと同様
に扱って、図４（ｂ）に示すように、リードフレーム１
３６と接続されたチップ１３２をこのヒートスプレッダ
１４２に載せつつ樹脂材料により形成されたモールド１
３４内に封止する。
【０００７】しかし、この図４に示す第２の製造方法で
は、リードフレーム１３６のコストが高くなる結果とし
て、半導体装置の製造コストが高くなると共に、一般的
なヒートシンクのように半導体装置から露出させたもの
と比較して熱放散の効率が悪くなる欠点を有してした。
は、リードフレーム１３６のコストが高くなる結果とし
て、半導体装置の製造コストが高くなると共に、一般的
なヒートシンクのように半導体装置から露出させたもの
と比較して熱放散の効率が悪くなる欠点を有してした。
【０００８】さらに、第３の製造方法として、図５に示
すような形状のヒートシンク１５２を予め図示しない金
型内に置いて、モールド（図示せず）を成形加工して、
このヒートシンク１５２をモールド内に埋め込む方法が
考えられる。
すような形状のヒートシンク１５２を予め図示しない金
型内に置いて、モールド（図示せず）を成形加工して、
このヒートシンク１５２をモールド内に埋め込む方法が
考えられる。
【０００９】しかし、この第３の製造方法では、ヒート
シンク１５２とモールドとの間の接着力を維持する為、
ヒートシンク１５２を図５に示すような複雑な形状に加
工する必要が生じ、結果として、ヒートシンク１５２の
コストが高くなって、半導体装置の製造コストが高くな
る欠点を有してした。
シンク１５２とモールドとの間の接着力を維持する為、
ヒートシンク１５２を図５に示すような複雑な形状に加
工する必要が生じ、結果として、ヒートシンク１５２の
コストが高くなって、半導体装置の製造コストが高くな
る欠点を有してした。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事実を考
慮し、製造コストを低減しつつ、熱放散性を良好な状態
に長期間維持することのできる半導体装置及び半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
慮し、製造コストを低減しつつ、熱放散性を良好な状態
に長期間維持することのできる半導体装置及び半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製造方法は、半導体素子を内蔵した半導体装置を製造
する半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子が
発生する熱を逃がす金属製のヒートシンクの表面を水酸
化処理した後、このヒートシンクの表面にシランカップ
リング剤の層を設け、この後、前記ヒートシンクの周囲
に樹脂材料を成形して、樹脂製のモールド内に前記ヒー
トシンクを埋め込む、ことを特徴とする。
の製造方法は、半導体素子を内蔵した半導体装置を製造
する半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子が
発生する熱を逃がす金属製のヒートシンクの表面を水酸
化処理した後、このヒートシンクの表面にシランカップ
リング剤の層を設け、この後、前記ヒートシンクの周囲
に樹脂材料を成形して、樹脂製のモールド内に前記ヒー
トシンクを埋め込む、ことを特徴とする。
【００１２】本発明による半導体装置の製造方法では、
前記ヒートシンクの表面に、γ−アミノプロピル−トリ
−エトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−ア
ミノ−プロピル−トリメトキシ−シラン、β−（３，４
−エポキシ−シクロヘキシル）エチル−トリメトキシ−
シラン、或いはγ−グリシドキシ−プロピルトリメトキ
シ−シランのいずれか一つを含むシランカップリング剤
の層を設けることによって、前記ヒートシンクの表面に
シランカップリング剤の層を設けることが好ましい。
前記ヒートシンクの表面に、γ−アミノプロピル−トリ
−エトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−ア
ミノ−プロピル−トリメトキシ−シラン、β−（３，４
−エポキシ−シクロヘキシル）エチル−トリメトキシ−
シラン、或いはγ−グリシドキシ−プロピルトリメトキ
シ−シランのいずれか一つを含むシランカップリング剤
の層を設けることによって、前記ヒートシンクの表面に
シランカップリング剤の層を設けることが好ましい。
【００１３】本発明による半導体装置の製造方法では、
前記ヒートシンクをアルカリ溶液に浸漬した後に水洗処
理して乾燥することによって、前記ヒートシンクの表面
を水酸化処理することが好ましい。
前記ヒートシンクをアルカリ溶液に浸漬した後に水洗処
理して乾燥することによって、前記ヒートシンクの表面
を水酸化処理することが好ましい。
【００１４】本発明による半導体装置は、樹脂製のモー
ルドに、半導体素子が内蔵されると共に前記半導体素子
が発生する熱を逃がす金属製のヒートシンクが埋め込ま
れた半導体装置であって、前記ヒートシンクの表面にシ
ランカップリング剤の層を設けたことを特徴とする。
ルドに、半導体素子が内蔵されると共に前記半導体素子
が発生する熱を逃がす金属製のヒートシンクが埋め込ま
れた半導体装置であって、前記ヒートシンクの表面にシ
ランカップリング剤の層を設けたことを特徴とする。
【００１５】本発明による半導体装置は、樹脂製のモー
ルドに、半導体素子が内蔵されると共に前記半導体素子
が発生する熱を逃がす金属製のヒートシンクが埋め込ま
れた半導体装置であって、前記ヒートシンクの表面に、
γ−アミノプロピル−トリ−エトキシシラン、Ｎ−β−
（アミノエチル）−γ−アミノ−プロピル−トリメトキ
シ−シラン、β−（３，４−エポキシ−シクロヘキシ
ル）エチル−トリメトキシ−シラン、或いはγ−グリシ
ドキシ−プロピルトリメトキシ−シランのいずれか一つ
を含むシランカップリング剤の層を設けたことを特徴と
する。
ルドに、半導体素子が内蔵されると共に前記半導体素子
が発生する熱を逃がす金属製のヒートシンクが埋め込ま
れた半導体装置であって、前記ヒートシンクの表面に、
γ−アミノプロピル−トリ−エトキシシラン、Ｎ−β−
（アミノエチル）−γ−アミノ−プロピル−トリメトキ
シ−シラン、β−（３，４−エポキシ−シクロヘキシ
ル）エチル−トリメトキシ−シラン、或いはγ−グリシ
ドキシ−プロピルトリメトキシ−シランのいずれか一つ
を含むシランカップリング剤の層を設けたことを特徴と
する。
【００１６】本発明による半導体装置は、樹脂製のモー
ルドに、半導体素子が内蔵されると共に前記半導体素子
が発生する熱を逃がす金属製のヒートシンクが埋め込ま
れた半導体装置であって、アルカリ溶液で水酸化処理し
た前記ヒートシンクの表面に、シランカップリング剤の
層を設けたことを特徴とする。
ルドに、半導体素子が内蔵されると共に前記半導体素子
が発生する熱を逃がす金属製のヒートシンクが埋め込ま
れた半導体装置であって、アルカリ溶液で水酸化処理し
た前記ヒートシンクの表面に、シランカップリング剤の
層を設けたことを特徴とする。
【００１７】本発明による半導体装置は、樹脂製のモー
ルドに、半導体素子が内蔵されると共に前記半導体素子
が発生する熱を逃がす金属製のヒートシンクが埋め込ま
れた半導体装置であって、前記ヒートシンクが単純な形
状により形成されて、表面にシランカップリング剤の層
が設けられたことを特徴とする。
ルドに、半導体素子が内蔵されると共に前記半導体素子
が発生する熱を逃がす金属製のヒートシンクが埋め込ま
れた半導体装置であって、前記ヒートシンクが単純な形
状により形成されて、表面にシランカップリング剤の層
が設けられたことを特徴とする。
【００１８】
【作用】本発明に係る半導体装置の製造方法の作用を以
下に説明する。
下に説明する。
【００１９】金属製のヒートシンクの表面を水酸化処理
してから、このヒートシンクの表面にシランカップリン
グ剤の層を設け、さらに、ヒートシンクの周囲に樹脂材
料を成形して、樹脂製のモールド内にヒートシンクを埋
め込むようにしたので、ヒートシンクとモールドとの間
の接着力が強化される。
してから、このヒートシンクの表面にシランカップリン
グ剤の層を設け、さらに、ヒートシンクの周囲に樹脂材
料を成形して、樹脂製のモールド内にヒートシンクを埋
め込むようにしたので、ヒートシンクとモールドとの間
の接着力が強化される。
【００２０】このように接着力が強化されたことによ
り、半導体装置の耐熱応力性や耐湿性が向上し、結果と
して、他のヒートシンク埋め込み型の半導体装置と同等
以上の信頼性が得られ、熱放散性等の熱特性の劣化も長
期間防ぐことができる。
り、半導体装置の耐熱応力性や耐湿性が向上し、結果と
して、他のヒートシンク埋め込み型の半導体装置と同等
以上の信頼性が得られ、熱放散性等の熱特性の劣化も長
期間防ぐことができる。
【００２１】また、ヒートシンクの形状も単純にでき、
半導体装置の低コスト化を図ることができる。
半導体装置の低コスト化を図ることができる。
【００２２】本発明に係る半導体装置の作用を以下に説
明する。樹脂製のモールドに、半導体素子が内蔵される
と共に表面にシランカップリング剤の層を設けたヒート
シンクが埋め込まれている。
明する。樹脂製のモールドに、半導体素子が内蔵される
と共に表面にシランカップリング剤の層を設けたヒート
シンクが埋め込まれている。
【００２３】この為、モールドとヒートシンクとの間の
接着力が強化され、半導体装置の耐熱応力性や耐湿性が
向上し、結果として、上記と同様に熱放散性等の熱特性
の劣化も長期間防ぐことができる。そして、ヒートシン
クの形状も単純にでき、半導体装置の低コスト化を図る
ことができる。
接着力が強化され、半導体装置の耐熱応力性や耐湿性が
向上し、結果として、上記と同様に熱放散性等の熱特性
の劣化も長期間防ぐことができる。そして、ヒートシン
クの形状も単純にでき、半導体装置の低コスト化を図る
ことができる。
【００２４】
【実施例】本発明に係る半導体装置及び半導体装置の製
造方法の一実施例を図１及び図２に基づき説明する。
造方法の一実施例を図１及び図２に基づき説明する。
【００２５】図１に示すように、本実施例に係る半導体
装置１０の外枠を構成する合成樹脂製のモールド１４の
中心部には、上端側を板状に形成されたダイパッド１６
に接着された状態で、半導体素子であるチップ１２が封
入されていて、先端側がモールド１４外に突出したリー
ドフレーム１８の基端側が、ワイヤ２０を介してこのチ
ップ１２と接続されている。
装置１０の外枠を構成する合成樹脂製のモールド１４の
中心部には、上端側を板状に形成されたダイパッド１６
に接着された状態で、半導体素子であるチップ１２が封
入されていて、先端側がモールド１４外に突出したリー
ドフレーム１８の基端側が、ワイヤ２０を介してこのチ
ップ１２と接続されている。
【００２６】このダイパッド１６の上部のモールド１４
内には、上面側が外部に露出した状態で、熱伝導性の良
好なアルミニウム、銅、或いはこれら金属の合金等によ
り構成された円板状のヒートシンク２２（図２に示す）
が、配置されている。尚、ここでダイパッド１６は、リ
ードフレーム１８と同様の金属材料で構成されているも
のが適用される。
内には、上面側が外部に露出した状態で、熱伝導性の良
好なアルミニウム、銅、或いはこれら金属の合金等によ
り構成された円板状のヒートシンク２２（図２に示す）
が、配置されている。尚、ここでダイパッド１６は、リ
ードフレーム１８と同様の金属材料で構成されているも
のが適用される。
【００２７】以上より、この半導体装置１０が使用され
る際には、一部が外部に露出したヒートシンク２２によ
り、高い熱放散性を確保することができる。
る際には、一部が外部に露出したヒートシンク２２によ
り、高い熱放散性を確保することができる。
【００２８】次に、このヒートシンク２２の表面処理及
び半導体装置１０の製造を説明する。
び半導体装置１０の製造を説明する。
【００２９】まず、簡易な処理とすべくヒートシンク２
２を下記のアルカリ溶液に浸漬した後に水洗処理して乾
燥することにより、ヒートシンク２２を水酸化処理す
る。尚、このアルカリ溶液への浸漬は、通常のメッキ処
理の際に採用されている方法でも可能である。
２を下記のアルカリ溶液に浸漬した後に水洗処理して乾
燥することにより、ヒートシンク２２を水酸化処理す
る。尚、このアルカリ溶液への浸漬は、通常のメッキ処
理の際に採用されている方法でも可能である。
【００３０】ここで使用されるアルカリ溶液の例とし
て、常温〜７０°Ｃの温度範囲でＰＨ１０以下となるよ
うに、以下の、、がそれぞれ考えられる。 水酸化ナトリウム １０〜４０ｇ／リットル 炭酸ナトリウム １５〜２５ｇ／リットル リン酸ナトリウム １２〜２２ｇ／リットル 尚、これらは一例であり、水酸基を持つ溶液であれば使
用可能である。
て、常温〜７０°Ｃの温度範囲でＰＨ１０以下となるよ
うに、以下の、、がそれぞれ考えられる。 水酸化ナトリウム １０〜４０ｇ／リットル 炭酸ナトリウム １５〜２５ｇ／リットル リン酸ナトリウム １２〜２２ｇ／リットル 尚、これらは一例であり、水酸基を持つ溶液であれば使
用可能である。
【００３１】この後、希釈したシランカップリング剤を
塗布、スプレー或いは浸漬等によって、ヒートシンク２
２の表面に付けて、ヒートシンク２２を乾燥することに
より、シランカップリング剤の層Ａをヒートシンク２２
の表面に設ける。
塗布、スプレー或いは浸漬等によって、ヒートシンク２
２の表面に付けて、ヒートシンク２２を乾燥することに
より、シランカップリング剤の層Ａをヒートシンク２２
の表面に設ける。
【００３２】ここで使用されるシランカップリング剤の
例として、モールド１４の合成樹脂を一般に構成するエ
ポキシ樹脂との結合性を考慮して、以下の、、、
がそれぞれ考えられる。 γ−アミノプロピル−トリ−エトキシシラン Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノ−プロピル−
トリメトキシ−シラン β−（３，４−エポキシ−シクロヘキシル）エチル−
トリメトキシ−シラン γ−グリシドキシ−プロピルトリメトキシ−シラン また、この際の希釈例としては、シランカップリング剤
を１部、水を９部、イソプロピルアルコール８０部及び
メチルアルコール１０部とすることが考えられ、乾燥は
５０°Ｃ〜１２０°Ｃの温度範囲で行う。
例として、モールド１４の合成樹脂を一般に構成するエ
ポキシ樹脂との結合性を考慮して、以下の、、、
がそれぞれ考えられる。 γ−アミノプロピル−トリ−エトキシシラン Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノ−プロピル−
トリメトキシ−シラン β−（３，４−エポキシ−シクロヘキシル）エチル−
トリメトキシ−シラン γ−グリシドキシ−プロピルトリメトキシ−シラン また、この際の希釈例としては、シランカップリング剤
を１部、水を９部、イソプロピルアルコール８０部及び
メチルアルコール１０部とすることが考えられ、乾燥は
５０°Ｃ〜１２０°Ｃの温度範囲で行う。
【００３３】さらに、ダイパッド１６に接着されたチッ
プ１２及び、ワイヤ２０でこのチップ１２に接続された
状態のリードフレーム１８等を図示しない金型内に置く
と共に、上記のように水酸化処理後にシランカップリン
グ剤の層Ａを形成したヒートシンク２２をこの金型内に
置き、樹脂材料によりモールド１４を成形加工すること
によって、図１に示すような構造の半導体装置１０が製
造されることとなる。
プ１２及び、ワイヤ２０でこのチップ１２に接続された
状態のリードフレーム１８等を図示しない金型内に置く
と共に、上記のように水酸化処理後にシランカップリン
グ剤の層Ａを形成したヒートシンク２２をこの金型内に
置き、樹脂材料によりモールド１４を成形加工すること
によって、図１に示すような構造の半導体装置１０が製
造されることとなる。
【００３４】この結果、ヒートシンク２２は、単純な円
板状の形状でも、モールド１４と十分な接着力を持ち、
熱サイクル等による熱応力が加わっても、ヒートシンク
２２がモールド１４から剥がれたり、モールド１４とヒ
ートシンク２２との間に隙間が生じることがなくなる。
そして、これに伴って耐湿性が向上して、半導体装置１
０の信頼性を十分に保つことができ、熱放散性等の熱特
性の劣化も長期間防ぐことができる。
板状の形状でも、モールド１４と十分な接着力を持ち、
熱サイクル等による熱応力が加わっても、ヒートシンク
２２がモールド１４から剥がれたり、モールド１４とヒ
ートシンク２２との間に隙間が生じることがなくなる。
そして、これに伴って耐湿性が向上して、半導体装置１
０の信頼性を十分に保つことができ、熱放散性等の熱特
性の劣化も長期間防ぐことができる。
【００３５】また、ヒートシンク２２の形状が単純な
為、低コスト化な機械加工でヒートシンク２２を大量に
製造することができる。さらに、樹脂材料によるモール
ド１４の成形加工の際には、モールド１４内にこのヒー
トシンク２２を置くだけで、従来の製造工程が殆ど使え
る為、低コストにモールド１４を成形加工できる。
為、低コスト化な機械加工でヒートシンク２２を大量に
製造することができる。さらに、樹脂材料によるモール
ド１４の成形加工の際には、モールド１４内にこのヒー
トシンク２２を置くだけで、従来の製造工程が殆ど使え
る為、低コストにモールド１４を成形加工できる。
【００３６】従って、ヒートシンク２２の加工の低コス
ト化及び成形加工の低コスト化により、半導体装置１０
の低コスト化を図ることができることになる。
ト化及び成形加工の低コスト化により、半導体装置１０
の低コスト化を図ることができることになる。
【００３７】尚、シランカップリング剤による接着力が
ヒートシンク２２とモールド１４との間を接着するのに
十分なものであれば、アルカリ溶液に浸漬する工程を省
略しても良いことになる。
ヒートシンク２２とモールド１４との間を接着するのに
十分なものであれば、アルカリ溶液に浸漬する工程を省
略しても良いことになる。
【００３８】また、モールド１４の材質となる合成樹脂
には、例えばエポキシ樹脂が考えられるが他の合成樹脂
等を用いるても良いことは、いうまでもない。
には、例えばエポキシ樹脂が考えられるが他の合成樹脂
等を用いるても良いことは、いうまでもない。
【００３９】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置及び半導体装置
の製造方法は上記構成としたので、半導体装置の製造コ
ストを低減しつつ、熱放散性を良好な状態に長期間維持
することができるという優れた効果を有する。
の製造方法は上記構成としたので、半導体装置の製造コ
ストを低減しつつ、熱放散性を良好な状態に長期間維持
することができるという優れた効果を有する。
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施例
で製造された半導体装置を示す断面図である。
で製造された半導体装置を示す断面図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施例
に用いられるヒートシンクを示す斜視図である。
に用いられるヒートシンクを示す斜視図である。
【図３】従来の第１の半導体装置の製造方法を示す説明
図であり、（ａ）はヒートシンク装着前の半導体装置の
断面を示し、（ｂ）はヒートシンク装着後の半導体装置
の断面を示す。
図であり、（ａ）はヒートシンク装着前の半導体装置の
断面を示し、（ｂ）はヒートシンク装着後の半導体装置
の断面を示す。
【図４】従来の第２の半導体装置の製造方法を示す説明
図であり、（ａ）はヒートスプレッダを両面テープでリ
ードフレームに貼り合わせ状態を示し、（ｂ）は完成さ
れた半導体装置の断面を示す。
図であり、（ａ）はヒートスプレッダを両面テープでリ
ードフレームに貼り合わせ状態を示し、（ｂ）は完成さ
れた半導体装置の断面を示す。
【図５】従来の第３の半導体装置の製造方法に採用され
るヒートシンクを示す図であり、（ａ）はその平面図を
示し、（ｂ）はその側面図を示す。
るヒートシンクを示す図であり、（ａ）はその平面図を
示し、（ｂ）はその側面図を示す。
１０ 半導体装置 １２ チップ １４ モールド ２２ ヒートシンク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅本 一寛 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲事業 所内
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体素子を内蔵した半導体装置を製造
する半導体装置の製造方法であって、 前記半導体素子が発生する熱を逃がす金属製のヒートシ
ンクの表面を水酸化処理した後、このヒートシンクの表
面にシランカップリング剤の層を設け、 この後、前記ヒートシンクの周囲に樹脂材料を成形し
て、樹脂製のモールド内に前記ヒートシンクを埋め込
む、 ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記ヒートシンクの表面にシランカップ
リング剤の層を設けることが、前記ヒートシンクの表面
に、γ−アミノプロピル−トリ−エトキシシラン、Ｎ−
β−（アミノエチル）−γ−アミノ−プロピル−トリメ
トキシ−シラン、β−（３，４−エポキシ−シクロヘキ
シル）エチル−トリメトキシ−シラン、或いはγ−グリ
シドキシ−プロピルトリメトキシ−シランのいずれか一
つを含むシランカップリング剤の層を設けることである
請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記ヒートシンクの表面を水酸化処理す
ることが、前記ヒートシンクをアルカリ溶液に浸漬した
後に水洗処理して乾燥することである請求項１記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 樹脂製のモールドに、半導体素子が内蔵
されると共に前記半導体素子が発生する熱を逃がす金属
製のヒートシンクが埋め込まれた半導体装置であって、 前記ヒートシンクの表面にシランカップリング剤の層を
設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 樹脂製のモールドに、半導体素子が内蔵
されると共に前記半導体素子が発生する熱を逃がす金属
製のヒートシンクが埋め込まれた半導体装置であって、 前記ヒートシンクの表面に、γ−アミノプロピル−トリ
−エトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−ア
ミノ−プロピル−トリメトキシ−シラン、β−（３，４
−エポキシ−シクロヘキシル）エチル−トリメトキシ−
シラン、或いはγ−グリシドキシ−プロピルトリメトキ
シ−シランのいずれか一つを含むシランカップリング剤
の層を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 樹脂製のモールドに、半導体素子が内蔵
されると共に前記半導体素子が発生する熱を逃がす金属
製のヒートシンクが埋め込まれた半導体装置であって、 アルカリ溶液で水酸化処理した前記ヒートシンクの表面
に、シランカップリング剤の層を設けたことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項７】 樹脂製のモールドに、半導体素子が内蔵
されると共に前記半導体素子が発生する熱を逃がす金属
製のヒートシンクが埋め込まれた半導体装置であって、 前記ヒートシンクが単純な形状により形成されて、表面
にシランカップリング剤の層が設けられたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6153169A JP2635933B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
| TW084101735A TW262582B (en) | 1994-07-05 | 1995-02-24 | Semiconductor packaging and the method of production thereof |
| MYPI95000813A MY130161A (en) | 1994-07-05 | 1995-03-30 | A semiconductor packaging with an improved adhesion of the heat sink to the mold for packaging |
| CN95105049A CN1122052A (zh) | 1994-07-05 | 1995-04-27 | 半导体封装及制造方法 |
| SG1995000358A SG72596A1 (en) | 1994-07-05 | 1995-04-28 | Semiconductor package with heat sink |
| EP95304642A EP0691681A3 (en) | 1994-07-05 | 1995-07-03 | Semiconductor package |
| KR1019950019378A KR960005974A (ko) | 1994-07-05 | 1995-07-04 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6153169A JP2635933B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1510797A Division JPH09191065A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831985A true JPH0831985A (ja) | 1996-02-02 |
| JP2635933B2 JP2635933B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=15556567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6153169A Expired - Lifetime JP2635933B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0691681A3 (ja) |
| JP (1) | JP2635933B2 (ja) |
| KR (1) | KR960005974A (ja) |
| CN (1) | CN1122052A (ja) |
| MY (1) | MY130161A (ja) |
| SG (1) | SG72596A1 (ja) |
| TW (1) | TW262582B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018181839A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Jnc株式会社 | 積層体、電子機器、積層体の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006179856A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-07-06 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 絶縁基板および半導体装置 |
| WO2018057040A1 (en) * | 2016-09-26 | 2018-03-29 | Brown Andrew J | Semiconductor device and method of making |
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| JPS55143057A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS60210855A (ja) * | 1984-04-03 | 1985-10-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63288050A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
| JPH04247644A (ja) * | 1991-02-04 | 1992-09-03 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置 |
| JPH04306865A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH05218265A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-27 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用複合リードフレーム |
| JPH05267500A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
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|---|---|---|---|---|
| US5367196A (en) * | 1992-09-17 | 1994-11-22 | Olin Corporation | Molded plastic semiconductor package including an aluminum alloy heat spreader |
| US5362680A (en) * | 1992-08-18 | 1994-11-08 | Texas Instruments Incorporated | Technique for enhancing adhesion capability of heat spreaders in molded packages |
-
1994
- 1994-07-05 JP JP6153169A patent/JP2635933B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-02-24 TW TW084101735A patent/TW262582B/zh active
- 1995-03-30 MY MYPI95000813A patent/MY130161A/en unknown
- 1995-04-27 CN CN95105049A patent/CN1122052A/zh active Pending
- 1995-04-28 SG SG1995000358A patent/SG72596A1/en unknown
- 1995-07-03 EP EP95304642A patent/EP0691681A3/en not_active Withdrawn
- 1995-07-04 KR KR1019950019378A patent/KR960005974A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (7)
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| WO2018181839A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Jnc株式会社 | 積層体、電子機器、積層体の製造方法 |
| JPWO2018181839A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2020-02-20 | Jnc株式会社 | 積層体、電子機器、積層体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW262582B (en) | 1995-11-11 |
| KR960005974A (ko) | 1996-02-23 |
| CN1122052A (zh) | 1996-05-08 |
| EP0691681A3 (en) | 1996-05-01 |
| EP0691681A2 (en) | 1996-01-10 |
| MY130161A (en) | 2007-06-29 |
| SG72596A1 (en) | 2000-05-23 |
| JP2635933B2 (ja) | 1997-07-30 |
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