JPS60210855A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60210855A JPS60210855A JP59066516A JP6651684A JPS60210855A JP S60210855 A JPS60210855 A JP S60210855A JP 59066516 A JP59066516 A JP 59066516A JP 6651684 A JP6651684 A JP 6651684A JP S60210855 A JPS60210855 A JP S60210855A
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔座業上の利用分野〕
本発明ｒＪエポキシ樹脂刺止材料で封止した千尋体鋏直
の製造方法に開する〇 〔従来技術〕 千尋体１！Ｍ業の中で樹脂封止ｆＪのダイオード。
の製造方法に開する〇 〔従来技術〕 千尋体１！Ｍ業の中で樹脂封止ｆＪのダイオード。
トランジスタ、ＩＣ，ＬＳｌ、超ＬＳＩ力５主我となっ
ており、ｃｆＬらの＊１ｉｒｔ今恢とも益々大きく拡大
すると予想さｔ″Ｌる０あらゆる麓楽の基本となあこｎ
らの半導体装置ね集積度が一々大き（な９そｒＬに応じ
てテッグ寸法も人きくなりつつある。
ており、ｃｆＬらの＊１ｉｒｔ今恢とも益々大きく拡大
すると予想さｔ″Ｌる０あらゆる麓楽の基本となあこｎ
らの半導体装置ね集積度が一々大き（な９そｒＬに応じ
てテッグ寸法も人きくなりつつある。
こｎに対してパッケージ外形寸６に小形薄形化さｎつつ
あゐ◎大形チップで小形薄形パッケージの牛４俸装菖ａ
配線基板にア七ンブルする鰍、牛導体装はと配線基板の
接続を簡便に目動的に行うために午出憎に浸漬するｘｒ
ｈＸね千日が１＠融丁ゐ尚龜ゾーンτ通過させる方法か
採用さｎつつある。
あゐ◎大形チップで小形薄形パッケージの牛４俸装菖ａ
配線基板にア七ンブルする鰍、牛導体装はと配線基板の
接続を簡便に目動的に行うために午出憎に浸漬するｘｒ
ｈＸね千日が１＠融丁ゐ尚龜ゾーンτ通過させる方法か
採用さｎつつある。
ところが大形テッグ、小杉薄形バックージの＃脂封止ｍ
午導体装置τ千日偕に浸漬、又ね早出か浴融丁心＾−ゾ
ーンにさらすと封止材樹脂層が熱倫撃により封止材樹脂
層がクランクし午尋体ｊ！直の１ｇａ性Ｔ撰う重スな問
題がある・封止材樹脂層が吸湿しているとこの樹脂層の
り２ツク発生ｒｔｍ者にｌゐ◎笑娠の作業工程において
ａ封止材樹脂層の吸湿ｒＪ賭けらｎないため早出６＋！
Ｌｌｌｌ筐たね牛用Ｔ沼−丁ゐ尚−ゾーンにさらしπと
きの封止材樹脂層のクラツク０笑鍬の７センプル作東工
相において床Ｍな問題であるＯ 〔発明の目的〕 不発明ね千日惰に浸漬又ね早出１ｔ（ｆｌ＃ＩＡする＾
御ゾーンにさらしても樹脂層にクラックか生じないよう
な大形テップ、小型薄形パッケージの樹脂封止型牛導体
装慮τ提供丁ゐものである。
午導体装置τ千日偕に浸漬、又ね早出か浴融丁心＾−ゾ
ーンにさらすと封止材樹脂層が熱倫撃により封止材樹脂
層がクランクし午尋体ｊ！直の１ｇａ性Ｔ撰う重スな問
題がある・封止材樹脂層が吸湿しているとこの樹脂層の
り２ツク発生ｒｔｍ者にｌゐ◎笑娠の作業工程において
ａ封止材樹脂層の吸湿ｒＪ賭けらｎないため早出６＋！
Ｌｌｌｌ筐たね牛用Ｔ沼−丁ゐ尚−ゾーンにさらしπと
きの封止材樹脂層のクラツク０笑鍬の７センプル作東工
相において床Ｍな問題であるＯ 〔発明の目的〕 不発明ね千日惰に浸漬又ね早出１ｔ（ｆｌ＃ＩＡする＾
御ゾーンにさらしても樹脂層にクラックか生じないよう
な大形テップ、小型薄形パッケージの樹脂封止型牛導体
装慮τ提供丁ゐものである。
すなわち、′４発明０側脂封止励牛尋停鉄直の製造方法
において、テップおよびインサートに＊＊強化のために
エポキシ基τＭするシランカップリング剤でグル化皮膜
τ形地したあと、ガラス転移点が２００℃以上のエポキ
シ樹脂封止材料で封止す々ものであ勾〇 本発明０物にチップ寸法が６開角以上、内厚が１．５鵬
以下パツケ一ジ全体の厚さか３閤以下の衝脂封止型牛４
悴装置において有効である。
において、テップおよびインサートに＊＊強化のために
エポキシ基τＭするシランカップリング剤でグル化皮膜
τ形地したあと、ガラス転移点が２００℃以上のエポキ
シ樹脂封止材料で封止す々ものであ勾〇 本発明０物にチップ寸法が６開角以上、内厚が１．５鵬
以下パツケ一ジ全体の厚さか３閤以下の衝脂封止型牛４
悴装置において有効である。
不発明に用−らｎゐエポキシシランカップリング薊とし
てはＴ−グリシドキシグロビルトリメトキシシラン、β
（ム４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメト牛ジシ
ラン等かＭ幼であるＯ 本発明ｒＪエポキシ基を有するシランカップリング剤で
ゲル化ａ膜τ形成し、ガラス転位点が２００℃以上のエ
ポキシ債脂封止材料で封止丁ゐという物足の組魯台ぜの
ものτ用いることによりＴｈ ３ｆｌｌｌａＭ以上で肉
厚が１．５鵬以下、パッケージ全停の内厚か３ａ＋ｍ以
下のパッケージで％封止樹脂層にり２ツクか発生しない
ようにし７Ｃ％ので、メルカプト基τ有丁Ｑシ２ンカッ
プリング材Ｑ！他の処理剤、カラス転移点の低いエボギ
シ樹７１＠凧形材料で０本発明の目的τ達成丁ゐＣとは
できない。
てはＴ−グリシドキシグロビルトリメトキシシラン、β
（ム４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメト牛ジシ
ラン等かＭ幼であるＯ 本発明ｒＪエポキシ基を有するシランカップリング剤で
ゲル化ａ膜τ形成し、ガラス転位点が２００℃以上のエ
ポキシ債脂封止材料で封止丁ゐという物足の組魯台ぜの
ものτ用いることによりＴｈ ３ｆｌｌｌａＭ以上で肉
厚が１．５鵬以下、パッケージ全停の内厚か３ａ＋ｍ以
下のパッケージで％封止樹脂層にり２ツクか発生しない
ようにし７Ｃ％ので、メルカプト基τ有丁Ｑシ２ンカッ
プリング材Ｑ！他の処理剤、カラス転移点の低いエボギ
シ樹７１＠凧形材料で０本発明の目的τ達成丁ゐＣとは
できない。
以下不発ｋＡ’ｖ冥厖例に基いて睨明すゐ。
実Ｍ例１
下記１ｍ ｍｌ、 １ｒ−絢合し、封止材料を作９ｋ。
は） ケルミイド Ｋ２Ｏ２（−一ント２シ製ボリイゼ
ド糸傭Ｂぽ曲品名）６２θ（６）２エノールノボラツク
８０ （４） 石英カラス粉（２００メツシユパス）１９２ （５） カルナバワックス ５ （６） γ−グリシドキシグロビルメトキシシラン（７
） 刀−ポンプラック １ （１）〜（７）τ８０〜９０℃で混練し％冷ｉ４Ｊ粉砕
して刺止材料τ作りた０こｎτ１８０℃５分地形し、２
００℃５ｈア２タキニアしたあとのカラス転移点０２３
℃であった〇 一力テッグ寸法６ｘ６１１Ｉｍ角τ取り付けた素子竹す
−ドフレームτγ−グリシドキシグロビルメトキ７Ｓ／
ラン２％イソプロピルアルコール浴故τスプレーして鳳
布し風乾２ｂしたあと１８０℃１ｈ熱処理した・次にこ
の系手付２レームＴＦＰモールド金型にセットし上記封
止材でトランス２１成形した＠成形条件６１８０℃６分
である。このあと２００℃５ｈアンタキニアしたＯ このチップ寸法６×６ｍｍ角、ＦＰｈｔ、形品（封止材
層肉厚１．Ｏｍｆｌｌ、全体肉厚２ｍｕ＋Ｌｒｔｚｏ℃
２ａｔｍｓ水蒸気中で５ｈ吸湿させた０次にこの吸湿は
俊に２６０℃の午出袷憎に２Ｑｓｅｃ間反漬し７（結果
、成形品の到止材佃脂層にり２ツク０健生ぜず、１４當
ａな〃為った。（０／２０）（υ 無水マレイン［８９
，１７ し） ジアミドジアエニルメタン ４５０ｇ（２）Ｔ１
２０〜１４０℃に〃ａｓｍｍｔ、、ｃｒｔに（υ’ｖ
７Ｊ１１えて１６０〜１８０℃で反応させ、反応物（１
）τ作り７Ｃ。
ド糸傭Ｂぽ曲品名）６２θ（６）２エノールノボラツク
８０ （４） 石英カラス粉（２００メツシユパス）１９２ （５） カルナバワックス ５ （６） γ−グリシドキシグロビルメトキシシラン（７
） 刀−ポンプラック １ （１）〜（７）τ８０〜９０℃で混練し％冷ｉ４Ｊ粉砕
して刺止材料τ作りた０こｎτ１８０℃５分地形し、２
００℃５ｈア２タキニアしたあとのカラス転移点０２３
℃であった〇 一力テッグ寸法６ｘ６１１Ｉｍ角τ取り付けた素子竹す
−ドフレームτγ−グリシドキシグロビルメトキ７Ｓ／
ラン２％イソプロピルアルコール浴故τスプレーして鳳
布し風乾２ｂしたあと１８０℃１ｈ熱処理した・次にこ
の系手付２レームＴＦＰモールド金型にセットし上記封
止材でトランス２１成形した＠成形条件６１８０℃６分
である。このあと２００℃５ｈアンタキニアしたＯ このチップ寸法６×６ｍｍ角、ＦＰｈｔ、形品（封止材
層肉厚１．Ｏｍｆｌｌ、全体肉厚２ｍｕ＋Ｌｒｔｚｏ℃
２ａｔｍｓ水蒸気中で５ｈ吸湿させた０次にこの吸湿は
俊に２６０℃の午出袷憎に２Ｑｓｅｃ間反漬し７（結果
、成形品の到止材佃脂層にり２ツク０健生ぜず、１４當
ａな〃為った。（０／２０）（υ 無水マレイン［８９
，１７ し） ジアミドジアエニルメタン ４５０ｇ（２）Ｔ１
２０〜１４０℃に〃ａｓｍｍｔ、、ｃｒｔに（υ’ｖ
７Ｊ１１えて１６０〜１８０℃で反応させ、反応物（１
）τ作り７Ｃ。
次にこの反応物＜１）’ｖ用い１次の作成で封止材料１
作った０ 菖童比 （５） 反応物（１） ４５ （４） エポキシノボラック （エポキシ当蓋２２０）１００ （５） カルナバワックス ２ （６） α−グリシドキシグロビルメトキシシラン（７
２石英カラス＄（２００メツシニバス）６５５ （８）刀−ポンプラック １ ｔ３７〜（８Ｊ Ｔ Ｂ ５〜９０℃テ′ｏＩ５線し、
冷却、粉砕して封止材）？＝＋τ作った。こｒＬＴ１８
０℃６分成形し、２００℃５ｈアンタキニアτし友もの
りガラス転移点ね２０５℃であり罠。
作った０ 菖童比 （５） 反応物（１） ４５ （４） エポキシノボラック （エポキシ当蓋２２０）１００ （５） カルナバワックス ２ （６） α−グリシドキシグロビルメトキシシラン（７
２石英カラス＄（２００メツシニバス）６５５ （８）刀−ポンプラック １ ｔ３７〜（８Ｊ Ｔ Ｂ ５〜９０℃テ′ｏＩ５線し、
冷却、粉砕して封止材）？＝＋τ作った。こｒＬＴ１８
０℃６分成形し、２００℃５ｈアンタキニアτし友もの
りガラス転移点ね２０５℃であり罠。
−刀６×６Ｉ［ｌｌｌ１角テツプを柩９何けたンレーム
τ実施例１と１Ｉ７１＠にアンタキエアτ何い、テップ
寸法６ｘ６ｍｍ角ＦＰ成形品τ作り吸湿依、半田反漬τ
行っ罠０その粕朱、輌Ｉｊ目層にクラック０琵生ぜず１
４状Ｃな７）＾ッ７Ｃｏ （０／ ２０ ）比戦例１ ６ｘ６ｍｍ角ナッグＴ城！ｌｌ付けた２レームτ接眉踵
化前処理ｆぜずに直接に実施例６で作った封止材で成形
し、アフタキエアτ何い実施例１と同体にｖＬ湿佼牛早
出償τ行っπ０ その精米封止材層にクラックか弁生じ外観に異状がみら
ｔ’Ｌ１ζ０（ＩＬＩ／２０）比較例２ 厘量比 （１）エポキシノボラック １００ （２） フェノールノボラック ４７ （６） １１’−シー／’ Ｃ１７Ｚ １．５（４）
カルナバワックス ２ （５）石英カラス粉 ３５８ （６） カーボンブラック １ （７） γ−グリシドキシグロビルメトキシシラン ２ （１）〜（７）７７０〜８０℃で混祿佐、冷却粉砕し。
τ実施例１と１Ｉ７１＠にアンタキエアτ何い、テップ
寸法６ｘ６ｍｍ角ＦＰ成形品τ作り吸湿依、半田反漬τ
行っ罠０その粕朱、輌Ｉｊ目層にクラック０琵生ぜず１
４状Ｃな７）＾ッ７Ｃｏ （０／ ２０ ）比戦例１ ６ｘ６ｍｍ角ナッグＴ城！ｌｌ付けた２レームτ接眉踵
化前処理ｆぜずに直接に実施例６で作った封止材で成形
し、アフタキエアτ何い実施例１と同体にｖＬ湿佼牛早
出償τ行っπ０ その精米封止材層にクラックか弁生じ外観に異状がみら
ｔ’Ｌ１ζ０（ＩＬＩ／２０）比較例２ 厘量比 （１）エポキシノボラック １００ （２） フェノールノボラック ４７ （６） １１’−シー／’ Ｃ１７Ｚ １．５（４）
カルナバワックス ２ （５）石英カラス粉 ３５８ （６） カーボンブラック １ （７） γ−グリシドキシグロビルメトキシシラン ２ （１）〜（７）７７０〜８０℃で混祿佐、冷却粉砕し。
封止材料を作っ罠ｏｃｎは１８０℃９０秒敗形俊１８０
℃５ｈアンタキエア恢のガラス転移点０１７０℃であっ
た。
℃５ｈアンタキエア恢のガラス転移点０１７０℃であっ
た。
一刀６Ｘ６ｍｍ角テップｒ取り付けたフレームｒ夾厖ν
ＩＩ １と１り株に艦雇食化処理を行い、上記封止材で
１８０℃ν０抄で成形Ｔ行い、１ｄＯ℃３ｈアフタキエ
アＴ行った。次に実施ガ１と１”Ｊ様にｅ、匿τしたあ
と牛用＆：漬τ行りた〇そり鮎釆、對止材層にクラック
売主か今らｎた。（２０／２１］ ） 〔発明の幼果〕 本発明によりチップ寸法が人形で小形薄形のパッケージ
の衝ＢＦ１劃止型牛導捧央裟において封止樹脂ノ曽が吸
湿しても半田憎に反漬またに半田が浴融丁ゐ品温ン゛−
ンにさらしたときに位（ＩＩロノ曽にクラックが昆虫し
ないようになりπ。
ＩＩ １と１り株に艦雇食化処理を行い、上記封止材で
１８０℃ν０抄で成形Ｔ行い、１ｄＯ℃３ｈアフタキエ
アＴ行った。次に実施ガ１と１”Ｊ様にｅ、匿τしたあ
と牛用＆：漬τ行りた〇そり鮎釆、對止材層にクラック
売主か今らｎた。（２０／２１］ ） 〔発明の幼果〕 本発明によりチップ寸法が人形で小形薄形のパッケージ
の衝ＢＦ１劃止型牛導捧央裟において封止樹脂ノ曽が吸
湿しても半田憎に反漬またに半田が浴融丁ゐ品温ン゛−
ンにさらしたときに位（ＩＩロノ曽にクラックが昆虫し
ないようになりπ。
Claims (1)
- １、 チックおよびリードフレームのインサートにエポ
キシ基を有丁ゐシランカップリング剤でゲル化皮−τ形
成し７ｃあと、ガラス転移点が２００℃以上のエポキシ
樹脂封止材料で封止することτ脣倣とすゐ牛４Ｉ体＃Ｃ
直の製造力ｉ％。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066516A JPS60210855A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066516A JPS60210855A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60210855A true JPS60210855A (ja) | 1985-10-23 |
Family
ID=13318094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59066516A Pending JPS60210855A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60210855A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63268261A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 | Toray Silicone Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS63288050A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
| EP0417787A2 (en) * | 1989-09-13 | 1991-03-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multimold semiconductor device and the manufacturing method therefor |
| JPH0831985A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-02-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-04-03 JP JP59066516A patent/JPS60210855A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63268261A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 | Toray Silicone Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS63288050A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
| EP0417787A2 (en) * | 1989-09-13 | 1991-03-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multimold semiconductor device and the manufacturing method therefor |
| JPH0831985A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-02-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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