JPS63268261A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、特には、半導
体チップが導電部材により外部接続用リード線に電気的
に接続された樹脂封止型半導体装置に関する。

［従来の技術］ 半導体チップが導電部材により外部接続用リード線に電
気的に接続された樹脂封止型半導体装置においては、半
導体チップ表面のＰＮ接合部、ポンディングパッド、微
細なアルミ配線など、さらには導電部材であるボンディ
ングワイヤ、半田バンプ、ビームリードなどは湿気や不
純物による変質、腐食を防止するため、さらには封止用
樹脂の温度変化に伴なう膨張・収縮に基因する応力や機
械的応力を緩和するために、高純度のシリコーン樹脂、
シリコーンゴム、シリコーンゲルのような硬化シリコー
ン層により被覆されている。そして、硬化シリコーン層
により被覆した上を封止用樹脂により封止成形している
。第４図は、このような従来例の樹脂封止型半導体装置
の断面図である。モノリシックＩＣチップ１の表面、ポ
ンディングパッド３および金製ボンディングワイヤ４ａ
の一部が、液状の硬化性シリコーンにより被覆され、加
熱硬化されてシリコーンゴム層５ａを形成しており、さ
らにボンディングワイヤ４ａの残部および外部接続用リ
ード線７のインナ一部分とともに、エポキシ樹脂６ａの
ような封止用樹脂により封止成形されている。

［従来技術の問題点］ ところが、このような樹脂封止型半導体装置においては
、硬化シリコーン層の膜厚は一般に１００〜５００μｍ
と比較的厚く、したがって、金製ボンディングワイヤ４
ａの一部もシリコーンゴム層５ａの中に埋没した状態に
ある。そのため、エボキ′＞樹脂６ａのような封止用樹
脂により、シリコーン被覆したモノリシックＩＣチップ
１、ボンディングワイヤ４ａおよび外部接続用リード線
７のインナ一部分を封止成形する際、あるいは封止成形
物をサーマルサイクルテストやサーマルショックテスト
にかけた際に、ボンディングワイヤ４ａが断線するとい
う問題があった。

また、かかる封止成形物をプリント基板上に表面実装す
るときに２６０°Ｃの半田浴に浸漬し、ついで引上げて
冷却する際の熱衝撃により、金製ボンディングワイヤ４
ａが断線したり、封止用のエポキシ樹脂６ａにクラック
が生じたり、半導体装置の耐湿性が劣化するなどの問題
があった。こうした問題が生じるのは、硬化シリコーン
層を形成するシリコーンに工夫を施していないので、封
止用のエポキシ樹脂６ａとシリコーンゴム層５ａが接着
、一体化していないためである。そのため、サーマルサ
イクルテストやサーマルショックテストをする際、ある
いはプリント基板上に実装する際の熱衝撃が、封止用の
エポキシ樹脂６ａとシリコーンゴム層５ａを急速に膨張
、収縮させ両材料の熱膨張係数の差違によって両材料の
境界面がずれ動くため、ならびに封止用のエポキシ樹脂
６ａとシリコーンゴム層５ａの微細な隙間に湿気が侵入
し、さらにはその湿気が膨張するためである。

そこで、特開昭５９−８７８４０号に係る半導体装置で
は、硬化シリコーン層がボンディングワイヤを実質的に
被覆しないようにすることによって、熱衝撃によるボン
ディングワイヤの断線を防止している（その第２図参照
）。しかしながら、湿気や不純物の影響をもっとも受け
やすいポンディングパッドの被覆が不確実になるので、
耐湿性や耐腐蝕性が不十分という問題がある。

また、特開昭６１−２３０３４４号に係る樹脂封止型半
導体装置では、半導体チップ表面を薄い硬化シリコーン
層により被覆するが、ボンディングワイヤを被覆しない
ようにすることにより、熱衝撃によるボンディングワイ
ヤの断線の防止を図っている（その第１図参照）。しか
しながら、硬化シリコーン層を形成するシリコーンに工
夫を施したものを使用していないので、硬化シリコーン
層と封止用樹脂とが接着一体化しておらず、両材料界面
の微細な隙間への湿気の侵入、侵入した湿気の半田浴浸
漬時の急激な膨張に基因する封止用樹脂のクラック発生
という問題がある。

本発明は、かかる従来技術の問題点を解消することを目
的としており、具体的には繰り返しヒートサイクルや熱
衝撃にさらしたり、通電断続を繰り返したり、長時間加
熱加圧下においても、ボンディングワイヤ等の導電部材
が断線や破損しにくく、封止用樹脂が破壊されにくく、
耐湿性、耐腐蝕性、応力緩和性にすぐれた樹脂封止型半
導体装置を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段とその作用］これら目的
は、半導体チップが導電部材により外部接続用リード線
に電気的に接続された樹脂封止型半導体装置において、
半導体チップ表面および導電部材の少なくとも半導体チ
ップに近接した部分を硬化シリコーン層により接着被覆
し、該硬化シリコーン層がその上を被覆する封止用樹脂
と接着一体化するようにすることにより達成される。

これを説明するに、本発明における半導体装置とは、ダ
イオード、トランジスタ、サイリスタ等の個別半導体装
置のみならず、モノリシックＩＣ、ハイブリッドＩＣ等
の■Ｃ１さらにはＬＳＩを包含する広義の半導体装置を
いう。また、半導体チップとは上記半導体装置の要部で
あるダイオードチップ、トランジスタチップ、サイリス
タチップ、モノリシックＩＣチップ、さらにはハイブリ
ッドＩＣ中の前記チップなどをいう。また、導電部材は
半導体チップを外部接続用リード線と電気的に接続する
ためのものであり、代表例はアルミニウム、金、銅など
でできたボンディングワイヤであるが、フリップ方式の
半導体装置における半田バンプやビームリード方式の半
導体装置におけるビームリードなどであってもよい。導
電部材は、通常、外部接続用リード線のインナ一部分に
直結しているが、ハイブリッドＩＣにおけるように基板
上の厚膜回路や薄膜回路を介してインナ一部分に接続さ
れていてもよい。

また、封止用樹脂は、半導体の特性・信頼性に悪影響を
及ぼさない有機樹脂であればよく、ポリフェニレンサル
ファイド樹脂に代表される熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂
、シリコーン樹脂、フェノール樹脂に代表される熱硬化
性樹脂などがある。封止用樹脂の封止に供する前の形態
は、常温において液状、ペースト状、固形状、粉状等の
いずれでもよく、いわゆる樹脂の伯に充填剤、その他添
加剤を含有することが多く、熱硬化性樹脂については、
さらに硬化剤を含有している。

また、硬化シリコーン層は、硬化性のシリコーンもしく
はシリコーン組成物を室温上放置、加熱、赤外線照射、
紫外線照射、電子線照射など、いずれかひとつ以上の手
段により硬化させたものであり、硬化前の形態は常温に
おいて液状、ペースト状、餅状、粉粒状、固形状などの
いずれであってもよい。硬化シリコーン層は、常温にお
いて硬質レンジ状、ゴム状、ゲル状、これらの中間的性
能のいずれであってもよい。

硬化シリコーン層は、半導体チップ表面および導電部材
の少なくとも半導体チップに近接した部分に接着する形
で、半導体チップ表面および導電部材の少なくとも半導
体チップに近接した部分を被覆しており、同時に硬化シ
リコーン層を被覆する封止用樹脂と接着一体化している
。ここで接着一体化とは、熱的ストレスや機械的ストレ
スを負荷しても、硬化シリコーン層と封止用樹脂がその
界面で剥離することがなく、むりやりひきはがそうとす
ると硬化シリコーン層と封止用樹脂のいずれかが破壊す
るほど強固に接着していることをいう。

硬化シリコーン層を形成する硬化シリコーンの代表例と
して、■硬化状態でケイ素原子結合水素原子を有するシ
リコーン硬化物、■硬化状態でケイ素原子結合加水分解
性基を有するシリコーン硬化物、■硬化状態でケイ素８
一 原子結合水素原子とケイ素原子結合加水分解性基を有す
るシリコーン硬化物がある。

■のシリコーン硬化物としては、例えば、ビニル基含有
オルガノポリシロキサン、オルガノハイドロジエンポリ
シロキサンおよび白金化合物触媒を主剤とし、ケイ素原
子結合ビニル基に対してケイ素原子結合水素原子が大過
剰になるような比率で配合したシリコーン組成物を硬化
させたものがある。

■のシリコーン硬化物としては、例えば、ビニル基含有
オルガノポリシロキサン、オルガノハイドロジエンポリ
シロキサン、反応性接着促進剤（例えば、ビニルトリア
ルコキシシラン、アリルトリアルコキシシランもしくは
γ−メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン）お
よび白金化合物触媒を主剤とするシリコーン組成物を硬
化させたものがある。

■のシリコーン硬化物としては、例えば、ビニル基含有
オルガノポリシロキサン、オルガノハイドロジエンポリ
シロキサン、反応性接着促進剤（例えば、ビニルトリア
ルコキシシラン、アリルトリアルコキシシランもしくは
γ−メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン）お
よび白金化合物触媒を主剤とし、ケイ素原子結合ビニル
基に対してケイ素原子結合水素原子が大過剰になるよう
な比率で配合したシリコーン組成物を硬化させたものが
ある。

硬化シリコーンは、未硬化時に付加反応遅延剤、補強性
充填剤、増量充填剤、耐熱剤、顔料等を含有していても
よいが、半導体特性に悪影響を及ぼす不純物、特にアル
カリ金属、ハロゲンイオンの含有量はｌｐｐｍ以下が望
ましく、α線によるソフトエラー防止の観点からウラン
、トリウム等の放射性元素の総合有量は０．１ｐｐｂ以
下が望ましい。

硬化シリコーン層は、半導体チップ表面のＰＮ接合部、
アルミニウム配線、ポンディングパッドなど機能部分を
被覆し、さらにボンディングワイヤ、半田バンプ、ビー
ムリードのような導電部材のうち少なくとも半導体チッ
プに近接した部分を被覆している。その他、必要に応じ
て半導体チップの側面、導電部材の残余の部分、ハイブ
リッドＩＣにおける半導体チップと導電部材以外の部分
、例えば膜回路、レジスター、コンデンサーを被覆して
いてもよい。なお、硬化シリコーン層は半導体チップ側
面の非機能部分をも被覆していることが好ましい。硬化
シリコーン層の厚みは、半導体チップ表面および導電部
材の半導体チップに近接した部分を確実に被覆できる程
度であればよく、数μｍ以上であることが好ましく、通
常５０〜５００μｍ位であり、極端な場合は数ｍｍであ
ってもよい。

本発明の樹脂封止型半導体装置を製造するには、例えば
、半導体チップ表面および導電部材の少なくとも半導体
チップに近接した部分を前述の硬化性シリコーンもしく
は硬化性シリコーン組成物により被覆し、加熱硬化させ
、ついで半導体チップ、導電部材、外部液縦用リード線
のインナ一部分を包み込むように封止用エポキシ樹脂の
ような封止用樹脂により封止成形すればよい。硬化性シ
リコーンもしくは硬化性シリコーン組成物による被覆の
方法には、滴下、塗布、噴霧、浸漬などがあり、封止用
樹脂による封止成形の方法には、トランファーモールド
、射出成形、粉体塗装などがある。

［実　施　例］ 次に、本発明の実施例と従来技術を示す比較例をかかげ
る。「部」とあるのは重量部を意味する。粘度は２５℃
における値である。

ヒートサイクルテストは、最低温度−６５℃、最高温度
１８０℃の間を連続的に３時間で１サイクルさせて行な
った。熱衝撃テストは、−５０℃に３０分間保持後、た
だちに１５０℃に３０分間保持することを繰り返して行
なった。熱疲労テストは、通電断続を繰り返して行なっ
た。

〈実施例１〉 第１図は、本発明の一実施例のワイヤボンディング方式
の樹脂封止型ＩＣの断面図である。タブ２上に載置され
たモノリシックＩＣチップ１０表面および金製ボンディ
ングワイヤ４ａの該チップ１に近接した部分上に、 （ａ）両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェ
ニルシロキサン・ジメチ ルシロキサン共重合体（粘度２０００ Ｃ，１１，）　　　　　　　　　　１００部（ｂ）両末
端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジエンポリ
シロキザン （粘度２０ｃ、ｐ、＞　　　　　　３．０部（Ｃ）アリ
ルトリメトキシシラン２．０部（（１’）塩化白金酸と
ジビニルテトラメチルジシロキザンの錯塩 白金原子として組成物全体の５゜ Ｏｐｐｍとなるような量 （ｅ）アルミニウムアセチルアセトネート０、１部 からなる付加反応硬化型シリコーンゴム組成物［ケイ素
原子結合水素原子と（ａ）成分中のビニル基のモル比は
２：１である］を滴下し、１００℃に１０分間保って硬
化させた後、金製ボンディングワイヤ４ａの残部と外部
接続用リード線７のインナ一部分とともに、市販の封止
用エポキシ樹脂６ａにより封止成形されている。

上記シリコーンゴム組成物が硬化してできたシリコーン
ゴム１１５ａは、モノリシックＩＣチップ１の表面と金
製ボンディングワイヤ４ａの該ＩＣチップ１に近接した
部分を接着状態で被覆するとともに、その上を被覆する
封止用エポキシ樹脂６ａと強固に接着して一体化してい
る。この樹脂封止型ＩＣは、ヒートサイクルテストに供
したときに、サイクル数１５００回でも金製ボンディン
グワイヤ４ａが断線することがなく、熱衝撃テストに供
したときに、サイクル数６００回でも金製ボンディング
ワイヤ４ａが断線することがなく、放熱用シリコーンコ
ンパウンドを塗布して熱疲労テストに供しても金製ボン
ディングワイヤ４ａが断線することがなかった。

〈比較例１〉 第４図は、従来のワイヤボンディング方式の樹脂封止型
■Ｃの一例の断面図である。

タブ２上に載置された、モノリシックＩＣチップ１の表
面および金製ボンディングワイヤ４ａの該チップ１に近
接した部分上に、従来の付加反応硬化型シリコーンゴム
組成物である、実施例１の（ａ＞成分１００部、（ｂ）
成分３．０部および（ｄ　）成分が白金原子として、組
成物全体の５．ｏｐｐｍとなるような量のみからなる付
加反応硬化型シリコーンゴム組成物を滴下し、１００℃
に１０分間保って硬化させた後、金製ボンディングワイ
ヤ４ａの残部と外部接続用リード線７のインナ一部分と
ともに、市販の封止用エポキシ樹脂６ａにより封止成形
さ−１５、− れている。

上記シリコーンゴム組成物が硬化してできたシリコーム
ゴム層５ａは、モノリシックＩＣチップ１の表面と金製
ボンディングワイヤ４ａの該ＩＣチップ１に近接した部
分を、わずかに接着した状態で被覆するとともに、その
上を被覆する封止用エポキシ樹脂６ａと一見密接してい
るが、顕微鏡で観察すると微細な隙間があり接着してい
ない。

この樹脂封止型ＩＣは、ヒートサイクルテストに供した
ときにサイクル数２００回で金製ボンディングワイヤ４
ａが断線し、熱衝撃テストに供したときにサイクル数２
０回で金製ボンディングワイヤ４ａが断線し、放熱用シ
リコーンコンパウンドを塗布して熱疲労テストを供した
ときにシリコーンゴム層５ａが該シリコーンコンパウン
ドから浸透してきたシリコーンオイルにより、膨潤して
金製ボンディングワイヤ４ａが断線した。

〈実施例２〉 第２図は、本発明の一実施例の粉体状エポキシ樹脂で封
止したＳＩＰ型ハイブリッドＩＣの断面図である。セラ
ミック基板８上にモノリシックＩＣチップ１が載置され
、該ＩＣチップ１が金製ボンディングワイヤ４ａにより
、該基板８上に印刷されたアルミニウム膜回路（図示せ
ず）を介して、外部接続用リード線７に電気的に接続さ
れたハイブリッドＩＣを、 （ａ）ジメチルビニルシロキサン単位８゜０モル％、ジ
メチルシロキサン単位１ ２モル％および５ｉ０４／２単位、８０モル％からなる
シリコーンレジン　１００部（ｂ）両末端トリメチルシ
ロキシ基封鎖メチルハイドロジエンポリシロキサン （粘度２０Ｃ，Ｄ、）　　　　　　６．０部（０）塩化
白金酸とジビニルテトラメチルジシロキサンの錯塩 白金原子として組成物全体の５゜ ０　ｐｐｍとなるような量 からなる付加反応硬化型シリコーンレジン組成物［ケイ
素原子結合水素原子と（ａ　）成分中のビニル基のモル
比は５：１である］中に浸漬し、引き上げて１２０℃に
５分間保って硬化させたものを市販の粉体状エポキシ樹
脂により封止成形してできている。

上記シリコーンレジン組成物が硬化してできたシリコー
ンレジン層５ｂは、セラミック基板８上のモノリシック
ＩＣチップ１表面と側面、金製ボンディングワイヤ４ａ
。

セラミック基板８の残余部分および外部接続用リード線
７のインナ一部分を接着状態で被覆するとともに、その
上を被覆する封止用エポキシ樹脂６ａと強固に接着して
一体化している。この樹脂封止型ハイブリッドＩＣにつ
いて、ＰＣＴ　（１２１℃、２気圧＞１００時間実施し
た後、電気特性を測定したところ、リーク電流は初期値
の１μＡのままであった。ＰＣＴ（１２１℃、２気圧）
２５０時間実施後も同様であった。

ＰＣＴ１００時間実施後、ＰＣ７２５０時間実施後とも
に、モノリシックＩＣチップ１表面上のアルミ配線回路
は、腐食も断線もしていなかった。

〈比較例２〉 第５図は、従来の粉体状エポキシ樹脂で封止したＳＩＰ
型ハイブリッドＩＣの一例の断面図である。

セラミック基板８上にモノリシックＩＣチップ１が載置
され、該ＩＣチップ１が金線ボンディングワイヤ４ａに
より、該基板上に印刷されたアルミニウム膜回路（図示
せず）を介して、外部接続用リード線７に電気的に接続
されたハイブリッドＩＣを、実施例２の（ａ）成分１０
０部、（ｂ）成分１．２部および（Ｃ）成分が白金原子
として、組成物全体の５．０ｐｐｍとなるような量から
なる付加反応硬化型シリコーンレジン組成物［ケイ素原
子結合水素原子と（ａ）成分中のビニル基のモル比は１
；１である］中に浸漬し、引き上げて１２０℃に５分間
保って硬化されたものを市販の粉体状エポキシ樹脂によ
り封止成形、してできている。

上記シリコーンレジン組成物が硬化してできたシリコー
ンレジン層５ｂは、セラミック基板８上のモノリシック
ＩＣチップ１の表面と側面、金線ボンディングワイヤ４
ａ１セラミツク基板８の残余部分および外部接続用リー
ド７のインナ一部分をわずかに接着状態で被覆するとと
もに、その上を被覆する封止用エポキシ樹脂６ａと一見
密接はしているが、顕微鏡で観察すると微細な隙間があ
り接着していない。

この樹脂封止型ハイブリッドＩＣについて、ＰＣＴ　（
１２１℃、２気圧）１００時間実施した後、電気特性を
測定したところリーク電流が著しく増大して、１００μ
Ａ以上になった。またモノリシックＩＣチップ表面のア
ルミ配線回路の一部が腐食し、断線した。

〈実施例３〉 第３図は、本発明の一実施例の溶液状フェノール樹脂で
封止した、ＤＩＰ型ハイブリッドＩＣの断面図である。

セラミック基板８の両面にモノリシックＩＣチップ１が
載置され、該ＩＣチップ１がアルミ製ボンディングワイ
ヤ４ｂにより該基板上に印刷されたアルミニウム膜回路
（図示せず）を介して、外部接続用リード線に電気的に
接続されたハイブリッドＩＣにおいて、該ＩＣチップ１
およびアルミ製ボンディングワイヤ４ｂ上に、 （ａ）両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポ
リシロキサン （粘度４０００ｃ、ｐ、＞　　　　１００部（ｂ）両末
端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジエンポリ
シロキサン （粘度２０ｃ、ｐ、）　　　　　　０．５部（Ｃ）塩化
白金酸のジビニルテトラメチルジシロキサン錯塩 白金原子として、組成物全体の５゜ ｏ　ｐｐｍとなるような量 （ｄ　）γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン　　　　　　　２．０部 からなる付加反応硬化型シリコーンゴム組成物［ケイ素
原子結合水素原子と（ａ　）成分中のビニル基のモル比
は４：１である］を滴下し、１５０’Ｃに１分間保って
硬化させた後、外部接続用リード線７の一部とともに、
市販の封止用の溶液状フェノール樹脂により封止成形さ
れている。

上記シリコーンゴム組成物が硬化してできたシリコーン
ゴム層５ａは、セラミック基板８上のモノリシックＩＣ
チップ１の表面、アルミ製ボンディングワイヤ４ｂおよ
び外部接続用リード線７の一部およびセラミック基板両
面の該ＩＣチップ１の周辺部を接着状態で被覆するとと
もに、その上を被覆する封止用フェノール樹脂６ｂと強
固に接着して一体化している。

この樹脂封止型ハイブリッドＩＣについて、ＰＣＴ　（
１２１℃、２気圧）を１５０時間実施した後、電気特性
を測定したところリーク電流は初期値の１μＡのままで
あった。また、モノリシックＩＣチップ１上のアルミ配
線回路、アルミ製ボンディングワイヤ４ｂとともに、腐
蝕も断線もしていなかった。

〈比較例３〉 第６図は、従来の溶液状フェノール樹脂で封止したＤＩ
Ｐ型ハイブリッドＩＣの断面図である。セラミック基板
８の両面にモノリシックＩＣチップ１が載置され、該Ｉ
Ｃチップ１がアルミ製ボンディングワイヤ４ｂにより、
該基板８上に印刷されたアルミニウム膜回路（図示せず
）を介して、外部接続用リード線７に電気的に接続され
たハイブリッドＩＣにおいて、該ＩＣチップ１およびア
ルミ製ボンディングワイヤ４ｂ上に実施例３の（ａ　’
）成分１００部、（ｂ）成分０．１２５部、（，０）成
分が白金原子として、組成物全体の５．０ｐｐｍとなる
ような量からなる付加反応硬化型シリコーンゴム組成物
［ケイ素原子結合水素原子と＜ａ　＞成分中のビニル基
のモル比は１：１である］を滴下し、１５０℃に１分間
保って硬化させた後、外部接続用リード線７の一部とと
もに市販の封止用の溶液状フェノール樹脂により封止成
形されている。

上記シリコーンゴム組成物が硬化してできたシリコーン
ゴム層５ａは、セラミック基板上８のモノリシックＩＣ
チップ１の表面、アルミ製ボンディングワイヤ４ｂ、セ
ラミック基板８両面の該ＩＣデツプ１の周辺部をわずか
に接着状態で被覆するとともに、その上を被覆する封止
用フェノール樹脂６ｂと、−見密接はしているが、顕微
鏡で観察すると微細な隙間があり接着していない。

この樹脂封止型ハイブリッドＩＣについて、ＰＣＴ　（
１２１℃、２気圧）を１５０時間実施した後、電気特性
を測定したところリーグ電流が著しく増大して１００μ
Ａ以上になった。また、モノリシックＩＣチップ１表面
のアルミ配線回路とアルミ製ボンディングワイヤの４ｂ
一部が腐蝕し、断線していた。

［発明の効果］ 本発明の樹脂封止型半導体装置は、硬化シリコーン層が
半導体チップ表面および導電部材の少なくとも該チップ
に近接した部分を接着被覆すると同時に、その上を被覆
する封止用樹脂と接着一体化しているので、繰り返しヒ
ートサイクルや熱衝撃にさらしたり、通電断続を繰り返
したり、長時間加熱加圧下においてもボンディングワイ
ヤ等の導電部材が断線や破損しにくく、封止用樹脂が破
壊されにくく、耐湿性、耐腐蝕性、応力緩和性にすぐれ
ているという特徴を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の樹脂封止型ＩＣの断面図
であり、第２図は、本発明の一実施例の粉体状エポキシ
樹脂で封止した、ＳＩＰ型ハイブリッドＩＣの断面図で
あり、第３図は、本発明の一実施例の溶液状フェノール
樹脂で封止したＤＩＰ型ハイブリッドＩＣの断面図であ
り、第４図は従来の樹脂封止型ＩＣの一例の断面図であ
り、第５図は従来の粉体状エポキシ樹脂で封止した、Ｓ
ＩＰ型ハイブリッドＩＣの断面図であり、第６図は従来
の溶液状フェノール樹脂で封止したＤＩＰ型ハイブリッ
ドＩＣの一例の断面図である。 １　・・・・・・モノリシックＩＣチップ２　・・・・
・・タブ ３　・・・・・・ポンディングパッド ４ａ・・・・・・金製ボンディングワイヤ４ｂ・・・・
・・アルミ製ボンディングワイヤ５ａ・・・・・・シリ
コーンゴム層 ５ｂ・・・・・・シリコーンレジン層 ６ａ・・・・・・封止用エポキシ樹脂 ６ｂ・・・・・・封止用フェノール樹脂７　・・・・・
・外部接続用リード線 ８　・・・・・・セラミック基板 特許出願人　　トーレ・シリコーン株式会社第１図 第２図 第３図 第４図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体チップが導電部材により外部接続用リード
   線に電気的に接続された樹脂封止型半導体装置において
   、半導体チップ表面および導電部材の少なくとも半導体
   チップに近接した部分が、硬化シリコーン層により接着
   被覆され、該硬化シリコーン層がその上を被覆する封止
   用樹脂と接着一体化していることを特徴とする樹脂封止
   型半導体装置。
2. （２）導電部材がボンディングワイヤである特許請求の
   範囲第１項記載の半導体装置。