JP3449603B2 - 熱硬化性樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
熱硬化性樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱硬化性樹脂組成
物に関する。また本発明は、かかる熱硬化性樹脂組成物
を用いた保護層を有する樹脂封止型半導体装置に関す
る。
物に関する。また本発明は、かかる熱硬化性樹脂組成物
を用いた保護層を有する樹脂封止型半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ノートパソコンや携帯電話などの
普及により、実装面積の小さいパッケージとして、ＢＧ
Ａ（ボールグリッドアレイ）およびＣＳＰ（チップサイ
ズパッケージ）、ベアチップ実装等に代表されるエリア
アレイパッケージが開発され、高密度実装法の主流にな
るものと注目されている。
普及により、実装面積の小さいパッケージとして、ＢＧ
Ａ（ボールグリッドアレイ）およびＣＳＰ（チップサイ
ズパッケージ）、ベアチップ実装等に代表されるエリア
アレイパッケージが開発され、高密度実装法の主流にな
るものと注目されている。
【０００３】このエリアパッケージには、そのパッケー
ジ構造によって各種の実装方法が存在するが、そのなか
でもベアチップＬＳＩをバンプを介して基板に貼り合せ
るフリップチップ接続を用いたものが最も高密度実装に
適しており、製品の小型化、薄型化を可能にする。
ジ構造によって各種の実装方法が存在するが、そのなか
でもベアチップＬＳＩをバンプを介して基板に貼り合せ
るフリップチップ接続を用いたものが最も高密度実装に
適しており、製品の小型化、薄型化を可能にする。
【０００４】このフリップチップ接続を用いた半導体装
置を樹脂封止する方法の特徴は、毛管現象を利用してデ
ィスペンサーから液状の封止樹脂組成物を一定量吐出し
てバンプで接続されたチップと基板の間隙に充填して硬
化することにある。
置を樹脂封止する方法の特徴は、毛管現象を利用してデ
ィスペンサーから液状の封止樹脂組成物を一定量吐出し
てバンプで接続されたチップと基板の間隙に充填して硬
化することにある。
【０００５】しかしながら、バンプで接続されたチップ
と基板の間隙は非常に狭く、通常５０μｍ〜１５０μｍ
である。従って、チップと基板の間隙に樹脂組成物を十
分充填するには、この間隙よりも最大粒径が小さい充填
剤を樹脂組成物に配合する必要があり、また、樹脂組成
物自体が低粘度で流動性、充填性に優れていることが必
要である。
と基板の間隙は非常に狭く、通常５０μｍ〜１５０μｍ
である。従って、チップと基板の間隙に樹脂組成物を十
分充填するには、この間隙よりも最大粒径が小さい充填
剤を樹脂組成物に配合する必要があり、また、樹脂組成
物自体が低粘度で流動性、充填性に優れていることが必
要である。
【０００６】従来、このような半導体装置を封止するに
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂や脂環式エポキシ樹
脂を主成分とし、硬化剤として液状酸無水物を用い、シ
リカ等の無機充填剤を高充填した常温で液状のエポキシ
樹脂組成物が用いられていた。
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂や脂環式エポキシ樹
脂を主成分とし、硬化剤として液状酸無水物を用い、シ
リカ等の無機充填剤を高充填した常温で液状のエポキシ
樹脂組成物が用いられていた。
【０００７】しかしながら、上記従来型の液状エポキシ
樹脂組成物で樹脂封止した半導体装置は、樹脂組成物の
接着性、耐湿性が劣るため耐湿信頼性テスト時にボイド
や樹脂クラックが発生しやすい。さらに樹脂中の水分が
半田リフロー処理の際に急激に気化して膨張し、半導体
装置が破損するなどの問題が生じていた。
樹脂組成物で樹脂封止した半導体装置は、樹脂組成物の
接着性、耐湿性が劣るため耐湿信頼性テスト時にボイド
や樹脂クラックが発生しやすい。さらに樹脂中の水分が
半田リフロー処理の際に急激に気化して膨張し、半導体
装置が破損するなどの問題が生じていた。
【０００８】また上記従来型の液状エポキシ樹脂組成物
で樹脂封止した半導体装置では、冷熱サイクル試験を施
した際に、チップ、バンプと硬化した樹脂組成物との熱
膨張係数の差によって発生する応力によって、樹脂クラ
ック、チップクラック、バンプクラックが発生し、製品
の信頼性の低下を招いていた。
で樹脂封止した半導体装置では、冷熱サイクル試験を施
した際に、チップ、バンプと硬化した樹脂組成物との熱
膨張係数の差によって発生する応力によって、樹脂クラ
ック、チップクラック、バンプクラックが発生し、製品
の信頼性の低下を招いていた。
【０００９】これを防止するには、樹脂組成物の耐熱衝
撃性の改良が必要であり、それには硬化した樹脂組成物
の熱膨張係数を低減することが有効である。硬化した樹
脂組成物の熱膨張係数を低減する試みとして、上記従来
型の液状エポキシ樹脂組成物に充填剤を高充填するなど
の方法が考えられるが、充填後の樹脂組成物の粘度が上
昇し、結果として流動性が低下して充填が困難になると
いう点がある。
撃性の改良が必要であり、それには硬化した樹脂組成物
の熱膨張係数を低減することが有効である。硬化した樹
脂組成物の熱膨張係数を低減する試みとして、上記従来
型の液状エポキシ樹脂組成物に充填剤を高充填するなど
の方法が考えられるが、充填後の樹脂組成物の粘度が上
昇し、結果として流動性が低下して充填が困難になると
いう点がある。
【００１０】さらに、上記従来型の液状エポキシ樹脂組
成物は、室温に放置した場合、数時間で樹脂組成物の反
応に伴う粘度の上昇が観察されることから、ディスペン
サーから樹脂組成物の吐出量が変化する等の作業性の観
点においても問題が生じている。よって、エポキシ樹脂
組成物は低温で保存することが必要となり、さらに、使
用期間が限定されてしまう。
成物は、室温に放置した場合、数時間で樹脂組成物の反
応に伴う粘度の上昇が観察されることから、ディスペン
サーから樹脂組成物の吐出量が変化する等の作業性の観
点においても問題が生じている。よって、エポキシ樹脂
組成物は低温で保存することが必要となり、さらに、使
用期間が限定されてしまう。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みてなされたもので、低粘度で流動性、充填性に優
れ、かつ接着性、耐湿性および耐熱衝撃性に優れる熱硬
化性樹脂組成物を提供することにある。また、本発明は
保存安定性の高い熱硬化性樹脂組成物を提供することを
目的とする。
鑑みてなされたもので、低粘度で流動性、充填性に優
れ、かつ接着性、耐湿性および耐熱衝撃性に優れる熱硬
化性樹脂組成物を提供することにある。また、本発明は
保存安定性の高い熱硬化性樹脂組成物を提供することを
目的とする。
【００１２】さらに上記樹脂組成物を用い、耐湿信頼性
および冷熱サイクル特性に優れた樹脂層を有する半導体
装置を提供することを目的とする。
および冷熱サイクル特性に優れた樹脂層を有する半導体
装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は（Ａ）シアネー
ト化合物、（Ｂ）レゾルシノールジグリシジルエーテル
樹脂、（Ｃ）有機金属化合物、（Ｄ）無機充填剤を含有
することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物である。
ト化合物、（Ｂ）レゾルシノールジグリシジルエーテル
樹脂、（Ｃ）有機金属化合物、（Ｄ）無機充填剤を含有
することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物である。
【００１４】また、前記（Ｃ）有機金属化合物が、下記
一般式（１）乃至（３）で表わされる化合物のうちの少
なくとも１種の化合物で、加熱、冷却によって可逆的に
溶解、析出を行う性質を有する熱硬化性樹脂組成物であ
る。
一般式（１）乃至（３）で表わされる化合物のうちの少
なくとも１種の化合物で、加熱、冷却によって可逆的に
溶解、析出を行う性質を有する熱硬化性樹脂組成物であ
る。
【化２】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は同一であっても
異なっていてもよく、それぞれ水素原子、炭素数１〜３
０の置換もしくは非置換の炭化水素基である。ただし１
つの配位子中において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３あるいはＲ４
のうち少なくとも１つ以上は含有する炭素数が１０以上
である。ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、ＺｒおよびＺｎからなる群から選択される元
素である。ｎは２〜４の整数である。） また、本発明は半導体素子と、この半導体素子を保護す
る樹脂層とを具備し、前記樹脂層は、前記熱硬化性樹脂
組成物を硬化させてなることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置である。
異なっていてもよく、それぞれ水素原子、炭素数１〜３
０の置換もしくは非置換の炭化水素基である。ただし１
つの配位子中において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３あるいはＲ４
のうち少なくとも１つ以上は含有する炭素数が１０以上
である。ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、ＺｒおよびＺｎからなる群から選択される元
素である。ｎは２〜４の整数である。） また、本発明は半導体素子と、この半導体素子を保護す
る樹脂層とを具備し、前記樹脂層は、前記熱硬化性樹脂
組成物を硬化させてなることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置である。
【００１５】本発明の如くレゾルシノールジグリシジル
エーテル樹脂にシアネート化合物を配合し、有機金属化
合物の存在下で熱硬化反応を生じせしめると、シアネー
ト基とグリシジル基との反応が起こりオキサゾリン環を
形成して硬化する。
エーテル樹脂にシアネート化合物を配合し、有機金属化
合物の存在下で熱硬化反応を生じせしめると、シアネー
ト基とグリシジル基との反応が起こりオキサゾリン環を
形成して硬化する。
【００１６】レゾルシノールジグリシジルエーテル樹脂
は半導体封止樹脂に一般的に使用されているビスフェノ
ール型エポキシ樹脂と比較して低粘度であるため、液状
の酸無水物等の硬化剤と比較して粘度の高いシアネート
化合物を硬化剤に用いても樹脂組成物の粘度を低く抑え
る事が出来る。しかもレゾルシノールジグリシジルエー
テルとシアネート化合物を備える樹脂組成物の硬化物は
耐湿性、耐熱衝撃性、基板やチップへの接着力が高く、
機械的強度も高い。
は半導体封止樹脂に一般的に使用されているビスフェノ
ール型エポキシ樹脂と比較して低粘度であるため、液状
の酸無水物等の硬化剤と比較して粘度の高いシアネート
化合物を硬化剤に用いても樹脂組成物の粘度を低く抑え
る事が出来る。しかもレゾルシノールジグリシジルエー
テルとシアネート化合物を備える樹脂組成物の硬化物は
耐湿性、耐熱衝撃性、基板やチップへの接着力が高く、
機械的強度も高い。
【００１７】一方、ビスフェノール型の液状エポキシ樹
脂と、シアネート化合物との組み合わせでは特に粘度が
高くなって作業性や充填性に問題が生じる恐れがある。
脂と、シアネート化合物との組み合わせでは特に粘度が
高くなって作業性や充填性に問題が生じる恐れがある。
【００１８】また、レゾルシノールジグリシジルエーテ
ル樹脂と、他の例えば酸無水物等の硬化剤との組み合わ
せでは耐湿性に劣る。また、レゾルシノールジグリシジ
ルエーテル樹脂と他のフェノールノボラック樹脂等の硬
化剤との組み合わせでは十分な機械的強度、耐熱性が得
られない。
ル樹脂と、他の例えば酸無水物等の硬化剤との組み合わ
せでは耐湿性に劣る。また、レゾルシノールジグリシジ
ルエーテル樹脂と他のフェノールノボラック樹脂等の硬
化剤との組み合わせでは十分な機械的強度、耐熱性が得
られない。
【００１９】また、反応希釈剤として用いられているフ
ェニルグリシジルエーテルやアリルグリシジルエーテル
などでは組成物の粘度を低く出来るが、熱硬化処理の際
に揮発してボイドを生じる恐れがある。
ェニルグリシジルエーテルやアリルグリシジルエーテル
などでは組成物の粘度を低く出来るが、熱硬化処理の際
に揮発してボイドを生じる恐れがある。
【００２０】本発明の如く、シアネート化合物とレゾル
シノールジグリシジルエーテル樹脂を含有する本発明の
熱硬化性樹脂組成物は、低粘度で流動性、充填性に優
れ、かつ接着性、耐湿性、耐熱衝撃性が高い。したがっ
て、その硬化物は耐湿信頼性に優れ、冷熱サイクル特性
にも優れる。また、本発明の樹脂組成物の硬化物は高強
度を有する。このため本発明の樹脂組成物を用いて保護
層を形成した半導体装置の耐湿信頼性や冷熱サイクル特
性が良好である。
シノールジグリシジルエーテル樹脂を含有する本発明の
熱硬化性樹脂組成物は、低粘度で流動性、充填性に優
れ、かつ接着性、耐湿性、耐熱衝撃性が高い。したがっ
て、その硬化物は耐湿信頼性に優れ、冷熱サイクル特性
にも優れる。また、本発明の樹脂組成物の硬化物は高強
度を有する。このため本発明の樹脂組成物を用いて保護
層を形成した半導体装置の耐湿信頼性や冷熱サイクル特
性が良好である。
【００２１】加えて、本発明の熱硬化性樹脂組成物にお
いては、加熱、冷却によって可逆的に溶解、析出を繰り
返す特定の有機金属化合物を硬化触媒とすることで、作
業性、充填性や硬化物の性質を低下させることなく、樹
脂組成物の保存や使用時の時間経過による粘度変化を抑
制することができる。
いては、加熱、冷却によって可逆的に溶解、析出を繰り
返す特定の有機金属化合物を硬化触媒とすることで、作
業性、充填性や硬化物の性質を低下させることなく、樹
脂組成物の保存や使用時の時間経過による粘度変化を抑
制することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の熱硬化性樹脂組成
物の各成分について説明する。 ＜（Ａ）成分＞本発明に係る（Ａ）成分のシアネート化
合物は特に限定されず、分子中に二個以上のシアネート
エステル構造を持つ化合物であれば任意の化合物を使用
することができる。シアネート化合物は有機金属化合物
の存在下で、レゾルシノールジグリシジルエーテル等の
エポキシ化合物と反応し、硬化物を与える。
物の各成分について説明する。 ＜（Ａ）成分＞本発明に係る（Ａ）成分のシアネート化
合物は特に限定されず、分子中に二個以上のシアネート
エステル構造を持つ化合物であれば任意の化合物を使用
することができる。シアネート化合物は有機金属化合物
の存在下で、レゾルシノールジグリシジルエーテル等の
エポキシ化合物と反応し、硬化物を与える。
【００２３】本発明において、シアネート化合物は、モ
ノマーから数平均分子量が２０００程度のものが望まし
い。分子量が大きすぎると溶融粘度が高くなり、流動
性、充填性、作業性などが損なわれる恐れがある。
ノマーから数平均分子量が２０００程度のものが望まし
い。分子量が大きすぎると溶融粘度が高くなり、流動
性、充填性、作業性などが損なわれる恐れがある。
【００２４】本発明において、シアネート化合物として
は、例えば、特開平８−２８３４０９号公報に記載され
ているシアネート化合物等が挙げられる。
は、例えば、特開平８−２８３４０９号公報に記載され
ているシアネート化合物等が挙げられる。
【００２５】シアネート化合物の具体例としては下記化
学式（４）〜（１２）に示される化合物が挙げられる。
これらの化合物は、耐熱性及び機械的強度の高い硬化物
を形成する事が出来るため特に好ましい。
学式（４）〜（１２）に示される化合物が挙げられる。
これらの化合物は、耐熱性及び機械的強度の高い硬化物
を形成する事が出来るため特に好ましい。
【化３】
上記シアネート化合物のうち、（７）で表されるシアネ
ート化合物は低粘度であるため特に望ましい。 ＜（Ｂ）成分＞本発明に係る（Ｂ）成分のレゾルシノー
ルジグリシジルエーテル樹脂は、常温で固体あるいは過
冷却液体状態のものを使用することができる。レゾルシ
ノールジグリシジルエーテル樹脂は有機金属化合物の存
在下でシアネート化合物と反応し、硬化物を与える。シ
アネート化合物にレゾルシノールジグリシジルエーテル
樹脂を加えることで、特に樹脂組成物の粘度を低減し成
形性を改良することができる。
ート化合物は低粘度であるため特に望ましい。 ＜（Ｂ）成分＞本発明に係る（Ｂ）成分のレゾルシノー
ルジグリシジルエーテル樹脂は、常温で固体あるいは過
冷却液体状態のものを使用することができる。レゾルシ
ノールジグリシジルエーテル樹脂は有機金属化合物の存
在下でシアネート化合物と反応し、硬化物を与える。シ
アネート化合物にレゾルシノールジグリシジルエーテル
樹脂を加えることで、特に樹脂組成物の粘度を低減し成
形性を改良することができる。
【００２６】レゾルシノールジグリシジルエーテル樹脂
は下記化学式で表されるモノマーおよびその重合体であ
る。
は下記化学式で表されるモノマーおよびその重合体であ
る。
【化４】
本発明において、レゾルシノールジグリシジルエーテル
樹脂は、モノマー〜数平均分子量が１０００の範囲にあ
るものが粘度が低く作業性及び充填性の点で望ましい。
樹脂は、モノマー〜数平均分子量が１０００の範囲にあ
るものが粘度が低く作業性及び充填性の点で望ましい。
【００２７】上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分は、シアネ
ート化合物のシアン酸エステル基のモル数を（Ｘ）、レ
ゾルシノールジグリシジルエーテル樹脂のエポキシ基の
モル数が（Ｙ）の時、Ｙ／Ｘの値が０．１〜１．５にな
るように配合されるのが好ましく、０．３〜１．２がよ
り好ましい。Ｙ／Ｘの値が０．１未満の場合では、低粘
度化の効果が期待できず、１．５を越える場合では、硬
化物が脆くなる恐れがある。
ート化合物のシアン酸エステル基のモル数を（Ｘ）、レ
ゾルシノールジグリシジルエーテル樹脂のエポキシ基の
モル数が（Ｙ）の時、Ｙ／Ｘの値が０．１〜１．５にな
るように配合されるのが好ましく、０．３〜１．２がよ
り好ましい。Ｙ／Ｘの値が０．１未満の場合では、低粘
度化の効果が期待できず、１．５を越える場合では、硬
化物が脆くなる恐れがある。
【００２８】なお、本発明の熱硬化性樹脂組成物は、シ
アネート樹脂あるいはレゾルシノールジグリシジルエー
テル樹脂の少なくとも一方に常温（３０℃）で液状のも
のを用い、樹脂組成物自体が常温で液状のものである
と、粘度がより低く、流動性、充填性、作業性に優れ、
かつ接着性、耐湿性、耐熱衝撃性にも優れる。したがっ
て、例えばフリップチップ接続を有する半導体装置の封
止など微細部分への充填を必要とされる成形品の製造に
対する用途に特により適している。また、シアネート樹
脂あるいはレゾルシノールジグリシジルエーテル樹脂の
少なくとも一方に常温（３０℃）で固体のものを用いて
常温で固体の樹脂組成物であっても、かつ接着性、耐湿
性、耐熱衝撃性にも優れ好適である。 ＜（Ｃ）成分＞本発明に係る（Ｃ）成分の有機金属化合
物は硬化触媒として作用し、例えば、下記一般式（１
３）で表わされる金属塩や金属錯体が使用される。
アネート樹脂あるいはレゾルシノールジグリシジルエー
テル樹脂の少なくとも一方に常温（３０℃）で液状のも
のを用い、樹脂組成物自体が常温で液状のものである
と、粘度がより低く、流動性、充填性、作業性に優れ、
かつ接着性、耐湿性、耐熱衝撃性にも優れる。したがっ
て、例えばフリップチップ接続を有する半導体装置の封
止など微細部分への充填を必要とされる成形品の製造に
対する用途に特により適している。また、シアネート樹
脂あるいはレゾルシノールジグリシジルエーテル樹脂の
少なくとも一方に常温（３０℃）で固体のものを用いて
常温で固体の樹脂組成物であっても、かつ接着性、耐湿
性、耐熱衝撃性にも優れ好適である。 ＜（Ｃ）成分＞本発明に係る（Ｃ）成分の有機金属化合
物は硬化触媒として作用し、例えば、下記一般式（１
３）で表わされる金属塩や金属錯体が使用される。
【００２９】Ｙ−Ｚ （１３）
（ＹはＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、ＺｒおよびＺｎからなる群から選択され、Ｚはナフ
テン酸、オクチル酸、アルコキシド等の有機アニオン、
アセチルアセトナート、エチルアセトアセテート等の配
位子を表わす。）具体例としては、ナフテン酸コバル
ト、オクチル酸コバルト、ナフテン酸マンガン、オクチ
ル酸マンガン、ナフテン酸亜鉛、オクチル酸亜鉛、ナフ
テン酸ジルコニウム、ナフテン酸鉄、オクチル酸ジルコ
ニウム、オクチル酸鉄、ナフテン酸銅、オクチル酸銅、
銅アセチルアセトネート、アルミニウムアセチルアセト
ネート、チタンアセチルアセトネート、ジルコニウムア
セチルアセトネート、銅エチルアセトアセテート、アル
ミニウムエチルアセトアセテート、チタンエチルアセト
アセテート、ジルコニウムエチルアセトアセテート、エ
チルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレー
ト、ジプロポキシビスアセチルアセトンチタネート等が
挙げられる。
ｕ、ＺｒおよびＺｎからなる群から選択され、Ｚはナフ
テン酸、オクチル酸、アルコキシド等の有機アニオン、
アセチルアセトナート、エチルアセトアセテート等の配
位子を表わす。）具体例としては、ナフテン酸コバル
ト、オクチル酸コバルト、ナフテン酸マンガン、オクチ
ル酸マンガン、ナフテン酸亜鉛、オクチル酸亜鉛、ナフ
テン酸ジルコニウム、ナフテン酸鉄、オクチル酸ジルコ
ニウム、オクチル酸鉄、ナフテン酸銅、オクチル酸銅、
銅アセチルアセトネート、アルミニウムアセチルアセト
ネート、チタンアセチルアセトネート、ジルコニウムア
セチルアセトネート、銅エチルアセトアセテート、アル
ミニウムエチルアセトアセテート、チタンエチルアセト
アセテート、ジルコニウムエチルアセトアセテート、エ
チルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレー
ト、ジプロポキシビスアセチルアセトンチタネート等が
挙げられる。
【００３０】特に本発明は、（Ｃ）有機金属化合物とし
て、下記一般式（１）〜（３）で表わされる化合物のう
ちの少なくとも１種の化合物で、加熱、冷却によって可
逆的に溶解、析出を行う性質ものを使用することによ
り、時間経過による粘度の増加や硬化を防ぎ、使用可能
な時間を従来のエポキシ樹脂組成物よりも長くすること
ができる。
て、下記一般式（１）〜（３）で表わされる化合物のう
ちの少なくとも１種の化合物で、加熱、冷却によって可
逆的に溶解、析出を行う性質ものを使用することによ
り、時間経過による粘度の増加や硬化を防ぎ、使用可能
な時間を従来のエポキシ樹脂組成物よりも長くすること
ができる。
【化５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は同一であっても
異なっていてもよく、それぞれ水素原子、炭素数１〜３
０の置換もしくは非置換の炭化水素基である。ただし１
つの配位子中において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３あるいはＲ４
のうち少なくとも１つ以上は含有する炭素数が１０以上
である。ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、ＺｒおよびＺｎからなる群から選択される元
素である。ｎは２〜４の整数である。） 上述の加熱とは、室温以上、具体的には４０℃以上から
硬化時間を意味し、冷却とは硬化温度以下、具体的には
８０℃以下、好ましくは６０℃以下の温度範囲を意味す
る。また、析出とは、有機金属化合物が、例えば、シア
ネート化合物とレゾルシノールジグリシジルエーテルと
有機金属化合物を混合した樹脂組成物中ににおいてコロ
イドやミセル、結晶等の形態をとることを意味し、有機
金属化合物が樹脂成分から隔離されている状態であれば
よい。さらに有機金属化合物の触媒作用の潜在性が貯蔵
安定性試験等により確認できればそれらの大きさはいか
なるものでもよいが、好ましくは、それらの有機金属化
合物の平均粒径が０．１μｍ以上のものが確認できれば
よい。
異なっていてもよく、それぞれ水素原子、炭素数１〜３
０の置換もしくは非置換の炭化水素基である。ただし１
つの配位子中において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３あるいはＲ４
のうち少なくとも１つ以上は含有する炭素数が１０以上
である。ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、ＺｒおよびＺｎからなる群から選択される元
素である。ｎは２〜４の整数である。） 上述の加熱とは、室温以上、具体的には４０℃以上から
硬化時間を意味し、冷却とは硬化温度以下、具体的には
８０℃以下、好ましくは６０℃以下の温度範囲を意味す
る。また、析出とは、有機金属化合物が、例えば、シア
ネート化合物とレゾルシノールジグリシジルエーテルと
有機金属化合物を混合した樹脂組成物中ににおいてコロ
イドやミセル、結晶等の形態をとることを意味し、有機
金属化合物が樹脂成分から隔離されている状態であれば
よい。さらに有機金属化合物の触媒作用の潜在性が貯蔵
安定性試験等により確認できればそれらの大きさはいか
なるものでもよいが、好ましくは、それらの有機金属化
合物の平均粒径が０．１μｍ以上のものが確認できれば
よい。
【００３１】溶解とは、上述したような形態をとる有機
金属化合物が一部分でも溶解すればよい。例えば、シア
ネート化合物とレゾルシノールジグリシジルエーテルと
有機金属化合物を混合した樹脂組成物中で析出した有機
金属化合物を樹脂ごとガラス板上に採取し、次いで加熱
しながら顕微鏡で観測することにより、析出して濁って
いる有機金属化合物が溶解して透明になればよい。さら
に樹脂組成物中の有機金属化合物の溶解に由来する吸熱
ピークがＤＳＣ（示差走査熱量測定）等において確認さ
れれば、より好ましい。
金属化合物が一部分でも溶解すればよい。例えば、シア
ネート化合物とレゾルシノールジグリシジルエーテルと
有機金属化合物を混合した樹脂組成物中で析出した有機
金属化合物を樹脂ごとガラス板上に採取し、次いで加熱
しながら顕微鏡で観測することにより、析出して濁って
いる有機金属化合物が溶解して透明になればよい。さら
に樹脂組成物中の有機金属化合物の溶解に由来する吸熱
ピークがＤＳＣ（示差走査熱量測定）等において確認さ
れれば、より好ましい。
【００３２】前記一般式（１）〜（３）で表わされ、加
熱、冷却によって可逆的に溶解、析出を行う性質を有す
る化合物としては、例えば、トリス（オクタデシルアセ
トアセテート）アルミニウム、トリス（ヘキサデシルア
セトアセテート）アルミニウム、トリス（テトラデシル
アセトアセテート）アルミニウム、トリス（ドデシルア
セトアセテート）アルミニウム、トリス（オクチルサリ
チルアルデヒド）アルミニウム、トリス（３ーオクタデ
シルアセトアセテート）アルミニウム、及び下記化学式
（１３）〜（２５）で表わされる化合物が貯蔵安定性が
高くしかも熱硬化性が良好であるため特に望ましい。
熱、冷却によって可逆的に溶解、析出を行う性質を有す
る化合物としては、例えば、トリス（オクタデシルアセ
トアセテート）アルミニウム、トリス（ヘキサデシルア
セトアセテート）アルミニウム、トリス（テトラデシル
アセトアセテート）アルミニウム、トリス（ドデシルア
セトアセテート）アルミニウム、トリス（オクチルサリ
チルアルデヒド）アルミニウム、トリス（３ーオクタデ
シルアセトアセテート）アルミニウム、及び下記化学式
（１３）〜（２５）で表わされる化合物が貯蔵安定性が
高くしかも熱硬化性が良好であるため特に望ましい。
【化６】
【化７】
【化８】
さらに、上述した化学式におけるアルミニウムを、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕに置換
したキレート化合物もまた本発明の有機金属化合物とし
て用いることができる。
ｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕに置換
したキレート化合物もまた本発明の有機金属化合物とし
て用いることができる。
【００３３】なお、上述の一般式（１）〜（３）で表わ
される化合物においては、金属原子（Ｍ）の結合手が全
て配位子と結合している必要はなく、１個のアルコキシ
基、フェノキシ基、アシロキシ基と結合していてもよ
い。
される化合物においては、金属原子（Ｍ）の結合手が全
て配位子と結合している必要はなく、１個のアルコキシ
基、フェノキシ基、アシロキシ基と結合していてもよ
い。
【００３４】これらの有機金属化合物は、樹脂組成物中
に１種または２種以上が混合して用いられ、その添加量
は、無機充填剤を除く各成分の合計に対して通常０．０
１〜２０ｗｔ％、好ましくは、０．１〜１０ｗｔ％であ
る。配合量が０．０１ｗｔ％未満である場合には、硬化
が不十分になるおそれがある。また、２０ｗｔ％を越え
ると、過剰な有機金属化合物がかえって耐熱性や耐湿信
頼性の低下を招くため好ましくない。 ＜（Ｄ）成分＞本発明の（Ｄ）成分である無機充填剤と
しては、例えば、石英ガラス、結晶性シリカ、溶融シリ
カ、ジルコン、アルミナ、珪酸カルシウム、硫酸バリウ
ム、マグサイト、クレー、カオリン、タルク、マイカ、
ガラス繊維、セラミック繊維、カーボンファイバー、炭
化けい素、窒化けい素、窒化アルミニウム、チタン白、
炭酸カルシウムおよび石膏などが挙げられる。
に１種または２種以上が混合して用いられ、その添加量
は、無機充填剤を除く各成分の合計に対して通常０．０
１〜２０ｗｔ％、好ましくは、０．１〜１０ｗｔ％であ
る。配合量が０．０１ｗｔ％未満である場合には、硬化
が不十分になるおそれがある。また、２０ｗｔ％を越え
ると、過剰な有機金属化合物がかえって耐熱性や耐湿信
頼性の低下を招くため好ましくない。 ＜（Ｄ）成分＞本発明の（Ｄ）成分である無機充填剤と
しては、例えば、石英ガラス、結晶性シリカ、溶融シリ
カ、ジルコン、アルミナ、珪酸カルシウム、硫酸バリウ
ム、マグサイト、クレー、カオリン、タルク、マイカ、
ガラス繊維、セラミック繊維、カーボンファイバー、炭
化けい素、窒化けい素、窒化アルミニウム、チタン白、
炭酸カルシウムおよび石膏などが挙げられる。
【００３５】これらのうち、低吸湿でしかも低溶融粘度
の組成物が得られることから、石英ガラス、結晶性シリ
カおよび溶融シリカが好ましい。なお、結晶性シリカや
溶融シリカの形状は、破砕状シリカおよび球状シリカな
どがあり、これらを組み合わせて用いることができる。
低溶融粘度の樹脂組成物が得られることから、球状シリ
カがさらに好ましい。
の組成物が得られることから、石英ガラス、結晶性シリ
カおよび溶融シリカが好ましい。なお、結晶性シリカや
溶融シリカの形状は、破砕状シリカおよび球状シリカな
どがあり、これらを組み合わせて用いることができる。
低溶融粘度の樹脂組成物が得られることから、球状シリ
カがさらに好ましい。
【００３６】（Ｄ）成分である無機充填剤の配合割合
は、樹脂組成物全体の２０ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下で
あることが望ましく、より好ましくは３０ｗｔ％以上９
０ｗｔ％以下である。２０ｗｔ％未満では、硬化物の熱
膨張率が大きくなって十分な耐熱衝撃性が得られないお
それがあり、９５重量％を越えると組成物の流動性が低
下し、成形時にワイヤ流れや、ベッド移動が発生する原
因となるおそれがある。
は、樹脂組成物全体の２０ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下で
あることが望ましく、より好ましくは３０ｗｔ％以上９
０ｗｔ％以下である。２０ｗｔ％未満では、硬化物の熱
膨張率が大きくなって十分な耐熱衝撃性が得られないお
それがあり、９５重量％を越えると組成物の流動性が低
下し、成形時にワイヤ流れや、ベッド移動が発生する原
因となるおそれがある。
【００３７】なお、ＩＣやＬＳＩ等を基板に直接実装す
るフリップチップの封止に本発明の樹脂組成物を用いる
場合には、基板と半導体素子との間隙に樹脂組成物が容
易に侵入することが望まれる。
るフリップチップの封止に本発明の樹脂組成物を用いる
場合には、基板と半導体素子との間隙に樹脂組成物が容
易に侵入することが望まれる。
【００３８】従って、（Ｄ）成分である無機充填剤の最
大粒径および平均粒径は、所定の範囲内であることが好
ましい。例えば最大粒径は５０μｍ以下が好ましく、３
０μｍ以下がより好ましい。半導体素子と基板の間隙の
大きさは、通常５０μｍないし１５０μｍ程度であるた
め、最大粒径が５０μｍを越える無機充填剤を配合した
樹脂組成物は、間隙に充填できなくなるおそれがある。
また、充填むらが生じて絶縁不良の原因となったり、場
合によってはパッケージクラックが発生する。
大粒径および平均粒径は、所定の範囲内であることが好
ましい。例えば最大粒径は５０μｍ以下が好ましく、３
０μｍ以下がより好ましい。半導体素子と基板の間隙の
大きさは、通常５０μｍないし１５０μｍ程度であるた
め、最大粒径が５０μｍを越える無機充填剤を配合した
樹脂組成物は、間隙に充填できなくなるおそれがある。
また、充填むらが生じて絶縁不良の原因となったり、場
合によってはパッケージクラックが発生する。
【００３９】無機充填剤の平均粒径は２０μｍ以下が好
ましい。２０μｍを越えると半導体素子と基板との間隙
への充填性が低下するおそれがある。 ＜その他の成分＞本発明に係る樹脂組成物は、必要に応
じてジグリシジルエーテル以外のエポキシ化合物を添加
することが可能である。添加されるエポキシ化合物は特
に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡのジグリ
シジルエーテル、ビスフェノールＦのジグリシジルエー
テル、ヒドロキシビフェニルのジグリシジルエーテルお
よびその誘導体、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡのノボラ
ック型エポキシ樹脂、フェノールまたはアルキルフェノ
ール類とヒドロキシベンズアルデヒドとの縮合物をエポ
キシ化して得られるエポキシ樹脂、テトラ（ヒドロキシ
フェニル）アルカンのエポキシ樹脂、２，２'，４，４'
−テトラヒドロキシベンゾフェノンのテトラグリシジル
エーテル、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノグリシドキシベ
ンゼン、１，３，５−トリグリシドキシベンゼン、２，
２'，４，４'−テトラグリシドキシビフェニル、４，
４'−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３'，
５，５'−テトラメチルビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'
−テトラグリシジルアミノジフェニルメタン、ジシクロ
ペンタジエン型エポキシ樹脂、（３'，４'−エポキシシ
クロヘキシルメチル）−３，４−シクロヘキサンカルボ
キシレート、各種ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられ
る。
ましい。２０μｍを越えると半導体素子と基板との間隙
への充填性が低下するおそれがある。 ＜その他の成分＞本発明に係る樹脂組成物は、必要に応
じてジグリシジルエーテル以外のエポキシ化合物を添加
することが可能である。添加されるエポキシ化合物は特
に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡのジグリ
シジルエーテル、ビスフェノールＦのジグリシジルエー
テル、ヒドロキシビフェニルのジグリシジルエーテルお
よびその誘導体、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡのノボラ
ック型エポキシ樹脂、フェノールまたはアルキルフェノ
ール類とヒドロキシベンズアルデヒドとの縮合物をエポ
キシ化して得られるエポキシ樹脂、テトラ（ヒドロキシ
フェニル）アルカンのエポキシ樹脂、２，２'，４，４'
−テトラヒドロキシベンゾフェノンのテトラグリシジル
エーテル、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノグリシドキシベ
ンゼン、１，３，５−トリグリシドキシベンゼン、２，
２'，４，４'−テトラグリシドキシビフェニル、４，
４'−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３'，
５，５'−テトラメチルビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'
−テトラグリシジルアミノジフェニルメタン、ジシクロ
ペンタジエン型エポキシ樹脂、（３'，４'−エポキシシ
クロヘキシルメチル）−３，４−シクロヘキサンカルボ
キシレート、各種ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられ
る。
【００４０】特にビスフェノールＦジグリシジルエーテ
ル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビフェニ
ル型エポキシ樹脂をレゾルシノールジグリシジルエーテ
ル樹脂１００重量部に対し５〜１００重量部程度添加す
ると吸湿率を下げたりじん性を高めるなどの効果を得る
ことが出来望ましい。
ル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビフェニ
ル型エポキシ樹脂をレゾルシノールジグリシジルエーテ
ル樹脂１００重量部に対し５〜１００重量部程度添加す
ると吸湿率を下げたりじん性を高めるなどの効果を得る
ことが出来望ましい。
【００４１】また、（Ｃ）成分の有機金属化合物の他
に、硬化性を高めるため更にフェノール類及び３級アミ
ン類等の硬化促進剤を無機充填剤を除く各成分の合計を
１００重量部とした時に０．２〜１０重量部添加しても
よい。
に、硬化性を高めるため更にフェノール類及び３級アミ
ン類等の硬化促進剤を無機充填剤を除く各成分の合計を
１００重量部とした時に０．２〜１０重量部添加しても
よい。
【００４２】本発明の樹脂組成物には粘度を調整するた
めに、必要に応じて有機溶剤や反応性希釈剤を添加する
ことも可能である。
めに、必要に応じて有機溶剤や反応性希釈剤を添加する
ことも可能である。
【００４３】有機溶剤としては、特に限定されないが、
例えばアセトン、シクロヘキサノン、メチルエチルケト
ン等のケトン類、エチルセロソルブ、メチルセロソル
ブ、メチルセロソルブアセテート、およびエチルセロソ
ルブアセテート等セロソルブ系溶剤、酢酸エチル、酢酸
ブチル、酢酸イソアミル、及び乳酸エチル等のエステル
系溶剤を挙げることができる。これらは単独で使用して
も２種類以上用いてもよい。
例えばアセトン、シクロヘキサノン、メチルエチルケト
ン等のケトン類、エチルセロソルブ、メチルセロソル
ブ、メチルセロソルブアセテート、およびエチルセロソ
ルブアセテート等セロソルブ系溶剤、酢酸エチル、酢酸
ブチル、酢酸イソアミル、及び乳酸エチル等のエステル
系溶剤を挙げることができる。これらは単独で使用して
も２種類以上用いてもよい。
【００４４】反応性希釈剤としては、エポキシモノマー
や架橋可能な不飽和炭素結合を有する低分子化合物等が
挙げられる。エポキシモノマーとしてはグリシドール、
１，２，７，８−ジエポキシオクタン、１，４−ブタン
ジオールグリシジルエーテル、シクロヘキサンオキサイ
ド、２，３−エポキシノルボルネン、４−ビニルシクロ
ヘキサンモノオキサイド、リモネンオキサイド、シクロ
ドデカンオキサイド、４−ビニルシクロヘキサンジオキ
サイド、１，２，５，６−ジエポキシシクロオクタン、
シクロオクタンオキサイド、ピネンオキサイド、１，２
−エポキシ５．９−シクロドデカジエン、１，２−エポ
キシエチルベンゼン、スチルベンオキサイド、グリシジ
ルフェニルエーテル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルグ
リシジルエーテル、２，３−エポキシプロピル−ｐ−メ
トキシフェニルエーテル、ｏ−ビフェニルグリシジルエ
ーテル、ブチルグリシジルエーテル、シクロヘキシルグ
リシジルエーテル、エチルヘキシルグリシジルエーテ
ル、１，４−ブタンジグリシジルエーテル、１，６−ヘ
キサンジグリシジルエーテル、ネオペンチルジグリシジ
ルエーテル等が挙げられる。
や架橋可能な不飽和炭素結合を有する低分子化合物等が
挙げられる。エポキシモノマーとしてはグリシドール、
１，２，７，８−ジエポキシオクタン、１，４−ブタン
ジオールグリシジルエーテル、シクロヘキサンオキサイ
ド、２，３−エポキシノルボルネン、４−ビニルシクロ
ヘキサンモノオキサイド、リモネンオキサイド、シクロ
ドデカンオキサイド、４−ビニルシクロヘキサンジオキ
サイド、１，２，５，６−ジエポキシシクロオクタン、
シクロオクタンオキサイド、ピネンオキサイド、１，２
−エポキシ５．９−シクロドデカジエン、１，２−エポ
キシエチルベンゼン、スチルベンオキサイド、グリシジ
ルフェニルエーテル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルグ
リシジルエーテル、２，３−エポキシプロピル−ｐ−メ
トキシフェニルエーテル、ｏ−ビフェニルグリシジルエ
ーテル、ブチルグリシジルエーテル、シクロヘキシルグ
リシジルエーテル、エチルヘキシルグリシジルエーテ
ル、１，４−ブタンジグリシジルエーテル、１，６−ヘ
キサンジグリシジルエーテル、ネオペンチルジグリシジ
ルエーテル等が挙げられる。
【００４５】架橋可能な不飽和炭素結合を持つ低分子化
合物の例として、ジエチレングリコールジアリルエーテ
ル、Ｎ，Ｎ'−メチレンビスアクリルアミド、クロレン
ド酸ジアリル、ヘキサヒドロフタル酸ジアリル、トリメ
リット酸トリアリル、４−アリル−２，６−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェノール、ジアリルイソフタレート、ジア
リルフタレート、ジビニルベンゼン、スチレン、アリル
ベンゼン、ジビニルスルホン、アリルベンゼンカルボキ
シレート、４−ビニルビフェニル、トリアリル−１、
３、５−ベンゼントリカルボキシレート、２−エチルヘ
キシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、テトラヒド
ロフルフリルアクリレート、フェノキシエチルアクリレ
ート、ノニルフェノキシエチルアクリレート、テトラヒ
ドロフルフリルオキシエチルアクリレート、テトラヒド
ロフルフリルオキシヘキサノリドアクリレート、１，３
−ジオキサンアルコールのε−カプロラクトン付加物の
アクリレート、１，３−ジオキソランアクリレート、ヘ
キサンジオールアクリレート、ネオペンチルグリコール
ジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレー
ト、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリエ
チレングリコールジアクリレート、ヒドロキシピバリン
酸ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチ
ルグリコールアジペートのジアクリレート、ヒドロキシ
ピバリン酸ネオベンチルグリコールε−カプロラクトン
付加物のジアクリレート、２，（２−ヒドロキシ−１，
１−ジメチルエチル）−５−ヒドロキシメチル−５−エ
チル−１，３−ジオキサンジアクリレート、トリシクロ
デカンジメチロールジアクリレート、１，６−ヘキサン
ジオールのジグリシジルエーテルのジアクリレート、ト
リメチロールプロパントリアクリレート、プロピオン酸
ジペンタエリスリトールトリアクリレート、プロピオン
酸ジペンタエリスリトールのテトラアクリレート、ジト
リメチロールプロパンテトラアクリレート、プロピオン
酸ジペンタエリスリトールのペンタアクリレート、ジペ
ンタエリスリトールジヘキサアクリレート、ジペンタエ
リスリトールジヘキサアクリレートのε−カプロラクト
ン付加物などが挙げられる。
合物の例として、ジエチレングリコールジアリルエーテ
ル、Ｎ，Ｎ'−メチレンビスアクリルアミド、クロレン
ド酸ジアリル、ヘキサヒドロフタル酸ジアリル、トリメ
リット酸トリアリル、４−アリル−２，６−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェノール、ジアリルイソフタレート、ジア
リルフタレート、ジビニルベンゼン、スチレン、アリル
ベンゼン、ジビニルスルホン、アリルベンゼンカルボキ
シレート、４−ビニルビフェニル、トリアリル−１、
３、５−ベンゼントリカルボキシレート、２−エチルヘ
キシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、テトラヒド
ロフルフリルアクリレート、フェノキシエチルアクリレ
ート、ノニルフェノキシエチルアクリレート、テトラヒ
ドロフルフリルオキシエチルアクリレート、テトラヒド
ロフルフリルオキシヘキサノリドアクリレート、１，３
−ジオキサンアルコールのε−カプロラクトン付加物の
アクリレート、１，３−ジオキソランアクリレート、ヘ
キサンジオールアクリレート、ネオペンチルグリコール
ジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレー
ト、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリエ
チレングリコールジアクリレート、ヒドロキシピバリン
酸ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチ
ルグリコールアジペートのジアクリレート、ヒドロキシ
ピバリン酸ネオベンチルグリコールε−カプロラクトン
付加物のジアクリレート、２，（２−ヒドロキシ−１，
１−ジメチルエチル）−５−ヒドロキシメチル−５−エ
チル−１，３−ジオキサンジアクリレート、トリシクロ
デカンジメチロールジアクリレート、１，６−ヘキサン
ジオールのジグリシジルエーテルのジアクリレート、ト
リメチロールプロパントリアクリレート、プロピオン酸
ジペンタエリスリトールトリアクリレート、プロピオン
酸ジペンタエリスリトールのテトラアクリレート、ジト
リメチロールプロパンテトラアクリレート、プロピオン
酸ジペンタエリスリトールのペンタアクリレート、ジペ
ンタエリスリトールジヘキサアクリレート、ジペンタエ
リスリトールジヘキサアクリレートのε−カプロラクト
ン付加物などが挙げられる。
【００４６】上述のような架橋可能な不飽和炭素結合を
持つ化合物を反応性希釈剤として用いる場合には、硬化
触媒として過酸化物やアゾ化合物を添加することがのぞ
ましい。過酸化物の具体例として、ジアリルパーオキサ
イド類、パーオキシエステル類、ジアシルパーオキサイ
ド類、ハイドロパーオキサイド類、ケトンパーオキサイ
ド類、パーオキシケタール類などが挙げられる。さらに
具体的には、ベンゾイルペルオキシド、パラクロロベン
ゾイルペルオキシド、２、４−ジクロロベンゾイルペル
オキシド、カプリリルペルオキシド、ラウロイルペルオ
キシド、アセチルペルオキシド、メチルエチルケトンペ
ルオキシド、シクロヘキサノンペルオキシド、ビス（１
−ヒドロキシシクロヘキシルペルオキシド）、ヒドロキ
シヘプチルペルオキシド、ｔ−ブチルヒドロペルオキシ
ド、ｐ−メンタンヒドロペルオキシド、クメンヒドロペ
ルオキシド、２、５−ジメチルヘキシル−２、５−ジヒ
ドロペルオキシド、ジ−ｔ−ブチルペルオキシド、ジク
ミルペルオキシド、２、５−ジメチル−２、５−ジ（ｔ
−ブチルエルオキシ）ヘキサン、２、５−ジメチルヘキ
シル−２、５−ジ（ペルオキシベンゾエート）、ｔ−ブ
チルパーベンゾエート、ｔ−ブチルパーアセテート、ｔ
−ブチルパーオクトエート、ｔ−ブチルペルオキシイソ
ブチレート、ジ−ｔ−ブチルジペルフタレ−トなどが挙
げられる。
持つ化合物を反応性希釈剤として用いる場合には、硬化
触媒として過酸化物やアゾ化合物を添加することがのぞ
ましい。過酸化物の具体例として、ジアリルパーオキサ
イド類、パーオキシエステル類、ジアシルパーオキサイ
ド類、ハイドロパーオキサイド類、ケトンパーオキサイ
ド類、パーオキシケタール類などが挙げられる。さらに
具体的には、ベンゾイルペルオキシド、パラクロロベン
ゾイルペルオキシド、２、４−ジクロロベンゾイルペル
オキシド、カプリリルペルオキシド、ラウロイルペルオ
キシド、アセチルペルオキシド、メチルエチルケトンペ
ルオキシド、シクロヘキサノンペルオキシド、ビス（１
−ヒドロキシシクロヘキシルペルオキシド）、ヒドロキ
シヘプチルペルオキシド、ｔ−ブチルヒドロペルオキシ
ド、ｐ−メンタンヒドロペルオキシド、クメンヒドロペ
ルオキシド、２、５−ジメチルヘキシル−２、５−ジヒ
ドロペルオキシド、ジ−ｔ−ブチルペルオキシド、ジク
ミルペルオキシド、２、５−ジメチル−２、５−ジ（ｔ
−ブチルエルオキシ）ヘキサン、２、５−ジメチルヘキ
シル−２、５−ジ（ペルオキシベンゾエート）、ｔ−ブ
チルパーベンゾエート、ｔ−ブチルパーアセテート、ｔ
−ブチルパーオクトエート、ｔ−ブチルペルオキシイソ
ブチレート、ジ−ｔ−ブチルジペルフタレ−トなどが挙
げられる。
【００４７】アゾ化合物の具体例として、アゾビスイソ
ブチロニトリル、２、２´−アゾビスプロパン、ｍ，ｍ
´−アゾキソスチレン、ヒドラゾンなどが挙げられる。
ブチロニトリル、２、２´−アゾビスプロパン、ｍ，ｍ
´−アゾキソスチレン、ヒドラゾンなどが挙げられる。
【００４８】上述した成分に加えて、本発明の熱硬化性
樹脂組成物には、耐クラック性を向上させるために、熱
可塑性樹脂、ゴム、シリコーン樹脂等の接着付与剤を添
加してもよい。具体的には、ポリアミド樹脂、芳香族ポ
リエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ブチラール樹脂、Ｍ
ＢＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、シリコーン樹脂、シリコーンゴ
ム、ブチルゴム、フッ素ゴム、各種プラスチック粉末、
エンジニアリングプラスチック粉末、ＡＢＳ樹脂または
ＭＢＳ樹脂の粉末等が挙げられる。
樹脂組成物には、耐クラック性を向上させるために、熱
可塑性樹脂、ゴム、シリコーン樹脂等の接着付与剤を添
加してもよい。具体的には、ポリアミド樹脂、芳香族ポ
リエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ブチラール樹脂、Ｍ
ＢＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、シリコーン樹脂、シリコーンゴ
ム、ブチルゴム、フッ素ゴム、各種プラスチック粉末、
エンジニアリングプラスチック粉末、ＡＢＳ樹脂または
ＭＢＳ樹脂の粉末等が挙げられる。
【００４９】本発明において接着付与剤の配合量は、無
機充填剤を除く各成分の合計に対して０．１ｗｔ％以上
２０ｗｔ％以下であることが好ましい。０．１ｗｔ％未
満では十分な効果が得られないおそれがあり、一方２０
ｗｔ％を越えると、樹脂組成物の粘度が上昇して作業性
が低下したり、耐熱性が低下するおそれがある。
機充填剤を除く各成分の合計に対して０．１ｗｔ％以上
２０ｗｔ％以下であることが好ましい。０．１ｗｔ％未
満では十分な効果が得られないおそれがあり、一方２０
ｗｔ％を越えると、樹脂組成物の粘度が上昇して作業性
が低下したり、耐熱性が低下するおそれがある。
【００５０】さらに、本発明の熱硬化性樹脂組成物は、
三酸化アンチモン、リン化合物、ハロゲン含有化合物等
の難燃助剤、天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂
肪酸やその金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィ
ン類等の離型剤、カーボンブラック、二酸化チタン等の
顔料、シランカップリング剤などの表面処理剤などを適
宜配合することができる。
三酸化アンチモン、リン化合物、ハロゲン含有化合物等
の難燃助剤、天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂
肪酸やその金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィ
ン類等の離型剤、カーボンブラック、二酸化チタン等の
顔料、シランカップリング剤などの表面処理剤などを適
宜配合することができる。
【００５１】上述のようにして調製された本発明の熱硬
化性樹脂組成物は、フリップチップ接続を有する半導体
装置等の封止等微細部分への充填を必要とされる成形品
の製造に対する用途に用いる場合、樹脂組成物の３０℃
での粘度が、１００Ｐａ・Ｓ以下であるものが好まし
く、５０Ｐａ・Ｓ以下がより好ましい。粘度が１００Ｐ
ａ・Ｓを越えると、例えば、半導体素子と基板の間隙
等、微細部分に樹脂組成物が充填されにくくなり、長時
間を要することになる。さらに、未充填の部分が発生し
て、絶縁不良の原因となったり、素子が基板からはがれ
やすくなるおそれがある。 ＜製造方法＞本発明の熱硬化性樹脂組成物は、以下のよ
うにして調製することができる。例えば、ヘンシェルミ
キサー等によって各成分を十分混合し、さらに熱ロール
による溶融処理、または二軸の押し出し機等による溶融
混合処理を施す。その後、室温まで冷却し、ハンマーミ
ル等により粉砕する。なお、熱硬化性樹脂組成物が常温
で液状の場合は、ロール、万能混合機あるいはプラネッ
ト回転式の混練装置によって混合し、その後の粉砕工程
は不要である。 ＜本発明に係る半導体装置＞本発明の熱硬化性樹脂組成
物を用いて半導体素子を封止し、半導体装置を得るにあ
たっては、最も一般的には、低圧トランスファー成形が
用いられるが、これに限定されるものではない。すなわ
ち、圧縮成形、射出成形、注型、ポッティング等によっ
ても封止することができる。封止後の加熱硬化は、１２
０℃以上の温度で行うことが望ましい。なお、本発明に
おいて、樹脂組成物の硬化物によって封止される半導体
素子は特に限定されず、任意の半導体素子を封止するこ
とができる。
化性樹脂組成物は、フリップチップ接続を有する半導体
装置等の封止等微細部分への充填を必要とされる成形品
の製造に対する用途に用いる場合、樹脂組成物の３０℃
での粘度が、１００Ｐａ・Ｓ以下であるものが好まし
く、５０Ｐａ・Ｓ以下がより好ましい。粘度が１００Ｐ
ａ・Ｓを越えると、例えば、半導体素子と基板の間隙
等、微細部分に樹脂組成物が充填されにくくなり、長時
間を要することになる。さらに、未充填の部分が発生し
て、絶縁不良の原因となったり、素子が基板からはがれ
やすくなるおそれがある。 ＜製造方法＞本発明の熱硬化性樹脂組成物は、以下のよ
うにして調製することができる。例えば、ヘンシェルミ
キサー等によって各成分を十分混合し、さらに熱ロール
による溶融処理、または二軸の押し出し機等による溶融
混合処理を施す。その後、室温まで冷却し、ハンマーミ
ル等により粉砕する。なお、熱硬化性樹脂組成物が常温
で液状の場合は、ロール、万能混合機あるいはプラネッ
ト回転式の混練装置によって混合し、その後の粉砕工程
は不要である。 ＜本発明に係る半導体装置＞本発明の熱硬化性樹脂組成
物を用いて半導体素子を封止し、半導体装置を得るにあ
たっては、最も一般的には、低圧トランスファー成形が
用いられるが、これに限定されるものではない。すなわ
ち、圧縮成形、射出成形、注型、ポッティング等によっ
ても封止することができる。封止後の加熱硬化は、１２
０℃以上の温度で行うことが望ましい。なお、本発明に
おいて、樹脂組成物の硬化物によって封止される半導体
素子は特に限定されず、任意の半導体素子を封止するこ
とができる。
【００５２】なお、本発明の樹脂組成物は、半導体素子
の封止に限らず、耐熱性が要求される成型品の製造に応
用することも可能である。
の封止に限らず、耐熱性が要求される成型品の製造に応
用することも可能である。
【００５３】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の該略
図を図１及び図２に示す。
図を図１及び図２に示す。
【００５４】図１は表面実装型パッケージを有する半導
体装置の該略図である。半導体装置１０は、半導体装置
１０においては、基板２上に半導体素子１が形成されて
おり、かつ半導体素子１上のボンディングパッド３とリ
ードフレーム４とがボンディングワイヤー５を介して接
続され、さらに、基板２、半導体装置１、リードフレー
ム４及びボンディングワイヤー５が樹脂層６にて封止さ
れてなる。
体装置の該略図である。半導体装置１０は、半導体装置
１０においては、基板２上に半導体素子１が形成されて
おり、かつ半導体素子１上のボンディングパッド３とリ
ードフレーム４とがボンディングワイヤー５を介して接
続され、さらに、基板２、半導体装置１、リードフレー
ム４及びボンディングワイヤー５が樹脂層６にて封止さ
れてなる。
【００５５】図２はフリップチップ接続を有する半導体
装置の該略図である。
装置の該略図である。
【００５６】半導体装置２０は、基板２１上にバンプ２
３を介して半導体素子２４が接続されており、基板２１
及び半導体素子２４間に樹脂層２２が充填されている。
３を介して半導体素子２４が接続されており、基板２１
及び半導体素子２４間に樹脂層２２が充填されている。
【００５７】また、図３に図２に示す樹脂封止型半導体
装置の製造工程の一例を示す断面図を示す。
装置の製造工程の一例を示す断面図を示す。
【００５８】基板２１上にバンプ２３を介して半導体素
子２４接続された状態で、基板２１、バンプ２３及び半
導体素子にて形成される空隙に液状の樹脂組成物を注入
する。
子２４接続された状態で、基板２１、バンプ２３及び半
導体素子にて形成される空隙に液状の樹脂組成物を注入
する。
【００５９】その後樹脂組成物を硬化せしめることによ
り半導体素子を固定、保護することができる。
り半導体素子を固定、保護することができる。
【００６０】
【実施例】以下に、本発明の実施例を示して本発明をよ
り詳細に説明する。
り詳細に説明する。
【００６１】樹脂組成物の調製に当たっては、まず、ヘ
ンシェルミキサー中で表面処理剤を用い、無機充填剤に
処理を施した。さらに、レゾルシノールジグリシジルエ
ーテル樹脂とシアネート化合物と、有機金属化合物を加
熱溶融して混合分散させた後、冷却し、粉砕した。次い
で、全成分を配合して６０〜１６０℃の加熱ロールで混
練し、冷却した後、粉砕することにより実施例１、２、
３および比較例１、２の樹脂組成物を得た。表１に各成
分の配合割合（ｗｔ％）を示す。
ンシェルミキサー中で表面処理剤を用い、無機充填剤に
処理を施した。さらに、レゾルシノールジグリシジルエ
ーテル樹脂とシアネート化合物と、有機金属化合物を加
熱溶融して混合分散させた後、冷却し、粉砕した。次い
で、全成分を配合して６０〜１６０℃の加熱ロールで混
練し、冷却した後、粉砕することにより実施例１、２、
３および比較例１、２の樹脂組成物を得た。表１に各成
分の配合割合（ｗｔ％）を示す。
【００６２】実施例４、５、６および比較例３−５の樹
脂組成物は室温で液状であるため、室温のロールで各成
分を混練したのち、脱泡して樹脂組成物を得た。表２に
各成分の配合割合（ｗｔ％）を示す。
脂組成物は室温で液状であるため、室温のロールで各成
分を混練したのち、脱泡して樹脂組成物を得た。表２に
各成分の配合割合（ｗｔ％）を示す。
【表１】
【表２】
なお表１中、（Ａ）成分であるシアネート化合物はそれ
ぞれ以下の化合物を表わす。 Ａ１：化学式（４）の化合物 Ａ２：化学式（６）の化合物 Ａ３：化学式（８）の化合物 Ａ４：化学式（７）の化合物 Ａ５：化学式（９）の化合物 （Ｂ）成分レゾルシノールジグリシジルエーテル樹脂：
エポキシ当量１１８ （Ｃ）成分である有機金属化合物はそれぞれ以下の化合
物を表わす。 Ｃ１：銅アセチルアセトナート Ｃ２：トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム Ｃ３：トリス（オクタデシルアセトアセテート）アルミ
ニウム Ｃ４：化学式（１６）の化合物 Ｃ５：化学式（１７）の化合物 （Ｄ）成分の無機充填剤： Ｄ１：溶融シリカ粉（球状、平均粒径２０μｍ、最大粒
径４０μｍ） Ｄ２：溶融シリカ粉（球状、平均粒径２μｍ、最大粒径
１０μｍ） その他の成分を以下にまとめた。 レゾルシノールジグリシジルエーテル樹脂以外のエポキ
シ樹脂 Ｅ１：ｏ−クレゾールノボラックエポキシ樹脂 エポキ
シ当量１９７ Ｅ２：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 エポキシ当量
１９０ Ｅ３：ビフェニル型エポキシ樹脂 エポキシ当量１９１ Ｅ４：ビスフェノールＦエポキシ樹脂 エポキシ当量１
６５ Ｅ５：エポキシ変性ポリブタジエン エポキシ当量２３
９ Ｅ６：ブチルエーテル変性可撓性エポキシ樹脂 エポキ
シ当量３５０ その他の成分は以下のとおりである。 フェノール樹脂：フェノールノボラック樹脂 フェノー
ル当量１０４ 離型剤：カルナバワックス 顔料：カーボンブラック 染料：黒色染料 難燃助剤：三酸化アンチモン カップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリメチル
シラン 上記実施例、比較例の樹脂組成物を下記（１）〜（５）
の条件で評価した。
ぞれ以下の化合物を表わす。 Ａ１：化学式（４）の化合物 Ａ２：化学式（６）の化合物 Ａ３：化学式（８）の化合物 Ａ４：化学式（７）の化合物 Ａ５：化学式（９）の化合物 （Ｂ）成分レゾルシノールジグリシジルエーテル樹脂：
エポキシ当量１１８ （Ｃ）成分である有機金属化合物はそれぞれ以下の化合
物を表わす。 Ｃ１：銅アセチルアセトナート Ｃ２：トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム Ｃ３：トリス（オクタデシルアセトアセテート）アルミ
ニウム Ｃ４：化学式（１６）の化合物 Ｃ５：化学式（１７）の化合物 （Ｄ）成分の無機充填剤： Ｄ１：溶融シリカ粉（球状、平均粒径２０μｍ、最大粒
径４０μｍ） Ｄ２：溶融シリカ粉（球状、平均粒径２μｍ、最大粒径
１０μｍ） その他の成分を以下にまとめた。 レゾルシノールジグリシジルエーテル樹脂以外のエポキ
シ樹脂 Ｅ１：ｏ−クレゾールノボラックエポキシ樹脂 エポキ
シ当量１９７ Ｅ２：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 エポキシ当量
１９０ Ｅ３：ビフェニル型エポキシ樹脂 エポキシ当量１９１ Ｅ４：ビスフェノールＦエポキシ樹脂 エポキシ当量１
６５ Ｅ５：エポキシ変性ポリブタジエン エポキシ当量２３
９ Ｅ６：ブチルエーテル変性可撓性エポキシ樹脂 エポキ
シ当量３５０ その他の成分は以下のとおりである。 フェノール樹脂：フェノールノボラック樹脂 フェノー
ル当量１０４ 離型剤：カルナバワックス 顔料：カーボンブラック 染料：黒色染料 難燃助剤：三酸化アンチモン カップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリメチル
シラン 上記実施例、比較例の樹脂組成物を下記（１）〜（５）
の条件で評価した。
【００６３】（１）実施例１−３、比較例１、２の樹脂
組成物を用い、１７５℃、３分の条件でトランスファ成
形により（１００ｍｍ×１０ｍｍ×４ｍｍ）の試験片を
作成し、１８０℃で４時間アフターキュアした。各試験
片について、曲げ弾性率、曲げ強度、熱膨張係数、ガラ
ス転移点、および吸水率を測定した。また、フレーム材
（４２アロイ）に樹脂組成物をモールドして試験片を作
成し、引っ張り方向の接着強度を測定した。得られた測
定結果を、下記表３にまとめた。
組成物を用い、１７５℃、３分の条件でトランスファ成
形により（１００ｍｍ×１０ｍｍ×４ｍｍ）の試験片を
作成し、１８０℃で４時間アフターキュアした。各試験
片について、曲げ弾性率、曲げ強度、熱膨張係数、ガラ
ス転移点、および吸水率を測定した。また、フレーム材
（４２アロイ）に樹脂組成物をモールドして試験片を作
成し、引っ張り方向の接着強度を測定した。得られた測
定結果を、下記表３にまとめた。
【００６４】（２）実施例４−６、比較例３−５の樹脂
組成物を所定の金型に注型し、１１０℃１時間、次いで
１５０℃で３時間加熱硬化させた。硬化物を切断装置で
切り、（１００ｍｍ×１０ｍｍ×４ｍｍ）の試験片を作
成した。各試験片について、曲げ弾性率、曲げ強度、熱
膨張係数、ガラス転移点、および吸水率を測定した。ま
た、ＢＴ樹脂基板に樹脂組成物をモールドして試験片を
作成し、引っ張り方向の接着強度を測定した。得られた
測定結果を、下記表４にまとめた。
組成物を所定の金型に注型し、１１０℃１時間、次いで
１５０℃で３時間加熱硬化させた。硬化物を切断装置で
切り、（１００ｍｍ×１０ｍｍ×４ｍｍ）の試験片を作
成した。各試験片について、曲げ弾性率、曲げ強度、熱
膨張係数、ガラス転移点、および吸水率を測定した。ま
た、ＢＴ樹脂基板に樹脂組成物をモールドして試験片を
作成し、引っ張り方向の接着強度を測定した。得られた
測定結果を、下記表４にまとめた。
【００６５】（３）耐湿信頼性を調べるために、以下の
ＰＣＴ試験を行った。すなわち、実施例１−３及び比較
例１、２の樹脂組成物を用いてＴＱＦＰパッケージによ
り試験用デバイス（８ｍｍ×８ｍｍ）を封止した後、１
８０℃で４時間アフターキュアして、樹脂封止型半導体
装置を得た。各樹脂半導体装置を８５℃、相対湿度８５
％の雰囲気中に１６８時間放置して、吸湿処理を行っ
た。次いで、この半導体装置を、１２５℃のフロロカー
ボン蒸気雰囲気中に１分間さらし、まず、この時点でパ
ッケージのクラック発生率を調べた。さらに、この半導
体装置を、１２７℃の飽和水蒸気中に所定時間放置した
後の、不良（リーク不良、オープン不良）発生率を調
べ、耐湿性を評価した。その結果を表５に示した。
ＰＣＴ試験を行った。すなわち、実施例１−３及び比較
例１、２の樹脂組成物を用いてＴＱＦＰパッケージによ
り試験用デバイス（８ｍｍ×８ｍｍ）を封止した後、１
８０℃で４時間アフターキュアして、樹脂封止型半導体
装置を得た。各樹脂半導体装置を８５℃、相対湿度８５
％の雰囲気中に１６８時間放置して、吸湿処理を行っ
た。次いで、この半導体装置を、１２５℃のフロロカー
ボン蒸気雰囲気中に１分間さらし、まず、この時点でパ
ッケージのクラック発生率を調べた。さらに、この半導
体装置を、１２７℃の飽和水蒸気中に所定時間放置した
後の、不良（リーク不良、オープン不良）発生率を調
べ、耐湿性を評価した。その結果を表５に示した。
【００６６】（４）試験用ＰＢＧＡパッケージ（１５ｍ
ｍ×１５ｍｍ、９００ピン）を８０℃で加熱し、その素
子と基板の隙間（７５ミクロン）に実施例４−５及び比
較例３―５の樹脂組成物を注入し、１１０℃で１時間、
１５０℃で１時間加熱して、半導体素子を得た。各樹脂
半導体装置を８５℃、相対湿度８５％の雰囲気中に１６
８時間放置して、吸湿処理を行った。次いで、この半導
体装置を、１２５℃のフロロカーボン蒸気雰囲気中に１
分間さらし、まず、この時点でパッケージのクラック発
生率を調べた。さらに、この半導体装置を、１２７℃の
飽和水蒸気中に所定時間放置した後の、不良（リーク不
良、オープン不良）発生率を調べ、耐湿信頼性を評価し
た。その結果を表６に示した。
ｍ×１５ｍｍ、９００ピン）を８０℃で加熱し、その素
子と基板の隙間（７５ミクロン）に実施例４−５及び比
較例３―５の樹脂組成物を注入し、１１０℃で１時間、
１５０℃で１時間加熱して、半導体素子を得た。各樹脂
半導体装置を８５℃、相対湿度８５％の雰囲気中に１６
８時間放置して、吸湿処理を行った。次いで、この半導
体装置を、１２５℃のフロロカーボン蒸気雰囲気中に１
分間さらし、まず、この時点でパッケージのクラック発
生率を調べた。さらに、この半導体装置を、１２７℃の
飽和水蒸気中に所定時間放置した後の、不良（リーク不
良、オープン不良）発生率を調べ、耐湿信頼性を評価し
た。その結果を表６に示した。
【００６７】（５）耐熱衝撃性を調べるために、以下の
ＴＣＴ試験を行った。すなわち、前述のようにＴＱＦＰ
および、ＰＢＧＡを作製し、各樹脂封止型半導体装置
に、−６５℃、室温、１２５℃を１サイクルとする冷熱
サイクルを５０〜４００サイクル繰り返し、デバイスの
動作特性チェックにより不良発生率を調べた。その結果
を表５、６に示した。
ＴＣＴ試験を行った。すなわち、前述のようにＴＱＦＰ
および、ＰＢＧＡを作製し、各樹脂封止型半導体装置
に、−６５℃、室温、１２５℃を１サイクルとする冷熱
サイクルを５０〜４００サイクル繰り返し、デバイスの
動作特性チェックにより不良発生率を調べた。その結果
を表５、６に示した。
【表３】
【表４】
【表５】
【表６】
上記表３に示したように、本発明の実施例１―３の樹脂
組成物は、比較例１、２の樹脂組成物に比べて、溶融粘
度は低く、曲げ強度、接着強度は高い。また、上記表４
から分かるように、本発明の実施例４―６の樹脂組成物
は、比較例３の樹脂組成物に比べ、粘度が低く、曲げ強
度、接着強度が高い。さらに、上記表５、６から示した
ように、実施例の樹脂組成物で封止した半導体装置で
は、吸湿後でも不良が発生しておらず、ＴＣＴ試験でも
４００サイクル後でも不良が発生していない。これに対
して、比較例の樹脂組成物では、不良の発生が見られ
た。
組成物は、比較例１、２の樹脂組成物に比べて、溶融粘
度は低く、曲げ強度、接着強度は高い。また、上記表４
から分かるように、本発明の実施例４―６の樹脂組成物
は、比較例３の樹脂組成物に比べ、粘度が低く、曲げ強
度、接着強度が高い。さらに、上記表５、６から示した
ように、実施例の樹脂組成物で封止した半導体装置で
は、吸湿後でも不良が発生しておらず、ＴＣＴ試験でも
４００サイクル後でも不良が発生していない。これに対
して、比較例の樹脂組成物では、不良の発生が見られ
た。
【００６８】なお、実施例４―６の樹脂組成物で封止し
た半導体装置では、樹脂が均一に充填されていた。
た半導体装置では、樹脂が均一に充填されていた。
【００６９】また、金属化合物（Ｃ３），（Ｃ４），
（Ｃ５）は可逆的に８０℃以上で樹脂に溶融し、４０℃
以下では析出する。表３、４に示したように、金属化合
物（Ｃ３），（Ｃ４），（Ｃ５）を含有する実施例３、
５、６は３０℃で１週間経過した後であってもほとんど
樹脂の粘度の変化が見られなかった。これに対して、比
較例２、４、５は、粘度が大幅に上昇し、半導体封止に
用いることができなくなった。
（Ｃ５）は可逆的に８０℃以上で樹脂に溶融し、４０℃
以下では析出する。表３、４に示したように、金属化合
物（Ｃ３），（Ｃ４），（Ｃ５）を含有する実施例３、
５、６は３０℃で１週間経過した後であってもほとんど
樹脂の粘度の変化が見られなかった。これに対して、比
較例２、４、５は、粘度が大幅に上昇し、半導体封止に
用いることができなくなった。
【００７０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
低粘度で流動性、充填性に優れ、かつ接着性、耐湿性お
よび耐熱衝撃性に優れる樹脂組成物が提供される。ま
た、本発明は保存安定性の高い樹脂組成物を提供するこ
とができる。
低粘度で流動性、充填性に優れ、かつ接着性、耐湿性お
よび耐熱衝撃性に優れる樹脂組成物が提供される。ま
た、本発明は保存安定性の高い樹脂組成物を提供するこ
とができる。
【００７１】さらに上記樹脂組成物を用い、耐湿信頼性
および冷熱サイクル特性に優れた樹脂層を有する半導体
装置が提供される。
および冷熱サイクル特性に優れた樹脂層を有する半導体
装置が提供される。
【図１】 本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の一例
を示す断面図。
を示す断面図。
【図２】 本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の一例
を示す断面図。
を示す断面図。
【図３】 図２に示した樹脂封止型半導体装置の製造工
程の一例を示す断面図。
程の一例を示す断面図。
１、２４・・・半導体素子
２、２１・・・基板
３・・・ボンディングパッド
４・・・リードフレーム
５・・・ボンディングワイヤー
６、２２・・・樹脂層
１０、 ２０・・・樹脂封止型半導体装置
２３・・・バンプ
２５・・・樹脂組成物
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 堀田 康之
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地
株式会社東芝 研究開発センター内
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08G 73/00 - 73/26
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも下記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）
及び（Ｄ）成分を含有することを特徴とする熱硬化性樹
脂組成物。 （Ａ）シアネート化合物 （Ｂ）レゾルシノールジグリシジルエーテル樹脂 （Ｃ）有機金属化合物 （Ｄ）無機充填剤 - 【請求項２】前記（Ｃ）有機金属化合物が、下記一般式
（１）乃至（３）で表わされる化合物のうちの少なくと
も１種の化合物で、加熱、冷却によって可逆的に溶解、
析出を行う性質を有することを特徴とする請求項１記載
の熱硬化性樹脂組成物。 【化１】 （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は同一であっても
異なっていてもよく、それぞれ水素原子、炭素数１〜３
０の置換もしくは非置換の炭化水素基である。ただし１
つの配位子中において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３あるいはＲ４
のうち少なくとも１つ以上は含有する炭素数が１０以上
である。ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、ＺｒおよびＺｎからなる群から選択される元
素である。ｎは２〜４の整数である。） - 【請求項３】前記（Ｄ）無機充填剤の含有割合が樹脂組
成物中２０ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下であることを特徴
とする請求項１または請求項２記載の熱硬化性樹脂組成
物。 - 【請求項４】前記（Ｄ）無機充填剤の最大粒径が５０μ
ｍ以下、平均粒径が２０μｍ以下であることを特徴とす
る請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の熱硬化性樹
脂組成物。 - 【請求項５】半導体素子と、前記半導体素子を保護する
樹脂層とを具備し、前記樹脂層は、請求項１乃至請求項
４のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物を硬化させて
なることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16094799A JP3449603B2 (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 熱硬化性樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16094799A JP3449603B2 (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 熱硬化性樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000344886A JP2000344886A (ja) | 2000-12-12 |
| JP3449603B2 true JP3449603B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=15725662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16094799A Expired - Fee Related JP3449603B2 (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 熱硬化性樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3449603B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4623871B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2011-02-02 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路装置 |
| JP6116852B2 (ja) * | 2012-10-12 | 2017-04-19 | 株式会社日本触媒 | 液状硬化性樹脂組成物及びその用途 |
-
1999
- 1999-06-08 JP JP16094799A patent/JP3449603B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000344886A (ja) | 2000-12-12 |
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