JPS6184041A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6184041A JPS6184041A JP59205505A JP20550584A JPS6184041A JP S6184041 A JPS6184041 A JP S6184041A JP 59205505 A JP59205505 A JP 59205505A JP 20550584 A JP20550584 A JP 20550584A JP S6184041 A JPS6184041 A JP S6184041A
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- layer
- thermal shock
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- coating layer
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
利用分野
本発明はプラスティック封止半導体装置に関する。
従来技術
プラスチック封止半導体装置は、成形時に応力を受け、
ま次使用中に熱衝撃を受ける。ま几プラスティックと内
部リード、ワイヤ及びチップ表面の間の密着性が不充分
な場合がある。この几め、グラスチックと内部リード、
ワイヤ及びチップ表面との付着面に微少な間隙が発生し
て、外部の湿気がチップ表面に侵入し易すく、性能を低
下させる欠点があった。
ま次使用中に熱衝撃を受ける。ま几プラスティックと内
部リード、ワイヤ及びチップ表面の間の密着性が不充分
な場合がある。この几め、グラスチックと内部リード、
ワイヤ及びチップ表面との付着面に微少な間隙が発生し
て、外部の湿気がチップ表面に侵入し易すく、性能を低
下させる欠点があった。
問題点
湿気の侵入を防止するには、プラスチック材料と各種表
面との付着性を改良し、かつ熱衝Sを軽減することが必
要でおる。
面との付着性を改良し、かつ熱衝Sを軽減することが必
要でおる。
解決手段
上記間5点は、チップステージの上にチップを付け、チ
ップと内部リードとの間にワイヤをボンディングしたリ
ードフレームの要部を、プラスチック封止した半導体装
置であって、チップ表面上に第1層、次に第2層の被覆
層全音し、第1層が離型剤を含まないことのみが封止用
プラスチックと相違するプラスチック材料からなり、第
2層が熱衝撃吸収性プラスチック材料からなることを特
徴とする半導体装直によって解決される。
ップと内部リードとの間にワイヤをボンディングしたリ
ードフレームの要部を、プラスチック封止した半導体装
置であって、チップ表面上に第1層、次に第2層の被覆
層全音し、第1層が離型剤を含まないことのみが封止用
プラスチックと相違するプラスチック材料からなり、第
2層が熱衝撃吸収性プラスチック材料からなることを特
徴とする半導体装直によって解決される。
実施例
リードフレームは、通常のように42%Ni含有Fe合
金製でステージおよびリードを有する。
金製でステージおよびリードを有する。
常法によって、ステージ1の上に接着剤Agペースト2
を介してSiチップ3を載せ、加熱して接着し、次に予
めAgめっきしておい友内部リード4のボンディングエ
リアとチップのポンディングパッドとにAuワイヤ5を
渡し、加熱ポンディングして、半導体装置の要部全形成
した。
を介してSiチップ3を載せ、加熱して接着し、次に予
めAgめっきしておい友内部リード4のボンディングエ
リアとチップのポンディングパッドとにAuワイヤ5を
渡し、加熱ポンディングして、半導体装置の要部全形成
した。
本発明の特徴である被覆層のうち、第1層は次の成分か
らなる組成物であった。
らなる組成物であった。
エポキシ樹脂 27wt冬硬 化
剤 1wt%充填剤γ
−3iO□(平均粒径15μrrt) 70wt%顔
料 カーボンブラック 1wt%難燃剤 5b
203 1wt%このプラスチック材
料ペレットisiチップ3の上に載せ、温度150〜1
60℃に加熱して、ペレット’a−融解し硬化させて第
1層を形取した。
剤 1wt%充填剤γ
−3iO□(平均粒径15μrrt) 70wt%顔
料 カーボンブラック 1wt%難燃剤 5b
203 1wt%このプラスチック材
料ペレットisiチップ3の上に載せ、温度150〜1
60℃に加熱して、ペレット’a−融解し硬化させて第
1層を形取した。
次に、第2ノーとし℃シリコーン樹脂をボッティングし
、温度150″Cに加熱して硬化させた。
、温度150″Cに加熱して硬化させた。
対土用成形材料は、通常のよう(Ci!il!型剤?含
み、上記第1層プラスチック材料100重量部に台底ワ
ックス1重1st−加えたものを、常法によって、金型
内で加熱成形してパッケージケ形成した。
み、上記第1層プラスチック材料100重量部に台底ワ
ックス1重1st−加えたものを、常法によって、金型
内で加熱成形してパッケージケ形成した。
チップ表面に接するグラスチック材料が、成形体とは異
なって離型剤を含まないので、チップおよびワイヤとの
付着性を改良し、かつ第1層の上に形取した8I!2層
が熱衝撃吸収性でらるので、成形体とチップとの間の熱
衝撃を軽減し、こnにより内部リードおよびワイヤと図
形体との付着面に間隙を生ずることを防止できる。
なって離型剤を含まないので、チップおよびワイヤとの
付着性を改良し、かつ第1層の上に形取した8I!2層
が熱衝撃吸収性でらるので、成形体とチップとの間の熱
衝撃を軽減し、こnにより内部リードおよびワイヤと図
形体との付着面に間隙を生ずることを防止できる。
発明の効果
本発明の半4本装置は、耐湿性全改良し、従来バイアス
PCT寿命が200時間であったものが、400時間ま
で向上した。
PCT寿命が200時間であったものが、400時間ま
で向上した。
第1図は本発明の半導体装なの実施言様の断面図である
。 1・・・・・・ステージ、2・・・・・・接看層、3・
・・・・・チップ、4・・・・・・内部リード、5・・
・・・・ワイヤ、6・・・・・・第1被覆層、7・・・
・・・8g2被覆層、8・・・・・・成形体。
。 1・・・・・・ステージ、2・・・・・・接看層、3・
・・・・・チップ、4・・・・・・内部リード、5・・
・・・・ワイヤ、6・・・・・・第1被覆層、7・・・
・・・8g2被覆層、8・・・・・・成形体。
Claims (1)
- 1、ステージの上にチップを付け、チップと内部リード
の間にワイヤをボンディングしたリードフレームの要部
を、プラスチック封止した半導体装置であって、チップ
表面上に第1層、次に第2層の被覆層を有し、第1層が
離型剤を含まないことのみが封止用プラスチックと相違
するプラスチック材料からなり、第2層が熱衝撃吸収性
プラスチック材料からなることを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59205505A JPS6184041A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59205505A JPS6184041A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6184041A true JPS6184041A (ja) | 1986-04-28 |
Family
ID=16507971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59205505A Pending JPS6184041A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6184041A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0417787A2 (en) * | 1989-09-13 | 1991-03-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multimold semiconductor device and the manufacturing method therefor |
JP2009530826A (ja) * | 2006-03-17 | 2009-08-27 | インターナショナル レクティファイアー コーポレイション | 改良されたチップスケールパッケージ |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP59205505A patent/JPS6184041A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0417787A2 (en) * | 1989-09-13 | 1991-03-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multimold semiconductor device and the manufacturing method therefor |
US5057457A (en) * | 1989-09-13 | 1991-10-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multimold semiconductor device and the manufacturing method therefor |
JP2009530826A (ja) * | 2006-03-17 | 2009-08-27 | インターナショナル レクティファイアー コーポレイション | 改良されたチップスケールパッケージ |
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