JPH01205454A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH01205454A JPH01205454A JP2924688A JP2924688A JPH01205454A JP H01205454 A JPH01205454 A JP H01205454A JP 2924688 A JP2924688 A JP 2924688A JP 2924688 A JP2924688 A JP 2924688A JP H01205454 A JPH01205454 A JP H01205454A
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-
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-
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体チップを載置するダイパラＩ・の端部
の周囲に有機材からなる枠を取り付けたリードフレーム
に関するものである。
の周囲に有機材からなる枠を取り付けたリードフレーム
に関するものである。
従来の技術
従来のリードフレームは鉄−ニッケル合金や銅合金の薄
板をプレスで打ち抜いて形成されていた。そして、この
り−ｌ〜フレームを用いて半導体素子をパッケージに樹
脂封止していた。この方法を以下に説明する。
板をプレスで打ち抜いて形成されていた。そして、この
り−ｌ〜フレームを用いて半導体素子をパッケージに樹
脂封止していた。この方法を以下に説明する。
まず、シリコン等の半導体基板にトランジスタや抵抗等
の半導体素子が集積された半導体チップをリードフレー
ムのダイパッドに固着する。この半導体チップのダイパ
ッドへの固着は、鉄−ニッケル合金や銅合金で形成され
たリードフレームのダイパッドに銀ペースト等により貼
り付ける。すなわち、ダイパッドの半導体チップ貼り付
は面に、予め厚さカ月、５〜３μｍ程度の金め、つきも
しくは銀めっきを施しておき、銀ペーストで半導体チッ
プを貼り付けた後、】ＯＯ〜２５０ ’Ｃの温度て銀ペ
ーストを硬化させて半導体チップを固着させる。
の半導体素子が集積された半導体チップをリードフレー
ムのダイパッドに固着する。この半導体チップのダイパ
ッドへの固着は、鉄−ニッケル合金や銅合金で形成され
たリードフレームのダイパッドに銀ペースト等により貼
り付ける。すなわち、ダイパッドの半導体チップ貼り付
は面に、予め厚さカ月、５〜３μｍ程度の金め、つきも
しくは銀めっきを施しておき、銀ペーストで半導体チッ
プを貼り付けた後、】ＯＯ〜２５０ ’Ｃの温度て銀ペ
ーストを硬化させて半導体チップを固着させる。
次に金や銅の細線で半導体チップのボンティングバット
と、リーＩ・フレームのインナーリートの先端部のめっ
き膜上とを、熱圧着ワイヤーボンティング法により接続
する。
と、リーＩ・フレームのインナーリートの先端部のめっ
き膜上とを、熱圧着ワイヤーボンティング法により接続
する。
これを、１６０〜１９０ ’Ｃの温度に加熱された樹脂
成形用金型に装着し、金型のゲート部より溶融樹脂を注
入してキャヒティー内に満たず。溶融樹脂を充填後、３
０〜９０秒間そのまま樹脂成形金型中で保持しておき、
樹脂を大体硬化させる。
成形用金型に装着し、金型のゲート部より溶融樹脂を注
入してキャヒティー内に満たず。溶融樹脂を充填後、３
０〜９０秒間そのまま樹脂成形金型中で保持しておき、
樹脂を大体硬化させる。
そして、成形後、樹脂成形金型から取り出し、１６０〜
１８０ ’Ｃの温度て５〜６時間、炉内で本格的に硬化
させ、リードフレームを用いた崖導体チップの樹脂中へ
の封止を終了させる。
１８０ ’Ｃの温度て５〜６時間、炉内で本格的に硬化
させ、リードフレームを用いた崖導体チップの樹脂中へ
の封止を終了させる。
これにア「クターリーＩ・のめつき、リーＩ・ヘント、
マーキング加工等を施して半導体装置の組立を完する。
マーキング加工等を施して半導体装置の組立を完する。
発明か解決しようとする課題
樹脂封止型パッケージの薄型、小型化か進むなかで、搭
載する半導体チップの素子数の大集積化も進み、その面
積が非常に大形化してきている。
載する半導体チップの素子数の大集積化も進み、その面
積が非常に大形化してきている。
その為に、樹脂封止型パッケ゛−シをプリント基板に実
装する際、半田槽中へのパッケージの浸漬て、樹脂にク
ラックか生じやすい。このクラックは、パッケージ内に
封し込んだり一部フレームと封止樹脂の線膨張係数が異
なり、急激な温度変化により特に、ダイパッドのエッヂ
やコーナーの樹脂部分に大きな歪が生しることにより発
生する。
装する際、半田槽中へのパッケージの浸漬て、樹脂にク
ラックか生じやすい。このクラックは、パッケージ内に
封し込んだり一部フレームと封止樹脂の線膨張係数が異
なり、急激な温度変化により特に、ダイパッドのエッヂ
やコーナーの樹脂部分に大きな歪が生しることにより発
生する。
しかも、クラックは、パッケージが吸湿しておれば、−
層重大な影響をもたらすという問題があった。
層重大な影響をもたらすという問題があった。
課題を解決するだめの手段
本発明のリードフレームは、リードフレームのダイパラ
Ｉ・の端部周囲に沿って耐熱性、低吸湿性および低弾性
率のポリイミド等の有機材料からなる枠を耐熱性で、か
つ、低吸湿性の高分子接着剤で取り付けた構造のもので
ある。なお、有機材料からなる枠を、断面をコの字形状
にしてダイパッドの端部に挟み込んで取り（’１（ｊる
。あるいは、有機材料からなる枠をダイパッドの裏面の
端部に沿ってリング状に取り付けるとともに、枠の外周
の端部かダイパッドの端部より外部に延圧した形状にす
る。
Ｉ・の端部周囲に沿って耐熱性、低吸湿性および低弾性
率のポリイミド等の有機材料からなる枠を耐熱性で、か
つ、低吸湿性の高分子接着剤で取り付けた構造のもので
ある。なお、有機材料からなる枠を、断面をコの字形状
にしてダイパッドの端部に挟み込んで取り（’１（ｊる
。あるいは、有機材料からなる枠をダイパッドの裏面の
端部に沿ってリング状に取り付けるとともに、枠の外周
の端部かダイパッドの端部より外部に延圧した形状にす
る。
作用
本発明のり一部フレームによれば、樹脂封止型パッケー
ジに熱衝撃（例えば半田槽への浸漬等）を加えた際、ダ
イパッドの裏面のエッヂやコーナーから発生しやすいパ
ッケージ内の樹脂部のクラックをポリイミド等の低弾性
率の有機材からなる枠て阻止することができる。
ジに熱衝撃（例えば半田槽への浸漬等）を加えた際、ダ
イパッドの裏面のエッヂやコーナーから発生しやすいパ
ッケージ内の樹脂部のクラックをポリイミド等の低弾性
率の有機材からなる枠て阻止することができる。
実施例
以下に本発明のり一部フレームの実施例を第１図に示し
たリードフレームの平面図と第２図および第３図に示し
た樹脂新庄型パッケージの断面図を参照して説明する。
たリードフレームの平面図と第２図および第３図に示し
た樹脂新庄型パッケージの断面図を参照して説明する。
本発明のり一１〜フレームは鉄−ニッケル合金や銅合金
で作られたリードフレーム１のダイパッド３の端部に耐
熱性、低吸湿性および低弾性率のポリイミド系樹脂から
なる枠４をポリイミド等の有機接着剤５て取り付けた形
状である。枠４の形状は第２図に示すように、ダイパッ
ド３の端部のエッヂやコーナーに挟まるように断面がコ
の字形状とする。枠４の形状の他の実施例を第３図に示
す。この形状は、ダイパッド３の裏面の端部に取り付け
られたリング形状で、枠４の外周の端部がダイパッド３
の端部より２００〜５００μｍ外に付き出し、枠４の内
周の端部がダイパッド３の端部より６００〜８００μｍ
内側に存在する形状で、厚さを１００〜４００μｍとし
た。
で作られたリードフレーム１のダイパッド３の端部に耐
熱性、低吸湿性および低弾性率のポリイミド系樹脂から
なる枠４をポリイミド等の有機接着剤５て取り付けた形
状である。枠４の形状は第２図に示すように、ダイパッ
ド３の端部のエッヂやコーナーに挟まるように断面がコ
の字形状とする。枠４の形状の他の実施例を第３図に示
す。この形状は、ダイパッド３の裏面の端部に取り付け
られたリング形状で、枠４の外周の端部がダイパッド３
の端部より２００〜５００μｍ外に付き出し、枠４の内
周の端部がダイパッド３の端部より６００〜８００μｍ
内側に存在する形状で、厚さを１００〜４００μｍとし
た。
次に、このような形状の本発明のリードフレームを用い
て半導体装置を製造する方法を示す。
て半導体装置を製造する方法を示す。
まず、本発明のリードフレーム１に、ダイパッド３とイ
ンナーリード７の先端部の表側に、金や銀のめっき８を
１．５〜３μｍの厚さて施しておく。このリードフレー
ムのダイパッド３の上に半導体チップ９を、エポギシ系
樹脂やポリイミド系樹脂に銀の粉末を混ぜた銀ペースｌ
−１０で貼り付ける。その後、１００〜２５０℃の温度
で４〜５時間、銀ペースト１０を硬化させてダイパッド
３の」−に半導体チップ９を固着させる。
ンナーリード７の先端部の表側に、金や銀のめっき８を
１．５〜３μｍの厚さて施しておく。このリードフレー
ムのダイパッド３の上に半導体チップ９を、エポギシ系
樹脂やポリイミド系樹脂に銀の粉末を混ぜた銀ペースｌ
−１０で貼り付ける。その後、１００〜２５０℃の温度
で４〜５時間、銀ペースト１０を硬化させてダイパッド
３の」−に半導体チップ９を固着させる。
−〇 −
次に、この半導体チップ９の」−のボンディングパラＩ
・とインナーリート７のめっき８の部分を、金や銅の細
線１２て熱圧着や超音波併用熱圧着のワイヤーボンディ
ング法を用いて接続する。そして、樹脂封止金型で樹脂
成形して、樹脂封止型パッケージ２のり−１・加工前の
ものを作る。
・とインナーリート７のめっき８の部分を、金や銅の細
線１２て熱圧着や超音波併用熱圧着のワイヤーボンディ
ング法を用いて接続する。そして、樹脂封止金型で樹脂
成形して、樹脂封止型パッケージ２のり−１・加工前の
ものを作る。
これを、アラターリ−１・１３に半田めっきと、リート
ヘント加工を施し、パッケージの表面に品番等のマーキ
ングを行って、樹脂打止型パッケージ２は完成する。こ
のようにして、組み立てられた半導体装置を熱衝撃試験
を行っても、有機材料で形成された枠によりダイパッド
の裏面のエッヂやコーーノー−からクラックが発生しな
くなる。
ヘント加工を施し、パッケージの表面に品番等のマーキ
ングを行って、樹脂打止型パッケージ２は完成する。こ
のようにして、組み立てられた半導体装置を熱衝撃試験
を行っても、有機材料で形成された枠によりダイパッド
の裏面のエッヂやコーーノー−からクラックが発生しな
くなる。
発明の効果
本発明のり一１〜フレームを樹脂封止型パッケージに使
用することによって、熱衝撃によりパッケージにクラッ
クが発生するのを防止することができるおともに、大面
積の半導体チップを樹脂封止型パッケージに搭載するこ
とがてきる等の効果か得られる。
用することによって、熱衝撃によりパッケージにクラッ
クが発生するのを防止することができるおともに、大面
積の半導体チップを樹脂封止型パッケージに搭載するこ
とがてきる等の効果か得られる。
第１図は本発明り一部フレームの平面図、第２図は本発
明のリードフレームを用いて組み立てた樹脂封止型パッ
ケージの断面図、第３図は本発明のり一部フレームの他
の実施例を示す樹脂封止型パッケージの断面図である。 ■・・・・・リードフレーム、２・・・・・樹脂封止型
パッケージ、３・・・・・・ダイパッド、４・・・・・
枠、５・・・・・有機接着剤、７・・・・・・インナー
リート、８・・・・・・めっき、９・・・・・・半導体
チップ、１０・・・・・・銀ペースト、１１・・・・ボ
ンディングパット、１２・・・・・・細線、１３・・・
・・・アウターリート。
明のリードフレームを用いて組み立てた樹脂封止型パッ
ケージの断面図、第３図は本発明のり一部フレームの他
の実施例を示す樹脂封止型パッケージの断面図である。 ■・・・・・リードフレーム、２・・・・・樹脂封止型
パッケージ、３・・・・・・ダイパッド、４・・・・・
枠、５・・・・・有機接着剤、７・・・・・・インナー
リート、８・・・・・・めっき、９・・・・・・半導体
チップ、１０・・・・・・銀ペースト、１１・・・・ボ
ンディングパット、１２・・・・・・細線、１３・・・
・・・アウターリート。
Claims (4)
- （１）半導体素子を載置するダイパッドの端部に耐熱性
、低吸湿性および低弾性率の有機材からなる枠が取り付
けられているリードフレーム。 - （２）有機材からなる枠の断面が、ダイパッドの端部を
挟み込むためにコの字形状をした請求項１記載のリード
フレーム。 - （３）有機材からなる枠が、ダイパッドの裏面の端部に
沿ってリング状に取り付けられているとともに、前記枠
の外周の端部が前記ダイパッドの端部より外部に延圧し
ている請求項１記載のリードフレーム。 - （４）有機材からなる枠が、耐熱性で、かつ、低吸湿性
の高分子接着剤で固着されている請求項１記載のリード
フレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2924688A JPH01205454A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2924688A JPH01205454A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205454A true JPH01205454A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=12270898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2924688A Pending JPH01205454A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01205454A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536970A (en) * | 1992-09-29 | 1996-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin-encapsulated semiconductor device |
| US6501158B1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-12-31 | Skyworks Solutions, Inc. | Structure and method for securing a molding compound to a leadframe paddle |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6295993A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-02 | Fuji Electric Co Ltd | インバ−タの出力電圧制御方式 |
| JPH0449884A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Toshiba Corp | 誘導電動機の制御装置 |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP2924688A patent/JPH01205454A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6295993A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-02 | Fuji Electric Co Ltd | インバ−タの出力電圧制御方式 |
| JPH0449884A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Toshiba Corp | 誘導電動機の制御装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536970A (en) * | 1992-09-29 | 1996-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin-encapsulated semiconductor device |
| US6501158B1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-12-31 | Skyworks Solutions, Inc. | Structure and method for securing a molding compound to a leadframe paddle |
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