JPS6360067B2 - - Google Patents
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- JPS6360067B2 JPS6360067B2 JP59084829A JP8482984A JPS6360067B2 JP S6360067 B2 JPS6360067 B2 JP S6360067B2 JP 59084829 A JP59084829 A JP 59084829A JP 8482984 A JP8482984 A JP 8482984A JP S6360067 B2 JPS6360067 B2 JP S6360067B2
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
［技術分野］
この発明は、ハイブリツドICや有機質基板上
に半導体素子を直接ボンデングするチツプオンボ
ードと言われる封止に使用するための一液性エポ
キシ樹脂組成物の製造技術の分野に属する。 ［背景技術］ 半導体チツプを温度、湿度、衝撃等の外的スト
レスから保護するために樹脂封止技術が実用され
ている。その方法としては大別すると、 エポキシ樹脂成形材料を使用した低圧トラン
スフアー成形による方法。 液状エポキシ樹脂ポツテイング材料を熱硬化
させる方法。 が知られている。 前記の場合は成形金型等に莫大な投資を必要
とし、大量生産に向いているが少量多品種生産向
きではない。一方の場合は（特に一液の液状材
料の場合は）デイスペンサによる定量吐出が可能
であり、自動化されやすく、少量多品種生産向き
の方法であると言える。 ところが、の場合は液状から、硬化し、固化
する際の硬化収縮あるいは加熱硬化する際の熱膨
張、冷却時の収縮等によつて、封止剤内部に応力
が発生する。特に、封止物と封止用樹脂の界面に
膨張、収縮の差によるストレスが発生する。その
ため信頼性が低下する。特に、プレツシヤークツ
カー試験（加圧下、飽和蒸気圧中での促進試験）
を行うとこれが顕著である。 一般に、熱膨張率を低下されるために、無機充
填剤を添加することが行われるが、確かに熱膨張
率は低下するが、逆にヤング率が大きくなり、内
部応力の低下のためには充填剤の添加だけでは不
十分である。 促進試験（プレツシヤークツカー試験：以下
PCT試験と言う）で満足する結果を得るために
は、膨張率の低下と共にヤング率をの低下させる
ことが必須である。また、耐熱性の観点からガラ
ス転移点が低下するのは好ましくない。 ［発明の目的］ 半導体封止用として必要な特性を有する、一液
性エポキシ樹脂組成物を得ることを目的とする。 ［発明の開示］ 本発明者らは種々検討した結果、末端カルボキ
シル基のアクリロニトリル−ブタジエン共重合体
をエポキシ樹脂に添加することによつて耐熱性を
低下させることなく、PCT信頼性の良好な一液
性封止材料を得ることが出来た。末端カルボキシ
ル基のアクリロニトリル−ブタジエン共重合体
（以下CTBNと言う）の使用量は10〜40PHRが適
当である。10PHR末満ではPCT信頼性の向上に
効果がなく、40PHRを超えると耐熱性（ガラス
転移点）が低下する。 CTBN中のアクリロニトリル含有量は限定は
しないが、５〜40％が好ましい。末端にカルボキ
シル基を有しないアクリロニトリル−ブタジエン
共重合体はガラス転移点（以下Tgと言う）を低
下させるので好ましくない。CTBNは粘度、エ
ポキシ樹脂との分散性の点から室温で液状である
ことが好ましい。 CTBNの作用は明確ではないが、エポキシ樹
脂マトリツクス中にゴム弾性を有するCTBNが
非常にミクロに分散し、かつ粒子界面でCTBN
中のカルボキシル基とエポキシ樹脂が反応し、し
たがつてTgを低下させることなく、ヤング率が
低下し、内部応力の緩和に効果が出るものと考え
られる。その結果としてPCT信頼性が向上する
もの考えられる。 一方、エポキシ樹脂は室温で液状であり限定は
しないが、たとえばビスフエノールＡ型エポキシ
樹脂、ビスフエノールＦ型エポキシ樹脂、脂環式
エポキシ樹脂などが使用される。 硬化剤として、たとえばジシアンジアミド、イ
ミダゾール系化合物、アミンイミド化合物、ヒド
ラジド系化合物等がある。 必要に応じてイミダゾール系化合物のような硬
化促進剤を使用してもよい。また低膨張率化、チ
クソ性付与のため無機質充填剤を使用してもよ
い。たとえば溶融シリカ、アルミナ、水酸化アル
ミニユウムなどがある。 また、必要に応じてカツプリング剤、界面活性
剤、反応性希釈剤、顔料などを添加しても良い。 上記組成物をニーダ、ロール等で混煉後、デイ
スペンサでチツプに塗布し、加熱硬化させること
により封止することが出来る。 以下実施例に基づき本発明の効果を説明する。 実施例 エポキシ樹脂（シエル化学製：エピコート828）
98重量部、ジシアンジアミド５重量部、ジメチル
ベンジルアミン0.2重量部からなる液状エポキシ
樹脂に第１表に示すような末端カルボキシル基の
アクリロニトリル−ブタジエン共重合体（グツド
リツチ社製：CTBN1300X8）を混加し、充填剤
量が全体の60重量％になるように溶融シリカを添
加し、３本ロールで添煉し、液状封止材料を得
た。 ついでアルミナ基板上のICにデイスペンサを
使用して塗布し、160℃で３時間硬化させ封止物
を得た。 得られた封止物を各々50個宛、133℃、３気圧
でのプレツシヤークツカー試験を行い、10時間毎
に導通試験を行い、不良率が10％になる時の延べ
時間を測定した。結果を第１表に示した。なお、
比較例としてCTBNを添加しない場合、カルボ
キシル基を有しない場合、液状アクリロニトリル
−ブタジエン共重合体の場合も同様に測定した。
に半導体素子を直接ボンデングするチツプオンボ
ードと言われる封止に使用するための一液性エポ
キシ樹脂組成物の製造技術の分野に属する。 ［背景技術］ 半導体チツプを温度、湿度、衝撃等の外的スト
レスから保護するために樹脂封止技術が実用され
ている。その方法としては大別すると、 エポキシ樹脂成形材料を使用した低圧トラン
スフアー成形による方法。 液状エポキシ樹脂ポツテイング材料を熱硬化
させる方法。 が知られている。 前記の場合は成形金型等に莫大な投資を必要
とし、大量生産に向いているが少量多品種生産向
きではない。一方の場合は（特に一液の液状材
料の場合は）デイスペンサによる定量吐出が可能
であり、自動化されやすく、少量多品種生産向き
の方法であると言える。 ところが、の場合は液状から、硬化し、固化
する際の硬化収縮あるいは加熱硬化する際の熱膨
張、冷却時の収縮等によつて、封止剤内部に応力
が発生する。特に、封止物と封止用樹脂の界面に
膨張、収縮の差によるストレスが発生する。その
ため信頼性が低下する。特に、プレツシヤークツ
カー試験（加圧下、飽和蒸気圧中での促進試験）
を行うとこれが顕著である。 一般に、熱膨張率を低下されるために、無機充
填剤を添加することが行われるが、確かに熱膨張
率は低下するが、逆にヤング率が大きくなり、内
部応力の低下のためには充填剤の添加だけでは不
十分である。 促進試験（プレツシヤークツカー試験：以下
PCT試験と言う）で満足する結果を得るために
は、膨張率の低下と共にヤング率をの低下させる
ことが必須である。また、耐熱性の観点からガラ
ス転移点が低下するのは好ましくない。 ［発明の目的］ 半導体封止用として必要な特性を有する、一液
性エポキシ樹脂組成物を得ることを目的とする。 ［発明の開示］ 本発明者らは種々検討した結果、末端カルボキ
シル基のアクリロニトリル−ブタジエン共重合体
をエポキシ樹脂に添加することによつて耐熱性を
低下させることなく、PCT信頼性の良好な一液
性封止材料を得ることが出来た。末端カルボキシ
ル基のアクリロニトリル−ブタジエン共重合体
（以下CTBNと言う）の使用量は10〜40PHRが適
当である。10PHR末満ではPCT信頼性の向上に
効果がなく、40PHRを超えると耐熱性（ガラス
転移点）が低下する。 CTBN中のアクリロニトリル含有量は限定は
しないが、５〜40％が好ましい。末端にカルボキ
シル基を有しないアクリロニトリル−ブタジエン
共重合体はガラス転移点（以下Tgと言う）を低
下させるので好ましくない。CTBNは粘度、エ
ポキシ樹脂との分散性の点から室温で液状である
ことが好ましい。 CTBNの作用は明確ではないが、エポキシ樹
脂マトリツクス中にゴム弾性を有するCTBNが
非常にミクロに分散し、かつ粒子界面でCTBN
中のカルボキシル基とエポキシ樹脂が反応し、し
たがつてTgを低下させることなく、ヤング率が
低下し、内部応力の緩和に効果が出るものと考え
られる。その結果としてPCT信頼性が向上する
もの考えられる。 一方、エポキシ樹脂は室温で液状であり限定は
しないが、たとえばビスフエノールＡ型エポキシ
樹脂、ビスフエノールＦ型エポキシ樹脂、脂環式
エポキシ樹脂などが使用される。 硬化剤として、たとえばジシアンジアミド、イ
ミダゾール系化合物、アミンイミド化合物、ヒド
ラジド系化合物等がある。 必要に応じてイミダゾール系化合物のような硬
化促進剤を使用してもよい。また低膨張率化、チ
クソ性付与のため無機質充填剤を使用してもよ
い。たとえば溶融シリカ、アルミナ、水酸化アル
ミニユウムなどがある。 また、必要に応じてカツプリング剤、界面活性
剤、反応性希釈剤、顔料などを添加しても良い。 上記組成物をニーダ、ロール等で混煉後、デイ
スペンサでチツプに塗布し、加熱硬化させること
により封止することが出来る。 以下実施例に基づき本発明の効果を説明する。 実施例 エポキシ樹脂（シエル化学製：エピコート828）
98重量部、ジシアンジアミド５重量部、ジメチル
ベンジルアミン0.2重量部からなる液状エポキシ
樹脂に第１表に示すような末端カルボキシル基の
アクリロニトリル−ブタジエン共重合体（グツド
リツチ社製：CTBN1300X8）を混加し、充填剤
量が全体の60重量％になるように溶融シリカを添
加し、３本ロールで添煉し、液状封止材料を得
た。 ついでアルミナ基板上のICにデイスペンサを
使用して塗布し、160℃で３時間硬化させ封止物
を得た。 得られた封止物を各々50個宛、133℃、３気圧
でのプレツシヤークツカー試験を行い、10時間毎
に導通試験を行い、不良率が10％になる時の延べ
時間を測定した。結果を第１表に示した。なお、
比較例としてCTBNを添加しない場合、カルボ
キシル基を有しない場合、液状アクリロニトリル
−ブタジエン共重合体の場合も同様に測定した。
【表】
注） 部は重量部を意味する。
Claims (1)
- １ 室温で液状のエポキシ樹脂を有効成分として
使用してなるエポキシ樹脂組成物であつて、末端
にカルボキシル基を有する液状アクリロニトリル
−ブタジエン共重合体を10〜40PHR含ませたこ
とを特徴とする、室温で液状のIC封止用樹脂組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8482984A JPS60248769A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | Ｉｃ封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8482984A JPS60248769A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | Ｉｃ封止用樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60248769A JPS60248769A (ja) | 1985-12-09 |
| JPS6360067B2 true JPS6360067B2 (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=13841655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8482984A Granted JPS60248769A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | Ｉｃ封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60248769A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2720831B2 (ja) * | 1995-06-12 | 1998-03-04 | 株式会社日立製作所 | Ｌｓｉ実装構造体及びこれを用いた電子機器 |
| AU4571297A (en) | 1996-10-08 | 1998-05-05 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Phase-separation structure, resin composition comprising said structure, molding material for sealing electronic component, and electronic component device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176958A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP8482984A patent/JPS60248769A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176958A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60248769A (ja) | 1985-12-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |