JPS6134019A - 封止用樹脂組成物の製法 - Google Patents

封止用樹脂組成物の製法

Info

Publication number
JPS6134019A
JPS6134019A JP15615784A JP15615784A JPS6134019A JP S6134019 A JPS6134019 A JP S6134019A JP 15615784 A JP15615784 A JP 15615784A JP 15615784 A JP15615784 A JP 15615784A JP S6134019 A JPS6134019 A JP S6134019A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
curing agent
latent curing
resin composition
epoxy resin
ground
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15615784A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanobu Miyazaki
宮崎 政信
Taro Fukui
太郎 福井
Hirohisa Hino
裕久 日野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP15615784A priority Critical patent/JPS6134019A/ja
Publication of JPS6134019A publication Critical patent/JPS6134019A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、基板に直接実装されるICなどの半導体チ
ップ封止用の一液性エボキシ樹脂組成物の製法に関する
ものである。
〔背景技術J 半導体テップを、温度、湿度、衝撃などの外的ストレス
から保護するために樹脂封止技術が実用されている。そ
の方法としては、大別すると、■エポキシ樹脂成形材料
を使用した低圧トランスファ成形による方法、 ■液状エポキシm脂ボッティング材料を熱硬化させる方
法、 が知られている。
前記■の場合は、成形金型などに美大な投資を必要とし
、大量生産に向いているが、少量多品種生産には向いて
いない。これに対し、■の場合(特に−液性の液状封止
材料の場合)は、ディスペンサによる定量吐出が可能で
あり、自動化されやすく、少量多品種生産向きの方法で
あると言える。
ところが、■の場合は、液状の封止材料を硬化し、固化
する際の硬化収縮、あるいは加熱硬化する際の熱膨張、
冷却時の収縮などによって、封止硬化物内部に応力が発
生する。特に、封止された物と封止硬化物との界面に、
膨張、収縮の差によるストレスが発生する。そのため、
半導体製品の信頼性が低下する。特に、プレッシャフッ
カ試験(加圧下、飽和蒸気中での促進試験。以)’、P
CTと書く)を行うとこれが顕著である。
一般に界面で発生する応力σは、下記の式で表わされる
I=α・E・ΔT ここに、 σ・・・界面で発生する 応力(kg/ml α・・・材料の熱膨張率 C1/’C) E・・・材料のヤング率 [kg/d) ΔT・・・加熱硬化温度と室 温との温度差[’C] 一般に封止硬化物の熱膨張率を低下させるために、封止
材料に無機充填剤を添那することが行われる。このよう
にすれば、たしかに熱膨張率は低下するが、逆に硬化物
のヤング率が大きくなってしまう。このため、封止硬化
物の内部応力を低下させるためには、充填剤の添加だけ
では不十分である。PCTで満足する結果金得る(すな
わち、封止物の耐湿信頼性を高める)ためには、熱膨張
率を低下させるとともに、ヤング率を低下させることが
必須である。他方、耐熱性の観点からガラス転移点が低
下するのは好ましくない。そこで、封止材料に末端カル
ボキシル基液状アクリロニトリル−ブタジェン共重合体
を配合するという対策がはかられたが、さらにPCT 
f、延長させるため、すなわち耐湿信頼性を高めるため
には、特に封止硬化物そのものの吸湿率を極限までFげ
ることが必要である6それは、つぎに示すような理由に
よる。
封止物の断面を示す第1図に見るように、封止硬化物l
と基板2との界面A、@正硬化物lと半導体チップ3と
の界面Bでの応力が低下することにより界面A、Bでの
水分浸入Cは防出されるが、いわゆる封止硬化物自身の
吸湿D(これをバルク吸湿という)により、それに伴っ
て、半導体チップ3表面へ不純イオン(たとえば、ナト
リウムイオン、塩化物イオン)がもたらされる。そのた
め、チップ表面のアルミ配線腐食が促進され、結果とし
てPOが悪くなるという問題が生じるのである。
〔発明の目的] この発明は、以上のことに鑑み、吸湿率を一層低下させ
た、半導体チップ封止用の樹脂組成物の製法を提供する
ことを目的とする。
〔発明の開示〕
この発t3Aは、上記の目的を達成するために、エポキ
シ樹脂と潜在性硬化剤とその他必要な配合原料とを混合
して封止用樹pIiIm酸物を得るにあたり、前記潜在
性硬化剤をあらかじめ固体粉砕したのち、エポキシ樹脂
中に分散させることを特徴とする封止用樹脂組成物の製
法をその要旨としている。以下、この発明について詳し
く説明する。
封止用樹脂組成物に用いられる潜在性硬化剤の固体粉砕
は、その硬化剤の111を脂分散を良好にするために行
われる。このようにすることにより、封止材料の硬化が
完全に起こり、封止硬化物の吸湿率が低Fでき、耐湿性
が改善できるのである。
潜在性硬化剤は、あらかじめボールミルなどにより固体
粉砕され、その後、その硬化剤を樹脂に混合し、ライカ
イ機、ホモミキサ、3本ロール。
ニーダなどにより樹脂分散されるのが好ましいが、これ
に限定されるものではない。潜在性硬化剤は、固体粉砕
されることにより、微粉化はれ、これにより好ましい均
一分散が起きて、所期の目的が達成されると推察される
が、必ず微粉化が起きることを必須とするものではない
この発明に用いられるエポキシ樹脂は、室温で液状であ
り、限定はしないが例示すれば、ビスフェノールA型エ
ポキシtttah、ピヌフェノールF型エポキシ樹月旨
、ノボラック型エポキシ樹l旨1月旨環型エポキシ耐月
旨などがあげられる。
潜在性硬化剤としては、ジシアンジアミド、イミダンー
ル系化合物、アミンイミド化合物、ヒドラジド系化合物
などが例示される。必要に応じてイミグゾール系化合物
、ホヌフイン系化合物などのような硬化促進剤を使用し
てもよい。これらの硬化促進剤も固体粉砕されるのが好
ましい。
低膨張率化、テクノ性付与のため無機質充填剤を使用し
てもよい。たとえば、浴融シリカ、結晶シリカ、水酸化
アルミニウムなどがこのような充填剤として用いられる
また、必要に応じて、カップリング剤、rf−面活性剤
1反応性希釈剤、顔料などを添卯1−でもよい。
上記封止用樹l旨組成物は、あらかじめ潜在性硬化剤を
固体粉砕してから、エポキシ樹脂中に分散したのち、他
の配合原料を添加して、ニーダ、ロールなどで混練し、
ディスペンサなどで半導体チップに塗布して加熱硬化さ
せることにより封止することができる。
この発明の製法による樹脂組成物Vこより封止される半
導体が実装される基板としては、特に限定されないが、
例示すればセラミックス基板、ガラス−エポキシ基板9
紙−エポキシ基板などがある。
このようにして得られた封止硬化物の吸湿率は、たとえ
ば、PO条件下(3気圧−20時間)で5チまで低下さ
せることが可能である。これに対し、潜在性硬化剤が固
体粉砕されていないものは、同じ条件下で吸湿率が12
係である。また、潜在性硬化剤が固体粉砕されていても
、樹脂中に分散されていないと、やはり、同じ条件下で
の吸湿率は12係である。このように、封止硬化物の吸
湿率を低下させるためには、潜在性硬化剤が固体粉砕さ
れたのち、樹脂分散されなくてはならない・以下、実施
例および比較例を示す。
(実施例1) アジピン酸ジヒドラジドおよびイミダゾールをそれぞれ
ボールミルにより4時間かけて固体粉砕した。エポキシ
樹脂(シェル化学(株)製:エピコ−1−828)98
重量部、固体粉砕したアジピン酸ジヒドラジドを20重
量部、およびイミダゾールを0.3重量部間合し、ライ
カイ機により4時間かけて樹脂分散を行った。これに、
充填剤量が全体の60重量部になるように溶融ノリ力を
添加して、3本ロールで混練し、液状封止材料を得た。
ついでとの封止材料をディスペンサで吐出して、アルミ
ナ基板上のICに塗布し、160℃で3時間硬化させ封
止物を得た7 この封止物50個について、133℃、3気圧でPCT
を行い、10時間ごとに導通状態を調べ、不良率が10
係になる時の延べ時間を測定した。
同時に、封止硬化物の吸湿率を、PCT条件F(3気圧
、40時間)での重量変化率vcより測定した。
結果は、それぞれ第1表に示した。
(実施例2〜5および比較例1.2) 実施例11Cおいて、固体粉砕処理時間および樹脂分散
処理時間を第1表に示すように変えたほかは、実施例1
と同様にして、液状封止材料を得た。
ついで実施例1のときと同様にこの封止材料を用いて封
止物を得た。
各側の封止物50個ずつについて上記の試験を行った。
また、あわせて吸湿率の測定も行った。
結果を第1表に併せて示した。
(以  下  余  白 ) 第1表に示すように、封止用樹脂組成物の混線以前に、
硬化剤が固体粉砕されており、硬化剤の樹脂す敗が行わ
れておれば、封止硬化物の吸湿率およびPCTが大幅に
改善されている。また、硬化剤の固体粉砕処理や樹脂分
散処理の程度が高まるにつれそれら改善の度合いも高ま
る。比較例1゜2に見るように、潜在性硬化剤の固体粉
砕または樹脂分散のうちいずれか一方が行われていない
と、吸湿率の低下や耐湿性の改善に効果がない。
〔発明の効果〕
この発明の封止用樹脂組成物の製法は、潜在性硬化剤を
あらかじめ固体粉砕したのち、エポキシ樹脂中に分散さ
せるようにしているので、硬化剤の樹脂分散が良好であ
る。このため、この発明の製法による樹脂組成物を用い
て、半導体チップの封止全行えば、封止硬化物の吸湿率
が低いので耐湿信頼性も高まる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、封止物の断面図である。 1・・・封止硬化物 2・・・基板 3・・・半導体テ
ップ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エポキシ樹脂と潜在性硬化剤とその他必要な配合
    原料とを混合して封止用樹脂組成物を得るにあたり、前
    記潜在性硬化剤をあらかじめ固体粉砕したのち、エポキ
    シ樹脂中に分散させることを特徴とする封止用樹脂組成
    物の製法。
JP15615784A 1984-07-25 1984-07-25 封止用樹脂組成物の製法 Pending JPS6134019A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15615784A JPS6134019A (ja) 1984-07-25 1984-07-25 封止用樹脂組成物の製法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15615784A JPS6134019A (ja) 1984-07-25 1984-07-25 封止用樹脂組成物の製法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6134019A true JPS6134019A (ja) 1986-02-18

Family

ID=15621591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15615784A Pending JPS6134019A (ja) 1984-07-25 1984-07-25 封止用樹脂組成物の製法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6134019A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63264624A (ja) * 1986-09-16 1988-11-01 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状エポキシ樹脂組成物
JPWO2012102336A1 (ja) * 2011-01-28 2014-06-30 住友ベークライト株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
CN110885535A (zh) * 2019-12-20 2020-03-17 上海复合材料科技有限公司 一种适用于热压罐始加压环氧树脂组合物的制备方法
WO2023032943A1 (ja) * 2021-09-01 2023-03-09 豊田合成株式会社 熱硬化性組成物

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5423700A (en) * 1977-07-23 1979-02-22 Toho Tennen Gas Kk Oneepack type epoxy resin and adhesiveebacked tape impregnated with it

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5423700A (en) * 1977-07-23 1979-02-22 Toho Tennen Gas Kk Oneepack type epoxy resin and adhesiveebacked tape impregnated with it

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63264624A (ja) * 1986-09-16 1988-11-01 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状エポキシ樹脂組成物
JPWO2012102336A1 (ja) * 2011-01-28 2014-06-30 住友ベークライト株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
CN110885535A (zh) * 2019-12-20 2020-03-17 上海复合材料科技有限公司 一种适用于热压罐始加压环氧树脂组合物的制备方法
WO2023032943A1 (ja) * 2021-09-01 2023-03-09 豊田合成株式会社 熱硬化性組成物

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0951070B1 (en) Semiconductor encapsulating epoxy resin compositions, and semiconductor devices encapsulated therewith
JPS6274924A (ja) 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物
JPS62212422A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP3192953B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及びその製造方法
JP2853550B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置
JPS6134019A (ja) 封止用樹脂組成物の製法
JP2001064522A (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JPS61203121A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH03211A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法
JPS6243452B2 (ja)
JP2000129139A (ja) 粒状半導体封止材料の製造方法及び粒状半導体封止材料
JPS6315449A (ja) 半導体装置
JPH0479379B2 (ja)
JP3176502B2 (ja) 半導体装置およびそれに用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP3048922B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法
JP3919162B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR100474961B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JPS6360067B2 (ja)
JP5201451B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS63160255A (ja) 半導体装置
JP3537859B2 (ja) 半導体装置およびそれに用いられるエポキシ樹脂組成物
JPH0749465B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2741254B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH1027871A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法
JPH0362845A (ja) 半導体封止用樹脂組成物