JPH03177058A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH03177058A JPH03177058A JP1316190A JP31619089A JPH03177058A JP H03177058 A JPH03177058 A JP H03177058A JP 1316190 A JP1316190 A JP 1316190A JP 31619089 A JP31619089 A JP 31619089A JP H03177058 A JPH03177058 A JP H03177058A
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は熱硬化性樹脂組成物によって封止された樹脂封
止型半導体装置及びその製造方法に関するものである。
止型半導体装置及びその製造方法に関するものである。
従来行われている樹脂封止型半導体装置の組立工程の概
要を第１図に示す、第２図（ａ）はリードフレーム１に
Ｓｉペレット２を銀ペースト等の接着剤３でペレット付
しているところを示す断面図であり、第２図（ｂ）は金
線４（約３０ｕｍφ）をワイアボンディングしていると
ころを示す断面図であリ、第２図（Ｃ）は封止材を用い
てモールドしているところを示す断面図であり、第２図
（ｄ）は樹脂封止型半導体装置の完成品の断面図である
。
要を第１図に示す、第２図（ａ）はリードフレーム１に
Ｓｉペレット２を銀ペースト等の接着剤３でペレット付
しているところを示す断面図であり、第２図（ｂ）は金
線４（約３０ｕｍφ）をワイアボンディングしていると
ころを示す断面図であリ、第２図（Ｃ）は封止材を用い
てモールドしているところを示す断面図であり、第２図
（ｄ）は樹脂封止型半導体装置の完成品の断面図である
。
従来は、例えばトリフェニルホスフィン、イミダゾール
、ジアザビシクロウンデセンといった硬化促進剤を用い
た熱硬化性樹脂組成物を用いてトランスファーモールド
により樹脂封止型半導体装置が製造されていた。この場
合、第１図かられかるように必ずモールド後ポストキュ
アという工程が存在した。この工程は熱硬化性樹脂組成
物を用いてトランスファーモールド（例えば酸形温度１
８０°Ｃ２５ｈ時間９０ｓｅｃ、成形圧カフ０ｋｇｆ／
ｃ＋ｌＩ）しても、熱硬化性樹脂ｍ酸物が完全に硬化し
ないため、更に熱履歴（例えば１８０°Ｃ２５ｈ）を加
えて完全に熱硬化性樹脂組成物を硬化させるためのもの
である。
、ジアザビシクロウンデセンといった硬化促進剤を用い
た熱硬化性樹脂組成物を用いてトランスファーモールド
により樹脂封止型半導体装置が製造されていた。この場
合、第１図かられかるように必ずモールド後ポストキュ
アという工程が存在した。この工程は熱硬化性樹脂組成
物を用いてトランスファーモールド（例えば酸形温度１
８０°Ｃ２５ｈ時間９０ｓｅｃ、成形圧カフ０ｋｇｆ／
ｃ＋ｌＩ）しても、熱硬化性樹脂ｍ酸物が完全に硬化し
ないため、更に熱履歴（例えば１８０°Ｃ２５ｈ）を加
えて完全に熱硬化性樹脂組成物を硬化させるためのもの
である。
しかし、最近エネルギーコスト低減、工程短縮のため、
ポストキュアなしで半導体を組立ることも行われている
。しかし、この場合、樹脂封止型半導体装置の信頼性が
従来技術のポストキュアしたちのと比較して若干劣ると
いう欠点がある。
ポストキュアなしで半導体を組立ることも行われている
。しかし、この場合、樹脂封止型半導体装置の信頼性が
従来技術のポストキュアしたちのと比較して若干劣ると
いう欠点がある。
半導体の組立工程からポストキュア工程を省略すること
で、樹脂封止型半導体装置の信頼性がポストキュアした
ものと比較して若干劣る原因は熱硬化性樹脂組成物がト
ランスファーモールド工程だけでは完全に硬化していな
いためである０本発明はこの問題を解決するためになさ
れたもので、トランスファーモールド工程だけで熱硬化
性樹脂＆Ｉｌ威物がほぼ完全に硬化を終了し、ポストキ
ュア工程を省略しても信頼性に優れた樹脂封止型半導体
装置を得ることができる、樹脂封止型半導体装置の製造
方法及びこの方法により得られた樹脂封止型半導体装置
を提供するものである。
で、樹脂封止型半導体装置の信頼性がポストキュアした
ものと比較して若干劣る原因は熱硬化性樹脂組成物がト
ランスファーモールド工程だけでは完全に硬化していな
いためである０本発明はこの問題を解決するためになさ
れたもので、トランスファーモールド工程だけで熱硬化
性樹脂＆Ｉｌ威物がほぼ完全に硬化を終了し、ポストキ
ュア工程を省略しても信頼性に優れた樹脂封止型半導体
装置を得ることができる、樹脂封止型半導体装置の製造
方法及びこの方法により得られた樹脂封止型半導体装置
を提供するものである。
すなわち、本発明は熱硬化性樹脂に硬化剤、硬化促進剤
及び充填材を配合した熱硬化性樹脂組成物を用いて半導
体素子を封止してなる樹脂封止型半導体装置において、
前記硬化促進剤として第４級ホスホニウムのテトラ置換
ボロン塩及びトリフェニルホスフィンから選ばれ、第４
級ホスホニウムのテトラ置換ボロン塩を５０重量％以上
含有するものを使用したことを特徴とする樹脂封止型半
導体装置を提供するものである。
及び充填材を配合した熱硬化性樹脂組成物を用いて半導
体素子を封止してなる樹脂封止型半導体装置において、
前記硬化促進剤として第４級ホスホニウムのテトラ置換
ボロン塩及びトリフェニルホスフィンから選ばれ、第４
級ホスホニウムのテトラ置換ボロン塩を５０重量％以上
含有するものを使用したことを特徴とする樹脂封止型半
導体装置を提供するものである。
また、本発明は前記熱硬化性樹脂ｍ酸物を用い、半導体
素子をトラン、スファーモールドし、トランスファモー
ルド工程だけで熱硬化樹脂組成物の硬化を行わせること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
素子をトラン、スファーモールドし、トランスファモー
ルド工程だけで熱硬化樹脂組成物の硬化を行わせること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
本発明により製造された半導体装置の硬化樹脂Ｕ酸物の
ガラス転移点はポストキュアを行わなくても１５０°Ｃ
以上であり、得られた樹脂封止型半導体装置は優れた信
頼性を有している。
ガラス転移点はポストキュアを行わなくても１５０°Ｃ
以上であり、得られた樹脂封止型半導体装置は優れた信
頼性を有している。
熱硬化性樹脂としては通常エポキシ樹脂が好ましく用い
られる。硬化剤としては通常ノボラック樹脂が好ましく
用いられる。充填剤としては通常シリカが好ましく用い
られる。熱硬化性樹脂＆ｌ１ｔ２物にはその他カップリ
ング剤、離型剤、着色剤等が適宜配合される。
られる。硬化剤としては通常ノボラック樹脂が好ましく
用いられる。充填剤としては通常シリカが好ましく用い
られる。熱硬化性樹脂＆ｌ１ｔ２物にはその他カップリ
ング剤、離型剤、着色剤等が適宜配合される。
本発明において硬化促進剤として用いられる第４級ホス
ホニウムのテトラ置換ボロン塩としては、例えば、テト
ラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、ブ
チルトリフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレー
ト、テトラブチルホスホニウム・テトラフェニルボレー
ト、テトラフェニルホスホニウム・ブチルトリフェニル
ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラブチル
ボレート、テトラブチルホスホニウム・テトラブチルボ
レートなどが挙げられる。硬化促進剤中の第４級ホスホ
ニウムのテトラ置換ボロン塩の含量が５０重量％以上に
なるようにしてトリフェニルホスフィンを併用すること
も行われる。
ホニウムのテトラ置換ボロン塩としては、例えば、テト
ラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、ブ
チルトリフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレー
ト、テトラブチルホスホニウム・テトラフェニルボレー
ト、テトラフェニルホスホニウム・ブチルトリフェニル
ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラブチル
ボレート、テトラブチルホスホニウム・テトラブチルボ
レートなどが挙げられる。硬化促進剤中の第４級ホスホ
ニウムのテトラ置換ボロン塩の含量が５０重量％以上に
なるようにしてトリフェニルホスフィンを併用すること
も行われる。
このような硬化促進剤を用いることにより、トランスフ
ァーモールド工程だけで熱硬化性樹脂組成物がほぼ完全
に硬化を終了し、ポストキュア工程を省略しても信頼性
に優れる樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
ァーモールド工程だけで熱硬化性樹脂組成物がほぼ完全
に硬化を終了し、ポストキュア工程を省略しても信頼性
に優れる樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
熱硬化性樹脂組成物中の熱硬化性樹脂、硬化剤、硬化促
進剤、充填剤の配合量は通常の半導体封止用硬化性樹脂
組成物の配合と同様であり、硬化促進剤は硬化剤に対し
て通常、０．５〜５重量％配合される。
進剤、充填剤の配合量は通常の半導体封止用硬化性樹脂
組成物の配合と同様であり、硬化促進剤は硬化剤に対し
て通常、０．５〜５重量％配合される。
硬化促進剤として、第４級ホスホニウムのテトラ置換ボ
ロン塩及びトリフェニルホスフィンがら選ばれ、第４級
ホスホニウムのテトラ置換ボロン塩を５０重量％以上含
有するものを使用することにより、トランスファーモー
ルド工程だけで熱硬化性樹脂組成物をほぼ完全に硬化さ
せることができる。
ロン塩及びトリフェニルホスフィンがら選ばれ、第４級
ホスホニウムのテトラ置換ボロン塩を５０重量％以上含
有するものを使用することにより、トランスファーモー
ルド工程だけで熱硬化性樹脂組成物をほぼ完全に硬化さ
せることができる。
ここで、熱硬化性樹脂組成物がほぼ完全に硬化を終了し
たかどうかはガラス転移点（Ｔｇ）を測定することで判
定することができ、上記硬化促進剤を使用した熱硬化性
樹脂組成物はポストキュア工程が有っても無くてもガラ
ス転移点があまり変化せず（Ｔｇ差１５°Ｃ以内）、か
つポストキュア工程が無くてもガラス転移点が１５０″
Ｃ以上となることから、はぼ完全に硬化が終了している
ものと思われ、その結果、ポストキュア工程を省略して
も信頼性に優れた樹脂封止型半導体装置を製造すること
が可能となる。
たかどうかはガラス転移点（Ｔｇ）を測定することで判
定することができ、上記硬化促進剤を使用した熱硬化性
樹脂組成物はポストキュア工程が有っても無くてもガラ
ス転移点があまり変化せず（Ｔｇ差１５°Ｃ以内）、か
つポストキュア工程が無くてもガラス転移点が１５０″
Ｃ以上となることから、はぼ完全に硬化が終了している
ものと思われ、その結果、ポストキュア工程を省略して
も信頼性に優れた樹脂封止型半導体装置を製造すること
が可能となる。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例１．２、比較例１．２．３
まず第１表に示す各種の素材を用い、熱硬化性樹脂組成
物を作製した。
物を作製した。
熱硬化性樹脂組成物の作製は各素材を予備混合（トライ
ブレンド）した後、二軸ロール（ロール表面温度約８０
℃）で１０分間混練し、冷却後粉砕機で微粒化した。
ブレンド）した後、二軸ロール（ロール表面温度約８０
℃）で１０分間混練し、冷却後粉砕機で微粒化した。
次にミ各樹脂組成物について、トランスファー成形機を
用い、金型温度１８０°Ｃ１威形圧カフ０ｋｇｆ／ｃｄ
、硬化時間９０ｓｅｃの条件で１０φ×１０９ａａの試
験片を成形し、ＡＳＴＭ−Ｄ６９６に準じ、ガラス転移
点を測定した（昇温速度２°（７ｍ１ｎ）。
用い、金型温度１８０°Ｃ１威形圧カフ０ｋｇｆ／ｃｄ
、硬化時間９０ｓｅｃの条件で１０φ×１０９ａａの試
験片を成形し、ＡＳＴＭ−Ｄ６９６に準じ、ガラス転移
点を測定した（昇温速度２°（７ｍ１ｎ）。
信頼性試験として、−１９６℃／２分←→１５０°Ｃ／
２分、５０回の耐熱衝撃性テスト（以下ＴＣＴと略す）
を行った。その結果を第２表に示す。
２分、５０回の耐熱衝撃性テスト（以下ＴＣＴと略す）
を行った。その結果を第２表に示す。
第２表から、実施例１．２はポストキュア工程が有って
も無くてもガラス転移点があまり変化していない（１５
°Ｃ以内）。また、ガラス転移点はポストキュア工程が
無くても１５０°Ｃ以上となっている。その結果、ポス
トキュア工程が無くても実施例１．２は信頼性テスト（
ＴＣＴ）の結果が良好となっている。
も無くてもガラス転移点があまり変化していない（１５
°Ｃ以内）。また、ガラス転移点はポストキュア工程が
無くても１５０°Ｃ以上となっている。その結果、ポス
トキュア工程が無くても実施例１．２は信頼性テスト（
ＴＣＴ）の結果が良好となっている。
一方、比較例１．２．３はポストキュア工程が有るもの
と無いものでガラス転移点が１５°Ｃ以上変化している
。その結果、ポストキュア工程がないものは信頼性テス
ト（ＴＣＴ）の結果が悪くなっている。
と無いものでガラス転移点が１５°Ｃ以上変化している
。その結果、ポストキュア工程がないものは信頼性テス
ト（ＴＣＴ）の結果が悪くなっている。
本発明において用いられる熱硬化性樹脂組成物はボスト
キュア工程が有っても無くてもガラス転移点があまり変
化せず（Ｔｇ差１５°Ｃ以内）、ボストキュア工程が無
くてもガラス転移点が１５０°Ｃ以上となり、その結果
、ボストキュア工程を省略しても信頼性に優れた樹脂封
止型半導体装置を製造することが可能となった。
キュア工程が有っても無くてもガラス転移点があまり変
化せず（Ｔｇ差１５°Ｃ以内）、ボストキュア工程が無
くてもガラス転移点が１５０°Ｃ以上となり、その結果
、ボストキュア工程を省略しても信頼性に優れた樹脂封
止型半導体装置を製造することが可能となった。
第１図は樹脂封止型半導体装置の組立工程の概要を示す
工程図を示し、第２図（ａ）はペレット付工程、第２図
（ｂ）はワイヤボンディング工程、第２図（Ｃ）はモー
ルド工程、第２図（ｄ）は完成品の断面説明図である。 符号の説明 １ リードフレーム ２ Ｓｉペレット３ 接着剤
４ 金線 封止材
工程図を示し、第２図（ａ）はペレット付工程、第２図
（ｂ）はワイヤボンディング工程、第２図（Ｃ）はモー
ルド工程、第２図（ｄ）は完成品の断面説明図である。 符号の説明 １ リードフレーム ２ Ｓｉペレット３ 接着剤
４ 金線 封止材
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、熱硬化性樹脂に硬化剤、硬化促進剤及び充填材を配
合した熱硬化性樹脂組成物を用いて半導体素子を封止し
てなる樹脂封止型半導体装置において、前記硬化促進剤
として第４級ホスホニウムのテトラ置換ボロン塩及びト
リフェニルホスフィンから選ばれ、第４級ホスホニウム
のテトラ置換ボロン塩を５０重量％以上含有するものを
使用したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ２、請求項１に記載の熱硬化性樹脂組成物を用い、半導
体素子をトランスファーモールドして樹脂封止型半導体
装置を製造する方法において、トランスファモールド工
程だけで熱硬化樹脂組成物の硬化を行わせることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 ３、請求項２に記載の製造方法により製造された硬化樹
脂組成物のガラス転移点が１５０℃以上であることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1316190A JPH03177058A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1316190A JPH03177058A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03177058A true JPH03177058A (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=18074301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1316190A Pending JPH03177058A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03177058A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04268322A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-24 | Toray Ind Inc | エポキシ樹脂組成物 |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP1316190A patent/JPH03177058A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04268322A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-24 | Toray Ind Inc | エポキシ樹脂組成物 |
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