JP5087048B2 - 放熱部品一体型回路基板 - Google Patents

放熱部品一体型回路基板 Download PDF

Info

Publication number
JP5087048B2
JP5087048B2 JP2009151645A JP2009151645A JP5087048B2 JP 5087048 B2 JP5087048 B2 JP 5087048B2 JP 2009151645 A JP2009151645 A JP 2009151645A JP 2009151645 A JP2009151645 A JP 2009151645A JP 5087048 B2 JP5087048 B2 JP 5087048B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
insulating layer
circuit board
heat
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009151645A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011009475A (ja
Inventor
大三 馬場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2009151645A priority Critical patent/JP5087048B2/ja
Publication of JP2011009475A publication Critical patent/JP2011009475A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5087048B2 publication Critical patent/JP5087048B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)

Description

本発明は、各種電気・電子機器等に用いられる放熱部品一体型回路基板に関するものである。
金属ベース基板21は、図12(a)に示すように、アルミニウム等の金属基板22にエポキシ樹脂等で絶縁層2を設け、この絶縁層2に銅箔等で回路3を設けて形成されるものである。そしてこの金属ベース基板21は、従来の樹脂基板やセラミック基板の特性に加え、高熱伝導性、易加工性、磁気シールド性、耐熱衝撃性など金属の特性が活かされた基板である。
しかし、上記のような金属ベース基板21にパワーデバイス等の電子部品を実装する場合には、金属基板22のみでは十分な放熱性を得ることができない。
そこで、従来は金属ベース基板21に放熱フィン13を取り付け、この放熱フィン13によって放熱性を確保するようにしている(例えば、特許文献1参照)。例えば、放熱フィン13の取り付けは、図12(a)(b)に示すように、金属ベース基板21と放熱フィン13とで高熱伝導性シリコーンシート23を挟み、これらをネジ24によって一体化することによって行われている。
しかし、上記のような従来品は、全体的に厚みが厚くなってしまうという問題がある。
また、高熱伝導性シリコーンシート23は、金属ベース基板21と放熱フィン13との密着性を確保するために必要であるが、経時的に低分子シロキサンが溶出することによって劣化して厚みが薄くなるものであるため、金属ベース基板21と放熱フィン13との間に隙間が生じ、この隙間により放熱性が低下してしまうという問題もある。
特開平10−70383号公報
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、従来品に比べて全体的に厚みを薄くすることができると共に、長期間にわたって高い放熱性を得ることができる放熱部品一体型回路基板を提供することを目的とするものである。
本発明に係る放熱部品一体型回路基板は、ポリイミド樹脂で形成され、無機フィラーが含有され、熱伝導率が2W/mk以上である絶縁層2を直接、凸部25又は凹部を設けて形成された放熱部品1の前記凸部25又は凹部に設け、ステンレス材6又はフィルム材7である転写材4に転写用回路5を設け、前記転写用回路5を前記絶縁層2に転写することによって、異種金属を積層して形成された回路3を前記絶縁層2に埋め込んで形成されていることを特徴とするものである。
前記放熱部品一体型回路基板において、前記回路3に金属板8が固定されていることが好ましい
前記放熱部品一体型回路基板において、前記回路3に電子部品9が実装されていることが好ましい
前記放熱部品一体型回路基板において、前記回路3と前記金属板8の両方又は一方に前記電子部品9が実装されていることが好ましい
本発明に係る放熱部品一体型回路基板によれば、従来品に比べて全体的に厚みを薄くすることができると共に、長期間にわたって高い放熱性を得ることができるものである。
また、放熱部品を損傷することなく、絶縁層に容易に回路を設けることができるものである。
また、回路の位置精度を高めることができるものである。
また、絶縁層に容易に回路を設けることができるものである。
また、使用する金属の組合せによって、回路の酸化を防止することができると共に、実装性を高めることができるものである。
また、耐熱性を高めることができると共に、絶縁層の厚みを薄くしても十分な絶縁信頼性を確保することができるものである。
また、無機フィラーによって回路の熱を放熱部品の側に伝導しやすくなるものである。
本発明に係る放熱部品一体型回路基板の製造工程の一例を示すものであり、(a)〜(c)は断面図である。 放熱部品の他の一例を示すものであり、(a)は断面図、(b)は底面図である。 本発明に係る放熱部品一体型回路基板の製造工程の他の一例を示すものであり、(a)〜(c)は断面図である。 本発明に係る放熱部品一体型回路基板の製造工程の他の一例を示すものであり、(a)〜(c)は断面図である。 転写材の他の一例を示すものであり、(a)(b)は断面図である。 (a)は転写用回路の他の一例を示す断面図であり、(b)は(a)の転写用回路を絶縁層に転写して設けられた回路を示す断面図である。 放熱部品一体型回路基板の他の一例を示す断面図である。 放熱部品一体型回路基板の他の一例を示す断面図である。 放熱部品一体型回路基板の他の一例を示す断面図である。 放熱部品一体型回路基板の他の一例を示す断面図である。 放熱部品一体型回路基板の他の一例を示す断面図である。 従来品を示すものであり、(a)(b)は断面図である。
以下、本発明の実施の形態を説明する。
図1は本発明に係る放熱部品一体型回路基板の製造工程の一例を示すものであり、この工程では、転写用回路5が表面に設けられた転写材4と、絶縁層2を形成するための絶縁性シート10と、放熱部品1とを用いて、放熱部品一体型回路基板を製造することができる。
ここで、転写材4としては、厚みが0.03〜2mmである金属材等を用いることができる。金属材としては、特に限定されるものではないが、ステンレス材6を用いるのが好ましい。また転写用回路5は、電解めっき等により転写材4に銅等を所望のパターン状に析出させることによって設けることができる。なお、転写用回路5の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば5〜100μmに設定することができる。
また絶縁性シート10としては、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂等の樹脂成分をシート状に成形したもの等を用いることができる。樹脂成分としては、例えば、エポキシ樹脂等を用いることができ、特に限定されるものではないが、ポリイミド樹脂を用いるのが好ましい。また絶縁性シート10には、あらかじめ無機フィラーを樹脂成分に配合して含有させておくのが好ましい。このような無機フィラーとしては、例えば、シリカ、アルミナ、窒化ボロン、窒化アルミニウム等を用いることができる。このような無機フィラーが絶縁性シート10に含有されていると、熱伝導率が2W/mk以上の絶縁層2を容易に形成することができるものである。なお、熱伝導率の上限は絶縁性に問題がなければ特に限定されず、例えば10W/mk程度の絶縁層2も形成することができる。
また放熱部品1としては、ベース部11に放熱部12を設けて形成されたものを用いることができる。具体的には、金属製の放熱フィン13(ヒートシンク)等を用いることができる。この放熱フィン13は、放熱部12として任意の形状のフィンをベース部11に設けて形成されている。また放熱部品1としては、図2に示すように、放熱部12に冷却水等の冷媒が流れる流路14が蛇行して形成されたものを用いることもできる。なお、流路14の一端及び他端はそれぞれ放熱部12の側面において入口26及び出口27として開口している。
そして、放熱部品一体型回路基板を製造するにあたっては、図1(a)(b)に示すように、転写材4の転写用回路5が設けられた面と放熱部品1のベース部11の表面とで絶縁性シート10(1枚又は複数枚)を挟んで積層した後、この積層物を加熱加圧成形し、絶縁性シート10を硬化させて絶縁層2を形成させることによって一体化させる。このときの温度は150〜200℃、圧力は1〜4MPaに設定することができる。その後、図1(c)に示すように、転写材4を撓ませるなどして剥離すると、転写用回路5が絶縁層2に転写され、絶縁層2に回路3が設けられることによって、放熱部品一体型回路基板を得ることができる。なお、絶縁層2の厚みは、絶縁性シート10の使用枚数等を調整することによって、0.05〜0.4mmに設定することができる。
絶縁層2に回路3を設けるにあたっては、サブトラクティブ法やアディティブ法等を使用することもできるが、これらの方法ではエッチング液(エッチャント)を使用するので、このエッチング液で金属製の放熱部品1が腐食溶解するおそれがある。しかし、上記のような転写法を使用すれば、放熱部品1を損傷することなく、絶縁層2に容易に回路3を設けることができるものである。しかもこの回路3は、いわゆるフラッシュ導体となり、絶縁層2に埋め込まれ、回路3の露出面と絶縁層2の表面とを面一にすることができるものである。
このように、本発明に係る放熱部品一体型回路基板は、放熱部品1に直接絶縁層2を設け、この絶縁層2に回路3を設けて形成されているので、図12に示す従来品に比べて、少なくとも金属基板22及び高熱伝導性シリコーンシート23の厚みの分だけ全体的に厚みを薄くすることができるものである。また従来品に見られた熱伝導を遮断するような隙間は、本発明に係る放熱部品一体型回路基板には生じないので、長期間にわたって高い放熱性を得ることもできるものである。
そして、特に転写材4としてステンレス材6を用いる場合、このステンレス材6は上記加熱加圧成形では変形しないので、この表面に設けられた転写用回路5も変形しない。よって、ステンレス材6に設けられた転写用回路5をその形状を正確に保持した状態で絶縁層2に転写することができ、回路3の位置精度を高めることができるものである。
また絶縁層2がポリイミド樹脂で形成されていると、耐熱性を高めることができると共に、絶縁層2の厚みを薄くしても十分な絶縁信頼性を確保することができるものである。さらに絶縁層2に無機フィラーが含有され、この絶縁層2の熱伝導率が2W/mk以上であると、回路3の熱を放熱部品1の側に伝導しやすくなるものである。なお、無機フィラーの含有量は、絶縁層2全量に対して、60〜95質量%に設定することができる。
図3は本発明に係る放熱部品一体型回路基板の製造工程の他の一例を示すものである。図1に示す工程では、ベース部11の表面が平坦な放熱部品1を用いているが、図3に示す工程では、ベース部11の表面に凸部25を設けて形成された放熱部品1を用いている。そして、このようにベース部11の表面が凹凸面に形成されていても、厚みの厚い絶縁性シート10を用いたり、厚みの薄い絶縁性シート10を複数枚重ねて用いたりすることによって、表面が平坦な絶縁層2を設けることができるものである。
図4は本発明に係る放熱部品一体型回路基板の製造工程の他の一例を示すものである。この工程でも、ベース部11の表面に凸部25を設けて形成された放熱部品1を用いているが、特にこの工程では、凸部25の表面にのみ絶縁層2を設け、この絶縁層2に回路3を設けるようにしている。このように、不要な絶縁層2を設けないことによって、ネジ締め部品や取付治具等(図示省略)を放熱部品1に直接装着することができ、また絶縁層2を除去することなく、金属製の放熱部品1のベース部11を電気的な接続の一部としてアースなどに利用することができると共に、製造コストの削減も図ることができるものである。なお、図4に示すものでは、凸部25の表面にのみ絶縁層2を設け、この絶縁層2に回路3を設けるようにしているが、凸部25以外の表面(凹部)にのみ絶縁層2を設け、この絶縁層2に回路3を設けるようにしてもよい。
図5は転写材4の他の一例を示すものであり、この転写材4は、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム等のフィルム材7で形成されている。そして転写用回路5は、まず図5(a)のようにフィルム材7に接着剤15で銅箔等の金属箔16を貼り付けた後、図5(b)のように所望のパターン状となるように不要な金属箔16をエッチングにより除去することによって設けることができる。なお、接着剤15としては、放熱部品一体型回路基板を製造する場合の加熱加圧成形後において、フィルム材7との密着性に比べて回路3との密着性が低くなるようなもの、具体的にはシリコーン系やアクリル系の接着剤15等を用いるのが好ましい。これにより転写材4を剥離する場合、接着剤15もフィルム材7と共に剥離され、絶縁層2には回路3のみを設けることができるものである。このように、転写材4としてステンレス材6の代わりにフィルム材7を用いる場合にも、絶縁層2に容易に回路3を設けることができるものである。
図6(b)は回路3の他の一例を示すものであり、この回路3は、異種金属を積層して形成されている。このような回路3が絶縁層2に設けられていると、使用する金属の組合せによって、回路3の酸化を防止することができると共に、実装性(はんだ付け性、接触性能など)を高めることができるものである。そしてこのような回路3を形成するにあたっては、転写法を使用することができる。例えば、図6(a)に示すように、電解めっき又は無電解めっき等により、まず転写材4に金17を所望のパターン状に析出させ、次にこの金17に重ねてニッケル18を析出させ、さらにこのニッケル18に重ねて銅19を析出させることによって、3種類の金属を積層して形成された転写用回路5を設けることができる。次にこのように転写用回路5が設けられた転写材4を用いて絶縁層2に回路3を設けると、この回路3は、図6(b)に示すように、酸化しやすい銅19及びニッケル18の部分が絶縁層2に完全に埋め込まれて外部には露出せず、酸化しにくく実装性の高い金17の部分が絶縁層2の表面と面一となって露出するものとなる。また転写材4に転写用回路5を設ける場合、その断面形状を樽状又は楔状(逆三角形状)としておくと、この転写用回路5は絶縁層2に転写されるときアンカー効果により絶縁層2に食い込むように埋め込まれるので、回路3のピール強度を高めることができるものである。なお、異種金属は、銅19、ニッケル18、金17に限定されるものではなく、また層数も積層の順番も特に限定されるものではない。
図7は放熱部品一体型回路基板の他の一例を示すものであり、これは、回路3に全体的又は部分的にパターン状に金属板8が固定されて形成されたものである。なお、回路3に全体的に金属板8が固定されているとは、回路3の露出面の全部が金属板8で被覆されている状態をいい、回路3に部分的に金属板8が固定されているとは、図7のように回路3の露出面の一部が金属板8で被覆され、残部が被覆されていない状態をいう。このように、金属板8が回路3に固定されていることによって、厚みの薄い回路3のみでは扱うことのできなかった大電流を扱うことができると共に、金属板8からも熱を放散させることができるものである。ここで、金属板8としては、厚みが0.2〜2mmである銅板等を用いることができるが、これに限定されるものではない。金属板8の固定は、例えば、回路3にクリームはんだを印刷し、これに金属板8を載せた後、リフローはんだ付け(リフローソルダリング)により行うことができる。このとき金属板8の位置が多少ずれていても、セルフアライメント効果が得られるので特に問題はない。すなわち、クリームはんだの溶解時にその表面張力によって金属板8は回路3のパターン状に沿って正しい位置に移動して調整されるものである。
図8は放熱部品一体型回路基板の他の一例を示すものであり、これは、回路3にクリームはんだ20等により電子部品9が実装されて形成されたものである。電子部品9としては、通常の半導体素子のほか、発熱量の大きいパワートランジスタ等のパワーデバイス(電力用半導体素子)であっても問題なく用いることができる。すなわち、電子部品9より発生した熱は回路3及び絶縁層2を介して放熱部品1に伝導され、高い放熱効果を得ることができるものである。
図9は放熱部品一体型回路基板の他の一例を示すものであり、これは、図2に示す放熱部品1を用いるようにした以外は、図8に示すものと同様に、回路3にクリームはんだ20等により電子部品9が実装されて形成されたものである。図2に示す放熱部品1では、流路14がベース部11と反対側の面において開口しているが、図9のようにこの流路14の開口を覆うように放熱部品1の放熱部12の表面にパッキン28を重ね、さらにこのパッキン28に蓋部材29を重ねて、これらをネジ24によって一体化しているので、冷媒が液漏れするようなことはない。
また、回路3に全体的に金属板8が固定されている場合には、金属板8に直接電子部品9が実装されていてもよく、さらに回路3に部分的に金属板8が固定されている場合には、回路3と金属板8の両方又は一方に電子部品9が実装されていてもよい。図10は、回路3に部分的に金属板8が固定されている場合であって、金属板8に電子部品9が実装されて形成された放熱部品一体型回路基板を示すものである。電子部品9としては上記と同様のものを用いることができるが、特にこの電子部品9が直接金属板8に実装されている場合には、上記の効果のほか、金属板8からも熱を放散させることができるものである。
図11は放熱部品一体型回路基板の他の一例を示すものであり、これは、金属板8に電子部品9が実装され、この電子部品9と他の金属板8とを比較的太目のアルミ線等のワイヤー31により電気的に接続して形成されたものである。この場合も、電子部品9より発生した熱を金属板8から放散させ、さらに回路3及び絶縁層2を介して放熱部品1からも放散させることができると共に、ワイヤー31により大電流を流すことができるものである。
1 放熱部品
2 絶縁層
3 回路
4 転写材
5 転写用回路
6 ステンレス材
7 フィルム材
8 金属板
9 電子部品

Claims (4)

  1. ポリイミド樹脂で形成され、無機フィラーが含有され、熱伝導率が2W/mk以上である絶縁層を直接、凸部又は凹部を設けて形成された放熱部品の前記凸部又は前記凹部に設け、ステンレス材又はフィルム材である転写材に転写用回路を設け、前記転写用回路を前記絶縁層に転写することによって、異種金属を積層して形成された回路を前記絶縁層に埋め込んで形成されていることを特徴とする放熱部品一体型回路基板。
  2. 前記回路に金属板が固定されていることを特徴とする請求項1に記載の放熱部品一体型回路基板。
  3. 前記回路に電子部品が実装されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の放熱部品一体型回路基板。
  4. 前記回路と前記金属板の両方又は一方に前記電子部品が実装されていることを特徴とする請求項に記載の放熱部品一体型回路基板。
JP2009151645A 2009-06-25 2009-06-25 放熱部品一体型回路基板 Expired - Fee Related JP5087048B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009151645A JP5087048B2 (ja) 2009-06-25 2009-06-25 放熱部品一体型回路基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009151645A JP5087048B2 (ja) 2009-06-25 2009-06-25 放熱部品一体型回路基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011009475A JP2011009475A (ja) 2011-01-13
JP5087048B2 true JP5087048B2 (ja) 2012-11-28

Family

ID=43565789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009151645A Expired - Fee Related JP5087048B2 (ja) 2009-06-25 2009-06-25 放熱部品一体型回路基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5087048B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013084417A1 (ja) * 2011-12-09 2013-06-13 富士電機株式会社 電力変換装置
KR101489159B1 (ko) * 2011-12-23 2015-02-05 주식회사 잉크테크 금속 인쇄회로기판의 제조방법
KR20190006344A (ko) * 2017-07-10 2019-01-18 송영석 방열 무선통신 안테나 구조
WO2023133720A1 (zh) * 2022-01-12 2023-07-20 谢华棣 立体散热电路板组的制造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02148877A (ja) * 1988-11-30 1990-06-07 Furukawa Electric Co Ltd:The 金属板ベースプリント配線板
JP2813436B2 (ja) * 1989-10-09 1998-10-22 古河電気工業株式会社 金属ベース多層回路基板
JPH04251965A (ja) * 1990-12-28 1992-09-08 Denki Kagaku Kogyo Kk 回路用金属ベース基板
JPH07123186B2 (ja) * 1992-09-25 1995-12-25 松下電工株式会社 回路装置
JP4742409B2 (ja) * 2000-08-23 2011-08-10 イビデン株式会社 プリント配線板の製造方法
JP4058933B2 (ja) * 2001-10-26 2008-03-12 松下電工株式会社 高熱伝導性立体基板の製造方法
JP4534575B2 (ja) * 2004-04-23 2010-09-01 パナソニック電工株式会社 配線基板の製造方法
JP4672425B2 (ja) * 2005-04-19 2011-04-20 電気化学工業株式会社 金属ベース回路基板およびその製法ならびにそれを用いた混成集積回路

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011009475A (ja) 2011-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20080278917A1 (en) Heat dissipation module and method for fabricating the same
JP4159861B2 (ja) プリント回路基板の放熱構造の製造方法
US10524349B2 (en) Printed circuit board with built-in vertical heat dissipation ceramic block, and electrical assembly comprising the board
US20090139690A1 (en) Heat sink and method for producing a heat sink
JP5936310B2 (ja) パワー半導体モジュール及びその取り付け構造
KR20150104033A (ko) 초박형 임베디드 반도체 소자 패키지 및 그 제조 방법
JP2003188323A (ja) グラファイトシート及びその製造方法
TWI690246B (zh) 內建縱向散熱陶瓷塊印刷電路板及具該電路板的電路組件
CN113097162A (zh) 散热片、芯片及电路板
US10504813B2 (en) Heat sink assemblies for surface mounted devices
JP5087048B2 (ja) 放熱部品一体型回路基板
GB2471497A (en) Double sided multi-layer metal substrate PCB with SMD components mounted to top traces and lead wire components mounted to opposite side for heat dissipation
JP6337954B2 (ja) 絶縁基板及び半導体装置
JP2016181536A (ja) パワー半導体装置
JP2010186907A (ja) 放熱板とモジュールとモジュールの製造方法
JP2008205344A (ja) 熱伝導基板とその製造方法及びこれを用いた回路モジュール
JP4631785B2 (ja) 金属ベース回路板及びその製造方法、実装部品、モジュール
JP2012190955A (ja) 射出成型基板
US20150287889A1 (en) Surface mountable semiconductor device
TWI702887B (zh) 軟性線路板結構
JP6312527B2 (ja) 放熱板を備えた電子部品の実装構造
US6225571B1 (en) Heatsink with high thermal conductivity dielectric
JP2017139303A (ja) 回路構成体およびその製造方法
JP2009218254A (ja) 回路モジュールとその製造方法
JP2019186411A (ja) 抵抗器およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100927

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20120113

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120124

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120326

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120815

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120907

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5087048

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees