JPH04251965A - 回路用金属ベース基板 - Google Patents
回路用金属ベース基板Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子機器、通信機、自動
車、産業用機器などに収納される回路用基板として使用
される回路用金属ベース基板に関する。
車、産業用機器などに収納される回路用基板として使用
される回路用金属ベース基板に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の金属基板のベース金属はアルミニ
ウム、銅、鉄、珪素鋼などの単一成分に近いもの、或い
はステンレス、インバーのように鉄を主成分とするもの
であった。また金属の張り合わせによる多層化も行われ
ているが、これも銅/インバー/銅、アルミニウム/4
2アロイ/アルミニウムなどで、やはりその母体金属に
は前述の金属を使用している。特開昭61−29569
3号公報にはインバー板の少なくとも片面にアルミニウ
ム、鉄、亜鉛およびこれらを主成分とする合金から選ば
れた1種の層を施し、その上に絶縁層を介して配線回路
を設けた金属基板が開示されている。
ウム、銅、鉄、珪素鋼などの単一成分に近いもの、或い
はステンレス、インバーのように鉄を主成分とするもの
であった。また金属の張り合わせによる多層化も行われ
ているが、これも銅/インバー/銅、アルミニウム/4
2アロイ/アルミニウムなどで、やはりその母体金属に
は前述の金属を使用している。特開昭61−29569
3号公報にはインバー板の少なくとも片面にアルミニウ
ム、鉄、亜鉛およびこれらを主成分とする合金から選ば
れた1種の層を施し、その上に絶縁層を介して配線回路
を設けた金属基板が開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】一般に、金属基板に半
導体シリコンチップを搭載し、冷熱サイクルを繰返すと
シリコンチップとベース金属との熱膨張率の差により、
半田層にクラックが生じるという商品の品質上の問題が
あった。上記特開昭61−295693号公報に開示さ
れた発明においては、この問題は一応緩和されたが、な
お半田層に生じるクラックの問題があった。また、基板
を構成する金属の熱膨張率の相違がソリを生じさせ、半
田層のクラック発生を一層助長する傾向があった。
導体シリコンチップを搭載し、冷熱サイクルを繰返すと
シリコンチップとベース金属との熱膨張率の差により、
半田層にクラックが生じるという商品の品質上の問題が
あった。上記特開昭61−295693号公報に開示さ
れた発明においては、この問題は一応緩和されたが、な
お半田層に生じるクラックの問題があった。また、基板
を構成する金属の熱膨張率の相違がソリを生じさせ、半
田層のクラック発生を一層助長する傾向があった。
【0004】ベース金属にアルミニウムや銅を用いると
、熱伝導性はよいが熱膨張率が大きいため、半田金属に
クラックが発生しがちである。また、インバー、42ア
ロイ単独では熱伝導性が悪いため、銅/インバー/銅、
アルミニウム/42アロイ/アルミニウムなどアルミニ
ウム層や銅層を厚くした多層化が行われるが、アルミニ
ウム、銅の熱膨張率が大きいためやはり半田クラックが
生じるという問題があった。そこで、より半田クラック
が発生しがたい回路用金属ベース基板が求められていた
。
、熱伝導性はよいが熱膨張率が大きいため、半田金属に
クラックが発生しがちである。また、インバー、42ア
ロイ単独では熱伝導性が悪いため、銅/インバー/銅、
アルミニウム/42アロイ/アルミニウムなどアルミニ
ウム層や銅層を厚くした多層化が行われるが、アルミニ
ウム、銅の熱膨張率が大きいためやはり半田クラックが
生じるという問題があった。そこで、より半田クラック
が発生しがたい回路用金属ベース基板が求められていた
。
【0005】
【課題解決の手段】本発明は上記課題を解決することを
目的とし、その構成は、ベース金属がコバルト65〜4
5%、鉄45〜25%、クロム15〜5%の合金からな
る母体金属の両面に、アルミニウム層、銅層、或いは銅
層の外面にアルミニウム層が設けられていることを特徴
とする。
目的とし、その構成は、ベース金属がコバルト65〜4
5%、鉄45〜25%、クロム15〜5%の合金からな
る母体金属の両面に、アルミニウム層、銅層、或いは銅
層の外面にアルミニウム層が設けられていることを特徴
とする。
【0006】本発明に用いる金属ベースの母体となる素
材は低熱膨張率であることを要し、特にその組成比がコ
バルト65〜45%、鉄45〜25%、クロム15〜5
%、好ましくはコバルト60〜50%、鉄40〜32%
、クロム12〜7%で、厚さが0.3mm〜5.0mm
の合金を用いる。中でもコバルト54%、鉄36.5%
、クロム9.5%の組成比は最も低い熱膨張率を示す、
いわゆる超インバー合金であって望ましい母体金属であ
る。
材は低熱膨張率であることを要し、特にその組成比がコ
バルト65〜45%、鉄45〜25%、クロム15〜5
%、好ましくはコバルト60〜50%、鉄40〜32%
、クロム12〜7%で、厚さが0.3mm〜5.0mm
の合金を用いる。中でもコバルト54%、鉄36.5%
、クロム9.5%の組成比は最も低い熱膨張率を示す、
いわゆる超インバー合金であって望ましい母体金属であ
る。
【0007】この母体金属板の両面に0.01〜3.0
mmのアルミニウムまたは銅の圧延板を貼着或いはメッ
キにより積層する。または0.1〜1.5mm厚の銅層
を母体金属の両面に圧延またはメッキにより積層した後
、アルミニウム層を設けると更に放熱効果を向上させる
ことができる。母体金属の両面に設ける銅及び/又はア
ルミニウム層は同一の厚さを有し母体金属に対して対称
であることが好ましい。
mmのアルミニウムまたは銅の圧延板を貼着或いはメッ
キにより積層する。または0.1〜1.5mm厚の銅層
を母体金属の両面に圧延またはメッキにより積層した後
、アルミニウム層を設けると更に放熱効果を向上させる
ことができる。母体金属の両面に設ける銅及び/又はア
ルミニウム層は同一の厚さを有し母体金属に対して対称
であることが好ましい。
【0008】このようにして作製した中央部が本発明の
母体金属で、その両面に対称的にアルミニウム及び/又
は銅の層を有する多層金属板の一方の面に絶縁層を設け
る。絶縁層にはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノ
ール樹脂、アクリル樹脂などの各種樹脂またはこれらの
樹脂に導電性の無機フィラーを充填したもの、或いは樹
脂含浸ガラス布などを用い、その厚みは40〜200μ
mが好ましい。無機フィラーとしては、窒化硼素、窒化
珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、シリカな
どが挙げられる。
母体金属で、その両面に対称的にアルミニウム及び/又
は銅の層を有する多層金属板の一方の面に絶縁層を設け
る。絶縁層にはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノ
ール樹脂、アクリル樹脂などの各種樹脂またはこれらの
樹脂に導電性の無機フィラーを充填したもの、或いは樹
脂含浸ガラス布などを用い、その厚みは40〜200μ
mが好ましい。無機フィラーとしては、窒化硼素、窒化
珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、シリカな
どが挙げられる。
【0009】更に、この絶縁層に5μm〜3.0mm厚
の回路用の金属箔を密着する。この金属箔を例えばエッ
チング処理して回路を形成した後、回路上にシリコン半
導体を直接或いはモリブデン、銅などのヒートスプレッ
ダー上に搭載した後、半田付けを行う。
の回路用の金属箔を密着する。この金属箔を例えばエッ
チング処理して回路を形成した後、回路上にシリコン半
導体を直接或いはモリブデン、銅などのヒートスプレッ
ダー上に搭載した後、半田付けを行う。
【0010】
【作用】本発明は、特定比率の鉄、コバルトおよびクロ
ムからなる合金が、特に熱膨張率が小さいことを見出し
て回路用金属ベース基板の母体金属に使用したものであ
る。しかも、母体金属の両面に対称的にアルミニウム及
び/又は銅の層を設けることにより冷熱サイクルを繰返
してもソリを生じることがなく、搭載する半導体チップ
を密着させる半田にクラックが生じ難く、高い信頼性を
有する半導体チップを搭載した回路用金属ベース基板を
得ることができる。
ムからなる合金が、特に熱膨張率が小さいことを見出し
て回路用金属ベース基板の母体金属に使用したものであ
る。しかも、母体金属の両面に対称的にアルミニウム及
び/又は銅の層を設けることにより冷熱サイクルを繰返
してもソリを生じることがなく、搭載する半導体チップ
を密着させる半田にクラックが生じ難く、高い信頼性を
有する半導体チップを搭載した回路用金属ベース基板を
得ることができる。
【0011】
【実施例】実施例1
図1に示すように、コバルト54%、鉄36.5%、ク
ロム9.5%からなる厚さ0.8mmの超インバー合金
からなるベース金属板1の両面に、圧延により作製した
厚さ0.1mmのアルミニウム層2を貼着して50×5
0mmのクラッド板を作製した。このクラッド板の一方
の面に厚さ100μmのエポキシ樹脂含浸ガラス不織布
からなる絶縁層4を設けた。回路用金属箔としては厚さ
35μmの銅箔よりなる金属板を用いて所望の回路8を
形成した。次いで、高温半田7でシリコン半導体チップ
5を銅製のヒートスプレッダー6に半田付けした後、こ
れを回路8上に共晶半田7’を用いて固定した。9はア
ルミニウムパッド(回路)又はニッケルメッキ、10は
ボンディングワイヤーである。
ロム9.5%からなる厚さ0.8mmの超インバー合金
からなるベース金属板1の両面に、圧延により作製した
厚さ0.1mmのアルミニウム層2を貼着して50×5
0mmのクラッド板を作製した。このクラッド板の一方
の面に厚さ100μmのエポキシ樹脂含浸ガラス不織布
からなる絶縁層4を設けた。回路用金属箔としては厚さ
35μmの銅箔よりなる金属板を用いて所望の回路8を
形成した。次いで、高温半田7でシリコン半導体チップ
5を銅製のヒートスプレッダー6に半田付けした後、こ
れを回路8上に共晶半田7’を用いて固定した。9はア
ルミニウムパッド(回路)又はニッケルメッキ、10は
ボンディングワイヤーである。
【0012】実施例2
図2に示すように、厚さ0.1mmのアルミニウム層2
に代えて厚さ0.1mmの銅層3を用いた以外は実施例
1と同様のクラッド板を用い、このクラッド板の一方の
面に無機フィラーとして70重量%のアルミナを充填し
たエポキシ樹脂絶縁層4を設けた。絶縁層4の厚さは8
0μmであった。回路用の金属箔としては厚さ70μm
の銅/厚さ40μmのアルミニウムからなるクラッド箔
よりなる金属板を用いて所望の回路8を形成した。次い
で、高温半田7を用いてシリコン半導体チップ5を基板
上に固定した。
に代えて厚さ0.1mmの銅層3を用いた以外は実施例
1と同様のクラッド板を用い、このクラッド板の一方の
面に無機フィラーとして70重量%のアルミナを充填し
たエポキシ樹脂絶縁層4を設けた。絶縁層4の厚さは8
0μmであった。回路用の金属箔としては厚さ70μm
の銅/厚さ40μmのアルミニウムからなるクラッド箔
よりなる金属板を用いて所望の回路8を形成した。次い
で、高温半田7を用いてシリコン半導体チップ5を基板
上に固定した。
【0013】実施例3
図3に示すように、0.16mm厚の超インバー合金か
らなるベース金属板1の両面に、圧延により作製した0
.5mm厚で50×50mmの銅層3、次いでその両面
に0.05mm厚のアルミニウム層2を積層したクラッ
ド板を用いた。このクラッド板の一方の面に、厚さ10
0μのポリイミドからなる絶縁層4を設け、更にその上
に厚み35μの銅箔を用いて所望の回路8を形成した。 次いでこの回路8上にシリコン半導体チップ5を共晶半
田7’を用いて固定した。
らなるベース金属板1の両面に、圧延により作製した0
.5mm厚で50×50mmの銅層3、次いでその両面
に0.05mm厚のアルミニウム層2を積層したクラッ
ド板を用いた。このクラッド板の一方の面に、厚さ10
0μのポリイミドからなる絶縁層4を設け、更にその上
に厚み35μの銅箔を用いて所望の回路8を形成した。 次いでこの回路8上にシリコン半導体チップ5を共晶半
田7’を用いて固定した。
【0014】上記の各実施例において作製したサンプル
(n=1000)を用いて耐冷熱試験(気相中−40℃
、30分←→+125℃、30分、3000サイクル)
を行った。その結果、実施例で作製したサンプルにおい
ては、いずれもクラックの発生は認められなかった。
(n=1000)を用いて耐冷熱試験(気相中−40℃
、30分←→+125℃、30分、3000サイクル)
を行った。その結果、実施例で作製したサンプルにおい
ては、いずれもクラックの発生は認められなかった。
【0015】比較例1
実施例1に記載した超インバーに代えて42アロイを使
用した以外は実施例1と同様の操作を行った。次に作製
したサンプル(n=1000)を用いて耐冷熱試験(気
相中−40℃、30分←→+125℃、30分、300
0サイクル)を行った。その結果、サンプルn=100
0中5個にクラックが発生した。
用した以外は実施例1と同様の操作を行った。次に作製
したサンプル(n=1000)を用いて耐冷熱試験(気
相中−40℃、30分←→+125℃、30分、300
0サイクル)を行った。その結果、サンプルn=100
0中5個にクラックが発生した。
【0016】
【発明の効果】コバルト、鉄、クロムの合金からなる熱
膨張率のきわめて小さい母体金属の両面に、銅及び/又
はアルミニウム層を対称的に設けた多層構造の金属板を
ベースに用いることにより、繰返される過酷な冷熱サイ
クルによっても回路用基板へのソリが発生せず、高温半
田および共晶半田にクラックが発生せず、高い信頼性を
有する回路用金属ベース基板を製造することができる。
膨張率のきわめて小さい母体金属の両面に、銅及び/又
はアルミニウム層を対称的に設けた多層構造の金属板を
ベースに用いることにより、繰返される過酷な冷熱サイ
クルによっても回路用基板へのソリが発生せず、高温半
田および共晶半田にクラックが発生せず、高い信頼性を
有する回路用金属ベース基板を製造することができる。
【図1】実施例1記載の回路用金属ベース基板の断面図
である。
である。
【図2実施例2記載の回路用金属ベース基板の
断面図である。 【図3】実施例3記載の回路用金属ベース基板の断面図
である。
断面図である。 【図3】実施例3記載の回路用金属ベース基板の断面図
である。
1 ベース金属板
2 アルミニウム層
3 銅層
4 絶縁層
5 半導体チップ
6 ヒートスプレッダー
7 半田
8 回路
Claims (1)
- 【請求項1】 ベース金属がコバルト65〜45%、
鉄45〜25%、クロム15〜5%の合金からなる母体
金属の両面に、アルミニウム層、銅層、或いは銅層の外
面にアルミニウム層が設けられていることを特徴とする
回路用金属ベース基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2415500A JPH04251965A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 回路用金属ベース基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2415500A JPH04251965A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 回路用金属ベース基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04251965A true JPH04251965A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=18523852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2415500A Pending JPH04251965A (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 回路用金属ベース基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04251965A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010010559A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | 配線板 |
JP2011009475A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 放熱部品一体型回路基板 |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP2415500A patent/JPH04251965A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010010559A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | 配線板 |
JP2011009475A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 放熱部品一体型回路基板 |
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