JPH04251965A - 回路用金属ベース基板 - Google Patents

回路用金属ベース基板

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Publication number
JPH04251965A
JPH04251965A JP2415500A JP41550090A JPH04251965A JP H04251965 A JPH04251965 A JP H04251965A JP 2415500 A JP2415500 A JP 2415500A JP 41550090 A JP41550090 A JP 41550090A JP H04251965 A JPH04251965 A JP H04251965A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
copper
metal
circuit
aluminum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2415500A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshitaka Usami
千春 渡辺
宇佐美 好孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denka Co Ltd
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Denki Kagaku Kogyo KK filed Critical Denki Kagaku Kogyo KK
Priority to JP2415500A priority Critical patent/JPH04251965A/ja
Publication of JPH04251965A publication Critical patent/JPH04251965A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子機器、通信機、自動
車、産業用機器などに収納される回路用基板として使用
される回路用金属ベース基板に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の金属基板のベース金属はアルミニ
ウム、銅、鉄、珪素鋼などの単一成分に近いもの、或い
はステンレス、インバーのように鉄を主成分とするもの
であった。また金属の張り合わせによる多層化も行われ
ているが、これも銅/インバー/銅、アルミニウム/4
2アロイ/アルミニウムなどで、やはりその母体金属に
は前述の金属を使用している。特開昭61−29569
3号公報にはインバー板の少なくとも片面にアルミニウ
ム、鉄、亜鉛およびこれらを主成分とする合金から選ば
れた1種の層を施し、その上に絶縁層を介して配線回路
を設けた金属基板が開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】一般に、金属基板に半
導体シリコンチップを搭載し、冷熱サイクルを繰返すと
シリコンチップとベース金属との熱膨張率の差により、
半田層にクラックが生じるという商品の品質上の問題が
あった。上記特開昭61−295693号公報に開示さ
れた発明においては、この問題は一応緩和されたが、な
お半田層に生じるクラックの問題があった。また、基板
を構成する金属の熱膨張率の相違がソリを生じさせ、半
田層のクラック発生を一層助長する傾向があった。
【0004】ベース金属にアルミニウムや銅を用いると
、熱伝導性はよいが熱膨張率が大きいため、半田金属に
クラックが発生しがちである。また、インバー、42ア
ロイ単独では熱伝導性が悪いため、銅/インバー/銅、
アルミニウム/42アロイ/アルミニウムなどアルミニ
ウム層や銅層を厚くした多層化が行われるが、アルミニ
ウム、銅の熱膨張率が大きいためやはり半田クラックが
生じるという問題があった。そこで、より半田クラック
が発生しがたい回路用金属ベース基板が求められていた
【0005】
【課題解決の手段】本発明は上記課題を解決することを
目的とし、その構成は、ベース金属がコバルト65〜4
5%、鉄45〜25%、クロム15〜5%の合金からな
る母体金属の両面に、アルミニウム層、銅層、或いは銅
層の外面にアルミニウム層が設けられていることを特徴
とする。
【0006】本発明に用いる金属ベースの母体となる素
材は低熱膨張率であることを要し、特にその組成比がコ
バルト65〜45%、鉄45〜25%、クロム15〜5
%、好ましくはコバルト60〜50%、鉄40〜32%
、クロム12〜7%で、厚さが0.3mm〜5.0mm
の合金を用いる。中でもコバルト54%、鉄36.5%
、クロム9.5%の組成比は最も低い熱膨張率を示す、
いわゆる超インバー合金であって望ましい母体金属であ
る。
【0007】この母体金属板の両面に0.01〜3.0
mmのアルミニウムまたは銅の圧延板を貼着或いはメッ
キにより積層する。または0.1〜1.5mm厚の銅層
を母体金属の両面に圧延またはメッキにより積層した後
、アルミニウム層を設けると更に放熱効果を向上させる
ことができる。母体金属の両面に設ける銅及び/又はア
ルミニウム層は同一の厚さを有し母体金属に対して対称
であることが好ましい。
【0008】このようにして作製した中央部が本発明の
母体金属で、その両面に対称的にアルミニウム及び/又
は銅の層を有する多層金属板の一方の面に絶縁層を設け
る。絶縁層にはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノ
ール樹脂、アクリル樹脂などの各種樹脂またはこれらの
樹脂に導電性の無機フィラーを充填したもの、或いは樹
脂含浸ガラス布などを用い、その厚みは40〜200μ
mが好ましい。無機フィラーとしては、窒化硼素、窒化
珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、シリカな
どが挙げられる。
【0009】更に、この絶縁層に5μm〜3.0mm厚
の回路用の金属箔を密着する。この金属箔を例えばエッ
チング処理して回路を形成した後、回路上にシリコン半
導体を直接或いはモリブデン、銅などのヒートスプレッ
ダー上に搭載した後、半田付けを行う。
【0010】
【作用】本発明は、特定比率の鉄、コバルトおよびクロ
ムからなる合金が、特に熱膨張率が小さいことを見出し
て回路用金属ベース基板の母体金属に使用したものであ
る。しかも、母体金属の両面に対称的にアルミニウム及
び/又は銅の層を設けることにより冷熱サイクルを繰返
してもソリを生じることがなく、搭載する半導体チップ
を密着させる半田にクラックが生じ難く、高い信頼性を
有する半導体チップを搭載した回路用金属ベース基板を
得ることができる。
【0011】
【実施例】実施例1 図1に示すように、コバルト54%、鉄36.5%、ク
ロム9.5%からなる厚さ0.8mmの超インバー合金
からなるベース金属板1の両面に、圧延により作製した
厚さ0.1mmのアルミニウム層2を貼着して50×5
0mmのクラッド板を作製した。このクラッド板の一方
の面に厚さ100μmのエポキシ樹脂含浸ガラス不織布
からなる絶縁層4を設けた。回路用金属箔としては厚さ
35μmの銅箔よりなる金属板を用いて所望の回路8を
形成した。次いで、高温半田7でシリコン半導体チップ
5を銅製のヒートスプレッダー6に半田付けした後、こ
れを回路8上に共晶半田7’を用いて固定した。9はア
ルミニウムパッド(回路)又はニッケルメッキ、10は
ボンディングワイヤーである。
【0012】実施例2 図2に示すように、厚さ0.1mmのアルミニウム層2
に代えて厚さ0.1mmの銅層3を用いた以外は実施例
1と同様のクラッド板を用い、このクラッド板の一方の
面に無機フィラーとして70重量%のアルミナを充填し
たエポキシ樹脂絶縁層4を設けた。絶縁層4の厚さは8
0μmであった。回路用の金属箔としては厚さ70μm
の銅/厚さ40μmのアルミニウムからなるクラッド箔
よりなる金属板を用いて所望の回路8を形成した。次い
で、高温半田7を用いてシリコン半導体チップ5を基板
上に固定した。
【0013】実施例3 図3に示すように、0.16mm厚の超インバー合金か
らなるベース金属板1の両面に、圧延により作製した0
.5mm厚で50×50mmの銅層3、次いでその両面
に0.05mm厚のアルミニウム層2を積層したクラッ
ド板を用いた。このクラッド板の一方の面に、厚さ10
0μのポリイミドからなる絶縁層4を設け、更にその上
に厚み35μの銅箔を用いて所望の回路8を形成した。 次いでこの回路8上にシリコン半導体チップ5を共晶半
田7’を用いて固定した。
【0014】上記の各実施例において作製したサンプル
(n=1000)を用いて耐冷熱試験(気相中−40℃
、30分←→+125℃、30分、3000サイクル)
を行った。その結果、実施例で作製したサンプルにおい
ては、いずれもクラックの発生は認められなかった。
【0015】比較例1 実施例1に記載した超インバーに代えて42アロイを使
用した以外は実施例1と同様の操作を行った。次に作製
したサンプル(n=1000)を用いて耐冷熱試験(気
相中−40℃、30分←→+125℃、30分、300
0サイクル)を行った。その結果、サンプルn=100
0中5個にクラックが発生した。
【0016】
【発明の効果】コバルト、鉄、クロムの合金からなる熱
膨張率のきわめて小さい母体金属の両面に、銅及び/又
はアルミニウム層を対称的に設けた多層構造の金属板を
ベースに用いることにより、繰返される過酷な冷熱サイ
クルによっても回路用基板へのソリが発生せず、高温半
田および共晶半田にクラックが発生せず、高い信頼性を
有する回路用金属ベース基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1記載の回路用金属ベース基板の断面図
である。
【図2実施例2記載の回路用金属ベース基板の
断面図である。 【図3】実施例3記載の回路用金属ベース基板の断面図
である。
【符号の説明】
1  ベース金属板 2  アルミニウム層 3  銅層 4  絶縁層 5  半導体チップ 6  ヒートスプレッダー 7  半田 8  回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  ベース金属がコバルト65〜45%、
    鉄45〜25%、クロム15〜5%の合金からなる母体
    金属の両面に、アルミニウム層、銅層、或いは銅層の外
    面にアルミニウム層が設けられていることを特徴とする
    回路用金属ベース基板。
JP2415500A 1990-12-28 1990-12-28 回路用金属ベース基板 Pending JPH04251965A (ja)

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JP2415500A JPH04251965A (ja) 1990-12-28 1990-12-28 回路用金属ベース基板

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JPH04251965A true JPH04251965A (ja) 1992-09-08

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JP2415500A Pending JPH04251965A (ja) 1990-12-28 1990-12-28 回路用金属ベース基板

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JP (1) JPH04251965A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010559A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 配線板
JP2011009475A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Panasonic Electric Works Co Ltd 放熱部品一体型回路基板

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010559A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 配線板
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