JPH06169029A

JPH06169029A - Ｐｗｂの放熱パッド

Info

Publication number: JPH06169029A
Application number: JP41A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Naraoka; 進一奈良岡
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1992-05-11
Filing date: 1992-05-11
Publication date: 1994-06-14

Abstract

(57)【要約】【目的】ＰＷＢにベアチップ実装したＬＳＩの放熱をす
る為に、ＰＷＢに銅箔で形成された放熱パッドの寸法を
変えずに放熱表面積を増加させる。【構成】放熱パッド１（放熱側）はＬＳＩチップが密着
する面の反対側に銅箔で形成されており、パッドの内側
のスルーホール以外の部分に正方形の内側抜き部３、ま
たパッドの外周部に正方形の外周抜き部４を設けてい
る。この内側抜き部３と外周抜き部４の正方形の辺の長
さは、抜きによって放熱パッド１（放熱側）の表面上で
失なわれる面積より、抜きによって生じる銅箔断面積の
増加分が大きくなるように設定されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＰＷＢの放熱パッドに関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＬＳＩベアチップを実装したＣＯ
Ｂ又はＭＣＭのＰＷＢ銅箔パッドによる放熱は、図３に
示すように、ＰＷＢ８の両面に銅箔で放熱パッドを形成
し、放熱パッド６（受熱側）にＬＳＩチップ５を実装
し、スルーホール２を通じて、反対側の放熱パッド７
（放熱側）に熱を伝え、その表面から空気中に放熱する
方式となっている。放熱パッドは図４のように、スルー
ホール２以外の部分は、凹凸のない平面状に形成されて
いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来のＰＷＢの放熱パ
ッドは、主として二次元平面での放熱となり、ＬＳＩチ
ップの発熱量が大きくなると、放熱しきれないという問
題がある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明のＰＷＢのパッド
はＬＳＩベアチップが密着する側の反対面の放熱パッド
の内側及び外周部に抜きを設け前記抜きによる放熱パッ
ド表面積の減少より、抜き部断面積の増加分が上回るよ
うに設定し、放熱パッド全体の表面積を大きくしてい
る。

【０００５】

【実施例】次に本発明について、図面を参照して説明す
る。

【０００６】図１は本発明の一実施例の平面図である。
放熱パッド１（放熱側）は図３に於けるＬＳＩチップ５
が密着する面の反対側に銅箔で形成されており、パッド
の内側のスルーホール２以外の部分に正方形の内側抜き
部３、またパッドの外周部に正方形の外周抜き部４を設
けている。この内側抜き部３と外周抜き部４の正方形の
辺の長さは、図２のａ，ｂで示され、ａ，ｂは抜きによ
って放熱パッド１（放熱側）の表面上で失なわれる面積
より、抜きによって生じる銅箔断面積の増加分が大きく
なるように設定されている。下記にその関係式を示す。

【０００７】内側抜き部３に於て、４ａｔ−ａ²≧０…（１）外周抜き部４に於て、３ｂｔ−ｂ²≧０…（２）ａ：３内側抜き部正方形の辺長，ｂ：４外周抜き部正方
形の辺長，ｔ：１放熱パッド（放熱側）の銅箔厚上式が
成り立つ、ａ，ｂの限界寸法は、下記のようである。（１）式より、４ａｔ≧ｂ²∴ａ≦４ｔ（２）式より、３ａｔ≧ｂ²∴ｂ≦３ｔまた、最も表面積が増加するａ，ｂは下記のようであ
る。（１）より４ａｔ≧ｂ²＝−（ａ²−４ａｔ＋４ｔ²）
＋４ｔ²＝−（ａ−２ｔ）²＋４ｔ² ａ−２ｔ＝−の時に上式は最大値を得る。

【０００８】∴ａ＝２ｔ（２）より３ａｔ−ｂ²＝−（ｂ²−３ｂｔ−９／４ｔ
²）＋９／４ｔ²＝−（ｂ−３／２ｔ）²＋９／４ｔ² ｂ−３／２ｔ＝０の時に上式は最大値を得る。

【０００９】∴ｂ＝３／２ｔ以下にａ，ｂを種々に変えた時の抜き部表面積の変化を
示す。内側抜き部３に於て、（１）式より計算。ａ＝ｔの時４ｔ²−ｔ²＝３ｔ² ａ＝２ｔの時８ｔ²−４ｔ²＝４ｔ² ａ＝３ｔの時１２ｔ²−９ｔ²＝３ｔ² ａ＝４ｔの時１６ｔ²−１６ｔ²＝０外周抜き部４に於て、（２）式より計算。ｂ＝ｔの時３ｔ²−ｔ²＝２ｔ² ｂ＝３／２ｔの時９／２ｔ²−９／４ｔ²＝９／４ｔ
² ｂ＝２ｔの時６ｔ²−４ｔ²＝２ｔ² ｂ＝３ｔの時９ｔ²−９ｔ²＝０ＰＷＢの回路形成の製造限界を考慮するとａ，ｂがｔ以
下では、回路形成が困難と思われるので、実用的には、
ｔ≦ａ≦４ｔ，ｔ≦ｂ≦３ｔとし、最大効果を得る為に
は、ａ＝２ｔ，ｂ＝３／２ｔとする。また、放熱パッド
１（放熱側）に設けた内側抜き部３の個数をｎ１，外周
抜き部４の個数をｎ２とすると放熱パッド１（放熱側）
全体の表面積の増加△Ｓは下記のようである。 △Ｓ＝ｎ１（４ａｔ−ａ²）−ｎ２（３ｂｔ−ｂ²）最大効果が得られるａ＝２ｔ，ｂ＝３／２ｔの時は、 △Ｓ＝４ｔ²・ｎ１＋９／４ｔ²・ｎ２尚、正方形以外の形状の抜きであってもよい。

【００１０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ＰＷＢ
のＬＳＩベアチップが密着する側の反対面の放熱パッド
の内側及び外周部に正方形の抜きを設け、抜きによる放
熱パッド表面積の減少より、抜き部断面積の増加分が上
回るように正方形の辺の長さを設定したことにより、放
熱パッドの寸法を変えずに、表面積を増加でき、パッド
内側抜き部の正方形の辺長をａ，外周抜き部の正方形の
辺長をｂ，パッド銅箔厚をｔ，内側抜き部個数をｎ１，
外周抜き部個数をｎ２とすると、最大で４ｔ² ｎ１＋９
／４ｔ²ｎ２の表面積増加が得られるという効果を有す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す平面図である。

【図２】図１に示した抜き部の詳細を示す斜視図であ
る。

【図３】従来の一例を示す斜視図である。

【図４】図３に示す放熱パッド形状を示す平面図であ
る。

【符号の説明】１放熱パッド（放熱側）２スルーホール３内側抜き部４外周抜き部５ＬＳＩチップ６放熱パッド（受熱側）７放熱パッド（放熱側）８ＰＷＢ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ベアチップ実装したＬＳＩの放熱を目的
に、表裏をスルーホールで接続して両面に銅箔で形成さ
れたＰＷＢの放熱パッドに於て、ＬＳＩチップが密着す
る側の反対面の放熱パッドの内側及び外周部に抜きを設
け、前記抜きによる放熱パッド表面積の減少より抜き部
断面積の増加分が上回るように設定し、表面積を大きく
したことを特徴とする放熱パッド。