JPH09172114A - 半導体フラットパッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 半導体フラットパッケージにおける放熱効果
を高める。 【解決手段】 半導体フラットパッケージ１は、放熱板
４、リード端子２、並びに外装ケース５から構成され
る。放熱板４の上には半導体チップ７が載置され、４つ
の突起部３が半導体フラットパッケージ１の表面方向に
延在しており、突起部３の上端は外装ケース５の上面と
同一面となっている。半導体チップ７などで発生した熱
は、放熱板４に伝達され、また突起部３の上面を経て半
導体パッケージ１の外部に放出される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体フラットパ
ッケージに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣなどの半導体装置においては、その
動作中における発熱による影響を最小限とするために放
熱構造を設ける必要がある。従来の半導体装置における
放熱構造としては、例えば、特開平４−３２３８５６号
公報に記載されたものが知られている。この従来例で
は、半導体チップを収納したパッケージに、このパッケ
ージの熱伝導率と同等以上の熱伝導率を有するヒートシ
ンクを付ける半導体装置において、ヒートシンクをパッ
ケージの上面と側面に装着する構成が開示されている。
そしてこの構成とすることで、放熱効果を高めるように
している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、最近の各種
電子機器における高密度実装に伴い、半導体装置として
は、そのリード端子をパッケージの横方向に出した所謂
フラットパッケージ構造のもの（半導体フラットパッケ
ージ）が多く採用される傾向にある。このような半導体
フラットパッケージにおける放熱としては、例えば、半
導体フラットパッケージ内に放熱板を設け、この放熱板
をリード端子に接触させることでリード端子により行う
構成が考えられる。ところが、この構成の場合、リード
端子における熱伝導率は一般的には低いことから、放熱
効果が小さいという欠点がある。

【０００４】そこで、半導体フラットパッケージにおい
て放熱効果を向上させるために、上記従来例のような構
造を採用することが考えられる。ところが、半導体フラ
ットパッケージは、そのリード端子がパッケージの側面
から出ている構成であることから、従来例のようにヒー
トシンクを側面まで延ばしてパッケージの上面と側面に
ヒートシンクを装着する構成を採用することができな
い。また、この種の半導体フラットパッケージでは、そ
の外装ケースの熱伝導率は通常は低いことから伝導率の
高いヒートシンクをケースに装着する構成としただけで
は放熱効果が低くという問題がある。

【０００５】そこで、本発明の課題は、半導体フラット
パッケージにおける放熱効果を高めることにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体フラット
パッケージでは、放熱板を内部に有する半導体フラット
パッケージにおいて、前記放熱板に、半導体フラットパ
ッケージの表面方向に延在する突起部を設けたことを特
徴とする。このような突起部を設けることで、この突起
部を介して半導体フラットパッケージ内部の発熱を外部
に放出でき、また放熱板の表面積が増える。これにより
放熱効果が高まる。

【０００７】また、突起部に、半導体フラットパッケー
ジの表面から突出してヒートシンクが接触する突出部分
を形成する構成とすることもできる。そして、この突出
部分にヒートシンクに接触させる構成とするとすれば、
放熱板から突起部を介してヒートシンクに放熱すること
ができて、放熱効果をさらに高めることができる。さら
に、突起部の表面に絶縁処理を行う構成とすることが好
ましく、これにより半導体フラットパッケージ内におけ
る突起部と他の構成部品あるいは半導体フラットパッケ
ージ外部における突起部と半導体フラットパッケージ以
外の部品との絶縁を行うことができる。さらに、好まし
い実施の形態では、放熱板の上に半導体チップが載置さ
れる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。まず、図１〜図３により、第１の実施の形
態である半導体フラットパッケージ１を説明する。この
半導体フラットパッケージ１は、熱導電性の材料から構
成された放熱板４、導線性の材料から構成されたリード
端子２、並びに合成樹脂などで作られた外装ケース５か
ら構成される。

【０００９】放熱板４は、外装ケース５の内側に設けら
れ、放熱板４の上には半導体チップ７が載置されてい
る。なお、公知のように、半導体チップ７は、図示しな
いパターンなどにより外部端子であるリード端子２の一
端に接続されている。また、図３に示したように、平板
状の基部の上に略十字状に４つの突起部３を形成したも
のである。これらの突起部３は、図２において上方向で
ある半導体フラットパッケージ１の表面方向に延在して
いる。また、突起部３の上端は外装ケース５の上面と同
一面となっている。また、突起部３の表面は絶縁処理が
なされている。このような絶縁処理としては、突起部３
における必要な熱伝達を確保するために高熱伝導率の絶
縁物による絶縁処理が好ましい。

【００１０】上記の構成である実施の形態の半導体フラ
ットパッケージ１では、その電子機器などにおける使用
の際に半導体チップ７などで発生した熱は、放熱板４に
伝達され、また放熱板４に形成された上記の突起部３の
上面を経て半導体パッケージ１の外部に迅速に放出され
る。

【００１１】次に、図４〜図７により、本発明の第２の
実施の形態の半導体フラットパッケージ１０を説明す
る。この半導体フラットパッケージは、熱導電性の材料
から構成された放熱板１４、導線性の材料から構成され
たリード端子１２、合成樹脂などで作られた外装ケース
１５、並びに熱導電性の材料から構成されたヒートシン
ク１５から構成される。

【００１２】上記第１の実施の形態と同様に、放熱板１
４は外装ケース１５の内側に設けられて、その上には半
導体チップ１７が載置され、半導体チップ１７には、リ
ード端子１２の一端が接続されている。また、放熱板１
４は、図６に示したように、平板状の基部の４隅にそれ
ぞれ角柱状の突起部１３が形成したものである。これら
の突起部１３は、図５において上方向である半導体フラ
ットパッケージ１０の表面方向に延在し、その上端は、
外装ケース１５の上面から突出している。なお、突起部
１３の表面は、上記の実施の形態と同様な絶縁処理がな
されている。

【００１３】ヒートシンク１５は、図７に示したよう
に、多数の放熱用フィン１９を有するものであり、また
上記の突起部１３の外形に略等しい形状の穴１６をその
４隅に有している。また、ヒートシンク１５の高さは、
上記の突起部１３の高さと同じである。そして、これら
の穴１６には、図４や図５に示した半導体フラットパッ
ケージ１０の上面にヒートヒンク１５を組み合わせた状
態では、放熱板１４の突起部１３が挿嵌され、穴１６の
内面と突起部１３の外面が接触する。

【００１４】上記の構成である半導体フラットパッケー
ジ１では、半導体チップ１７などで発生した熱が放熱板
１４に伝達され、また放熱板１４の突起部１３からヒー
トシンク１９を経て半導体パッケージ１０の外部に迅速
に放出される。

【００１５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、半導体フラットパッケージにおける放熱効果
を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の半導体フラットパッケー
ジの説明図。

【図２】図１におけるＡ−Ａ線断面図。

【図３】図１の半導体フラットパッケージを構成する放
熱板の斜視図。

【図４】本発明の他の実施の形態の半導体フラットパッ
ケージの説明図。

【図５】図４におけるＢ−Ｂ線断面図。

【図６】図４の半導体フラットパッケージを構成する放
熱板の斜視図。

【図７】図４の半導体フラットパッケージを構成するヒ
ートシンクの斜視図。

【符号の説明】

１、１０ 半導体フラットパッケージ ２、１２ リード端子 ３、１３ 突起部 ４、１４ 放熱板 ７、１７ 半導体チップ １５ ヒートシンク １６ 穴

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 放熱板を内部に有する半導体フラットパ
   ッケージにおいて、前記放熱板に、半導体フラットパッ
   ケージの表面方向に延在する突起部を設けたことを特徴
   とする半導体フラットパッケージ。
2. 【請求項２】 前記突起部が、半導体フラットパッケー
   ジの表面から突出してヒートシンクが接触する突出部分
   を有していることを特徴とする請求項１記載の半導体フ
   ラットパッケージ。
3. 【請求項３】 前記突起部の半導体フラットパッケージ
   の表面に絶縁処理がなされていることを特徴とする請求
   項１または２記載の半導体フラットパッケージ。
4. 【請求項４】 前記放熱板の上に半導体チップが載置さ
   れていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか
   の項記載の半導体フラットパッケージ。