JPWO2018142499A1 - 波長可変光源 - Google Patents
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態1における波長可変光源1の上面図である。また、図2は、図1のII−II線に沿う断面図である。図1及び図2に示すように、実施の形態1による波長可変光源1は、ヒートシンク10と、ヒートシンク10上に配置されたレーザサブマウント20とを有する。レーザサブマウント20の上には、波長可変レーザ素子30が配置されている。波長可変レーザ素子30は、レーザ発振するLD40と、LD40から出射された光を増幅するSOA50が実装された実装面30aと、実装面30aの裏側の放熱面30bを有している。
図4は、本発明の実施の形態2による波長可変光源2の断面図である。実施の形態2による波長可変光源2は、実施の形態1の波長可変光源1と、レーザサブマウント21の構造が異なる。他の構成は、実施の形態1と同様である。
図5は、本発明の実施の形態3における波長可変光源3を示している。実施の形態2におけるレーザサブマウント21は2層からなる基板であったが、実施の形態3による波長可変光源3は、レーザサブマウント20を2層とすることに代えて、レーザサブマウント20と波長可変レーザ素子30との間に、バッファ基板80を配置した点が異なる。他の構成は、実施の形態2と同様である。
図6は、本発明の実施の形態4における波長可変光源4の上面図である。また、図7は、図6のVII−VII線に沿う波長可変光源を示す断面図である。実施の形態4による波長可変光源4は、レーザサブマウント22に、空洞ビア90を有している点が、実施の形態1のレーザサブマウント20と異なる。さらに、実施の形態4のレーザサブマウント22には、ワイヤボンディング用のLD電極100と、SOA50と電気的に導通したワイヤボンディング用のSOA電極110が設けられている点が実施の形態1とは異なる。他の構成は、実施の形態1と同様である。
Claims (7)
- ヒートシンクと、
前記ヒートシンクに取付けられるレーザサブマウントと、
前記レーザサブマウントに取付けられる波長可変レーザ素子とを有する波長可変光源であって、
前記波長可変レーザ素子は、
レーザダイオード及び半導体光増幅器が実装される実装面と、
前記実装面の反対側に形成された放熱面とを有し、
前記レーザサブマウントは、
放熱ビアを有し、
前記放熱ビアは、
前記レーザサブマウントに設けられた貫通孔に、
前記レーザサブマウントより熱伝導率の高い材料が充填されて形成され、
前記放熱ビアの一端側は、
前記波長可変レーザ素子の前記放熱面側において、
前記波長可変レーザ素子を挟んで前記半導体光増幅器と対峙する位置に当接され、
前記放熱ビアの他端側は、
前記ヒートシンクに当接される、
波長可変光源。 - 前記レーザサブマウントは、
前記放熱ビアが形成された第1層と、
前記第1層に積層され前記放熱ビアが形成されていない第2層とにより形成され、
前記波長可変レーザ素子は、
前記第2層に取付けられる、
請求項1の波長可変光源。 - 前記レーザサブマウントと前記波長可変レーザ素子との間にバッファ基板を有し、
前記波長可変レーザ素子と前記バッファ基板との熱膨張率の差は、
前記波長可変レーザ素子と前記レーザサブマウントとの熱膨張率の差よりも小さい、
請求項1の波長可変光源。 - 前記波長可変レーザ素子は、
並列に配置された複数の前記レーザダイオードと、
前記複数のレーザダイオードから出力された光を合波して出力する合分波器とを有し、
前記合分波器の出力は前記半導体光増幅器に入力される、
請求項1から3のいずれか1項に記載の波長可変光源。 - 前記レーザサブマウントは、
空洞ビアを有し、
前記空洞ビアは、
前記レーザサブマウントに設けられた貫通孔により形成され、
前記空洞ビアを形成する前記貫通孔の一端側は、
前記波長可変レーザ素子の前記放熱面側において、
前記波長可変レーザ素子を挟んで前記レーザダイオードと対峙する位置に対して開口し、
前記空洞ビアを形成する前記貫通孔の他端側は、
前記ヒートシンクに対して開口する、
請求項1に記載の波長可変光源。 - 前記波長可変レーザ素子は、
前記レーザダイオードに接続される第1の電極と、
前記半導体光増幅器に接続される第2の電極とを有し、
前記第1の電極及び前記第2の電極は、
前記波長可変レーザ素子の前記実装面において、前記波長可変レーザ素子を挟んで、
前記レーザサブマウントにおける前記空洞ビアが形成されていない領域と対峙する領域に配置される、
請求項5に記載の波長可変光源。 - 前記レーザサブマウントは、
セラミック、合成樹脂又はガラスのいずれかにより形成される、
請求項1から6のいずれか一つに記載の波長可変光源。
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