JP2011090343A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. マスクブランクであって、
   透明基板上に形成され、クロムを含む材料からなる下地膜と、
   前記下地膜上に形成され、化学増幅型レジスト膜の失活を抑制する失活抑制膜と、を備え、
   前記失活抑制膜は、露光により前記化学増幅型レジスト膜中に生成される触媒物質の酸が前記下地膜中に拡散によって移動することが原因で生じる化学増幅型レジスト膜の失活を抑制し得る緻密度を有し、かつ少なくとも前記下地膜の表面近傍の緻密度よりも高い緻密度を有する膜であり、
   前記失活抑制膜は、中性の有機膜であることを特徴とするマスクブランク。
2. 前記クロムを含む材料は、クロムに酸素、窒素、炭素からなる元素を少なくとも１種を含む材料であることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク。
3. 前記失活抑制膜上に、電子線露光用化学増幅型レジスト膜が形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載のマスクブランク。
4. 請求項３に記載のマスクブランクを用い、前記電子線露光用化学増幅型レジスト膜を５０ｋｅＶ以上の電子線加速電圧で露光し、レジストパターンを形成する工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。
5. 前記レジストパターンをマスクにしてドライエッチングで露出している前記失活抑制膜を除去し、
   続いて、ドライエッチングで露出している前記下地膜を除去し、
   前記レジストパターン及び前記失活抑制膜を除去することによってフォトマスクを得ることを特徴とする請求項４に記載のマスクの製造方法。
6. 前記下地膜は、Ｃｌ _２ ＋Ｏ _２ をエッチングガスとするドライエッチングで除去されることを特徴とする請求項５に記載のマスクの製造方法。
7. 請求項４乃至６のいずれかに記載のマスクの製造方法によって製造されたマスク。