JPH06266097A - ブランクスとその製法およびブランクスを加工してフォトマスクを製造する方法 - Google Patents
ブランクスとその製法およびブランクスを加工してフォトマスクを製造する方法Info
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- JPH06266097A JPH06266097A JP5213393A JP5213393A JPH06266097A JP H06266097 A JPH06266097 A JP H06266097A JP 5213393 A JP5213393 A JP 5213393A JP 5213393 A JP5213393 A JP 5213393A JP H06266097 A JPH06266097 A JP H06266097A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 精度の高いパターンを形成する。
【構成】 基板上に形成された金属膜３の一部３ａが露
出するように上記金属膜３上に光反射防止膜８およびレ
ジスト膜９を形成し、上記レジスト膜９の電子線等によ
る露光時に上記露出部３ａを介し上記金属膜９をアース
電位に接続するようにしたものである。
出するように上記金属膜３上に光反射防止膜８およびレ
ジスト膜９を形成し、上記レジスト膜９の電子線等によ
る露光時に上記露出部３ａを介し上記金属膜９をアース
電位に接続するようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電子線やイオンビーム
露光技術により所定のパターンのフォトマスク等を形成
するのに適したブランクスとその製法およびブランクス
を加工してフォトマスクを製造する方法に関するもので
ある。
露光技術により所定のパターンのフォトマスク等を形成
するのに適したブランクスとその製法およびブランクス
を加工してフォトマスクを製造する方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の基板装置の構造を示す断面
図であり、図において１は透光性を有する合成石英基板
（例えば厚さ２ｍｍまたは６ｍｍ、一辺が１２５ｃｍま
たは１５０ｃｍ）等の基板、２は基板１の一主面上に形
成されたＣｒ酸化膜等の第１金属酸化膜、３はクローム
Ｃｒからなる金属をスパッタ法等で形成した金属膜、４
は金属膜２上に形成されたＣｒ酸化膜等の第２金属酸化
膜、５は第２金属酸化膜４上に電子線で感光する高分子
材料をスピンコーティングで厚さ０．５μｍに塗布し形
成されたレジスト膜、６は上記１〜５で構成されるブラ
ンクスである。次に、以上のように構成されたブランク
ス６を加工してフォトマスクを製造する方法について説
明する。先ず、図４に示されるようにレジスト膜５の上
方部からレジスト膜５を電子線７で露光し、現像等でパ
ターニングし、エッチングすることによって、第１と第
２金属酸化膜２、４と共に金属膜３にパターンが転写さ
れ所定のパターンのフォトマスクが形成される。なお、
上記電子線露光時に電子が基板１の表面に帯電し、帯電
すると次に露光する部分が電荷の影響を受けて位置がず
れる。これを防止するため通常は図４に示されるように
アース電位に接続された針等からなる接地部材１３を、
レジスト膜５の上方部からレジスト膜５と第１金属酸化
膜４とを破るように貫通させ金属膜３に接触させ金属膜
３をアース電位にしている。
図であり、図において１は透光性を有する合成石英基板
（例えば厚さ２ｍｍまたは６ｍｍ、一辺が１２５ｃｍま
たは１５０ｃｍ）等の基板、２は基板１の一主面上に形
成されたＣｒ酸化膜等の第１金属酸化膜、３はクローム
Ｃｒからなる金属をスパッタ法等で形成した金属膜、４
は金属膜２上に形成されたＣｒ酸化膜等の第２金属酸化
膜、５は第２金属酸化膜４上に電子線で感光する高分子
材料をスピンコーティングで厚さ０．５μｍに塗布し形
成されたレジスト膜、６は上記１〜５で構成されるブラ
ンクスである。次に、以上のように構成されたブランク
ス６を加工してフォトマスクを製造する方法について説
明する。先ず、図４に示されるようにレジスト膜５の上
方部からレジスト膜５を電子線７で露光し、現像等でパ
ターニングし、エッチングすることによって、第１と第
２金属酸化膜２、４と共に金属膜３にパターンが転写さ
れ所定のパターンのフォトマスクが形成される。なお、
上記電子線露光時に電子が基板１の表面に帯電し、帯電
すると次に露光する部分が電荷の影響を受けて位置がず
れる。これを防止するため通常は図４に示されるように
アース電位に接続された針等からなる接地部材１３を、
レジスト膜５の上方部からレジスト膜５と第１金属酸化
膜４とを破るように貫通させ金属膜３に接触させ金属膜
３をアース電位にしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のブランクスは以
上のように構成されているので、金属膜３をアース電位
に接続する場合、接地部材８をレジスト膜５、第２金属
酸化膜４とを貫通させなければならず、その接続が困難
であり、信頼性が低いなどの問題点があった。また、上
記ブランクスを加工しフォトマスクを製造する場合、レ
ジスト膜の露光時に接地部材８をレジスト膜５、第２金
属酸化膜４とを破るように貫通させるため塵が発生し、
その塵がマスクとなりパターンが転写されることによ
り、また、マスク接地部材８が金属膜に到達せず金属膜
３がアース電位に接続されない状態でレジスト膜を電子
線露光すると露光位置がずれる等によって精度の高いパ
ターンのフォトマスクが得られず歩留りが低い等の問題
点があった。
上のように構成されているので、金属膜３をアース電位
に接続する場合、接地部材８をレジスト膜５、第２金属
酸化膜４とを貫通させなければならず、その接続が困難
であり、信頼性が低いなどの問題点があった。また、上
記ブランクスを加工しフォトマスクを製造する場合、レ
ジスト膜の露光時に接地部材８をレジスト膜５、第２金
属酸化膜４とを破るように貫通させるため塵が発生し、
その塵がマスクとなりパターンが転写されることによ
り、また、マスク接地部材８が金属膜に到達せず金属膜
３がアース電位に接続されない状態でレジスト膜を電子
線露光すると露光位置がずれる等によって精度の高いパ
ターンのフォトマスクが得られず歩留りが低い等の問題
点があった。
【０００４】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、金属膜をアース電位に容易に接
続することができるブランクスを提供することを目的と
し、さらに、上記ブランクスを加工し精度の高いパター
ンのフォトマスクを製造するフォトマスクの製法を提供
するものである。
ためになされたもので、金属膜をアース電位に容易に接
続することができるブランクスを提供することを目的と
し、さらに、上記ブランクスを加工し精度の高いパター
ンのフォトマスクを製造するフォトマスクの製法を提供
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係るブランク
スは基板上に形成された金属膜上に上記金属膜の一部が
露出するようにレジスト膜を形成したものである。さら
に、この発明の上記ブランクスを加工しフォトマスクを
製造する方法は金属膜上に形成されたレジストマスクの
露光時に上記金属膜の露出部を介して上記金属膜をアー
ス電位に接続するようにしたものである。
スは基板上に形成された金属膜上に上記金属膜の一部が
露出するようにレジスト膜を形成したものである。さら
に、この発明の上記ブランクスを加工しフォトマスクを
製造する方法は金属膜上に形成されたレジストマスクの
露光時に上記金属膜の露出部を介して上記金属膜をアー
ス電位に接続するようにしたものである。
【０００６】
【作用】この発明におけるブランクスは金属膜の露出部
に接地部材を接続することにより上記金属膜がアース電
位に接続され、その接続が簡単に、かつ、確実に行われ
る。また、この発明のブランクスを加工しフォトマスク
を製造する方法はレジストの露光時に金属膜の露出部を
介して上記金属膜をアース電位に接続しているので、塵
の発生なく確実に接続されフォトマスクのパターンの精
度が高くなり、かつ歩留まりが向上する。
に接地部材を接続することにより上記金属膜がアース電
位に接続され、その接続が簡単に、かつ、確実に行われ
る。また、この発明のブランクスを加工しフォトマスク
を製造する方法はレジストの露光時に金属膜の露出部を
介して上記金属膜をアース電位に接続しているので、塵
の発生なく確実に接続されフォトマスクのパターンの精
度が高くなり、かつ歩留まりが向上する。
【０００７】
実施例１．図１はこの発明の実施例１によるブランクス
の構成図であり、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）
は図１（ａ）のｂーｂ断面図である。これらの図におい
て、１は透光性を有する合成石英基板（例えば厚さ２ｍ
ｍまたは６ｍｍ、一辺が１２５ｃｍまたは１５０ｃｍ）
等の基板、２は基板１の一主面上にクロームＣｒからな
る金属で形成された例えば厚さが０．０３μｍの第１金
属酸化膜からなり、後記の金属膜３での光の反射を防止
する第１光反射防止膜、３は第１光反射防止膜２上にＣ
ｒからなる金属で形成された例えば厚さが０．１μｍの
金属膜、８は金属膜３にパターンを形成するのに差し支
えのない部位である金属膜２の周辺部の一部３ａが露出
するように上記金属膜３上に形成されたＣｒからなる金
属で形成された例えば厚さが０．３μｍの第２金属酸化
膜からなり、金属膜３での光の反射を防止する第２光反
射防止膜、５は第２光反射防止膜上に上記金属膜３の露
出部３ａが露出するように、電子線等で感光する高分子
材料を例えば厚さ０．５μｍに形成されたレジスト膜、
１０は上記１〜３、８、９で構成されるブランクスであ
る。
の構成図であり、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）
は図１（ａ）のｂーｂ断面図である。これらの図におい
て、１は透光性を有する合成石英基板（例えば厚さ２ｍ
ｍまたは６ｍｍ、一辺が１２５ｃｍまたは１５０ｃｍ）
等の基板、２は基板１の一主面上にクロームＣｒからな
る金属で形成された例えば厚さが０．０３μｍの第１金
属酸化膜からなり、後記の金属膜３での光の反射を防止
する第１光反射防止膜、３は第１光反射防止膜２上にＣ
ｒからなる金属で形成された例えば厚さが０．１μｍの
金属膜、８は金属膜３にパターンを形成するのに差し支
えのない部位である金属膜２の周辺部の一部３ａが露出
するように上記金属膜３上に形成されたＣｒからなる金
属で形成された例えば厚さが０．３μｍの第２金属酸化
膜からなり、金属膜３での光の反射を防止する第２光反
射防止膜、５は第２光反射防止膜上に上記金属膜３の露
出部３ａが露出するように、電子線等で感光する高分子
材料を例えば厚さ０．５μｍに形成されたレジスト膜、
１０は上記１〜３、８、９で構成されるブランクスであ
る。
【０００８】実施例２．次にこの発明の実施例２を示す
図２について説明する。図２は図１に示されるブランク
ス１０の製法を示す製造工程図である。先ず、図２
（ａ）に示されるように透光性を有する合成石英基板等
の基板１の主面上にＣｒからなる金属を蒸着法等により
付着させ例えば厚さが０．０３μｍの第１金属酸化膜か
らなる第１光反射防止膜２を形成する。次に図２（ｂ）
に示されるように第１光反射防止膜２の上にＣｒからな
る金属を蒸着法等により付着させ例えば厚さが０．１μ
ｍの金属膜３を形成する。次に図２（ｃ）に示されるよ
うに金属膜３にパターンを形成するのに差し支えのない
部位である金属膜３の周辺部の一部３ａが露出するよう
に上記３ａ上に障害物１１を置いてＣｒからなる金属を
蒸着法などにより上記３ａ以外の金属膜３上に付着させ
例えば厚さが０．３μｍの第２金属酸化膜からなる第２
光反射防止膜８を形成する。次に図２（ｄ）に示される
ように電子線等で感光する高分子材料を第２光反射防止
膜８上および金属膜３の上記露出部３ａ上にスピンコー
ティング等で塗布し例えば厚さ０．５μｍのレジスト膜
９を形成する。次に図２（ｅ）に示されるように金属膜
３の上記露出部３ａ上に塗布されたレジスト膜９をレジ
スト溶剤等で除去し露出部３ａを露出させる。以上の工
程によって図２（ｅ）に示されるように金属膜３の一部
が露出したブランクス１０が形成される。
図２について説明する。図２は図１に示されるブランク
ス１０の製法を示す製造工程図である。先ず、図２
（ａ）に示されるように透光性を有する合成石英基板等
の基板１の主面上にＣｒからなる金属を蒸着法等により
付着させ例えば厚さが０．０３μｍの第１金属酸化膜か
らなる第１光反射防止膜２を形成する。次に図２（ｂ）
に示されるように第１光反射防止膜２の上にＣｒからな
る金属を蒸着法等により付着させ例えば厚さが０．１μ
ｍの金属膜３を形成する。次に図２（ｃ）に示されるよ
うに金属膜３にパターンを形成するのに差し支えのない
部位である金属膜３の周辺部の一部３ａが露出するよう
に上記３ａ上に障害物１１を置いてＣｒからなる金属を
蒸着法などにより上記３ａ以外の金属膜３上に付着させ
例えば厚さが０．３μｍの第２金属酸化膜からなる第２
光反射防止膜８を形成する。次に図２（ｄ）に示される
ように電子線等で感光する高分子材料を第２光反射防止
膜８上および金属膜３の上記露出部３ａ上にスピンコー
ティング等で塗布し例えば厚さ０．５μｍのレジスト膜
９を形成する。次に図２（ｅ）に示されるように金属膜
３の上記露出部３ａ上に塗布されたレジスト膜９をレジ
スト溶剤等で除去し露出部３ａを露出させる。以上の工
程によって図２（ｅ）に示されるように金属膜３の一部
が露出したブランクス１０が形成される。
【０００９】実施例３．次にこの発明の実施例３を示す
図３について説明する。図３は図１に示されるブランク
スを加工してフォトマスクを製造する方法を示す製造工
程図である。先ず、図３（ａ）に示されるように金属膜
３の露出部３ａに接地部材１３を接触させ露出部３ａを
介して金属膜３をアース電位に接続する。次にレジスト
膜９の上部から電子線１２を照射してレジスト膜９を露
光する。この時金属膜３は接地部材１３によって完全に
アース電位に接続されているので電子が基板１の表面に
帯電せず電荷の影響なく精度高く露光される。露光後、
図３（ｂ）に示されるように、有機溶剤等によって現像
しレジストパターンを得る。次いで図３（ｃ）に示され
るように第１と第２光反射防止膜２、８および金属膜３
をエッチングする。そして図３（ｄ）に示されるように
不必要になったレジスト９を除去する。以上の工程によ
って図３（ｄ）に示される所定のパターンのフォトマス
クが形成される。なお、光リソグラフィ時に上記第１と
第２光反射防止膜２、８によって金属膜３での光の反射
が防止されるので光リソグラフィの精度が向上される。
図３について説明する。図３は図１に示されるブランク
スを加工してフォトマスクを製造する方法を示す製造工
程図である。先ず、図３（ａ）に示されるように金属膜
３の露出部３ａに接地部材１３を接触させ露出部３ａを
介して金属膜３をアース電位に接続する。次にレジスト
膜９の上部から電子線１２を照射してレジスト膜９を露
光する。この時金属膜３は接地部材１３によって完全に
アース電位に接続されているので電子が基板１の表面に
帯電せず電荷の影響なく精度高く露光される。露光後、
図３（ｂ）に示されるように、有機溶剤等によって現像
しレジストパターンを得る。次いで図３（ｃ）に示され
るように第１と第２光反射防止膜２、８および金属膜３
をエッチングする。そして図３（ｄ）に示されるように
不必要になったレジスト９を除去する。以上の工程によ
って図３（ｄ）に示される所定のパターンのフォトマス
クが形成される。なお、光リソグラフィ時に上記第１と
第２光反射防止膜２、８によって金属膜３での光の反射
が防止されるので光リソグラフィの精度が向上される。
【００１０】実施例４．図４はこの発明の実施例４によ
るブランクスを示す構成図であり、図４（ａ）はその平
面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のｂーｂ断面図である。
これらの図において図１と異なるところは、基板１の一
主面上に第１光反射防止膜を介せずに金属膜３を直接に
形成した点であり、上記実施例と同様の効果を奏する。
るブランクスを示す構成図であり、図４（ａ）はその平
面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のｂーｂ断面図である。
これらの図において図１と異なるところは、基板１の一
主面上に第１光反射防止膜を介せずに金属膜３を直接に
形成した点であり、上記実施例と同様の効果を奏する。
【００１１】実施例５．次にこの発明の実施例５を示す
図５について説明する。図５は図４に示されるブランク
ス１４の製法を示す製造工程図であり、図２と異なると
ころは、図２に示される製造工程から基板１上への第１
光反射防止膜２の形成工程を除き、基板１に金属膜３を
蒸着法等により直接形成するようにした点であり、この
点以外は図２と同様故、その説明を省略する。
図５について説明する。図５は図４に示されるブランク
ス１４の製法を示す製造工程図であり、図２と異なると
ころは、図２に示される製造工程から基板１上への第１
光反射防止膜２の形成工程を除き、基板１に金属膜３を
蒸着法等により直接形成するようにした点であり、この
点以外は図２と同様故、その説明を省略する。
【００１２】実施例６．次にこの発明の実施例６を示す
図６について説明する。図６は図４に示されるブランク
スを加工してフォトマスクを製造する方法を示す製造工
程図であり、図３と異なるところは、上記ブランクスに
第１光反射防止膜２が形成されていないので、エッチン
グ工程時に第１光反射防止膜２のエッチングがない点で
あり、この点以外は図３と同様故、その説明を省略す
る。
図６について説明する。図６は図４に示されるブランク
スを加工してフォトマスクを製造する方法を示す製造工
程図であり、図３と異なるところは、上記ブランクスに
第１光反射防止膜２が形成されていないので、エッチン
グ工程時に第１光反射防止膜２のエッチングがない点で
あり、この点以外は図３と同様故、その説明を省略す
る。
【００１３】実施例７．なお、以上の実施例において
は、レジスト膜を電子線で露光するようにしたものにつ
いて述べたが、これに限らず、例えばイオンビームで露
光するようにしても良く同様の効果が得られる。
は、レジスト膜を電子線で露光するようにしたものにつ
いて述べたが、これに限らず、例えばイオンビームで露
光するようにしても良く同様の効果が得られる。
【００１４】実施例８．また、上記実施例２において
は、金属膜２の一部３ａが露出するように上記金属膜２
の一主面上に第２光反射防止膜８を形成するために、金
属膜２の一部３ａ上に障害物１１を置きＣｒからなる金
属を、蒸着法などにより上記金属膜２上に付着させるよ
うにしたが、これに限らず、例えば、上記金属膜２の一
主面上の全面に上記金属を蒸着し、その全面に第２光反
射防止膜８を形成した後に、第２セリュウムアンモン等
のエッチング液で上記３ａ上の第２光反射防止膜８を除
去し露出するようにしても良く、前述の実施例と同様の
効果を奏する。
は、金属膜２の一部３ａが露出するように上記金属膜２
の一主面上に第２光反射防止膜８を形成するために、金
属膜２の一部３ａ上に障害物１１を置きＣｒからなる金
属を、蒸着法などにより上記金属膜２上に付着させるよ
うにしたが、これに限らず、例えば、上記金属膜２の一
主面上の全面に上記金属を蒸着し、その全面に第２光反
射防止膜８を形成した後に、第２セリュウムアンモン等
のエッチング液で上記３ａ上の第２光反射防止膜８を除
去し露出するようにしても良く、前述の実施例と同様の
効果を奏する。
【００１５】実施例９．また、以上の実施例においては
金属膜をクロームＣｒからなる金属で形成したものにつ
いて説明したが、これに限らず、例えば、モリブデンシ
リサイトＭｏＳｉからなる金属で形成しても良く、前述
の実施例と同様の効果を奏する。
金属膜をクロームＣｒからなる金属で形成したものにつ
いて説明したが、これに限らず、例えば、モリブデンシ
リサイトＭｏＳｉからなる金属で形成しても良く、前述
の実施例と同様の効果を奏する。
【００１６】実施例１０．また、以上の実施例では光反
射防止膜をクロームＣｒからなる金属の光属酸化膜で形
成したものについて述べたが、これに限らず、低反射の
効果のあるものであれば良く、例えばモリブデンシリサ
イドＭｏＳｉからなる金属酸化物であっても良く、上記
実施例と同様の効果を奏する。
射防止膜をクロームＣｒからなる金属の光属酸化膜で形
成したものについて述べたが、これに限らず、低反射の
効果のあるものであれば良く、例えばモリブデンシリサ
イドＭｏＳｉからなる金属酸化物であっても良く、上記
実施例と同様の効果を奏する。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば光反射
防止膜およびレジスト膜を金属膜上に上記金属膜の一部
が露出するように形成したので、上記金属膜を上記露出
部を介してアース電位に容易に、かつ、確実に接続する
ことができる。また、上記レジスト膜を電子線やイオン
ビームで露光の際に上記金属膜をアース電位に確実に接
続することができるので、上記露光中に上記金属表面へ
の帯電が防止され、高品質のパターンが得られる。
防止膜およびレジスト膜を金属膜上に上記金属膜の一部
が露出するように形成したので、上記金属膜を上記露出
部を介してアース電位に容易に、かつ、確実に接続する
ことができる。また、上記レジスト膜を電子線やイオン
ビームで露光の際に上記金属膜をアース電位に確実に接
続することができるので、上記露光中に上記金属表面へ
の帯電が防止され、高品質のパターンが得られる。
【図１】この発明の実施例１によるブランクスを示す構
成図である。
成図である。
【図２】この発明の実施例２によるブランクスの製法を
示す製造工程図である。
示す製造工程図である。
【図３】この発明の実施例３によるブランクスを加工し
てフォトマスクを製造する方法を示す製造工程図であ
る。
てフォトマスクを製造する方法を示す製造工程図であ
る。
【図４】この発明の実施例４によるブランクスを示す構
成図である。
成図である。
【図５】この発明の実施例５によるブランクスの製法を
示す製造工程図である。
示す製造工程図である。
【図６】この発明の実施例６によるブランクスを加工し
てフォトマスクを製造する方法を示す製造工程図であ
る。
てフォトマスクを製造する方法を示す製造工程図であ
る。
【図７】従来のブランクスを示す構成図である。
【図８】従来のブランクスを加工してフォトマスクを製
造する方法を示す図である。
造する方法を示す図である。
１ 基板 ２ 第１光反射防止膜 ３ 金属膜 ８ 第２光反射防止膜 ９ レジスト膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１２月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】実施例２．次にこの発明の実施例２を示す
図２について説明する。図２は図１に示されるブランク
ス１０の製法を示す製造工程図である。先ず、図２
（ａ）に示されるように透光性を有する合成石英基板等
の基板１の主面上にＣｒからなる金属を蒸着法等により
付着させ例えば厚さが０．０３μｍの第１金属酸化膜か
らなる第１光反射防止膜２を形成する。次に図２（ｂ）
に示されるように第１光反射防止膜２の上にＣｒからな
る金属を蒸着法等により付着させ例えば厚さが０．１μ
ｍの金属膜３を形成する。次に図２（ｃ）に示されるよ
うに金属膜３にパターンを形成するのに差し支えのない
部位である金属膜３の周辺部の一部３ａが露出するよう
に上記３ａ上に障害物１１を置いてＣｒからなる金属を
蒸着法などにより上記３ａ以外の金属膜３上に付着させ
例えば厚さが０．０３μｍの第２金属酸化膜からなる第
２光反射防止膜８を形成する。次に図２（ｄ）に示され
るように電子線等で感光する高分子材料を第２光反射防
止膜８上および金属膜３の上記露出部３ａ上にスピンコ
ーティング等で塗布し例えば厚さ０．５μｍのレジスト
膜９を形成する。次に図２（ｅ）に示されるように金属
膜３の上記露出部３ａ上に塗布されたレジスト膜９をレ
ジスト溶剤等で除去し露出部３ａを露出させる。以上の
工程によって図２（ｅ）に示されるように金属膜３の一
部が露出したブランクス１０が形成される。
図２について説明する。図２は図１に示されるブランク
ス１０の製法を示す製造工程図である。先ず、図２
（ａ）に示されるように透光性を有する合成石英基板等
の基板１の主面上にＣｒからなる金属を蒸着法等により
付着させ例えば厚さが０．０３μｍの第１金属酸化膜か
らなる第１光反射防止膜２を形成する。次に図２（ｂ）
に示されるように第１光反射防止膜２の上にＣｒからな
る金属を蒸着法等により付着させ例えば厚さが０．１μ
ｍの金属膜３を形成する。次に図２（ｃ）に示されるよ
うに金属膜３にパターンを形成するのに差し支えのない
部位である金属膜３の周辺部の一部３ａが露出するよう
に上記３ａ上に障害物１１を置いてＣｒからなる金属を
蒸着法などにより上記３ａ以外の金属膜３上に付着させ
例えば厚さが０．０３μｍの第２金属酸化膜からなる第
２光反射防止膜８を形成する。次に図２（ｄ）に示され
るように電子線等で感光する高分子材料を第２光反射防
止膜８上および金属膜３の上記露出部３ａ上にスピンコ
ーティング等で塗布し例えば厚さ０．５μｍのレジスト
膜９を形成する。次に図２（ｅ）に示されるように金属
膜３の上記露出部３ａ上に塗布されたレジスト膜９をレ
ジスト溶剤等で除去し露出部３ａを露出させる。以上の
工程によって図２（ｅ）に示されるように金属膜３の一
部が露出したブランクス１０が形成される。
Claims (6)
- 【請求項１】 透光性の基板と、上記基板の表面に形成
された光反射防止膜と、上記光反射防止膜上に形成され
た金属膜と、上記金属膜上に上記金属膜の一部が露出す
るように形成されたレジスト膜とを備えていることを特
徴とするブランクス。 - 【請求項２】 透光性の基板と、上記基板の表面に形成
された第１光反射防止膜と、上記第１光反射防止膜上に
形成された金属膜と、上記金属膜上に上記金属膜の一部
が露出するように形成された第２光反射防止膜と、上記
第２光反射防止膜上に上記金属膜の上記露出部が露出す
るように形成されたレジスト膜とを備えていることを特
徴とするブランクス。 - 【請求項３】 透光性の基板の一主面上に光反射防止膜
を形成する工程と、上記光反射防止膜上に金属膜を形成
する工程と、上記金属膜の一部が露出するようにレジス
ト膜を上記金属膜上に形成する工程とを備えていること
を特徴とするブランクスの製法。 - 【請求項４】 透光性の基板の表面に第１光反射防止膜
を形成する工程と、上記第１光反射防止膜上に金属膜を
形成する工程と、上記金属膜上に上記金属膜の一部が露
出するように第２光反射防止膜を形成する工程と、上記
金属膜の上記露出部が露出するようにレジスト膜を上記
第２光反射防止膜上に形成する工程とを備えていること
を特徴とするブランクスの製法。 - 【請求項５】 透光性の基板と、上記基板の表面に形成
された光反射防止膜と、上記光反射防止膜上に形成され
た金属膜と、上記金属膜上に上記金属膜の一部が露出す
るように形成されたレジスト膜とを備えたブランクスの
上記金属膜の露出部を介して上記金属膜をアース電位に
接続する工程と、上記レジスト膜を露光し、現像し、上
記金属膜と上記光反射防止膜とをエッチングして上記金
属膜と上記光反射防止膜とに所定のパターンを形成する
工程とを備えていることを特徴とするフォトマスクの製
法。 - 【請求項６】 透光性の基板と、上記基板の表面に形成
された第１光反射防止膜と、上記光反射防止膜上に形成
された金属膜と、上記金属膜上に上記金属膜の一部が露
出するように形成された第２光反射防止膜と、上記第２
光反射防止膜上に上記金属膜の上記露出部が露出するよ
うに形成されたレジスト膜とを備えたブランクスの上記
金属膜の露出部を介して上記金属膜をアース電位に接続
する工程と、上記レジスト膜を露光し、現像し、上記金
属膜と上記第１、第２光反射防止膜とをエッチングして
上記金属膜と上記第１、第２光反射防止膜に所定のパタ
ーンを形成する工程とを備えていることを特徴とするフ
ォトマスクの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5213393A JPH06266097A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | ブランクスとその製法およびブランクスを加工してフォトマスクを製造する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5213393A JPH06266097A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | ブランクスとその製法およびブランクスを加工してフォトマスクを製造する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06266097A true JPH06266097A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12906377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5213393A Pending JPH06266097A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | ブランクスとその製法およびブランクスを加工してフォトマスクを製造する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06266097A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006287236A (ja) * | 2006-04-07 | 2006-10-19 | Hoya Corp | マスクブランク、及びマスク |
| JP2011090343A (ja) * | 2011-02-04 | 2011-05-06 | Hoya Corp | マスクブランク、及びマスク |
-
1993
- 1993-03-12 JP JP5213393A patent/JPH06266097A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006287236A (ja) * | 2006-04-07 | 2006-10-19 | Hoya Corp | マスクブランク、及びマスク |
| JP2011090343A (ja) * | 2011-02-04 | 2011-05-06 | Hoya Corp | マスクブランク、及びマスク |
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