JPH11249309A - 電子線ポジ型レジストおよびこれを用いたフォトマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】酸化クロム上で化学増幅系ポジ型レジストのパ
タンが裾引き形状になる問題を解決し、高解像度のフォ
トマスクを高スループットで製造する方法を提供する。 【解決手段】（ａ）アルカリ可溶性樹脂および（ｂ）活
性化学線照射により酸を生じる化合物および（ｃ）ベン
ゼン環を３つ以上、水酸基を３つ以上を有し、かつ１つ
のベンゼン環に有する水酸基が２つ以下であるポリヒド
ロキシ化合物の水酸基の水素原子を水素１原子当たり
０.５〜０.９モルの割合で酸分解性基で置換した化合物
を少なくとも含むレジスト組成物を、フォトマスク基板
上に塗布し、電子線照射した後、ベークを施す。この基
板をアルカリ水溶液で現像してパタンを得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子線のパタン状
照射によりレジスト塗膜のパタン潜像形成部に酸を生成
せしめ、この酸を触媒とする反応によって、当該照射部
と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させ、アルカ
リ水溶液を現像液とする工程によりレジストパタンを現
出させる電子線ポジ型レジストおよびそれを用いたフォ
トマスクの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化と高速
度化に伴い、加工寸法に対する要求は、クォーターミク
ロンから０.２ ミクロン以下になりつつある。クォータ
ーミクロンの微細加工技術として、現在、ＫｒＦエキシ
マレーザー露光装置が量産工程に導入されている。さら
に、０.２ ミクロン以下の加工寸法が要求される段階に
なると、リソグラフィ技術としては、ＫｒＦ露光装置と
超解像技術を組み合わせた露光方法が有力視されてい
る。これら露光技術の加工精度は、焼き付け回路のネガ
の役割を果たすフォトマスクの寸法精度によって左右さ
れる。したがって、矩形の断面形状を有し、寸法精度の
良いマスクパタンを得ることが、半導体集積回路製造の
歩留まりを向上させる上で、重要な課題となっている。
さらに次世代の露光技術では、光の波長以下のパタン寸
法を半導体基板に焼き付けるために、フォトマスクの一
部に光の位相を反転させるシフタを設けた位相シフトマ
スクが必要となる。その結果、フォトマスクにおいて
も、クォーターミクロンレベルの微細加工が必要とさ
れ、高解像度を実現できるマスク製作技術の開発が必須
となってきている。

【０００３】フォトマスクを製造するリソグラフィ技術
として、一般的に微細加工性に優れた電子ビーム描画装
置により露光する技術が用いられている。しかし、現在
市販されているマスク用電子線レジストは、高い精度と
解像度を要求されるＫｒＦ露光用マスクを高スループッ
トで製造することができず、さらに有機溶媒を現像液と
しているため、環境汚染を考慮したプロセスに変更する
ことが難しいと言う問題がある。したがって、工業的に
有利なアルカリ水溶液を現像液とする高解像度で高感度
の電子線レジストが要望されている。

【０００４】これらを解決するレジスト材料として、酸
触媒下で反応性の高い媒体と活性化学線の照射で酸を発
生する酸前駆体を含む組成、米国特許第3779778 号公
報，特開昭59−45439 号公報，特開平2−25850号公報等
に記載の組成物等が知られている。これらの従来例によ
れば、反応性の高い媒体としてアセタール基，ｔ−ブト
キシカルボニル基等の酸分解性基を含む化合物又は重合
体が開示されている。酸前駆体としては、例えば、ジア
リールヨードニウム塩，トリアリールスルホニウム塩，
トリアルキルスルホニウム塩，フェノール性水酸基を複
数含む化合物とアルキルスルホン酸とのエステル，Ｎ−
ヒドロキシイミドのスルホン酸エステル等が挙げられ
る。

【０００５】この種のレジストは、化学増幅系レジスト
と呼ばれ、２成分系と３成分系の２種類に大別できる。
前者は、酸前駆体および酸分解性基を含む高分子化合物
を必須構成成分とする２成分系レジストである。このレ
ジストは、アルカリ水溶液に溶解しない上記高分子成分
が、活性化学線照射により発生した微量な酸触媒との反
応によって、アルカリ可溶性の高分子に変性するため
に、ポジ型パタンを形成することができる。一方、後者
の系は、酸前駆体およびアルカリ可溶性樹脂および上記
樹脂のアルカリ溶解性を阻害できる高分子化合物を必須
成分とする３成分レジストである。３成分系レジストの
パタン形成原理は、非露光部においてアルカリ現像液に
可溶な樹脂が、該高分子化合物の溶解阻害作用によりア
ルカリ難溶化すること、および露光部において、酸触媒
と該高分子との化学反応により阻害作用を失うことで、
上記樹脂がアルカリ可溶性を回復する反応に基づいてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の化学増
幅系レジストは、酸前駆体から発生した酸の非露光部お
よび環境への拡散、環境中に存在する塩基性物質のレジ
スト表面への吸着による酸の失活が生じ易く、その失活
部分が、アルカリ現像液に溶解しなくなり、解像度が低
下するという欠点が見出されている。かかる欠点に由来
して、レジスト表面に難溶化層が形成され、パタンの断
面形状が、Ｔトップと呼ばれる、パタン上層部に庇状の
突起物を持つ形状になる現象が観察されている。

【０００７】また、酸の失活に起因した異常なパタン形
状は、フォトマスクの石英基板に被膜形成された酸化ク
ロム上に化学増幅系レジストを用いた場合に、被膜界面
付近で観察されている。この場合、レジスト膜中の酸
が、被膜と反応もしくは被膜中に拡散するために、レジ
ストパタンが裾引き型の形状として現れている。同様の
現象は、シリコンウエハ基板上においても、酸化膜（Ｓ
ｉＯ₂ ），アルミ膜，窒化膜（ＴｉＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄）等の
被膜上にレジストパタンを形成する場合に起こることが
わかっている。

【０００８】これらのパタン形状異常を改善するため
に、レジストには、照射部と非照射部の溶解速度の差を
できるだけ大きくできる機能を持たせるだけでなく、レ
ジスト膜への塩基性物質の吸着を少なくできる機能も必
要となる。従来の２成分系レジストと３成分系レジスト
を、これらの観点で比較した場合、３成分系の方が、各
構成成分ごとに上記機能を分割できるため有利である。
しかし、従来の３成分系レジストは、アルカリ可溶性樹
脂と酸分解性基を含む化合物とが、ミクロ相分離し易
く、レジスト膜中に不均一に分布することで、レジスト
表面に難溶化層が形成され、形状の良いパタンが得られ
ないという問題がある。

【０００９】本発明の目的は、フォトマスクの酸化クロ
ムのような、酸触媒に対して反応性の高い被膜上で、レ
ジストパタンの形状が低下する問題を解決し、高解像度
かつ寸法制御性に優れたレジストパタンを高感度で得る
方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
の結果、特定の構造を有し、かつ、分子内水酸基が特定
の数および配置にあるポリヒドロキシ化合物の水酸基を
酸分解性基で保護した化合物を溶解阻害剤として用いた
場合、アルカリ可溶性樹脂との相溶性に優れ、照射部と
非照射部の溶解速度差が向上し、その結果、酸化クロム
上でのパタン形状の改善に有効かつ高感度でパタンを形
成できることを見出し、本発明を完成した。この特異的
な現象は、詳細は不明であるが、溶解阻害剤構造のベン
ゼン環の数，水酸基の数，分子内での水酸基の数、およ
び酸分解性基の数等により発現したと考えられる。

【００１１】すなわち、本発明によるところのフォトマ
スクの製造方法は、（ａ）アルカリ可溶性樹脂および
（ｂ）活性化学線照射により酸を生じる化合物および
（ｃ）ベンゼン環を３つ以上、水酸基を３つ以上を有
し、かつ１つのベンゼン環に有する水酸基が２つ以下で
あるポリヒドロキシ化合物の水酸基の水素原子を水素１
原子当たり０.５〜０.９モルの割合で酸分解性基で置換
した化合物を少なくとも含有する電子線ポジ型レジスト
を用いることを特徴としている。また、本発明の電子線
レジストは、酸化クロム被膜以外に、Ａｌ，Ｚｒ，Ｓ
ｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ等の酸化膜や窒化膜を被膜と
する場合にも優れた特性を示すことができる。

【００１２】本発明において、上記（ｃ）に用いる特定
のポリヒドロキシ化合物は、ベンゼン環を３つ以上、水
酸基を３つ以上を有し、かつ１つのベンゼン環に有する
水酸基が２つ以下のものが好ましい。

【００１３】例えば、トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン，トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン、α，α，α′−トリス（４−ヒドロキシフェニル）
−１−エチル−４−イソプロピルベンゼン、２，６−ビ
ス〔（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル〕
−４−メチルフェノール，４−〔ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）メチル〕−２−メトキシフェノール、４，
４′−〔（４−ヒドロキシフェニル）メチレン〕ビス
〔２−メチルフェノール〕、４，６−ビス〔（４−ヒド
ロキシフェニル）メチル〕−１，３−ベンゼンジオー
ル、２，２′−メチレンビス〔６−〔（２−ヒドロキシ
−５−メチルフェニル）メチル〕−４−メチルフェノー
ル〕、α，α，α′，α′−テトラキス（４−ヒドロキ
シフェニル）−１−メチル−４−メチルベンゼン、およ
び上記フェノール化合物のヒドロキシベンジル付加体，
ヒドロキシアルキルベンジル付加体，ジヒドロキシベン
ジル付加体、１，８，１５，２２−テトラメチル〔１
４〕メタシクロファン−３，５，１０，１２，１７，１
９，２４，２６−オクトール、およびそのフェニル，ヒ
ドロキシフェニル付加体等を挙げることができる。これ
らは、単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせ
て用いてもよい。

【００１４】活性化学線の照射によって生じた酸に対し
て不安的な基としては、テトラヒドロピラニル基，ｔ−
ブトキシカルボニル基，エトキシエチル基，メトキシエ
チル基，イソブトキシエチル基，ｔ−ブトキシエチル
基，２−メトキシテトラヒドロピラニル基，４−メトキ
シテトラヒドロピラニル基，２−エトキシテトラヒドロ
ピラニル基等が挙げられる。

【００１５】本発明における酸分解性基を含むポリヒド
ロキシ化合物（上記成分（ｃ））は、ある特定の置換
率、すなわち、ポリヒドロキシの水酸基の水素原子を水
素１原子当たり、０.５〜０.９モルの範囲で置換したも
のが適当である。この範囲の置換率を有するものは、ア
ルカリ可溶性樹脂との相溶性が良いので、レジスト表面
の難溶化層の形成が無く、かつ十分な溶解阻害作用を有
するので、高解像度で形状の良いパタンを得ることがで
きる。また、置換率がこの範囲よりも小さい阻害剤を用
いると、アルカリ可溶性樹脂に対する溶解阻害作用が小
さくなるため、照射部と非照射部の溶解速度差が小さく
なり、γ値の低下（解像力の低下）を生じるので好まし
くない。一方、置換率がこの範囲よりも高いものを用い
ると、アルカリ可溶性樹脂とのミクロ相分離が起こるた
め、表面難溶化層が形成され、感度および解像度の低下
につながり好ましくない。

【００１６】本発明に用いられる上記成分（ａ）として
は、例えば、フェノール性水酸基を１個以上有するフェ
ノール類にアルデヒド類を用いて重縮合させたノボラッ
ク樹脂が挙げられる。すなわち、フェノール，ｏ−クレ
ゾール，ｍ−クレゾール，ｐ−クレゾール、２，３−キ
シレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノ
ール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、
２，３，５−トリメチルフェノールなどのフェノール性
水酸基を１個以上有するフェノール類，レゾルシノー
ル，カテコールなどのフェノール性水酸基を２個以上有
するフェノール類，フロログルシン，ピロガロール，ヒ
ドロキシヒドロキノン等のフェノール性水酸基を３個以
上有するフェノール類が挙げられる。これらのフェノー
ル類は、それぞれ１種類単独でまたは２種類以上を組み
合わせて用いてもよい。

【００１７】また、ビニルフェノール系重合体，ハロゲ
ン化ビニルフェノール重合体等のアルカリ可溶性樹脂も
用いることができる。ビニルフェノール系重合体として
は、ビニルフェノールの単独重合体およびビニルフェノ
ールと共重合可能な成分との共重合体が好適である。共
重合可能な成分としては、例えば、アクリル酸誘導体、
メタクリル酸誘導体，スチレン誘導体，無水マレイン
酸，マレイン酸イミド誘導体，アクリロニトリルなどが
挙げられる。ハロゲン化ビニルフェノール重合体の例と
しては、４−ビニル−２−クロロフェノール、４−ビニ
ル−２，６−ジクロロフェノール、４−ビニル−２−ブ
ロモフェノール、４−ビニル−２，６−ジブロモフェノ
ール等のビニルフェノール類を単独または２種類以上組
み合わせた重合体が挙げられる。

【００１８】本発明のレジスト組成物には、例えば、ス
トリエーション（塗布ムラ）を防いだり、現像性を良く
したりするための界面活性剤，アルカリ可溶性樹脂の溶
解速度を調整するためのビスフェノール類，トリスフェ
ノールアルカン類，三核体のフェノール類，テトラキス
フェノール類等の低分子フェノール化合物，レジスト溶
液の保存安定剤，酸触媒の非露光部への拡散を抑制する
ための塩基性化合物，オニウムハライド等のイオン解離
性化合物，テトラエチレングリコール等の保湿剤を必要
に応じて配合することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】次に、この発明の具体的な実施例
および比較例について説明する。尚、これらの実施例
は、本発明の範囲内の好適な特定の条件の下における単
なる例示にすぎず、本発明がこれらの実施例にのみ限定
されるものではない。

【００２０】（実施例１）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂：８５重量部、テトラヒドロピラニル基を酸分解
性基に持つポリヒドロキシ化合物（α，α，α′−トリ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−１−エチル−４−イソ
プロピルベンゼンへの４−ヒドロキシベンジル基ヘキサ
付加体（４−ヒドロキシベンジル基の４−ヒドロキシフ
ェニル基に付加する位置は、２および６位）（テトラヒ
ドロピラニル基の置換率０.７８)：１５重量部、酸前駆
体としてピロガロールとメタンスルホン酸の三置換体エ
ステル：４重量部を２−ヘプタノンに溶解して、固形分
濃度約１３重量％の溶液を調合した後、これを孔径０.
２μｍ のテフロンメンブレムフィルターを用いて濾過
し、レジスト溶液を得た。

【００２１】（比較例１）比較のために、ｍ，ｐ−クレ
ゾールノボラック樹脂：９０重量部、テトラヒドロピラ
ニル基を酸分解性基に持つポリ（ｐ−ビニルフェノー
ル）（重量平均分子量：２０００）（テトラヒドロピラ
ニル基の置換率：０.９５） 、酸前駆体としてピロガロ
ールとメタンスルホン酸の三置換体エステル：４重量部
を２−ヘプタノンに溶解して、固形分濃度約１３重量％
の比較試料を得た。

【００２２】シリコン基板上に上記組成のレジスト液を
滴下し、回転塗布してレジスト膜を得た。このウエハを
１００℃で２分間熱処理した後、水酸化テトラメチルア
ンモニウムの２.３８ 重量％水溶液に入れ、その塗膜が
完全に溶解する時間を測定し、この時間と塗布膜厚から
溶解速度（ｎｍ／秒）を求めた。得られたレジストの溶
解速度は、実施例１試料および比較例試料ともに、現像
液による塗膜の溶解を十分阻止できる０.１ｎｍ／ｓ 以
下の溶解速度であることがわかった。

【００２３】石英基板上にクロム膜と酸化クロム膜の二
層構造の遮光膜を付けたフォトマスク用ブランクス（Ｈ
ＯＹＡ（株）製）に上述のレジストを滴下、回転塗布後
９０℃，５分間熱処理して、０.４μｍ の厚さのレジス
ト膜を得た。この基板に電子線描画装置（電子線の加速
電圧は５０ｋＶ）で、照射量を段階的に変化させて電子
線照射後、９０℃，５分間熱処理してレジスト膜の潜像
部分のアルカリ水溶液に対する溶解性を増加させる反応
を促進した。上述の熱処理後、水酸化テトラメチルアン
モニウム２.３８ 重量％を含む水溶液を現像液に用い
て、１００秒間浸漬し、照射部の残留膜厚を測定した。
この残留膜厚と電子線照射量の関係から電子線感度特性
を求めた。

【００２４】図１に、このようにして求めた本実施例の
ポリヒドロキシ化合物を溶解阻害剤とする系の電子線感
度特性と、比較のために、ポリビニルフェノールの水酸
基を酸分解性基で置換した溶解阻害剤を含む系のそれと
を示す。本発明の感度曲線は、４.５μＣ／cm²の高感度
で膜減りもなく、高コントラストを与えることが分かっ
た。これに対して、比較試料の感度特性は、裾引きの特
性を示すことが分かった。

【００２５】電子線描画装置（電子線の加速電圧は５０
ｋＶ）を用いて、本発明と比較のレジスト液をそれぞれ
塗布したフォトマスク用ブランクスに、０.５μｍ のラ
インアンドスペースパタンを描画した。本発明のレジス
トは、６μＣ／cm² の照射量で、比較のレジストは、５
μＣ／cm² の照射量でそれぞれ描画した後、９５℃，５
分間熱処理して潜像部分のアルカリ水溶液に対する溶解
性を増加させる反応を促進した。上記の熱処理の後、水
酸化テトラメチルアンモニウム２.３８ 重量％を含む水
溶液を現像液に用いて１００秒間浸漬し、レジストパタ
ンを得た。

【００２６】本発明のレジストパタンは、断面形状が矩
形で、設計寸法通りの０.５μｍ の線幅であった。これ
に対して、比較のレジストパタンは、断面が裾引き形状
になり、スペース部分にレジストスカムが観察された。

【００２７】（比較例２）実施例１において、α，α，
α′−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１−エチル
−４−イソプロピルベンゼンへの４−ヒドロキシベンジ
ル基ヘキサ付加体の代わりにテトラヒドロピラニル基を
酸分解性基に有するビスフェノールＡ（テトラヒドロピ
ラニル基の置換率１.０)を用いた以外は、実施例１の方
法に従って行った。その結果、上記レジストは、非露光
部の膜減りが大きく、低コントラストの感度特性を与
え、０.５μｍ の線幅を解像することができなかった。

【００２８】（実施例２）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂：８０重量部、エトキシエチル基を酸分解性基に
持つトリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン（テトラ
ヒドロピラニル基の置換率０.９０)：２０重量部、酸前
駆体としてピロガロールとメタンスルホン酸の三置換体
エステル：４重量部から成るレジストを用いた以外は、
実施例１と同様にして、２.８μＣ／cm²の高感度で断面
形状が良好なパタンが得られた。

【００２９】（実施例３）実施例２において、エトキシ
エチル基を酸分解性基に持つトリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）メタンの代わりに、エトキシエチル基を酸分解
性基に持つα，α，α′，α′−テトラキス（４−ヒド
ロキシフェニル）−１−メチル−４−メチルベンゼンを
用いた以外は、実施例２の方法に従って、同様の結果を
得た。

【００３０】（実施例４）実施例２において、エトキシ
エチル基を酸分解性基に持つトリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）メタンの代わりに、エトキシエチル基を酸分解
性基に持つ１，８，１５，２２−テトラメチル〔１４〕
メタシクロファン−３，５，１０，１２，１７，１９，
２４，２６−オクトールを用いた以外は、実施例２の方
法に従って、同様の結果を得た。

【００３１】上記実施例では、レジスト塗布基板とし
て、クロム膜と酸化クロム膜の二層構造から成るフォト
マスク用ブランクスを用いた方法について述べたが、本
発明は、これに限定されるものではない。基板として、
Ａｌ，Ｚｒ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏ等の酸化膜や
窒化膜を用いても同様な効果を得ることができる。

【００３２】

【発明の効果】本発明によれば、電子線レジスト中の酸
触媒に対して高い反応性を示す被膜上で、高感度で高解
像度、かつ寸法精度に優れたレジストパタンを形成で
き、しかもアルカリ水溶液現像可能であるためフォトマ
スク製造において、微細加工用レジストとして好適に用
いられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１のレジスト組成物における感
度特性を示すグラフ。

【符号の説明】

１…本発明のレジスト組成物の感度特性、２…従来のレ
ジスト組成物の感度特性。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１０年９月１６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】発明の名称

【補正方法】変更

【補正内容】

【発明の名称】 生体磁場計測装置

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【請求項２１】生体の外部に配置され，前記生体から発
する生体磁場を検出する量子干渉素子（ＳＱＵＩＤ）か
らなり，前記生体磁場を検出する複数の磁束計と，前記
生体磁場の等しい点を結ぶ等磁場線図を表示する表示手
段とを有することを特徴とする生体磁場計測装置。

【手続補正書】

【提出日】平成１１年５月２７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】発明の名称

【補正方法】変更

【補正内容】

【発明の名称】 電子線ポジ型レジストおよびこれを用
いたフォトマスクの製造方法

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 曽我 隆 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 加藤 幸治 東京都新宿区西新宿２丁目１番１号 日立 化成工業株式会社内 (72)発明者 粕谷 圭 東京都新宿区西新宿２丁目１番１号 日立 化成工業株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光リソグラフィ用マスク基板上に、（ａ）
   アルカリ可溶性樹脂および（ｂ）活性化学線照射により
   酸を生じる化合物および（ｃ）ベンゼン環を３つ以上、
   水酸基を３つ以上を有し、かつ１つのベンゼン環に有す
   る水酸基が２つ以下であるポリヒドロキシ化合物の水酸
   基の水素原子を水素１原子当たり０.５〜０.９モルの割
   合で酸分解性基で置換した化合物を少なくとも含有する
   電子線ポジ型レジスト。
2. 【請求項２】請求項１記載の電子線ポジ型レジストを塗
   布し、熱処理した後、電子線を用いて当該塗膜に所定の
   パタンを描画し、その後当該所定の現像媒体によりレジ
   ストパタンを形成することを特徴とするフォトマスクの
   製造方法。
3. 【請求項３】請求項２記載のフォトマスクの製造方法に
   おいて、所定の現像媒体が水性アルカリ現像液であるこ
   とを特徴とするフォトマスクの製造方法。
4. 【請求項４】請求項１において、成分（ｃ）の酸分解性
   基がアセタール基，ケタール基，ｔ−ブトキシカルボニ
   ル基から選択される少なくとも１種類であることを特徴
   とする電子線ポジ型レジスト。
5. 【請求項５】請求項２、または３のいずれかに記載のフ
   ォトマスク製造方法において、電子線を用いて当該塗膜
   に所定のパタンを描画した後、パタン潜像部の酸触媒反
   応を促進させるために、当該塗膜を熱処理する工程を有
   することを特徴とするフォトマスクの製造方法。