JP2011029625A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 絶縁体上の第１電極となる導電膜と、
   前記第１電極上の一導電型を有する第１不純物半導体層と、
   前記第１不純物半導体層上の真性半導体層と、
   前記真性半導体層上の、前記一導電型とは逆の導電型を有する第２不純物半導体層と、
   前記第２不純物半導体層上の第２電極となる透光性導電膜と、
   を有し、
   前記第２電極及び前記第２不純物半導体層には開口部が設けられており、
   前記開口部は、受光部に一つ以上設けられており、
   前記第１不純物半導体層の導電型はｎ型であり、前記第２不純物半導体層の導電型はｐ型であることを特徴とする光電変換装置。
2. 請求項１において、
   前記開口部における前記真性半導体層の膜厚は、前記第２電極及び前記第２不純物半導体層に覆われた前記真性半導体層の膜厚よりも薄いことを特徴とする光電変換装置。
3. 請求項１または２において、
   前記開口部の側壁における前記第２不純物半導体層と前記真性半導体層の界面の一部位と、同一の開口部の側壁における該一部位に対向する前記第２不純物半導体層と前記真性半導体層の界面との最短距離は、０．５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする光電変換装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記開口部の上面形状は、矩形、多角形、円形、楕円形から選ばれた一つの形状を有することを特徴とする光電変換装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記開口部の側壁には、テーパーが設けられていることを特徴とする光電変換装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記第２不純物半導体層は、ａ−Ｓｉ_ｘＣ_１−ｘ：Ｈ（０＜ｘ＜１）またはａ−Ｓｉ_ｘＮ_１−ｘ：Ｈ（０＜ｘ＜１）を含むことを特徴とする光電変換装置。
7. 絶縁体上に第１電極となる導電膜、一導電型を有する第１不純物半導体層、真性半導体層、前記一導電型とは逆の導電型を有する第２不純物半導体層、第２電極となる透光性導電膜を順次形成し、
   受光部となる領域において、前記第２電極上に一つ以上の開口部を有したフォトレジストを形成し、
   前記第２電極及び前記第２不純物半導体層を開口するエッチングを行い、
   前記真性半導体層の一部をエッチングすることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
8. 請求項７において、
   酸素を含むエッチングガスを用いることにより、前記フォトレジストを後退させながらエッチングを行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
9. 請求項７または８において、
   前記第２電極及び前記第２不純物半導体層を開口する工程と連続して、前記真性半導体層の一部のエッチングを行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。