KR101385201B1 - 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

태양전지 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101385201B1
KR101385201B1 KR1020130056541A KR20130056541A KR101385201B1 KR 101385201 B1 KR101385201 B1 KR 101385201B1 KR 1020130056541 A KR1020130056541 A KR 1020130056541A KR 20130056541 A KR20130056541 A KR 20130056541A KR 101385201 B1 KR101385201 B1 KR 101385201B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
layer
layers
solar cell
front side
Prior art date
Application number
KR1020130056541A
Other languages
English (en)
Inventor
박승일
백종현
김근주
Original Assignee
한국생산기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국생산기술연구원 filed Critical 한국생산기술연구원
Priority to KR1020130056541A priority Critical patent/KR101385201B1/ko
Priority to DE112013003725.4T priority patent/DE112013003725T5/de
Priority to PCT/KR2013/009172 priority patent/WO2014189182A1/ko
Priority to CN201380022159.7A priority patent/CN104321881B/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR101385201B1 publication Critical patent/KR101385201B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 표면조직화 처리된 기판의 전면 중 에지 부분을 제외한 나머지 부분에 서로 정해진 간격을 두고 도핑 처리하여 상기 기판과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 기판과 함께 광전효과를 나타내는 적어도 2개 이상의 이미터 층이나 적어도 2개 이상의 컬렉터 층으로 된 복수의 전면 층을 형성함으로써 복수의 전면 층이 형성되지 않은 기판의 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 전면 층과 기판의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내도록 하고, 각각의 전면 층 사이에 정해진 간격으로 형성되는 이격 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 각각의 전면 층 사이를 절연하도록 한다.
본 발명은 기판의 전면 중 전면 층이 형성되지 않은 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 전면 층과 기판의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내므로 누설전류를 줄여 광전 효율을 증대할 수 있으며, 특히 복수의 전면 층 각각이 기판과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 광전효과를 나타내어 하나의 태양전지 내부에 또 다른 복수의 태양전지를 형성하는 구조이므로 복수의 전면 층 중 어느 한 부위에서 고장이나 결함이 발생하더라도 나머지 다른 전면 층들이 정상 작동함으로써 태양전지의 전체 효율 저하율을 최소화할 수 있다.

Description

태양전지 및 그 제조방법{Sollar cell and manufacturing process thereof}
본 발명은 태양전지에 관한 것이며, 더욱 상세히는 기판의 전면 중 에지 부분을 제외한 나머지 부분에 서로 정해진 간격을 두고 기판과 함께 광전효과를 나타내는 적어도 2개 이상의 이미터(emitter) 층이나 적어도 2개 이상의 컬렉터(collector) 층을 형성하는 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 종래의 태양전지의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 1에 나타낸 태양전지(100)는 P형 실리콘 기판(111)의 표면 전체에 연결되어 형성된 N형 이미터 층(112)을 상기 기판(111)의 전면 양측에서 분리하여 전기적으로 단절함으로써 상기 기판(111)의 전면과 후면의 단락에 기인하는 누설전류를 방지하기 위한 절연 홈(114)을 형성한 실시예이다.
참고로, 특허문헌1은 도 1에 나타낸 태양전지와 유사하게 기판의 전면 양측에 절연 홈을 형성한 다른 태양전지를 게시하고 있다.
도 2는 도 1의 태양전지 제조방법(S100)을 나타낸 순서도이고, 도 3은 도 1의 태양전지 제조방법(S100)을 나타낸 공정도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 도 1에 나타낸 태양전지(100)는 다음과 같이 제조된다.
먼저, 태양전지(100)의 표면 반사 손실을 줄이고 입사 경로를 증가시킴으로써 광 흡수율을 높이고 태양전지의 전류를 증가시키기 위하여, P형 실리콘 기판(111)을 표면조직화(texturing) 처리하여 표면에 요철 형상의 패턴을 형성한다(S110).
이어서, 표면조직화 처리된 상기 기판(111)의 전면과 후면 및 측면 전부를 도핑 처리하여 상기 기판(111)과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판(111)과 함께 광전효과를 나타내는 N형 이미터 층(112)을 형성한다(S120).
이때, N형 이미터 층(112)은 물질 또는 전하의 농도가 높은 쪽에서 낮은 쪽으로 이동하는 확산현상을 이용하는 기판 표면의 도핑 처리 공정을 통해 형성된다.
예컨대, P-N 접합을 위한 N형 이미터 층(112)은 원소주기율표 Ⅴ족에 속하는 인(P)과 같은 N형 불순물을 포함하는 POCl3, H3PO4 등을 고온에서 확산시켜 형성한다.
이 경우, P형 실리콘 기판(111)에 인(P)과 같은 N형 불순물을 증착하고 적어도 850℃ 이상의 확산로에서 이 불순물을 실리콘 속으로 밀어 넣어 확산시킴으로써 도핑 처리가 완료되며, 일 예로 고온의 POCl3과 O2가 확산로 안에서 서로 반응하여 P2O5층을 형성하고 고온의 열처리를 하면 P2O5 층의 인(P)이 실리콘(Si) 속으로 확산되어 N형 이미터 층(112)이 형성되며, 이때 인(P)과 실리콘 내부에서 석출된 불순물을 포함하는 산화물(PSG: Phosphorous Silicate Glass)층이 더 형성되는데, 이 산화물층은 도핑공정 이후에 농도 5%로 희석된 불화수소(HF)의 수용액에서 15초 내외로 침지하여 실리콘 표면에 손상 없이 제거할 수 있다.
참고로, N형 실리콘 기판에 붕소(B)와 같은 P형 불순물을 증착하고 적어도 850℃ 이상의 확산로에서 이 불순물을 실리콘 속으로 밀어 넣어 확산시킴으로써 도핑 처리가 완료되는 경우에는 붕소(B)와 실리콘 내부에서 석출된 불순물을 포함하는 산화물(BSG: Boron Silicate Glass)층이 더 형성되는데, 이 산화물층은 도핑공정 이후에 농도 5%로 희석된 불화수소(HF)의 수용액에서 15초 내외로 침지하여 실리콘 표면에 손상 없이 제거할 수 있다.
이어서, 상기 기판(111)의 전면의 N형 이미터 층(112) 위에 반사 방지막(113)(ARC: Anti-Reflection Coating layer)을 형성한다(S130).
이어서, 스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 상기 반사 방지막(113)을 관통하여 상기 N형 이미터 층(112)과 접속하는 복수의 전면 전극(115) 및 상기 반사 방지막(113)을 관통하여 상기 P형 실리콘 기판(111)과 접속하는 복수의 후면 전극(116)을 형성한다(S140).
이때, 상기 전면 전극(115)은 Ag과 유리 프리트(frit) 등이 포함된 전면 전극용 페이스트를 마스크를 사용하여 상기 반사 방지막(113) 위에 스크린 인쇄한 후 열처리와 소성 과정을 통해 포함된 은(Ag)이 고온에서 액상이 되었다가 다시 고상으로 재결정되면서, 상기 반사 방지막(113)을 관통하는 파이어 스루(fire through) 현상에 의해 상기 N형 이미터 층(112)과 접속하게 된다.
또한, 상기 후면 전극(116)은 AgAl을 포함하는 후면 전극용 페이스트를 마스크를 사용하여 상기 기판(111)의 후면 위에 스크린 인쇄한 후 열처리와 소성 과정을 통해 포함된 은(Ag)이 고온에서 액상이 되었다가 다시 고상으로 재결정되면서, 상기 반사 방지막(113)을 관통하는 파이어 스루(fire through) 현상에 의해 상기 P형 실리콘 기판(111)과 접속하게 되고, 이처럼 상기 후면 전극(116)을 형성할 때 Al과 붕소(B)를 포함하는 후면 전계층용 페이스트를 마스크를 사용하여 상기 기판(111)의 후면 위에 전극이 형성되지 않는 부분에 스크린 인쇄한 후 열처리와 소성 처리하면 광전효과에 의해 분리된 전자 정공 쌍의 재결합을 방지함으로써 광전 효율을 개선하는 후면 전계층(117)(BSF: Back Surface Field layer)이 더 형성된다.
이 후면 전계층(117)은 상기 기판(111)이 N형 실리콘 기판인 경우에도 이 N형 실리콘 기판의 후면에 형성될 수 있으며, 이 경우에는 Al과 인(P)을 포함하는 후면 전계층용 페이스트를 사용한다.
이어서, 레이저를 이용하여 상기 P형 실리콘 기판(111)의 표면 전체에 연결되어 형성된 N형 이미터 층(112)을 상기 기판(111)의 전면 양측에서 분리하여 상기 P형 실리콘 기판(111)과 N형 이미터 층(112)을 전기적으로 단절함으로써 상기 기판(111)의 전면과 후면의 단락에 기인하는 누설전류를 방지하기 위한 절연 홈(114)을 형성한다(S150).
참고로, 도 1과 도 3에서는 레이저를 이용하여 상기 P형 실리콘 기판(111)의 표면 전체에 연결되어 형성된 N형 이미터 층(112)을 상기 기판(111)의 전면 양측에서 분리하여 상기 P형 실리콘 기판(111)과 N형 이미터 층(112)을 전기적으로 단절하는 실시예를 나타내고 있으나, 상기 기판(111)의 후면 양측에 상기 절연 홈(114)을 형성할 수도 있다.
하지만, 상기와 같이 제조되는 도 1에 나타낸 종래의 태양전지(100)는 에지 부분에 절연 홈(114)을 형성하므로 에지 부분이 취약해져 파손율의 증가 원인이 되고, 특히 레이저를 이용하여 형성한 상기 절연 홈(114)과 그 주변에 잔여물이 쌓이기 때문에 수광 면적이 감소하여 태양전지의 단락전류밀도가 줄어들고, 잔여물을 통하여 측면으로 누설전류가 발생하여 광전 효율이 저하되는 단점이 있다.
도 3은 종래의 다른 태양전지의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 3에 나타낸 다른 태양전지(200)는 P형 실리콘 기판(211)의 표면 전체에 연결되어 형성된 N형 이미터 층(212)을 상기 기판(211)의 측면 하단에서 분리하여 전기적으로 단절함으로써 상기 기판(211)의 전면과 후면의 단락에 기인하는 누설전류를 방지하기 위한 절연 면(214)을 형성한 실시예이다.
도 4는 도 3의 태양전지 제조방법(S200)을 나타낸 순서도이고, 도 5는 도 3의 태양전지 제조방법(S200)을 나타낸 공정도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 도 3에 나타낸 다른 태양전지(200)는 다음과 같이 제조된다.
먼저, 태양전지(200)의 표면 반사 손실을 줄이고 입사 경로를 증가시킴으로써 광 흡수율을 높이고 태양전지의 전류를 증가시키기 위하여, P형 실리콘 기판(211)을 표면조직화 처리하여 표면에 요철 형상의 패턴을 형성한다(S210).
이어서, 표면조직화 처리된 상기 기판(211)의 전면과 후면 및 측면 전부를 도핑 처리하여 상기 기판(211)과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판(211)과 함께 광전효과를 나타내는 N형 이미터 층(212)을 형성한다(S220).
이때, N형 이미터 층(212)은 상기한 도 1 내지 도 3을 참고하는 실시예에서 설명한 확산현상을 이용하는 기판 표면의 도핑 처리 공정을 통해 형성되며, 상기한 산화물층, 즉 PSG층이 더 형성된다.
이어서, 스폰지 롤러(211A)를 포함하는 에칭 케미컬 수조(210A)를 이용하여 스폰지 롤러(211A)와 에칭액(예컨대, 질산과 불산)에 부유시켜 기판 측면 하단과 후면의 N형 이미터 층(212)을 에칭하여 제거하여 상기 P형 실리콘 기판(211)과 N형 이미터 층(212)을 전기적으로 단절함으로써 상기 기판(211)의 전면과 후면의 단락에 기인하는 누설전류를 방지하기 위한 절연 면(214)을 형성한다(S230).
이때, 상기 기판(211)이 에칭 케미컬 수조(210A)에 배치된 스폰지 롤러(211A) 위나 에칭액 위를 지나는 동안 기판 측면 하단과 후면의 N형 이미터 층(212)이 에칭되어 제거된다.
또한, 이때 상기 N형 이미터 층(212)이 형성될 때 더 형성된 상기한 산화물층, 즉 PSG층은 상기한 불화수소(HF)의 수용액을 이용하여 제거할 수 있다.
이어서, 상기 기판(211)의 전면의 N형 이미터 층(212) 위에 반사 방지막(213)(ARC)을 형성한다(S240).
이어서, 스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 상기 반사 방지막(213)을 관통하여 상기 N형 이미터 층(212)과 접속하는 복수의 전면 전극(215) 및 상기 P형 실리콘 기판(211)과 접속하는 복수의 후면 전극(216)을 형성하고(S250), 상기 후면 전극(215) 형성 시, 광전효과에 의해 분리된 전자 정공 쌍의 재결합을 방지함으로써 광전 효율을 개선하는 후면 전계층(215)(BSF)을 더 형성한다.
상기 전면 전극(215)과 후면 전극(216) 및 후면 전계층(217)은 상기한 도 1 내지 도 3을 참고하는 실시예에서 설명한 과정을 통해 형성된다.
하지만, 상기와 같이 제조되는 도 3에 나타낸 종래의 다른 태양전지(200)는 도 1 내지 도 3을 참고하는 실시예에 비해 상대적으로 수광 면적은 증가하였으나 여전히 측면으로 누설전류가 발생하여 광전 효율이 저하되는 단점이 있으며, 특히 기판 측면 하단과 후면을 에칭하기 위해 에칭 케미컬 수조(200A)의 에칭액(예컨대, 질산과 불산) 위를 뜬 상태에서 이송되거나 스폰지 롤러(210A) 위를 지나가기 때문에 이때 케미컬 흄(fume)에 의하여 기판(211)의 상면이나 측면의 N형 이미터 층(212)이 과도하게 에칭되는 문제가 발생할 수 있다.
KR 10-2011-0068167 A
본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 표면조직화 처리된 기판의 전면 중 에지 부분을 제외한 나머지 부분에 서로 정해진 간격을 두고 도핑 처리하여 상기 기판과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판과 함께 광전효과를 나타내는 적어도 2개 이상의 이미터 층이나 적어도 2개 이상의 컬렉터 층으로 된 복수의 전면 층을 형성함으로써 상기 기판의 전면 중 상기 복수의 전면 층이 형성되지 않은 기판의 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 상기 전면 층과 상기 기판의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내도록 하고, 상기 각각의 전면 층 사이에 정해진 간격으로 형성되는 이격 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 각각의 전면 층 사이를 절연하도록 하는 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 태양전지는, P형 실리콘 기판 혹은 N형 실리콘 기판 중 어느 하나로 된 기판과; 스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 상기 기판의 전면 중 에지 부분을 제외한 나머지 부분에 서로 정해진 간격을 두고 도핑 처리되어 형성되고, 각각이 상기 기판과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판(311)과 함께 광전효과를 나타내는 적어도 2개 이상의 이미터 층으로 형성되거나 적어도 2개 이상의 컬렉터 층으로 형성되는 복수의 전면 층; 상기 복수의 전면 층 위와 상기 기판의 측면 위에 형성되는 반사 방지막; 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 각각의 전면 층과 접속하는 복수의 전면 전극; 상기 기판과 접속하는 복수의 후면 전극; 및 상기 기판의 후면에 형성되어 광전효과에 의해 분리된 전자 정공 쌍의 재결합을 방지함으로써 광전 효율을 개선하는 후면 전계층;으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 태양전지에 있어서, 상기 기판의 전면 중 상기 복수의 전면 층이 형성되지 않은 상기 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 상기 전면 층과 상기 기판의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내고, 상기 각각의 전면 층 사이에 정해진 간격으로 형성되는 이격 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 각각의 전면 층 사이를 절연하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 태양전지 제조방법은, P형 실리콘 기판 혹은 N형 실리콘 기판 중 어느 하나로 된 기판을 표면조직화 처리하는 제1과정과; 스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 표면조직화 처리된 상기 기판의 전면 중 에지 부분을 제외한 나머지 부분을 도핑 처리하여 상기 기판과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판과 함께 광전효과를 나타내는 적어도 2개 이상의 이미터 층이나 적어도 2개 이상의 컬렉터 층으로 된 복수의 전면 층을 형성함으로써 상기 기판의 전면 중 상기 복수의 전면 층이 형성되지 않은 기판의 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 상기 전면 층과 상기 기판의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내도록 하고, 상기 각각의 전면 층 사이에 정해진 간격으로 형성되는 이격 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 각각의 전면 층 사이를 절연하도록 하는 제2과정; 상기 복수의 전면 층 위와 상기 기판의 측면 위에 반사 방지막을 형성하는 제3과정; 및 스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 복수의 전면 층과 접속하는 복수의 전면 전극과 상기 기판과 접속하는 복수의 후면 전극을 형성하는 제4과정;으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 기판의 전면 중 상기 전면 층이 형성되지 않은 상기 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 상기 전면 층과 상기 기판의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내므로 누설전류를 줄여 광전 효율을 증대할 수 있으며, 특히 상기 복수의 전면 층 각각이 상기 기판과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 광전효과를 나타내어 하나의 태양전지 내부에 또 다른 복수의 태양전지를 형성하는 구조이므로 상기 복수의 전면 층 중 어느 한 부위에서 고장이나 결함이 발생하더라도 나머지 다른 전면 층들이 정상 작동함으로써 태양전지의 전체 효율 저하율을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명은 유지보수비가 많이 드는 레이저를 이용하여 기판 전면에 절연 홈을 형성하거나 유지보수비가 많이 드는 스폰지 롤러를 포함하는 에칭 케미컬 수조 이용하여 기판 측면과 후면에 절연 면을 형성하는 종래의 태양전지 제조방법에 비해 상대적으로 저렴한 비용으로 제조공정을 단순화함으로써 태양전지 제조원가를 절감할 수 있다.
도 1은 종래의 태양전지의 구성을 나타낸 단면도.
도 2는 도 1의 태양전지 제조방법을 나타낸 순서도.
도 3은 도 1의 태양전지 제조방법을 나타낸 공정도.
도 4는 종래의 다른 태양전지의 구성을 나타낸 단면도.
도 5는 도 4의 태양전지 제조방법을 나타낸 순서도.
도 6은 도 4의 태양전지 제조방법을 나타낸 공정도.
도 7은 본 발명에 따른 태양전지의 구성을 나타낸 단면도.
도 8은 본 발명에 따른 태양전지 제조방법을 나타낸 순서도.
도 9는 본 발명에 따른 태양전지 제조방법을 나타낸 공정도.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.
도 7은 본 발명에 따른 태양전지의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 7에 나타낸 태양전지(300)는 표면조직화 처리된 상기 기판(311)의 전면 중 에지 부분을 제외한 나머지 부분을 도핑 처리하여 상기 기판(311)과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판(311)과 함께 광전효과를 나타내는 적어도 2개 이상의 이미터 층이나 적어도 2개 이상의 컬렉터 층으로 된 복수의 전면 층(312)을 형성함으로써 상기 기판(311)의 전면 중 상기 복수의 전면 층(312)이 형성되지 않은 기판(311)의 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 상기 전면 층(312)과 상기 기판(311)의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내도록 하고, 상기 각각의 전면 층(312) 사이에 정해진 간격으로 형성되는 이격 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 각각의 전면 층(312) 사이를 절연하도록 하는 실시예이다.
도 8은 도 7의 태양전지 제조방법(S300)을 나타낸 순서도이고, 도 9는 도 7의 태양전지 제조방법(S300)을 나타낸 공정도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 도 7에 나타낸 본 발명에 따른 태양전지(300)는 다음과 같이 제조된다.
먼저, 태양전지(300)의 표면 반사 손실을 줄이고 입사 경로를 증가시킴으로써 광 흡수율을 높이고 태양전지의 전류를 증가시키기 위하여, P형 실리콘 기판 혹은 N형 실리콘 기판 중 어느 하나로 된 기판(311)을 표면조직화 처리하여 표면에 요철 형상의 패턴을 형성한다(S310).
이어서, 스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 표면조직화 처리된 상기 기판(311)의 전면 중 에지 부분을 제외한 나머지 부분을 도핑 처리하여 상기 기판(311)과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판(311)과 함께 광전효과를 나타내는 적어도 2개 이상의 이미터 층이나 적어도 2개 이상의 컬렉터 층으로 된 복수의 전면 층(312)을 형성함으로써 상기 기판(311)의 전면 중 상기 복수의 전면 층(312)이 형성되지 않은 기판(311)의 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 상기 전면 층(312)과 상기 기판(311)의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내도록 하고, 상기 각각의 전면 층(312) 사이에 정해진 간격으로 형성되는 이격 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 각각의 전면 층(312) 사이를 절연하도록 한다(S320).
이때, 상기 기판(311)이 P형 실리콘 기판이면 N형 이미터 층으로 상기 전면 층(312)을 형성하고, 상기 기판(311)이 N형 실리콘 기판이면 P형 컬렉터 층으로 상기 전면 층(312)을 형성하며, 이 전면 층(312)은 상기한 도 1 내지 도 3을 참고하는 실시예에서 설명한 확산현상을 이용하는 기판 표면의 도핑 처리 공정을 통해 형성된다.
또한, 상기 N형 이미터 층으로 상기 전면 층(312)을 형성할 때 인(P)과 실리콘 내부에서 석출된 불순물을 포함하는 산화물(PSG: Phosphorous Silicate Glass)층이 더 형성되는데, 이 산화물층은 불화수소(HF)의 수용액에서 침지하여 실리콘 표면에 손상 없이 제거한다.
또한, 상기 P형 컬렉터 층으로 상기 전면 층(312)을 형성할 때 붕소(B)와 실리콘 내부에서 석출된 불순물을 포함하는 산화물(BSG: Boron Silicate Glass)층이 더 형성되는데, 이 산화물층은 불화수소(HF)의 수용액에서 침지하여 실리콘 표면에 손상 없이 제거한다.
이어서, 상기 복수의 전면 층(312) 위와 상기 기판(311)의 측면 위에 반사 방지막(313)(ARC)을 형성한다(S330).
이어서, 스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 상기 반사 방지막(313)을 관통하여 상기 복수의 전면 층(312)과 접속하는 복수의 전면 전극(314)과 상기 기판(311)과 접속하는 복수의 후면 전극(315)을 형성한다(S340).
이때, 상기 전면 전극(314)은 Ag과 유리 프리트(frit) 등이 포함된 전면 전극용 페이스트를 마스크를 사용하여 상기 반사 방지막(113) 위에 스크린 인쇄한 후 열처리와 소성 과정을 통해 포함된 은(Ag)이 고온에서 액상이 되었다가 다시 고상으로 재결정되면서, 상기 반사 방지막(113)을 관통하는 파이어 스루(fire through) 현상에 의해 상기 전면 층(312)과 접속하게 된다.
또한, 상기 후면 전극(315)은 AgAl을 포함하는 후면 전극용 페이스트를 마스크를 사용하여 상기 기판(311)의 후면 위에 스크린 인쇄한 후 열처리와 소성 과정을 통해 포함된 은(Ag)이 고온에서 액상이 되었다가 다시 고상으로 재결정되면서, 상기 반사 방지막(313)을 관통하는 파이어 스루(fire through) 현상에 의해 상기 기판(111)과 접속하게 된다.
또한, 이처럼 상기 후면 전극(115)을 형성할 때 후면 전계층용 페이스트를 마스크를 사용하여 상기 기판(111)의 후면 위에 전극이 형성되지 않는 부분에 스크린 인쇄한 후 열처리와 소성 처리하면 광전효과에 의해 분리된 전자 정공 쌍의 재결합을 방지함으로써 광전 효율을 개선하는 후면 전계층(316)이 더 형성되며, 상기 후면 전계층(316) 형성 과정은 상기한 도 1 내지 도 3을 참고하는 실시예로부터 용이하게 이해할 수 있다.
이에 따라서, 본 발명에 따른 태양전지(300)는 도 7과 도 9에 나타낸 바와 같이, 하나의 태양전지 내부에 또 다른 복수의 태양전지를 형성하는 구조로 제조 완료된다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따른 태양전지(300)는 상기 기판(311)의 전면 중 상기 전면 층(312)이 형성되지 않은 상기 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 상기 전면 층(312)과 상기 기판(311)의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내므로 누설전류를 줄여 광전 효율을 증대할 수 있으며, 특히 상기 복수의 전면 층(312) 각각이 상기 기판(311)과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 광전효과를 나타내어 하나의 태양전지 내부에 또 다른 복수의 태양전지를 형성하는 구조이므로 상기 복수의 전면 층(312) 중 어느 한 부위에서 고장이나 결함이 발생하더라도 나머지 다른 전면 층(312)들이 정상 작동함으로써 태양전지의 전체 효율 저하율을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 태양전지(300)는 유지보수비가 많이 드는 레이저를 이용하여 기판 전면에 상기한 절연 홈(114)을 형성하거나 유지보수비가 많이 드는 스폰지 롤러(210A)를 포함하는 에칭 케미컬 수조(200A) 이용하여 기판 측면과 후면에 상기한 절연 면(214)을 형성하는 종래의 태양전지 제조방법(S100 또는 S200)에 비해 상대적으로 저렴한 비용으로 제조공정을 단순화함으로써 태양전지 제조원가를 절감할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명에 태양전지 및 그 제조방법은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양하게 변경하여 실시할 수 있는 범위까지 그 기술적 정신이 있다.
100: 태양전지 111: P형 실리콘 기판
112: N형 이미터 층 113: 반사 방지막
114: 절연 홈 115: 전면 전극
116: 후면 전극 117: 후면 전계층
200: 태양전지 200A: 에칭 케미컬 수조
210A: 스폰지 롤러 211: P형 실리콘 기판
212: N형 이미터 층 213: 반사 방지막
214: 절연 면 215: 전면 전극
216: 후면 전극 217: 후면 전계층
300: 태양전지 311: 기판
312: 전면 층 313: 반사 방지막
314: 전면 전극 315: 후면 전극
316: 후면 전계층

Claims (9)

  1. P형 실리콘 기판 혹은 N형 실리콘 기판 중 어느 하나로 된 기판(311)과;
    스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 상기 기판(311)의 전면 중 에지 부분을 제외한 나머지 부분에 서로 정해진 간격을 두고 도핑 처리되어 형성되고, 각각이 상기 기판(311)과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판(311)과 함께 광전효과를 나타내는 적어도 2개 이상의 이미터(emitter) 층으로 형성되거나 적어도 2개 이상의 컬렉터(collector) 층으로 형성되는 복수의 전면 층(312);
    상기 복수의 전면 층(312) 위와 상기 기판(311)의 측면 위에 형성되는 반사 방지막(313)(ARC: Anti-Reflection Coating layer);
    상기 반사 방지막(313)을 관통하여 상기 각각의 전면 층(312)과 접속하는 복수의 전면 전극(314);
    상기 기판(311)과 접속하는 복수의 후면 전극(315); 및
    상기 기판(311)의 후면에 형성되어 광전효과에 의해 분리된 전자 정공 쌍의 재결합을 방지함으로써 광전 효율을 개선하는 후면 전계층(316)(BSF: Back Surface Field layer);
    으로 구성되며,
    상기 기판(311)의 전면 중 상기 복수의 전면 층(312)이 형성되지 않은 상기 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 상기 전면 층(312)과 상기 기판(311)의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내고, 상기 각각의 전면 층(312) 사이에 정해진 간격으로 형성되는 이격 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 각각의 전면 층(312) 사이를 절연하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전면 층(312)은 상기 기판(311)이 P형 실리콘 기판이면 N형 이미터 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 전면 층(312)은 상기 기판(311)이 N형 실리콘 기판이면 P형 컬렉터 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  4. P형 실리콘 기판 혹은 N형 실리콘 기판 중 어느 하나로 된 기판(311)을 표면조직화(texturing) 처리하는 제1과정(S310)과;
    스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 표면조직화 처리된 상기 기판(311)의 전면 중 에지 부분을 제외한 나머지 부분을 도핑 처리하여 상기 기판(311)과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판(311)과 함께 광전효과를 나타내는 적어도 2개 이상의 이미터 층이나 적어도 2개 이상의 컬렉터 층으로 된 복수의 전면 층(312)을 형성함으로써 상기 기판(311)의 전면 중 상기 복수의 전면 층(312)이 형성되지 않은 기판(311)의 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 상기 전면 층(312)과 상기 기판(311)의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내도록 하고, 상기 각각의 전면 층(312) 사이에 정해진 간격으로 형성되는 이격 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 각각의 전면 층(312) 사이를 절연하도록 하는 제2과정(S320);
    상기 복수의 전면 층(312) 위와 상기 기판(311)의 측면 위에 반사 방지막(313)을 형성하는 제3과정(S330); 및
    스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 상기 반사 방지막(314)을 관통하여 상기 복수의 전면 층(312)과 접속하는 복수의 전면 전극(315)과 상기 기판(311)과 접속하는 복수의 후면 전극(316)을 형성하는 제4과정(S340);
    으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제2과정(S320)에서는 상기 기판(311)이 P형 실리콘 기판이면 N형 이미터 층으로 상기 전면 층(312)을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제2과정(S320)에서는 상기 N형 이미터 층으로 상기 전면 층(312)을 형성할 때 더 형성되는 인(P)과 실리콘 내부에서 석출된 불순물을 포함하는 산화물(PSG: Phosphorous Silicate Glass)층을 불화수소(HF)의 수용액에서 침지하여 실리콘 표면에 손상 없이 제거하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 제2과정(S320)에서는 상기 기판(311)이 N형 실리콘 기판이면 P형 컬렉터 층으로 상기 전면 층(312)을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제2과정(S320)에서는 상기 P형 컬렉터 층으로 상기 전면 층(312)을 형성할 때 더 형성되는 붕소(B)와 실리콘 내부에서 석출된 불순물을 포함하는 산화물(BSG: Boron Silicate Glass)층을 불화수소(HF)의 수용액에서 침지하여 실리콘 표면에 손상 없이 제거하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  9. 제 4 항에 있어서, 상기 제4과정(S340)에서는 상기 기판(311)이 상기 후면 전극(116)을 형성할 때 상기 기판(111)의 후면 위에 전극이 형성되지 않는 부분에 광전효과에 의해 분리된 전자 정공 쌍의 재결합을 방지함으로써 광전 효율을 개선하는 후면 전계층(117)(BSF)을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
KR1020130056541A 2013-05-20 2013-05-20 태양전지 및 그 제조방법 KR101385201B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130056541A KR101385201B1 (ko) 2013-05-20 2013-05-20 태양전지 및 그 제조방법
DE112013003725.4T DE112013003725T5 (de) 2013-05-20 2013-10-15 Solarzellen und Verfahren zum Herstellen der Solarzellen
PCT/KR2013/009172 WO2014189182A1 (ko) 2013-05-20 2013-10-15 태양전지 및 그 제조방법
CN201380022159.7A CN104321881B (zh) 2013-05-20 2013-10-15 太阳能电池及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130056541A KR101385201B1 (ko) 2013-05-20 2013-05-20 태양전지 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101385201B1 true KR101385201B1 (ko) 2014-04-15

Family

ID=50657659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130056541A KR101385201B1 (ko) 2013-05-20 2013-05-20 태양전지 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR101385201B1 (ko)
CN (1) CN104321881B (ko)
DE (1) DE112013003725T5 (ko)
WO (1) WO2014189182A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150146381A (ko) 2014-06-20 2015-12-31 전영권 태양전지 소자 및 태양전지 소자의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101083373B1 (ko) * 2009-10-12 2011-11-14 주식회사 효성 선택적 도핑을 이용한 태양전지 제조방법 및 그 태양전지
KR20120085067A (ko) * 2011-01-21 2012-07-31 엘지전자 주식회사 태양전지 제조방법
KR20120087513A (ko) * 2011-01-28 2012-08-07 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101030043B1 (ko) * 2004-10-27 2011-04-20 삼성에스디아이 주식회사 태양전지 및 그 제조방법
KR20090091562A (ko) * 2008-02-25 2009-08-28 엘지전자 주식회사 태양전지 및 그 제조방법
JP2010010493A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Sharp Corp 太陽電池セルおよびその製造方法
WO2011001842A1 (en) * 2009-07-03 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
CN102299212B (zh) * 2011-09-28 2014-09-24 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101083373B1 (ko) * 2009-10-12 2011-11-14 주식회사 효성 선택적 도핑을 이용한 태양전지 제조방법 및 그 태양전지
KR20120085067A (ko) * 2011-01-21 2012-07-31 엘지전자 주식회사 태양전지 제조방법
KR20120087513A (ko) * 2011-01-28 2012-08-07 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150146381A (ko) 2014-06-20 2015-12-31 전영권 태양전지 소자 및 태양전지 소자의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN104321881A (zh) 2015-01-28
DE112013003725T5 (de) 2015-06-03
CN104321881B (zh) 2017-06-09
WO2014189182A1 (ko) 2014-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100927725B1 (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101225978B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
KR101729304B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101387718B1 (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR20070071060A (ko) 태양 전지의 제조 방법
KR101680036B1 (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
JP6410951B2 (ja) 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法
KR101442011B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
KR101160116B1 (ko) 후면 접합 태양전지의 제조방법
US11631779B2 (en) Solar cell with high photoelectric conversion efficiency and method for manufacturing solar cell with high photoelectric conversion efficiency
KR20110020659A (ko) 개선된 후면구조를 구비한 후면접합 태양전지 및 그 제조방법
KR101385201B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
KR101198430B1 (ko) 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법
TWI606601B (zh) 太陽電池及太陽電池之製造方法
US11222991B2 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
KR101442012B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
KR20120129016A (ko) 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지
KR101181625B1 (ko) 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법
US20210143291A1 (en) High-efficiency backside contact solar cell and method for manufacturing thereof
KR20140093382A (ko) 태양 전지의 제조 방법
TWI481060B (zh) 太陽能電池的製作方法
US20170330990A1 (en) Method for manufacturing photovoltaic device
KR20120037121A (ko) 태양 전지의 제조 방법
KR20130082257A (ko) 태양 전지 및 그의 제조 방법
KR101172611B1 (ko) 태양전지 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170324

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180323

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190322

Year of fee payment: 6