JP2011023593A - 電子制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のMOS31〜35は、基板40の回路パターン81〜84に実装される。MOS31〜35と回路パターン81〜84とはリード301〜303によって電気的及び機械的に接続される。MOS31〜35の発する熱の伝導を抑制可能な熱伝導抑制部91〜96は、一方のMOSを設置する回路パターンと他方のMOSを設置する回路パターンとの間に設けられる。このため、各回路パターン81〜84の間の熱伝導を低減し、各MOS31〜35の間の熱干渉を抑制することができる。
【選択図】図5
Description
特許文献1では、基板の両面にトランジスタを設け、体格を小さくした混成集積回路が記載されている。
本発明は上記問題に鑑みてなられたものであり、その目的は、各発熱部品間の熱干渉を抑制することで体格を小型にすることの可能な電子制御装置を提供することにある。
ここで、対角状とは、例えば4個の半導体素子を矩形に配置した場合、対角線上に位置することをいう。
なお、直下とは、基板に実装される半導体素子から見て基板側の方向をいう。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態は、請求項1〜3に記載の発明の特徴を具現化したものである。第1実施形態の電子制御装置は、例えば車両のEPSに用いられ、操舵トルク信号及び車速信号に基づき、操舵のアシスト力を発生するモータを駆動制御するものである。
基板40は、例えばガラス織布とエポキシ樹脂からなるFR−4等のプリント配線板である。基板40には、MOS31〜34の他に、アルミ電解コンデンサ70、コイル71、リレー72、シャント抵抗73、及びマイクロコンピュータ(以下、「IC」という。)74等が実装されている。また、基板40には、コネクタ75が接続されている。
アルミ電解コンデンサ70は、電荷を蓄えることで、MOS31〜34への電力供給を補助するとともに、MOS31〜34のスイッチングにより生じるリップル電圧を吸収する。コイル71は、電源ノイズを低減する。リレー72は、フェールセーフ機能を有する。
上ケース50及び下ケース51には、凹凸が形成され、放熱ゲル60、61の移動を抑制するとともに、表面積を大きくすることで放熱性を高めている。また、粗化加工によって放熱ゲル60、61の移動を抑制してもよい。
MOS31〜34及びIC74は、基板40の表面に設けられ、アルミ電解コンデンサ70、コイル71、リレー72、シャント抵抗73及びコネクタ75は基板40の裏面に設けられている。なお、本明細書において、基板40の表面、裏面とは、単に基板の一方の面と他方の面とを便宜上区別するために用いるものである
右旋回から左旋回に切り替わるとき、A_MOS31よりもA´_MOS32が先にオフされるので、A_MOS31及びB_MOS33に電流が流れる。
一方、左旋回から右旋回に切り替わるとき、B_MOS33よりもB´_MOS34が先にオフされるので、B_MOS33及びA_MOS31に電流が流れる。このため、A_MOS31及びB_MOS33は、A´_MOS32及びB´_MOS34と比較して発熱量が大きくなる。
回路パターン81、83の上には、A_MOS31及びB_MOS33が配置されている。A_MOS31が配置されている回路パターン81と、B_MOS33が配置されている回路パターン83とは一体に形成されている。
A_MOS31のソースのリード303は、B´_MOS34の配置される回路パターン84と、はんだ付けによって接続されている。A_MOS31のゲートのリード302は、IC74に接続する図示しないランドと、はんだ付けによって接続されている。
A_MOS31と同様に他のMOS32〜34も、ドレインのリード、側面放熱板及びメタルベースが、当該MOSの配置される回路パターン81〜84と接続し、ソースのリードが隣合う他の回路パターン81〜85と接続している。
ここで、第1比較例の電子制御装置201を図33に示す。第1比較例では、基板40の表面に複数の回路パターン810、820、830、840が設けられている。一体に形成された回路パターン810、820の上にはA_MOS310及びB_MOS330が配置されている。回路パターン820の上にはA´_MOS320が配置され、回路パターン840の上にはB´_MOS340が配置されている。
各MOS310、320、330、340のドレインのリードは、それぞれ各MOS310、320、330、340の下側の回路パターン810、820、830、840と接続している。各MOS310、320、330、340のソースのリードは、それぞれ隣接する回路パターン840、850、820、850と接続している。
各回路パターン810、820、830、840同士は絶縁可能な程度に隣接しており、熱抵抗を小さくしている。また、各MOS310、320、330、340のドレインのリードと回路パターン840、850、820、850とは絶縁可能な程度に隣接しており、熱抵抗を小さくしている。
本実施形態では、A_MOS31を設置する回路パターン81とB_MOS33を設置する回路パターン83との間に第1の熱伝導抑制部91が設けられている。また、A´_MOS32を設置する回路パターン82とB´_MOS34を設置する回路パターン84との間に第3の熱伝導抑制部93が設けられている。
A_MOS31のドレインのリードとB´_MOS34を設置する回路パターン84との間に第3の熱伝導抑制部94が設けられている。また、B_MOS33のドレインのリードとA´_MOS32を設置する回路パターン82との間に第2の熱伝導抑制部92が設けられている。基板40を形成する樹脂から形成される熱伝導抑制部91〜94は、熱抵抗が大きいので、各MOS31〜34の間の熱干渉を防止することができる。したがって、本実施形態の電子制御装置1は、大電流に対応することができる。また、各MOS31〜34の間の距離を近くすることで、電子制御装置1の体格を小型にすることができる。
本発明の第2実施形態は、請求項3に記載の発明の特徴を具現化したものである。図6に示すように、本実施形態の電子制御装置2は、A_MOS31と基板40の左端との間の距離が、B_MOS33と基板40の左端との間の距離よりも近くなっている。また、A´_MOS32と基板40の右端との間の距離が、B´_MOS34と基板40の右端との間の距離よりも近くなっている。A_MOS31とB´_MOS34との間の距離と、B_MOS33とA´_MOS32との間の距離は略同じである。このようにして、4つのMOS31〜34は菱形に配置されている。このため、発熱量の大きいA_MOS31とB_MOS33とが実装される回路パターン811、831の表面積が大きくなる。したがって、A_MOS31及びB_MOS33の放熱性を高めると共に、熱干渉を抑制することができる。
また、本実施形態では、同時に通電されるA_MOS31とA´_MOS32とが対角状に配置され、同時に通電されるB_MOS33とB´_MOS34とが対角状に配置されている。これにより、同時に発熱する各MOSの間の距離を遠くすることで、熱干渉を抑制することができる。
本発明の第3実施形態は、請求項4に記載の発明の特徴を具現化したものである。図7に示すように、本実施形態の電子制御装置3は、第1〜第6の熱伝導抑制部91〜96が、基板40の厚さ方向に凹む溝部911、921、931、941を有している。溝部911、921、931、941の深さは、図示しない内層パターンを区分可能に形成されている。又は、基板40の表面と裏面とを通じる深さに形成してもよい。
溝部911、921、931、941内に存在する空気は、熱抵抗が大きいので、各回路パターン81〜85の間の熱伝導が低減する。このため、本実施形態の電子制御装置3は、各MOS31〜34の間の熱干渉を確実に防止することができる。
本発明の第4実施形態は、請求項5に記載の発明の特徴を具現化したものである。図8に示すように、本実施形態の電子制御装置4は、第1〜第6の熱伝導抑制部91〜96が、溝部911、921、931、941内に、熱伝導率の小さい第1低熱伝導層912、922、932、942を有している。
第1低熱伝導層912、922、932、942としては、繊維系断熱材として、グラスウール、ロックウール、羊毛断熱材、セルロース断熱材がある。発砲系断熱材として、ウレタンフォーム、フェノールフォーム、ポリスチレンフォーム、ビーズ法ポリスチレンがある。その他、押し出し法ポリスチレン、真空断熱材がある。
本実施形態では、各回路パターン81〜85の間の熱伝導を低減すると共に、基板40の剛性を高めることができる。
本発明の第5実施形態は、請求項6に記載の発明の特徴を具現化したものである。図9に示すように、本実施形態の電子制御装置5は、右旋回時に同時に通電されるA_MOS31とA´_MOS32とが、基板40の表面に設けられた回路パターン812、822に実装されている。一方、左旋回時に同時に通電されるB_MOS33とB´_MOS34とが基板40の裏面に設けられた回路パターン832、842に実装されている。また、A_MOS31とA´_MOS32とは、対角状に配置され、B_MOS33とB´_MOS34とは、対角状に配置されている。
本実施形態では、A_MOS31及びA´_MOS32と、B_MOS33及びB´_MOS34との熱干渉を抑制すると共に、各MOS31〜34の放熱性を高めることができる。
本発明の第6実施形態は、請求項1、7及び8に記載の発明の特徴を具現化したものである。図10に示すように、本実施形態の電子制御装置6は、回路パターン812、822、832、842及びスルーホール400により、各MOS31〜34の発する熱を伝導する熱伝導手段が構成されている。例えばMOS31が発する熱は、図10の矢印に示されるように、ドレイン又はソースのリード301、302を経由して放熱板304から基板40と反対側に放出される。また、MOS31の発する熱は、ドレイン又はソースのリード301、302、側面放熱板306及びメタルベース307を経由して、回路パターン812及びスルーホール400を熱伝導し、基板40の裏面に放出される。
第7及び第8の熱伝導抑制部41、42は、基板を形成している樹脂である。第7及び第8の熱伝導抑制部41、42の厚さは、電子制御装置6の使用する電流に応じて設定される。熱伝導抑制部41、42の設けられている個所には、内層パターンを設けていない。基板を形成する樹脂は、熱抵抗が大きいので、各回路パターン812、832、822、842の間の熱伝導が低減する。このため、各MOS31〜34の間の熱干渉を抑制することができる。
ここで、第2比較例の電子制御装置200を図34に示す。第2比較例では、A_MOS310及びB_MOS330が実装される回路パターン8120、8320の間に、内層パターン800が設けられている。また、A´_MOS320及びB´_MOS340が実装される回路パターン8220、8420の間に、内層パターン801が設けられている。このため、基板40の熱抵抗が小さくなり、A_MOS310とB_MOS330、及びA´_MOS320とB´_MOS340とが熱干渉することが懸念される。特に、A_MOS310とB_MOS330は、発熱量が多いので、これらのMOS310、330が熱干渉すると、大電流に対応することが困難になる虞がある。
本実施形態の電子制御装置6では、基板40の表面及び裏面にそれぞれ設けられ、熱伝導手段を構成する回路パターン812、832の間に第7の熱伝導抑制部41が設けられている。また、基板40の表面及び裏面にそれぞれ設けられ、熱伝導手段を構成する回路パターン822、842の間に第8の熱伝導抑制部42が設けられている。これにより、回路パターン812、832、822、842が各MOS31〜34の発する熱を熱伝導手段によって高効率に放熱すると共に、第7、第8の熱伝導抑制部41、42によって各MOS31〜34の熱干渉を抑制することができる。このため、電子制御装置6は、大電流に対応することができる。また、各MOS31〜34の間の距離を近くすることで、電子制御装置6の体格を小型にすることができる。
本発明の第7実施形態は、請求項9に記載の発明の特徴を具現化したものである。図11に示すように、本実施形態の電子制御装置7は、各MOS31〜34が、熱伝導率の小さい低熱伝導部材308を基板40側に有している。
低熱伝導部材308としては、繊維系断熱材として、グラスウール、ロックウール、羊毛断熱材、セルロース断熱材がある。発砲系断熱材として、ウレタンフォーム、フェノールフォーム、ポリスチレンフォーム、ビーズ法ポリスチレンがある。その他、押し出し法ポリスチレン、真空断熱材がある。
本実施形態では、各MOS31〜34と回路パターン812、822、832、842との間の熱伝導を低減することで、各MOS31〜34の熱干渉を抑制することができる。
本発明の第8実施形態は、請求項10に記載の発明の特徴を具現化したものである。図12に示すように、本実施形態の電子制御装置8は、各MOS31〜34のリード311及び側面放熱板361が、低熱伝導部材308の基板40側の端部よりも基板40側に延びている。このため、基板40と各MOS31〜34との間には空間が形成されている。この空間に存在する空気は、熱抵抗が大きいので、基板40と各MOS31〜34との間の熱伝導が低減する。さらに、低熱伝導部材308が、各MOS31〜34と各回路パターン812、822、832、842との間の放射熱を防止する。このため、各MOS31〜34の間の熱干渉を確実に抑制することができる。
本発明の第9実施形態は、請求項11及び12に記載の発明の特徴を具現化したものである。図13に示すように、本実施形態の電子制御装置9は、A_MOS31が配置されている回路パターン812と、B_MOS33が配置されている回路パターン832との間の基板40内に第2低熱伝導層411が設けられている。また、A´_MOS32が配置されている回路パターン822とB´_MOS34が配置されている回路パターン842との間の基板40内に第2低熱伝導層421が設けられている。
本実施形態では、基板40表面と裏面に設けられる回路パターン812、832の熱伝導を低減することで、A_MOS31とB_MOS33との熱干渉を抑制することができる。また、基板40表面と裏面に設けられる回路パターン822、842の熱伝導を低減することで、A´_MOS32とB´_MOS34との熱干渉を確実に抑制することができる。
本発明の第10実施形態は、請求項13及び14に記載の発明の特徴を具現化したものである。図14に示すように、本実施形態の電子制御装置10は、基板40の表面に配置されるA_MOS31とA´_MOS32とが、基板40の裏面に配置されるB_MOS33とB´_MOS34の直下から離れた位置に設けられている。
各MOS31〜34の直下には、それぞれ熱伝導経路手段としてのスルーホール400及び内層パターンが基板40に設けられている。各MOS31〜34の直下設けられる各スルーホール400の間には、第9〜第11熱伝導抑制部43、44、45が設けられている。第9〜第11熱伝導抑制部43、44、45は、第6実施形態で説明した第7、第8熱伝導抑制部41、42と同じく、基板を形成している樹脂である。熱伝導抑制部43、44、45の設けられている個所には、内層パターンを設けていない。基板を形成する樹脂は、熱抵抗が大きいので、各回路パターン812、832、822、842の間の熱伝導が低減する。このため、各MOS31〜34の間の熱干渉を防止することができる。
さらに、各MOS31〜34の直下にスルーホール400及び内層パターンからなる熱伝導経路手段を設けることで、放熱性を高めることができる。
本発明の第11実施形態では、図15に示すように、電子制御装置11は、各MOS31〜34の直下に設けられる各スルーホール400及び内層パターンの間に、それぞれ第2低熱伝導層431、441、451を設けている。この第2低熱伝導層431、441、451は、第4実施形態及び第9実施形態で説明した第1低熱伝導層912、922、932、942、及び第2低熱伝導層411、421と同様の材料から形成される。
本実施形態では、基板40表面と裏面に設けられる回路パターン812、822、832、842の熱伝導を低減することで、各MOS31〜34の熱干渉を確実に抑制することができる。さらに、各MOS31〜34の直下に熱伝導経路手段を設けることで、各MOS31〜34の発する熱を短い距離で基板40の反対側へ放熱することができる。
本発明の第12実施形態では、図16に示すように、電子制御装置12は、基板40の表面側への放熱量を大きくし、基板40の裏面側の放熱量を小さくしている。
A_MOS31及びA´_MOS32は、基板40の表面側に設けられ、B_MOS33及びB´_MOS34は、基板40の裏面側に設けられている。
A_MOS31及びA´_MOS32の基板40側には、低熱伝導部材308が設けられている。A_MOS31及びA´_MOS32のリード311及び側面放熱板361は、低熱伝導部材308の基板40側の端部よりも基板40側へ延びているので、基板40とA_MOS31及びA´_MOS32との間に空間が形成されている。また、A_MOS31及びA´_MOS32の実装されている回路パターン812、822と、B_MOS33及びB´_MOS34の実装されてる回路パターン832、842との間には、第2低熱伝導層411、421が設けられている。
このため、A_MOS31及びA´_MOS32の発する熱は、A_MOS31及びA´_MOS32の放熱板304から、A_MOS31及びA´_MOS32の基板40と反対側に放熱される。
本実施形態では、基板40の表面側に取り付けられる図示しない上ケースへの放熱を主体とし、基板40の表面側のみに図示しない放熱ゲルを塗布することで、放熱ゲルの量及び加工費を低減することができる。
本発明の第13実施形態は、請求項15及び16に記載の発明の特徴を具現化したものである。図17に示すように、本実施形態の電子制御装置13は、回路パターン832、842と内層パターン850との間に第1高熱伝導層46を有している。また、複数のスルーホール400の間に第2高熱伝導層47を有している。
回路パターン832、842、内層パターン850、第1高熱伝導層46、スルーホール400及び第2高熱伝導層47は、熱伝導経路手段を構成している。
(A)熱硬化性樹脂としては、半導体封止用樹脂として用いられるものが特に制限なく使用することができ、例えば、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、BTレジン、フェノール樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、エポキシ基を2個以上有するビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などである。
(B)高熱伝導フィラーとしては、半導体封止用樹脂組成物に用いられるものが特に制限なく使用することができ、例えば、結晶性シリカ、酸化ベリリウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、ダイヤモンド、炭化ケイ素、炭化チタニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタニウム、窒化アルミニウム、ホウ化ジルコニウム、ケイ化モリブデン、グラファイト、ホウ化リン、硫化ベリリウム等あるいはそれらの複合セラミックスの粉末が、単独又は2種以上混合して使用できる。このほかに、金属の粉末、例えば、プラスチック絶縁金属粉等も挙げられる。
また、無機質フィラーとしては、Al2O3、AlN、SiC、Si3N4、MgO、SiV2、BNから選ばれた少なくとも1種の粉末を主成分として含むものが好ましい。これらは熱伝導性や絶縁性に優れており、高い放熱性を持つ基板を形成することが可能になる。
高熱伝導性樹脂は、樹脂の中に熱伝導率の高い金属や無機セラミックスのフィラを混合するなどの方法でつくることができる。
樹脂自体の熱伝導率が高い樹脂としては、一例として、エポキシ樹脂モノマとして4−(オキシラニルメトキシ)ベンゾイックアシッド−4,4‘−[1、8−オクタンジイルビス(オキシ)]ビスフェノールエステルを、エポキシ樹脂用硬化剤として4,4’−ジアミノジフェニルメタンを用いた樹脂がある。
本発明の第14実施形態は、請求項17及び18に記載の発明の特徴を具現化したものである。図18に示すように、本実施形態の電子制御装置14は、上ケース501と基板40との間に放熱ゲル61が充填されている。放熱ゲル61は、MOS31〜34の発する熱を上ケース501へ伝導する。上ケース501に伝導された熱は外気等へ放出される。
上ケース501は、例えばアルミ板又は亜鉛鉄板等から形成され、MOS31、33と、MOS33、34との間で、基板40側へ突出する突出部53を有する。突出部53は、放熱ゲル61の移動を抑制することができる。また、突出部53は、上ケース501の表面積を大きくすることで、放熱性を高めることができる。さらに、突出部53は、上ケース501の剛性を高め、歪みを防止することができる。
本発明の第15実施形態は、請求項19に記載の発明の特徴を具現化したものである。図19に示すように、本実施形態の電子制御装置15は、上ケース501と基板40との間に放熱ゲル61が充填されている。下ケース51と基板40との間に放熱ゲル60が充填されている。また、基板40のスルーホール400内に放熱ゲル62が充填されている。
このため、MOS31〜34の発する熱は、放熱ゲル60〜62によって、上ケース501と下ケース51へ伝導する。上ケース501と下ケース51へ伝導された熱は外気等へ放出される。したがって、電子制御装置15は、放熱性を高めることができる。
本発明の第16実施形態は、請求項20に記載の発明の特徴を具現化したものである。図20に示すように、本実施形態の電子制御装置16は、下ケース511がアルミダイカストから形成されている。また、下ケース511は、MOS31、33と、MOS33、34との間に、基板40側へ突出する突出部54を有している。突出部54は、放熱ゲル60の移動を抑制することができる。
スルーホール400の内側には、はんだ48が充填され、基板40の裏面側から表面側への放熱ゲル60の移動を制限している。
本実施形態では、下ケース511をアルミダイカストから形成することで、下ケース511の熱容量を大きくし、放熱性を高めることができる。
本発明の第17実施形態を図21に示す。本実施形態の電子制御装置17は、上ケース502と基板40との間に放熱ゲル61が充填されている。下ケース511と基板40との間に放熱ゲル60が充填されている。また、基板40のスルーホール400内に放熱ゲル62が充填されている。
このため、MOS31〜34の発する熱は、放熱ゲル60〜62によって、上ケース501と下ケース51へ伝導する。上ケース501下ケース51へ伝導された熱は外気等へ放出される。したがって、電子制御装置17は、放熱性を高めることができる。
本発明の第18実施形態を図20に示す。本実施形態の電子制御装置18は、上ケース503と下ケース511がアルミダイカストから形成されている。
上ケース503と基板40との間に放熱ゲル61が充填されている。下ケース511と基板40との間に放熱ゲル60が充填されている。また、基板40のスルーホール400内に放熱ゲル62が充填されている。
このため、MOS31〜34の発する熱は、放熱ゲル60〜62によって、上ケース503と下ケース51へ伝導する。
本実施形態では、上ケース503と下ケース511をアルミダイカストから形成することで、上ケース503と下ケース511の熱容量を大きくし、放熱性を高めることができる。
本発明の第19実施形態は、請求項21に記載の発明の特徴を具現化したものである。また、第19実施形態の電子制御装置19は、第7実施形態の電子制御装置7に上ケース504、下ケース512及び放熱ゲル601、602、611、612を取り付けたものである。本実施形態は、例えば33A以上の電流を使用する電子制御装置19に適用される。
上ケース504及び下ケース512は、例えばアルミ板又は亜鉛鉄板等から形成され、小型、軽量化が図られている。また、基板40のスルーホール400の内側には、はんだ48が充填されている。
放熱ゲル611、612、601、602は、各MOS31〜34に対応して充填され、上ケース504の突出部53、及び下ケース512の突出部55によって移動が制限されている。
本実施形態では、各MOS31〜34の間の熱伝導を低減することで、各MOS31〜34の熱干渉を抑制することができる。また、放熱ゲル611、612、601、602の充填、及びはんだ48を含む熱伝導経路手段により、放熱性を高めることができる。
本発明の第20実施形態を図24に示す。第20実施形態は、第13実施形態の電子制御装置13に上ケース504、下ケース512及び放熱ゲル601、602、611、612を取り付けたものである。本実施形態は、例えば65A以上の電流を使用する電子制御装置20に適用される。
上ケース504は、例えばアルミ板又は亜鉛鉄板等から形成され、小型、軽量化が図られている。下ケース513は、アルミダイカストから形成されている。また、基板40のスルーホール400には、はんだ48が充填されている。
A_MOS31の発する熱を放熱する放熱ゲル613と、A´_MOS32の発する熱を放熱する放熱ゲル614と、B_MOS33の発する熱を放熱する放熱ゲル603と、B´_MOS34の発する熱を放熱する放熱ゲル604とは、各MOS31〜34の放熱板304に設けられた凹凸によって移動が規制されている。
さらに、各MOS31〜34の間の熱伝導は、第2低熱伝導層411、421及び低熱伝導部材308等によって低減され、各MOS31〜34の熱干渉が抑制されている。
このように、電子制御装置の適用される条件により、放熱ゲルの量及び場所を変えることで、放熱経路を設定し、設計の自由度を高めることができる。また、放熱ゲルの使用量を低減し、コストを削減することができる。
本発明の第21実施形態を図25に示す。第21実施形態の電子制御装置21は、第11実施形態の電子制御装置11に上ケース505、下ケース514及び放熱ゲル60、61、62を取り付けたものである。本実施形態は、例えば80A以上の電流を使用する電子制御装置21に適用される。
上ケース505及び下ケース514は、アルミダイカストから形成されている。また、基板40のスルーホール400には、放熱ゲル62が充填されている。基板40と上ケース505との間、基板40と下ケース514との間には、放熱ゲル61、60が充填されている。
一方、B_MOS33及びB´_MOS34の発する熱は、放熱ゲル60を経由して下ケース514へ放熱されると共に、回路パターン831、842、スルーホール400及び放熱ゲル62、61を経由して上ケース505へ放熱される。
さらに、各MOS31〜34の間の熱伝導は、第2低熱伝導層431、441、451よって低減され、各MOS31〜34の熱干渉が抑制されている。
本発明の第22実施形態は、請求項22に記載の発明の特徴を具現化したものである。図26に示すように、本実施形態の電子制御装置22は、上ケース520が高熱伝導樹脂から形成されている。高熱伝導樹脂の材質については、例えば第13実施形態で第1、第2高熱伝導層として例示した材質を適用することができる。
上ケース520と基板40との間に放熱ゲル60が充填されている。下ケース515は、樹脂から形成されている。上ケース520と下ケース515との接続は、下ケース515の端部に設けられた爪517が上ケース515に係止されることで行われる。
スルーホール400の内側には、はんだ48が充填され、基板40の表面側から裏面側への放熱ゲル60の移動を制限している。
本実施形態では、上ケース520を高熱伝導樹脂から形成し、下ケース515を樹脂から形成することで、放熱性を高めると共に、上ケース520及び下ケース515を軽量にすることができる。また、ケースの形成加工が容易となるので、製造コストを削減することができる。
本発明の第23実施形態は、請求項23に記載の発明の特徴を具現化したものである。図27に示すように、本実施形態の電子制御装置23は、樹脂又は高熱伝導樹脂からなる上ケース521の内部に金属プレート56がモールドされている。金属プレート56は、例えばアルミ等から形成され、一方の側面がMOS31〜34側に露出している。
金属プレート56の厚み及び体積をMOS31〜34に通電される電流値に応じて設定することで、金属プレート56の熱容量を、各MOS31〜34の発する放熱量に適応したものとすることができる。したがって、本実施形態では、上ケース521に埋設された金属プレート56により、MOS31〜34の発する熱を高効率に放熱することができる。
本発明の第24実施形態は、請求項24に記載の発明の特徴を具現化したものである。図28に示すように、本実施形態の電子制御装置24は、金属プレート57がMOS31〜34の上面及び側面を囲うように設けられ、MOS31〜34側に露出する面積を大きくしている。MOS31〜34と金属プレート57との間には放熱ゲル60が充填されている。したがって、本実施形態では、金属プレート57の熱伝導効率を高め、MOS31〜34の上面及び側面から発せられる熱を高効率に伝導することができる。
本発明の第25実施形態は、請求項25に記載の発明の特徴を具現化したものである。図29に示すように、本実施形態の電子制御装置25は、第1の金属プレート561及び第2の金属プレート562は、各MOS31〜34毎に、基板40と反対側に設けられている。第1の金属プレート561及び第2の金属プレート562は、樹脂からなる上ケース523に個別にモールドされている。このため、第1の金属プレート561と第2の金属プレート562との間には、熱干渉抑制部524が設けられている。熱干渉抑制部524は、上ケース523を形成している樹脂からなる。一般に樹脂は熱抵抗が大きいので、第1の金属プレート561と第2の金属プレート562との熱伝導を抑制することができる。また、熱干渉抑制部524に第4、9、11実施形態で説明した低熱伝導層を設けてもよい。この構成により、各MOS31〜34の発する熱が放熱ゲル60、第1の金属プレート561、及び第2の金属プレート562を熱伝導し、互いに熱干渉することを抑制することができる。
なお、第1の金属プレート561及び第2の金属プレート562を、第24実施形態のごとく、対応する各MOSを囲う形状にしてもよい。こうすることで、第1の金属プレート561及び第2の金属プレート562の熱伝導効率を高めると共に、各MOSの熱干渉を抑制することができる。
本発明の第26実施形態は、請求項26に記載の発明の特徴を具現化したものである。図30に示すように、本実施形態の電子制御装置26は、金属プレート574の端部が上ケース525の外部へ露出している。この露出面572を例えばステアリングシャフトのコラム100等にビス521等により接続することで、MOS31〜34の発する熱を金属プレート574から外部の熱容量の大きいコラム100等へ放熱することができる。これにより、放熱性を向上することができる。
本発明の第27実施形態は、請求項27に記載の発明の特徴を具現化したものである。図31に示すように、本実施形態の電子制御装置27は、上ケース526にモールドされる金属プレート563の一方の側面がMOS31〜34側へ露出し、他方の側面が上ケース526のMOS31〜34とは反対側に露出している。金属プレート563の他端は、例えばステアリングのコラム軸101等に接続している。なお、金属プレート563とコラム軸101との間の熱伝導効率を高めるため、放熱ゲル63が塗布されている。
この構成により、MOS31〜34の発する熱は、放熱ゲル60、金属プレート563及び放熱ゲル63を経由し、熱容量の大きいコラム軸101へ直接放熱される。MOS31〜34とコラム軸101との距離を短くすることで、MOS31〜34の発する熱を基板40とは反対側へ直接放熱することができる。
本発明の第28実施形態は、請求項28に記載の発明の特徴を具現化したものである。図32に示すように、本実施形態の電子制御装置28は、金属プレート58が基板40の表側に配置されるA_MOS31、A´_MOS32と、裏面に配置されるB_MOS33、B´_MOS34とを囲うように設けられている。本実施形態では、MOS31〜34を実装した基板40とケース527との組付けは、図32の紙面手前側から奥側へ向かって、又は紙面奥側から手前側へ向かって、MOS31〜34を実装した基板40をケース527内へ挿入することで行われる。
基板40の表側に配置されるA_MOS31、A´_MOS32に対応する金属プレートと、裏面に配置されるB_MOS33、B´_MOS34に対応する金属プレートとを一体に形成し、略コの字形に形成することで、各MOS31〜34の発する熱を高効率に放熱することができる。また、金属プレート58をケース527にモールドすることで、ケース527の剛性を高めることができる。
また、金属プレート58を筒状に形成し、ケース527の剛性、放熱性をさらに高めてもよい。
上述した複数の実施形態では、EPSのモータを制御する電子制御装置について説明した。これに対し、本発明の電子制御装置は、例えばバルブの開閉タイミングを切り替えるVVT(Variable Valve Timing)等を制御する電子制御装置であってもよい。
上述した複数の実施形態では、樹脂を含む樹脂基板として、FR−4を例に説明した。これに対し、本発明に用いられる樹脂基板は、FR−5、CEM−3等のリジット基板、又は、フレキシブル基板等であってもよい。
上述した複数の実施形態では、半導体素子としてパワーMOSFETを例に説明した。これに対し、本発明に用いられる半導体素子は、FET(Field Effect Transistor)、SBD(Schottky Barrier Diode)、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)等であってもよい。
このように、本発明は、上記実施形態に限ることなく、特許請求の範囲の記載を逸脱しない範囲で、種々の実施形態とすることが可能である。
Claims (28)
- 基板と、
前記基板に設けられる複数の回路パターンと、
前記回路パターンに実装される複数の半導体素子と、
前記回路パターンと前記半導体素子とを電気的及び機械的に接続するリードと、
第1の半導体素子を設置する前記回路パターンと第2の半導体素子を設置する前記回路パターンとの間で、前記半導体素子の発する熱の伝導を抑制可能な熱伝導抑制部とを備えることを特徴とする電子制御装置。 - 前記熱伝導抑制部は、前記第1の半導体素子に接続する前記リードと前記第2の半導体素子を設置する前記回路パターンとの間に設けられることを特徴とする請求項1に記載の電子制御装置。
- 複数の前記半導体素子は、同時に通電される前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが対角状に配置されることを特徴とする請求項1または2に記載の電子制御装置。
- 前記熱伝導抑制部は、前記基板の厚さ方向に凹む溝部を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- 前記熱伝導抑制部は、熱伝導率の小さい第1低熱伝導層を前記溝部内に有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- 複数の前記半導体素子は、同時に通電される前記第1の半導体素子及び前記第2の半導体素子が前記基板の表面に配置され、同時に通電される第3の半導体素子及び第4の半導体素子が前記基板の裏面に配置されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- さらに、前記基板表面及び前記基板内部に設けられ、前記半導体素子の発する熱を伝導する熱伝導経路手段を備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- 前記熱伝導経路手段は、前記基板の表面と裏面とを連通し、端部を前記回路パターンと接続するスルーホールを有することを特徴とする請求項7に記載の電子制御装置。
- 前記半導体素子は、熱伝導率の小さい低熱伝導部材を前記基板側に有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- 前記リードは、前記半導体素子よりも前記基板側へ延びることで、前記基板と前記半導体素子との間に空間を形成することを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- さらに、前記基板の表面及び裏面に配置される複数の前記半導体素子の発する熱の伝導を低減する第2低熱伝導層を前記基板内部に備えることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- 前記第2低熱伝導層は、前記基板の延びる方向に延びることを特徴とする請求項11に記載の電子制御装置。
- 前記基板の表面に配置される前記半導体素子は、前記基板の裏面に配置される前記半導体素子の直下から離れた位置に設けられることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- 前記熱伝導経路手段は、前記基板の表面又は裏面に配置される前記半導体素子の直下に設けられることを特徴とする請求項7〜13のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- 前記熱伝導経路手段は、前記基板の表面に設けられる前記回路パターンと、前記基板の内部に設けられる内層パターンとの間に第1高熱伝導層を有することを特徴とする請求項7〜14のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- 前記熱伝導経路手段は、複数設けられるスルーホールの間に第2高熱伝導層を有することを特徴とする請求項7〜15のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- さらに、前記半導体素子と、この半導体素子を保護するケースとの間に設けられ、前記半導体素子の発する熱を前記ケースへ伝導する放熱ゲルを備えることを特徴とする請求項1〜16のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- 前記ケースは、前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子との間で、前記基板側へ突出する突出部を有することを特徴とする請求項17に記載の電子制御装置。
- 前記放熱ゲルは、前記基板の表面側と裏面側とに充填されることを特徴とする請求項17又は18に記載の電子制御装置。
- 前記ケースは、アルミダイカストから形成されることを特徴とする請求項17〜19のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- 前記放熱ゲルは、複数の前記半導体素子に対応し個別に充填されることを特徴とする請求項17〜20のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- 前記ケースは高熱伝導樹脂から形成されることを特徴とする請求項17〜21のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- さらに、前記ケースと一体で設けられ、一方の側面が前記半導体素子側へ露出する金属プレートを備えることを特徴とする請求項17〜22のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- 前記金属プレートは、前記半導体素子の上面及び側面を囲うように設けられることを特徴とする請求項22に記載の電子制御装置。
- 前記金属プレートは、複数の前記半導体素子毎に設けられ、
前記第1の半導体素子に対応する第1の金属プレートと、前記第2の半導体素子に対応する第2の金属プレートとの間に熱干渉抑制部が設けられることを特徴とする請求項23又は24に記載の電子制御装置。 - 前記金属プレートは、端部が前記ケースの外部へ露出していることを特徴とする請求項23〜25のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- 前記金属プレートは、他方の側面が前記ケースの前記半導体素子とは反対側へ露出していることを特徴とする請求項23〜26のいずれか一項に記載の電子制御装置。
- 前記金属プレートは、前記基板の表側に配置される前記半導体素子の上面及び側面と、裏面に配置される前記半導体素子の上面及び側面とを囲うように設けられることを特徴とする請求項23〜26のいずれか一項に記載の電子制御装置。
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