JP6418041B2 - 電子制御装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子制御装置に関する。

従来、モータの駆動を制御する電子制御装置が知られている。例えば、特許文献１では、半導体モジュールから露出する第２金属板と、放熱体から半導体モジュール側に突出する第２特定形状部との間には、第２熱伝導部材が挟み込まれるようにして設けられる。

特開２０１４−１５４７４５号公報

電子部品間の仕切り等がない状態にて、複数の電子部品が設けられる箇所の全体に放熱ゲルを配置する場合、塗布状態によっては放熱ゲル内部に空気を巻き込んでしまい、放熱性が悪化する虞がある。また、放熱ゲルが空気を巻き込まないようにするには、塗布形状を工夫したり、放熱ゲルを大量に使用したりする必要がある。
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、放熱部材を適切に配置可能な電子制御装置を提供することにある。

本発明の電子制御装置は、基板と、３つ以上の発熱素子と、ヒートシンクと、放熱部材と、を備える。
発熱素子は、基板に実装される。ヒートシンクは、発熱素子の熱を放熱可能に設けられる。放熱部材は、発熱素子とヒートシンクとの間であって、それぞれの発熱素子の実装箇所を含む放熱領域に設けられる。
少なくとも３つの発熱素子に対応する放熱領域に設けられる放熱部材で取り囲まれた箇所には、放熱部材が配置されない間隙部が形成される。間隙部は、空気溜まりを有する。

本発明では、発熱素子の放熱に寄与しない領域である非放熱領域を、敢えて放熱部材がない間隙部とすることで、放熱領域に空気溜まりができるのを抑制する。これにより、放熱部材が適切に配置され、放熱領域に空気溜まりができることによる放熱効率の低下を抑制することができる。

本発明の第１実施形態による電子制御装置の平面図である。 本発明の第１実施形態による基板のヒートシンク側の面を示す平面図である。 図１のＩＩＩ−Ａ１−Ａ２−Ａ３−Ａ４−ＩＩＩ線断面図である。 本発明の第１実施形態による放熱領域および非放熱領域を説明する模式図である。 本発明の第１実施形態による放熱ゲルの塗布方法を説明する説明図である。 本発明の第１実施形態による電動パワーステアリング装置を説明する模式図である。 本発明の第１実施形態による電子制御装置の電気的な構成を示す図である。 本発明の第２実施形態による電子制御装置の平面図である。 本発明の第２実施形態による基板のヒートシンク側の面を示す平面図である。 図８のＸ−Ｂ１−Ｂ２−Ｂ３−Ｂ４−Ｘ線断面図である。 本発明の第２実施形態による放熱領域および非放熱領域を説明する模式図である。 本発明の第２実施形態による電子制御装置の電気的な構成を示す図である。 本発明の第３実施形態による放熱領域および非放熱領域を説明する模式図である。 参考例による放熱領域を説明する模式図である。

以下、本発明による電子制御装置を図面に基づいて説明する。以下、複数の実施形態において、実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態を図１〜図７に基づいて説明する。
図６に示すように、本実施形態の電子制御装置１は、車両の電動パワーステアリング装置１００に適用され、操舵トルク信号および車速信号等に基づき、運転者による操舵を補助するアシストトルクを発生するモータ１０１の駆動を制御する。本実施形態のモータ１０１は、ブラシ付きの直流モータである。電子制御装置１とモータ１０１とは、ハーネス１０３により接続され、電子制御装置１とバッテリ１０２とは、ハーネス１０４により接続される。

図１〜図３に示すように、電子制御装置１は、基板１０、スイッチング素子２１〜２４、シャント抵抗２５、リレー４１、４２、コンデンサ５１〜５３、コイル５５、制御部６０（図７参照）、ヒートシンク７０、および、放熱部材として放熱ゲル７９等を備える。なお、図３において、基板１０に実装される各電子部品のハッチングは省略した。

まず、電子制御装置１の回路構成について、図７に基づいて説明する。なお、モータ１０１は、電子制御装置１の外部に設けられるが、図７では便宜上、内部に記載した。図１２も同様である。
スイッチング素子２１〜２４は、制御部６０からの制御信号に基づいてオンオフ作動が制御される。制御部６０は、スイッチング素子２１〜２４のオンオフ作動を制御することにより、モータ１０１の駆動を制御する。本実施形態では、スイッチング素子２１〜２４は、いずれもＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）であるが、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）等としてもよい。

スイッチング素子２１〜２４は、Ｈブリッジ接続される。詳細には、スイッチング素子２１、２３が直列に接続され、スイッチング素子２２、２４が直列に接続される。また、直列に接続されるスイッチング素子２１、２３と、スイッチング素子２２、２４とが並列に接続される。
高電位側に接続されるスイッチング素子２１、２２の接続点は、電源リレー４１およびコイル５５を経由して、バッテリ１０２の正極と接続される。低電位側に接続されるスイッチング素子２３、２４の接続点は、シャント抵抗２５を経由してバッテリ１０２の負極と接続される。
スイッチング素子２１、２３の接続点と、スイッチング素子２２、２４の接続点の間には、モータリレー４２、および、モータ１０１が接続される。
本実施形態では、電源リレー４１およびモータリレー４２は、機械的に構成されるメカリレーである。

シャント抵抗２５は、モータ１０１に通電される電流を検出する。
コンデンサ５１〜５３は、例えばアルミ電解コンデンサであり、バッテリ１０２と並列に接続され、電荷を蓄えることにより、スイッチング素子２１〜２４への電力供給を補助したり、サージ電圧などのノイズ成分を抑制したりする。
コイル５５は、例えばチョークコイルであり、バッテリ１０２と電源リレー４１との間に接続され、ノイズを低減する。

制御部６０は、マイコン６１およびカスタムＩＣ６２を有する（図１〜図３参照）。マイコン６１およびカスタムＩＣ６２は、例えばＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭおよびＩ／Ｏ等を有する半導体パッケージである。制御部６０は、リレー４１、４２、スイッチング素子２１〜２４の作動を制御する。制御部６０は、車両の各部に設けられたセンサ類からの信号等に基づき、スイッチング素子２１〜２４の作動を制御することにより、モータ１０１の回転駆動を制御する。

図１〜図３に示すように、スイッチング素子２１〜２４、シャント抵抗２５、リレー４１、４２、コンデンサ５１〜５３、コイル５５、マイコン６１、および、カスタムＩＣ６２等は、基板１０に実装される。本実施形態では、基板１０のヒートシンク７０側の面を第１面１１、ヒートシンク７０と反対側の面を第２面１２とする。基板１０の第２面１２側には、モータ１０１およびバッテリ１０２との接続に用いられるコネクタ３が固定される。

基板１０は、例えばガラス繊維とエポキシ樹脂からなるＦＲ−４等のプリント配線板であり、略矩形に形成される。基板１０には、孔部１３が形成される。孔部１３には、図示しないねじ等の固定部材が挿入され、固定部材により、基板１０がヒートシンク７０に固定される。また、本実施形態では、基板１０を２つの領域に分け、図１および図２中の２点鎖線Ｌｂの一方側の領域をパワー領域Ｒｐ、他方側の領域を制御領域Ｒｃとする。

パワー領域Ｒｐの第１面１１には、スイッチング素子２１〜２４、および、シャント抵抗２５が実装され、第２面１２には、電源リレー４１、モータリレー４２、コンデンサ５１〜５３、および、コイル５５が実装される。
制御領域Ｒｃの第１面１１には、カスタムＩＣ６２が実装され、第２面１２にはマイコン６１が実装される。

本実施形態では、大電流が通電されるパワー部品であるスイッチング素子２１〜２４、シャント抵抗２５、リレー４１、４２、コンデンサ５１〜５３、および、コイル５５がパワー領域Ｒｐに実装され、大電流が通電されない制御部品であるマイコン６１およびカスタムＩＣ６２が制御領域Ｒｃに実装される。マイコン６１およびカスタムＩＣ６２を、パワー領域Ｒｐとは異なる領域である制御領域Ｒｃに実装することで、スイッチング素子２１〜２４等のパワー部品に大電流が通電されることによるノイズの影響を低減することができる。

ヒートシンク７０は、アルミ等の熱伝導性のよい材料により全体として略板状に形成される。ヒートシンク７０の放熱部７１には、基板１０の第１面１１に実装されるスイッチング素子２１〜２４およびシャント抵抗２５が、放熱ゲル７９を介して放熱可能に設けられる。本実施形態では、スイッチング素子２１〜２４およびシャント抵抗２５が「発熱素子」に対応し、以下適宜、スイッチング素子２１〜２４およびシャント抵抗２５を「発熱素子２１〜２５」という。

放熱ゲル７９は、ヒートシンク７０の放熱部７１に点状或いは線状といった形状に塗布され、ヒートシンク７０と基板１０とで挟み込むことで塗布形状に応じた領域に広がる。ここで、「点状塗布」とは、１回の塗布時に放熱ゲル７９の塗布に用いるディスペンサ等を塗布面上にて移動させずに塗布することを意味するものであって、放熱ゲル７９が塗布される塗布形状は、厳密な点状ではなく、略円形となる。また、「線状塗布」とは、１回の塗布時にディスペンサ等を塗布面上にて移動させて塗布することを意味するものであって、放熱ゲル７９の塗布形状は、厳密な線状ではない。例えば直線状にディスペンサ等を動かして塗布した場合の塗布形状は、略長円形となる。線状塗布では、直線状に限らず、例えば弧状等としてもよい。

ヒートシンク７０に基板１０が組み付けられると、ヒートシンク７０に塗布された放熱ゲル７９は、ヒートシンク７０と基板１０とで挟み込まれることで、塗布形状および塗布量に応じた領域に広がる。具体的には、点状に塗布された放熱ゲル７９は、基板１０とヒートシンク７０との間で、略円形の領域に広がる。また、直線状に塗布された放熱ゲル７９は、基板１０とヒートシンク７０との間で、楕円形や長円形の領域に広がる。また、放熱ゲル７９の塗布量が多いほど、基板１０とヒートシンク７０との間にて放熱ゲル７９が広がる領域は、大きくなる。本実施形態では、発熱素子２１〜２５のそれぞれに対応する放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２５に亘って放熱ゲル７９が広がるように、放熱ゲル７９を塗布する。

ここで、発熱素子２１〜２５、および、放熱ゲル７９の配置について説明する。
図１４に示す参考例のように、発熱素子２１〜２５を含む放熱領域Ｈ２０の全体に放熱ゲルを配置する場合、塗布状態によっては、ゲルの内部に空気が巻き込まれて空気溜まりが形成されることがある。スイッチング素子２１〜２４の直下に空気溜まりが形成されると、放熱性が悪化する。そのため、意図しない箇所に空気溜まりができないように工夫した塗布方法としたり、多量のゲルを用いたりする必要があり、工数やコストがかかる。

そこで本実施形態では、放熱に寄与しない領域を非放熱領域として予め設定し、非放熱領域には放熱ゲル７９を配置しない。換言すると、非放熱領域については、空気が存在してもよい空間、とする。
まず、放熱ゲル７９の配置を図４および図５に基づいて説明する。図４および図５は、基板１０およびヒートシンク７０において、発熱素子２１〜２５の放熱に係る部分を模式的に示しており、図２の実装箇所とは必ずしも一致しない。

図４に示すように、放熱領域Ｈ２１は、スイッチング素子２１が配置される領域を含み、スイッチング素子２１の放熱に寄与する領域である。同様に、放熱領域Ｈ２２〜Ｈ２４は、スイッチング素子２２〜２４が配置される領域を含み、スイッチング素子２２〜２４の放熱に寄与する領域である。放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２４には、放熱ゲル７９が配置される。

図５（ａ）に示すように、ヒートシンク７０上であって、スイッチング素子２１〜２４が実装される箇所の略中心に、放熱ゲル７９を点状塗布する。放熱ゲル７９の塗布量は、放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２４に亘って広がり、かつ、間隙部８１が残る程度とする。図５（ｂ）のように基板１０を組み付けると、放熱ゲル７９はヒートシンク７０と基板１０とに挟まれ、放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２４に亘って略円形に広がる。本実施形態では、放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２４が同等であるので、放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２４の略中心に間隙部８１が形成される。間隙部８１は、取り囲む放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２４の形状が同等であれば、中心となるが、形状や面積によっては、必ずしも中心とはならず、ゲルの塗布量や塗布形状をコントロールすることで所望の箇所に間隙部８１形成可能である。

図４に示すように、本実施形態では、スイッチング素子２１〜２４の放熱に積極的に寄与しない非放熱領域Ｎ１となる箇所と予め設定しておき、非放熱領域Ｎ１が間隙部８１に位置するように、部品配置線Ｓ１を設定する。放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２４が同等の円形であれば、部品配置線Ｓ１は円形となる。そして、スイッチング素子２１〜２４が部品配置線Ｓ１上となるように、基板１０上におけるスイッチング素子２１〜２４の実装箇所を決定する。
そして、スイッチング素子２１〜２４の略中心に放熱ゲル７９を塗布し、基板１０とヒートシンク７０とを組み付けることで、放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２４に放熱ゲル７９が広がる。また、放熱ゲル７９が広がる放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２４で囲まれる箇所には、間隙部８１が形成される。間隙部８１は、部品配置線Ｓ１の内側であって、放熱ゲル７９にて外縁が規定される空間である。

図４（ｂ）に示すように、放熱領域Ｈ２５は、シャント抵抗２５が配置される領域を含み、シャント抵抗２５の放熱に寄与する領域であって、放熱ゲル７９が配置される。本実施形態では、放熱領域Ｈ２５は楕円形状とする。また、放熱領域Ｈ２１、Ｈ２２、Ｈ２５の放熱に積極的に寄与しない箇所を非放熱領域Ｎ２とする。放熱領域Ｈ２５が楕円形状であるので、非放熱領域Ｎ２を中心とする部品配置線Ｓ２を楕円形とする。また、部品配置線Ｓ２を長径で２分割した一側にシャント抵抗２５を配置し、他側にスイッチング素子２１、２２を配置する。これにより、基板１０とヒートシンク７０とを組み付けると、放熱領域Ｈ２１、Ｈ２２、Ｈ２５に放熱ゲル７９が広がる。また、放熱ゲル７９が広がる放熱領域Ｈ２１、Ｈ２２、Ｈ２５で囲まれる箇所には、間隙部８２が形成される。間隙部８２は、部品配置線Ｓ２の内側であって、放熱ゲル７９にて外縁が規定される空間である。

間隙部８１、８２には、放熱ゲル７９が広がらず、空気溜まりとなる箇所が確保される。換言すると、本実施形態では、放熱に寄与する領域である放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２５に空気溜まりができないように、敢えて非放熱領域Ｎ１、Ｎ２に空気溜まりを積極的に設けている、と捉えることもできる。これにより、放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２５に空気溜まりができることによる放熱性の悪化を抑制することができる。
なお、図４では、説明の都合上、放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２５を分けて記載し、重複箇所があるが、実際には、放熱ゲル７９は、基板１０とヒートシンク７０とで挟み込まれたとき、一点鎖線で囲まれた箇所に一体的に広がる。図１１および図１３についても同様である。

図１〜図４に示すように、ヒートシンク７０の間隙部８１に対応する箇所には、台座部７４が設けられる。台座部７４は、ヒートシンク７０の放熱部７１において基板１０側に突出して設けられ、基板１０の第１面１１と当接する。台座部７４は、ヒートシンク７０の形状に応じ、基板１０と台座部７４とが当接した状態にて、発熱素子２１〜２５がヒートシンク７０に当接しない高さに形成される。本実施形態のように、放熱部７１が均一な高さであれば、台座部７４の高さは、発熱素子２１〜２５の高さより大きく形成される。これにより、発熱素子２１〜２５とヒートシンク７０とが当接することによるショートを防ぐことができる。
なお、スイッチング素子２１、２２、および、シャント抵抗２５の間に位置する間隙部８２に対応する箇所には、台座部が形成されない。

位置決めピン７５は、台座部７４から基板１０側に突出して形成される。また、基板１０には、位置決めピン７５に対応する箇所に、位置決め穴１５が形成される。基板１０とヒートシンク７０とを組み付けるとき、位置決めピン７５は位置決め穴１５に挿入される。これにより、基板１０とヒートシンク７０との組み付け時に、基板１０とヒートシンク７０との位置関係がずれるのを防ぐことができ、組み付けしやすくなる。
ヒートシンク７０に基板１０が組み付けられたとき、位置決めピン７５と基板１０とは、絶縁されていてもよいし、位置決めピン７５と基板１０のグランドパターンとが接続されるようにしてもよい。
なお、図４中では位置決めピン７５および位置決め穴１５の記載を省略した。図１１においても同様である。

本実施形態では、間隙部８１となる空間を有効に活用すべく、間隙部８１に台座部７４を設ける。ここで、放熱ゲル７９の塗布量および台座部７４の大きさによっては、放熱ゲル７９が台座部７４に到達し、間隙部８１に空気溜まりがない状態となっても差し支えない。すなわち、間隙部８１は、放熱ゲル７９に外縁を取り囲まれる空間であって、空気溜まりが存在することが許容されるが、放熱ゲル７９以外の部材がある場合、必ずしも空気溜まりが存在していなくてもよい。

以上詳述したように、本実施形態の電子制御装置１は、基板１０と、３つ以上の発熱素子２１〜２５と、ヒートシンク７０と、放熱ゲル７９と、を備える。
発熱素子２１〜２５は、基板１０に実装される。
ヒートシンク７０は、発熱素子２１〜２５の熱を放熱可能に設けられる。

放熱ゲル７９は、発熱素子２１〜２５とヒートシンク７０との間であって、それぞれの発熱素子２１〜２５の実装箇所を含む放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２５に設けられる。
少なくとも３つの発熱素子２１〜２５に対応する放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２５で取り囲まれた箇所には、放熱ゲル７９が配置されない間隙部８１、８２が形成される。

本実施形態では、発熱素子２１〜２５の放熱に寄与しない領域である非放熱領域Ｎ１、Ｎ２を、敢えて放熱ゲル７９がない間隙部８１、８２とすることで、放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２５に空気溜まりができるのを抑制する。これにより、放熱ゲル７９が適切に配置され、放熱領域Ｈ２１〜Ｈ２５に空気溜まりができることによる放熱効率の低下を抑制することができる。また、全体的に放熱ゲル７９を塗布する場合と比較し、放熱ゲル７９の使用量を低減するとともに、放熱ゲル７９の塗布に要する工数を低減することができる。

ヒートシンク７０には、間隙部８１となる箇所にて基板１０側に突出し、基板１０のヒートシンク７０側の面である第１面１１と当接する台座部７４が形成される。台座部７４と基板１０の第１面１１とが当接した状態にて、発熱素子２１〜２５とヒートシンク７０とが離間している。
基板１０と台座部７４とを当接させることで、基板１０の第１面１１に実装される発熱素子２１〜２５とヒートシンク７０とが当接するのを防ぐことができ、発熱素子２１〜２５とヒートシンク７０とがショートするのを防ぐことができる。間隙部８１に台座部７４を形成することで、間隙部８１となるスペースを有効に活用することができる。

ヒートシンク７０には、間隙部８１となる箇所にて基板１０側に突出する位置決めピン７５が形成される。基板１０には、位置決めピン７５が挿通される位置決め穴１５が形成される。また、位置決めピン７５は、台座部７４から突出して形成される。
これにより、基板１０とヒートシンク７０とが適切に位置決めされるので、組み付けが容易になる。
発熱素子２１〜２５は、基板１０のヒートシンク７０側の面である第１面１１に実装される。これにより、発熱素子２１〜２５が基板１０の第２面１２側に実装されて基板１０を介して放熱させる場合と比較し、発熱素子２１〜２５の熱を高効率にヒートシンク７０に放熱させることができる。

（第２実施形態）
本実施形態の第２実施形態を図８〜図１２に示す。
上記実施形態では、電源リレー４１およびモータリレー４２がメカリレーである。図９および図１２等に示すように、本実施形態の電子制御装置２では、電源リレー４３、４４およびモータリレー４５、４６として半導体素子を用いる。リレー４３〜４６は、スイッチング素子２１〜２４と同様のＭＯＳＦＥＴとするが、ＩＧＢＴ等としてもよい。

図８、図９、および、図１０に示すように、リレー４３〜４６は、基板１０の第１面１１のパワー領域Ｒｐに実装される。リレー４３〜４６は、ヒートシンク７０に対し、放熱ゲル７９を介して放熱可能に設けられる。本実施形態では、スイッチング素子２１〜２４およびシャント抵抗２５に加え、リレー４３〜４６が「発熱素子」に対応する。

図１１に示すように、放熱領域Ｈ４３は、電源リレー４３が配置される領域を含み、電源リレー４３の放熱に寄与する領域である。放熱領域Ｈ４４は、電源リレー４４が配置される領域を含み、電源リレー４４の放熱に寄与する領域である。放熱領域Ｈ４５は、モータリレー４５が配置される領域を含み、モータリレー４５の放熱に寄与する領域である。放熱領域Ｈ４６は、モータリレー４６が配置される領域を含み、モータリレー４６の放熱に寄与する領域である。

本実施形態では、放熱領域Ｈ４３〜Ｈ４６には放熱ゲル７９が点状塗布されるので、放熱領域Ｈ４３〜Ｈ４６は円形となる。放熱領域Ｈ４３〜Ｈ４６に塗布される放熱ゲル７９で囲まれる箇所には、間隙部８３が形成される。また、非放熱領域Ｎ３が間隙部８３内となるように、部品配置線Ｓ３は、非放熱領域Ｎ３を中心とする円形に設定される。そして、部品配置線Ｓ３上にリレー４３〜４６を配置する。

放熱領域Ｈ２１、Ｈ２３、Ｈ４４、Ｈ４６に塗布される放熱ゲル７９で囲まれる箇所には、間隙部８４が形成される。また、非放熱領域Ｎ４が間隙部８４内となるようにする。
間隙部８３、８４は、間隙部８１、８２と同様、空気溜まりが存在することが許容される領域である。
本実施形態では、台座部７４および位置決めピン７５は、間隙部８１、８３の２箇所に形成される。
このように構成しても上記実施形態と同様の効果を奏する。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態を図１３に示す。図１３中においては、基板１０に実装されるスイッチング素子９１〜９６以外の部品の記載を省略している。
本実施形態のモータは、３相ブラシレスモータである。
基板１０の第１面１１には、６つのスイッチング素子９１〜９６が実装される。スイッチング素子９１〜９６は、図示しないモータとバッテリとの間に接続され、バッテリの電力を３相交流に変換して、モータに供給する。

放熱領域Ｈ９１〜Ｈ９６は、それぞれスイッチング素子９１〜９６が配置される領域を含み、スイッチング素子９１〜９６の放熱に寄与する領域である。本実施形態では、放熱領域Ｈ９１〜Ｈ９６には、放熱ゲル７９が点状塗布されるので、放熱領域Ｈ９１〜Ｈ９６は円形となる。
図１３（ａ）に示すように、放熱領域Ｈ９１、Ｈ９２、Ｈ９４、Ｈ９５に塗布される放熱ゲル７９で囲まれる箇所には、間隙部８５が形成される。また、非放熱領域Ｎ５が間隙部８５内となるように、部品配置線Ｓ５が非放熱領域Ｎ５を中心とする円形に設定される。
また、放熱領域Ｈ９２、Ｈ９３、Ｈ９５、Ｈ９６に塗布される放熱ゲル７９で囲まれる箇所には、間隙部８６が形成される。また、非放熱領域Ｎ６が間隙部８６内となるように、部品配置線Ｓ６が非放熱領域Ｎ６を中心とする円形に設定される。そして、部品配置線Ｓ５、Ｓ６上にスイッチング素子９１〜９６を配置する。

また、図１３（ｂ）に示すように、放熱領域Ｈ９１〜Ｈ９６に塗布される放熱ゲル７９にて、１つの間隙部８７が形成されるようにしてもよい。この場合、非放熱領域Ｎ７が間隙部８７内となるように、部品配置線Ｓ７が非放熱領域Ｎ７を中心とする円形に設定され、部品配置線Ｓ７上にスイッチング素子９１〜９６を配置する。
なお、図１３中においては図示していないが、間隙部８５〜８７にも、台座部７４および位置決めピン７５を設け、基板１０の位置決めピン７５に対応する箇所に位置決め穴１５を形成してもよい。
このように構成しても上記実施形態と同様の効果を奏する。

（他の実施形態）
（ア）発熱部品
上記実施形態では、発熱素子は、スイッチング素子またはシャント抵抗である。他の実施形態では、発熱素子は、スイッチング素子またはシャント抵抗以外の基板に実装される電子部品としてもよい。
上記実施形態では、発熱素子であるスイッチング素子またはシャント抵抗は、基板のヒートシンク側の面に実装される。他の実施形態では、発熱素子を、基板のヒートシンクと反対側の面に実装してもよい。

（イ）放熱部材
上記実施形態では、放熱部材は放熱ゲルである。他の実施形態では、放熱部材は、基板とヒートシンクとで挟み込まれることで、放熱領域に亘って広がる性状を有し、発熱素子の熱をヒートシンクに伝達可能なものであれば、どのようなものであってもよい。
上記実施形態では、間隙部は、３つ、４つ、または、６つの発熱素子に対応して塗布される放熱ゲルにて囲まれる箇所である。他の実施形態では、間隙部を囲んで配置される発熱素子の数は、３つ以上であればいくつであってもよい。
第１実施形態では、放熱部材は、ヒートシンク側に塗布され、基板が組み付けられることで基板とヒートシンクとの間に設けられる。他の実施形態では、基板側（詳細には発熱素子が実装される箇所）に放熱部材を塗布した状態にて、基板とヒートシンクとを組み付けてもよい。

（ウ）ヒートシンク
上記実施形態では、台座部と位置決めピンとが一体に形成される。他の実施形態では、台座部と位置決めピンは別体であってもよく、台座部および位置決めピンは、同一の間隙部に形成してもよいし、異なる間隙部に形成してもよい。また、台座部および位置決めピンの少なくとも一方を省略してもよい。
上記実施形態では、ヒートシンクの放熱部は、平らに形成される。他の実施形態では、ヒートシンクの放熱部には、例えばスイッチング素子の形状に応じた凹部等、放熱部材が放熱領域に亘って広がれる程度の段差が形成されていてもよい。なお、スイッチング素子の形状に応じた凹部が形成される場合等、放熱部の形状によっては、台座部の高さは、スイッチング素子とヒートシンクとが当接しない範囲であれば、スイッチング素子よりも低くてもよい。

（エ）基板
上記実施形態では、基板は、パワー領域と制御領域とに分割され、スイッチング素子、シャント抵抗、コンデンサ、および、コイルがパワー領域に実装され、マイコンおよびカスタムＩＣが制御領域に実装される。他の実施形態では、パワー基板をパワー領域と制御領域とに分割しなくてもよい。また、各電子部品は、基板の第１面または第２面のどちら面のどの箇所に実装してもよい。また、基板には、上記以外の部品が実装されていてもよい。

（オ）電子制御装置
上記実施形態では、電子制御装置は、モータの駆動を制御するものであり、ハーネス等でモータと接続される。他の実施形態では、電子制御装置をモータと一体に形成してもよい。上記実施形態では、電子制御装置は、電動パワーステアリング装置に用いられる。他の実施形態では、電子制御装置は、電動パワーステアリング装置に限らず、他の装置のモータの駆動を制御するのに用いてもよいし、モータ以外の装置の制御に用いてもよい。
以上、本発明は、上記実施形態になんら限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。

１、２・・・電子制御装置
１０・・・基板
２１〜２４、９１〜９６・・・スイッチング素子（発熱素子）
２９・・・シャント抵抗（発熱素子）
４３、４４・・・電源リレー（発熱素子）
４５、４６・・・モータリレー（発熱素子）
７０・・・ヒートシンク
７９・・・放熱ゲル（放熱部材）
８１〜８７・・・間隙部

Claims (5)

1. 基板（１０）と、
   前記基板に実装される３つ以上の発熱素子（２１〜２５、４３〜４６、９１〜９６）と、
   前記発熱素子の熱を放熱可能に設けられるヒートシンク（７０）と、
   前記発熱素子と前記ヒートシンクとの間であって、それぞれの前記発熱素子の実装箇所を含む放熱領域に設けられる放熱部材（７９）と、
   を備え、
   少なくとも３つの前記発熱素子に対応する前記放熱領域に設けられる前記放熱部材で取り囲まれた箇所には、前記放熱部材が配置されない間隙部（８１〜８７）が形成され、
   前記間隙部は、空気溜まりを有することを特徴とする電子制御装置。
2. 前記ヒートシンクには、前記間隙部（８１、８３）となる箇所にて前記基板側に突出し、前記基板の前記ヒートシンク側の面（１１）と当接する台座部（７４）が形成され、
   前記台座部と前記基板とが当接した状態にて、前記発熱素子と前記ヒートシンクとが離間していることを特徴とする請求項１に記載の電子制御装置。
3. 前記ヒートシンクには、前記間隙部となる箇所にて前記基板側に突出する位置決めピン（７５）が形成され、
   前記基板には、前記位置決めピンが挿通される位置決め穴（１５）が形成されることを特徴とする請求項２に記載の電子制御装置。
4. 前記位置決めピンは、前記台座部から突出して形成されることを特徴とする請求項３に記載の電子制御装置。
5. 前記発熱素子は、前記基板の前記ヒートシンク側の面（１１）に実装されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子制御装置。

Images