JP6131879B2 - 電子制御ユニット、および、これを用いた電動パワーステアリング装置。 - Google Patents

電子制御ユニット、および、これを用いた電動パワーステアリング装置。 Download PDF

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Description

本発明は、制御対象を制御する電子制御ユニット、および、これを用いた電動パワーステアリング装置に関する。
従来、スイッチング素子を含む半導体モジュールを基板に実装した電子制御ユニットが知られている。例えば特許文献1に記載された電子制御ユニットでは、半導体モジュールは、基板の一方の面に形成された入力パターンの入力ランドに入力端子が電気的に接続するよう実装されている。また、半導体モジュールの出力端子および制御端子は、それぞれ、基板の一方の面に形成された出力パターンの出力ランド、または、制御パターンの制御ランドに電気的に接続されている。
特開2012−59759号公報
特許文献1の電子制御ユニットでは、基板の一方の面において入力ランドから見て所定の方向を第1方向、当該第1方向に対し入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第2方向、当該第2方向に対し入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第3方向、当該第3方向に対し入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第4方向、当該第4方向に対し入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第5方向、当該第5方向に対し入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第6方向、当該第6方向に対し入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第7方向、当該第7方向に対し入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第8方向とすると、出力ランドおよび制御ランドは、入力ランドに対し第1方向側に位置している。
また、入力パターンは、入力ランドに対し第3方向、第4方向、第5方向、第6方向および第7方向へ所定量以上延びるよう形成されている。しかしながら、入力パターンは、入力ランドに対し第1方向、第2方向および第8方向への延びは、所定量以下である。よって、スイッチング素子の作動時の熱は、入力端子および入力ランドを経由して、入力パターンの入力ランドに対し第3方向、第4方向、第5方向、第6方向および第7方向に伝達するものの、入力ランドに対し第1方向、第2方向および第8方向へは十分に伝達しない。したがって、特許文献1の電子制御ユニットでは、入力パターンにおける伝熱の方向が限定的であり、スイッチング素子の熱に関し、効果的に放熱するのが困難である。
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、放熱効果が高い電子制御ユニット、および、電動パワーステアリング装置を提供することにある。
本発明は、制御対象を制御する電子制御ユニットであって、基板と入力パターンと出力パターンと制御パターンと第1延伸パターンと半導体モジュールと制御部とを備えている。
入力パターンは、基板の一方の面に形成され、入力ランドを有している。出力パターンは、基板の一方の面に形成され、出力ランドを有している。制御パターンは、基板の一方の面に形成され、制御ランドを有している。第1延伸パターンは、入力パターンから延びるよう基板の一方の面に入力パターンと一体に形成されている。
半導体モジュールは、スイッチング素子、封止体、入力端子、出力端子および制御端子を有している。封止体は、スイッチング素子を覆っている。入力端子は、一端がスイッチング素子に接続し、他端が封止体から露出し入力ランドに電気的に接続するよう設けられスイッチング素子への電流が入力される。
出力端子は、一端がスイッチング素子に接続し、他端が封止体から露出し出力ランドに電気的に接続するよう設けられ入力端子を経由してスイッチング素子に入力された電流を出力する。制御端子は、一端がスイッチング素子に接続し、他端が封止体から露出し制御ランドに電気的に接続するよう設けられ、入力端子と出力端子との間の電流の流れを許容または遮断するための信号である制御信号が印加される。半導体モジュールは、基板の一方の面に実装され、スイッチング素子が作動時に発熱する。
制御部は、制御ランドに電気的に接続するよう基板に実装され、制御ランドを経由して制御端子に制御信号を印加することによりスイッチング素子の作動を制御し制御対象に流れる電流を制御することで制御対象を制御可能である。
本発明では、基板の一方の面において入力ランドから見て所定の方向を第1方向、当該第1方向に対し入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第2方向、当該第2方向に対し入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第3方向、当該第3方向に対し入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第4方向、当該第4方向に対し入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第5方向、当該第5方向に対し入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第6方向、当該第6方向に対し入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第7方向、当該第7方向に対し入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第8方向とすると、入力パターンは、入力ランドに対し第3方向、第4方向、第5方向、第6方向および第7方向へ所定量以上延びるよう形成されている。また、出力ランドおよび制御ランドは、入力ランドに対し第1方向側に位置している。
そして、第1延伸パターンは、入力ランドに対し第2方向または第8方向の少なくとも一方へ延びるよう形成されている。そのため、スイッチング素子の作動時の熱は、入力端子および入力ランドを経由して、入力パターンの入力ランドに対し第3方向、第4方向、第5方向、第6方向および第7方向に伝達するのに加え、入力ランドに対し第2方向または第8方向に位置する第1延伸パターンに伝達する。したがって、スイッチング素子の熱を、入力パターンおよび第1延伸パターンを経由して効果的に放熱することができる。
本発明の第1実施形態による電子制御ユニットの一部を示す模式図。 図1のII−II線断面図。 本発明の第1実施形態による電子制御ユニットを電動パワーステアリング装置に適用した状態を示す概略図。 本発明の第1実施形態による電子制御ユニットの電気的な構成を示す図。 本発明の第2実施形態による電子制御ユニットの一部を示す断面図。 本発明の第3実施形態による電子制御ユニットの一部を示す模式図。
以下、本発明の複数の実施形態による電子制御ユニットを図に基づいて説明する。なお、複数の実施形態において、実質的に同一の構成部位には同一の符号を付し、説明を省略する。また、図面の記載が煩雑になることを避けるため、1つの図面において、実質的に同一の複数の部材または部位には、複数のうち1つのみに符号を付す場合がある。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態による電子制御ユニット、および、その一部を図1〜3に示す。電子制御ユニット1は、図3に示すように、車両の電動パワーステアリング装置100に用いられ、操舵トルク信号および車速信号等に基づき、運転者による操舵を補助するアシストトルクを発生するモータ101を駆動制御するものである。ここで、モータ101は、特許請求の範囲における「制御対象」に対応する。
図1、2に示すように、電子制御ユニット1は、基板10、入力パターン21、出力パターン22、制御パターン23、第1延伸パターン24、第2延伸パターン25、半導体モジュール30、制御部50、特定パターン71、72、73、ビア81、第1放熱部材91および熱伝導部材92等を備えている。
基板10は、例えばガラス繊維とエポキシ樹脂からなるFR−4等のプリント配線板である。
入力パターン21は、基板10の一方の面11に形成され、入力ランド211を有している。入力パターン21は、例えば基板10上に形成した銅箔配線の表面を絶縁被膜によって覆うことにより形成されている。入力ランド211は、例えば銅箔配線の所定範囲を絶縁被膜から矩形状に露出させることにより形成されている。
出力パターン22は、基板10の一方の面11に形成され、出力ランド221を有している。出力パターン22は、入力パターン21と同様、例えば基板10上に形成した銅箔配線の表面を絶縁被膜によって覆うことにより形成されている。出力ランド221は、例えば銅箔配線の所定範囲を絶縁被膜から矩形状に露出させることにより形成されている。
制御パターン23は、基板10の一方の面11に形成され、制御ランド231を有している。制御パターン23は、入力パターン21と同様、例えば基板10上に形成した銅箔配線の表面を絶縁被膜によって覆うことにより形成されている。制御ランド231は、例えば銅箔配線の所定範囲を絶縁被膜から矩形状に露出させることにより形成されている。
第1延伸パターン24は、入力パターン21から延びるよう基板10の一方の面11に入力パターン21と一体に形成されている。第1延伸パターン24は、入力パターン21の銅箔配線と一体に形成される銅箔配線と、その表面を覆う絶縁被膜とからなる。
第2延伸パターン25は、第1延伸パターン24から延びるよう基板10の一方の面11に第1延伸パターン24と一体に形成されている。第2延伸パターン25は、第1延伸パターン24の銅箔配線と一体に形成される銅箔配線と、その表面を覆う絶縁被膜とからなる。
半導体モジュール30は、例えばMOS−FET等のスイッチング機能を有する半導体パッケージである。本実施形態では、半導体モジュール30は、基板10の一方の面11に4つ(31、32、33、34)実装されている。図1、2に示すように、半導体モジュール30は、スイッチング素子41、封止体42、入力端子43、出力端子44、制御端子45および特定熱伝導部材46等を有している。
スイッチング素子41は、半導体により形成される素子であり、ドレイン、ソース、ゲートを有している。封止体42は、スイッチング素子41を覆っている。
入力端子43は、例えばアルミや銅等の金属により矩形板状に形成され、一端がスイッチング素子41のドレインに接続し、他端が封止体42から露出し入力ランド211に電気的に接続するよう設けられている。本実施形態では、入力端子43は、一方の面がスイッチング素子41のドレインに電気的に接続し、他方の面が入力ランド211にはんだ付けされる(図2参照)。入力端子43には、バッテリ102(図3参照)からスイッチング素子41への電流が入力される。なお、本実施形態では、入力端子43は、入力ランド211よりやや小さく形成され、他方の面の全てが入力ランド211に対向している。
出力端子44は、例えばアルミや銅等の金属により形成され、一端がスイッチング素子41のソースに接続し、他端が封止体42から露出し出力ランド221に電気的に接続するよう設けられている。本実施形態では、出力端子44は、1つの半導体モジュール30につき、3つ設けられている。出力端子44は、一端が、後述する特定熱伝導部材46を経由してスイッチング素子41のソースに電気的に接続し、他端が出力ランド221にはんだ付けされる(図2参照)。出力端子44は、入力端子43を経由してスイッチング素子41に入力された電流を出力する。
制御端子45は、例えばアルミや銅等の金属により形成され、一端がスイッチング素子41のゲートに接続し、他端が封止体42から露出し制御ランド231に電気的に接続するよう設けられている。本実施形態では、制御端子45は、一端がスイッチング素子41のゲートにワイヤボンディングにより電気的に接続し、他端が制御ランド231にはんだ付けされる。制御端子45には、入力端子43と出力端子44との間の電流の流れを許容または遮断するための信号である制御信号が印加される。
ここで、スイッチング素子41は、スイッチング作動時、すなわち、入力端子43と出力端子44との間を電流が流れるとき発熱する。
特定熱伝導部材46は、例えばアルミや銅等の熱伝導率が所定値以上の金属により板状に形成され、スイッチング素子41のソースに電気的に接続するとともに、出力端子44の一端と一体に形成されている。これにより、出力端子44の一端は、特定熱伝導部材46を経由してスイッチング素子41のソースに電気的に接続している。特定熱伝導部材46は、スイッチング素子41とは反対側の面が封止体42から露出するよう設けられている。特定熱伝導部材46には、スイッチング素子41の作動時の熱が伝達する。
図1に示すように、本実施形態では、半導体モジュール31と半導体モジュール32とが隣り合うよう基板10に配置されている。また、半導体モジュール33と半導体モジュール34とが隣り合うよう基板10に配置されている。ここで、半導体モジュール31が電気的に接続する入力パターン21と、半導体モジュール32が電気的に接続する入力パターン21とは一体に形成されている。一方、半導体モジュール33が電気的に接続する入力パターン21と、半導体モジュール34が電気的に接続する入力パターン21とは別体に形成されている。
また、半導体モジュール31が電気的に接続する出力パターン22と、半導体モジュール33が電気的に接続する入力パターン21とは一体に形成されている。また、半導体モジュール32が電気的に接続する出力パターン22と、半導体モジュール34が電気的に接続する入力パターン21とは一体に形成されている。
本実施形態では、半導体モジュール32が電気的に接続する入力パターン21にバッテリ102からの電力が入力される。半導体モジュール31が電気的に接続する入力パターン21には、半導体モジュール32が電気的に接続する入力パターン21を経由して電力が入力される。半導体モジュール33が電気的に接続する入力パターン21には、半導体モジュール31が電気的に接続する出力パターン22を経由して電力が入力される。半導体モジュール34が電気的に接続する入力パターン21には、半導体モジュール32が電気的に接続する出力パターン22を経由して電力が入力される。
制御部50は、例えばマイコン51、カスタムIC52から構成されている。マイコン51、カスタムIC52は、例えばCPU、ROM、RAMおよびI/O等を有する半導体パッケージである。制御部50は、半導体モジュール30(31〜34)の作動を制御する。制御部50は、車両の各部に設けられたセンサ類からの信号等に基づき制御信号を生成し、当該制御信号によって半導体モジュール30の作動を制御することにより、モータ101の回転駆動を制御する。本実施形態では、モータ101は、ブラシ付きの直流モータである。
マイコン51およびカスタムIC52は、図1に示すように、基板10の一方の面11に実装されている。制御部50は、基板10上の配線および基板10内の配線を経由して制御ランド231に電気的に接続している。制御部50は、制御ランド231を経由して制御端子45に制御信号を印加することによりスイッチング素子41の作動を制御しモータ101に流れる電流を制御することでモータ101を制御可能である。
本実施形態では、基板10には、上述の半導体モジュール30(31〜34)および制御部50(マイコン51、カスタムIC52)の他、コンデンサ61、リレー62、63、コイル64およびシャント抵抗65等の電子部品が実装されている。
コンデンサ61は、本実施形態では、例えばアルミ電解コンデンサである。リレー62、63は、本実施形態では、例えば機械的に構成されるメカリレーである。コイル64は、本実施形態では、例えばチョークコイルである。シャント抵抗65は、本実施形態では、図1に示すように、例えば矩形板状に形成され、基板10の一方の面11に実装されている。シャント抵抗65の一端は、半導体モジュール33が電気的に接続する出力パターン22、および、半導体モジュール34が電気的に接続する出力パターン22と一体に基板10上に形成されたパターン26に電気的に接続している。シャント抵抗65の他端は、基板10上に形成されたパターン27の一端に電気的に接続している。パターン27の他端は、グランドに接続している。
図4に示すように、車両の電源であるバッテリ102の正側は、リレー62に接続している。リレー62は、制御部50によって制御され、オン作動またはオフ作動することにより、バッテリ102から電子制御ユニット1(モータ101)への電力の供給を許容または遮断する。すなわち、リレー62は、本実施形態では、電源リレーである。
バッテリ102からの電力は、コイル64を経由して半導体モジュール30(31〜34)に供給される。コイル64は、バッテリ102から電子制御ユニット1を経由してモータ101へ供給される電力のノイズを除去する。
制御部50(マイコン51、カスタムIC52)は、図示しないイグニッション電源からの電力により作動する。
図4に示すように、半導体モジュール31と半導体モジュール33とが直列に接続されており、半導体モジュール32と半導体モジュール34とが直列に接続されている。そして、半導体モジュール31および半導体モジュール33の2つの半導体モジュールと、半導体モジュール32および半導体モジュール34の2つの半導体モジュールとが並列に接続されている。
また、半導体モジュール31と半導体モジュール33との接続点と、半導体モジュール32と半導体モジュール34との接続点との間に、リレー63およびモータ101が配置されている。このように、本実施形態では、半導体モジュール31〜34はHブリッジ回路を構成している。さらにまた、半導体モジュール33、34のソース(出力端子44)側にシャント抵抗65が接続している。また、コンデンサ61は、電源ラインとグランドとの間に接続されている。コンデンサ61は、半導体モジュール30(31〜34)のオン/オフ作動(スイッチング作動)によって生じるサージ電圧を抑制する。
上述の構成により、例えば半導体モジュール31および半導体モジュール34がオンとなり半導体モジュール32および半導体モジュール33がオフになると、電流は、半導体モジュール31、リレー63、モータ101、半導体モジュール34の順に流れる。一方、半導体モジュール32および半導体モジュール33がオンとなり半導体モジュール31および半導体モジュール34がオフになると、電流は、半導体モジュール32、モータ101、リレー63、半導体モジュール33の順に流れる。モータ101はブラシ付きの直流モータであるため、このようにして各半導体モジュール30(31〜34)がオン/オフに制御されることで、Hブリッジ駆動によりモータ101が回転駆動される。各半導体モジュール30(31〜34)の制御端子45には、制御部50(カスタムIC52)からの信号線が接続されている。つまり、制御部50は、半導体モジュール30のスイッチング作動を制御することで、モータ101の回転駆動を制御する。なお、制御部50は、シャント抵抗65で検出した電流値に基づき、モータ101の回転駆動を高精度に制御可能である。
ここで、リレー63は、制御部50によって制御され、オン作動またはオフ作動することにより、バッテリ102からモータ101への電力の供給を許容または遮断する。すなわち、リレー63は、本実施形態では、モータリレーである。
半導体モジュール30のスイッチング作動時、半導体モジュール30、コンデンサ61、リレー62、63、コイル64、シャント抵抗65には比較的大きな電流が流れるため、半導体モジュール30、コンデンサ61、リレー62、63、コイル64、シャント抵抗65は発熱し、比較的高い温度になる。本実施形態では、半導体モジュール30(31〜34)、コンデンサ61、リレー62、63、コイル64、シャント抵抗65は、表面実装型の部品(SMD)である。
本実施形態では、図1に示すように、基板10の一方の面11において入力ランド211から見て所定の方向を第1方向d1、当該第1方向d1に対し入力ランド211の周方向の一方側へ45度回転した方向を第2方向d2、当該第2方向d2に対し入力ランド211の周方向の一方側へ45度回転した方向を第3方向d3、当該第3方向d3に対し入力ランド211の周方向の一方側へ45度回転した方向を第4方向d4、当該第4方向d4に対し入力ランド211の周方向の一方側へ45度回転した方向を第5方向d5、当該第5方向d5に対し入力ランド211の周方向の一方側へ45度回転した方向を第6方向d6、当該第6方向d6に対し入力ランド211の周方向の一方側へ45度回転した方向を第7方向d7、当該第7方向d7に対し入力ランド211の周方向の一方側へ45度回転した方向を第8方向d8とすると、入力パターン21は、入力ランド211に対し第3方向d3、第4方向d4、第5方向d5、第6方向d6および第7方向d7へ所定量以上延びるよう形成されている。また、出力ランド221および制御ランド231は、入力ランド211に対し第1方向d1側に位置している。
そして、第1延伸パターン24は、入力ランド211に対し第2方向d2および第8方向d8の両方へ延びるよう形成されている。また、第2延伸パターン25は、第1延伸パターン24から第1方向d1に対し平行な方向へ延びるよう形成されている。
本実施形態では、半導体モジュール31が電気的に接続する入力パターン21から第2方向d2へ延びる第1延伸パターン24および第2延伸パターン25と、半導体モジュール32が電気的に接続する入力パターン21から第8方向d8へ延びる第1延伸パターン24および第2延伸パターン25とが一体に形成されている。一方、半導体モジュール33が電気的に接続する入力パターン21から第2方向d2へ延びる第1延伸パターン24および第2延伸パターン25と、半導体モジュール34が電気的に接続する入力パターン21から第8方向d8へ延びる第1延伸パターン24および第2延伸パターン25とは別体に形成されている。
特定パターン71、72、73は、例えば銅箔等の金属により基板10の一方の面11以外の部位に形成される配線パターンである。特定パターン71、72は、基板10の一方の面11と他方の面12との間に形成されている。特定パターン72は、特定パターン71に対し基板10の他方の面12側に形成されている。特定パターン73は、基板10の他方の面12に形成されている。
ビア81は、例えば基板10の板厚方向に延びる穴部を銅等の金属によりめっきすることにより形成されている。本実施形態では、ビア81は、一端が入力パターン21に電気的に接続し、他端が特定パターン72に電気的に接続するよう形成されている(図2参照)。また、ビア81は、一端が入力ランド211と出力ランド221および制御ランド231との間、すなわち、入力ランド211に対し第1方向d1側に位置するよう複数形成されている(図1参照)。本実施形態では、ビア81は、1つの半導体モジュール30につき、5つ形成されている。
第1放熱部材91は、例えばアルミ等の熱伝導率が所定値以上で熱を拡散可能な金属により板状に形成されている。第1放熱部材91は、面方向が基板10の面方向と概ね平行になるよう、基板10の一方の面11側に設けられている(図2参照)。第1放熱部材91の基板10側の面には、凹部911が形成されている。凹部911は、半導体モジュール30を収容可能な程度の大きさに形成されている。本実施形態では、半導体モジュール30(31〜34)は、凹部911に収容されるようにして設けられている。
熱伝導部材92は、例えば放熱グリスである。放熱グリスは、例えばシリコーンを基材とする熱抵抗の小さなゲル状のグリスである。熱伝導部材92は、半導体モジュール30(31〜34)および基板10と第1放熱部材91との間に設けられている。ここで、凹部911と半導体モジュール30(31〜34)との間は、熱伝導部材92で満たされている。これにより、熱伝導部材92は、半導体モジュール30の熱を、凹部911を経由して第1放熱部材91に伝達可能である。
また、熱伝導部材92は、基板10の一方の面11、入力パターン21および出力パターン22と第1放熱部材91とに当接するよう設けられている。そのため、半導体モジュール30の熱は、基板10の一方の面11、入力パターン21、出力パターン22および熱伝導部材92を経由して第1放熱部材91に伝達する。
第1放熱部材91に伝達した半導体モジュール30の熱は、第1放熱部材91において拡散する。これにより、半導体モジュール30を放熱することができる。
また、本実施形態では、基板10の外縁部にコネクタ3が設けられている(図3参照)。コネクタ3は、例えば樹脂により形成され、内側にPIG(電源電圧、正側)端子、グランド端子、モータ端子等、複数の端子を有している。コネクタ3には、ハーネス103が接続される。ハーネス103の導線104は、バッテリ102の正側とコネクタ3のPIG端子とを電気的に接続する。PIG端子は、図示しない配線パターンにより、リレー62の正側端子に接続されている。これにより、バッテリ102からPIG端子およびリレー62を経由して入力パターン21に電力が供給される。
また、コネクタ3のモータ端子は、半導体モジュール31と半導体モジュール33との接続点と、半導体モジュール32と半導体モジュール34との接続点とに電気的に接続している。ハーネス103の導線105は、モータ101の巻線端子とコネクタ3のモータ端子とを電気的に接続する。これにより、モータ端子、導線105および巻線端子を経由してモータ101に電力が供給される。
次に、本実施形態の電子制御ユニット1の作動について説明する。
車両の運転者がイグニッションスイッチをオンすると、イグニッション電源から電子制御ユニット1に電力が供給され、電子制御ユニット1が起動する。電子制御ユニット1が起動すると、制御部50は、リレー62、63をオン作動させる。これにより、バッテリ102からモータ101への電力の供給が許容された状態となる。
制御部50は、イグニッションスイッチがオンの間、操舵トルク信号および車速信号等に基づき、半導体モジュール30(31〜34)のスイッチング素子41のスイッチング作動を制御することにより、モータ101の回転駆動を制御する。これにより、モータ101からアシストトルクが出力され、運転者による操舵が補助される。
本実施形態では、制御部50が半導体モジュール30(31〜34)のスイッチング素子41のスイッチング作動を制御することでモータ101の回転駆動を制御するとき、スイッチング素子41が発熱し、半導体モジュール30(31〜34)は比較的高い温度になる。本実施形態では、半導体モジュール30の熱は、熱伝導部材92を経由して第1放熱部材91に導かれる。
また、半導体モジュール30の熱は、基板10、入力パターン21、出力パターン22と第1放熱部材91とに接する熱伝導部材92を経由して第1放熱部材91に導かれる。
以上説明したように、(1)本実施形態では、入力パターン21は、基板10の一方の面11に形成され、入力ランド211を有している。出力パターン22は、基板10の一方の面11に形成され、出力ランド221を有している。制御パターン23は、基板10の一方の面11に形成され、制御ランド231を有している。第1延伸パターン24は、入力パターン21から延びるよう基板10の一方の面11に入力パターン21と一体に形成されている。
半導体モジュール30(31〜34)は、スイッチング素子41、封止体42、入力端子43、出力端子44および制御端子45を有している。封止体42は、スイッチング素子41を覆っている。入力端子43は、一端がスイッチング素子41に接続し、他端が封止体42から露出し入力ランド211に電気的に接続するよう設けられスイッチング素子41への電流が入力される。出力端子44は、一端がスイッチング素子41に接続し、他端が封止体42から露出し出力ランド221に電気的に接続するよう設けられ入力端子43を経由してスイッチング素子41に入力された電流を出力する。
制御端子45は、一端がスイッチング素子41に接続し、他端が封止体42から露出し制御ランド231に電気的に接続するよう設けられ、入力端子43と出力端子44との間の電流の流れを許容または遮断するための信号である制御信号が印加される。半導体モジュール30(31〜34)は、基板10の一方の面11に実装され、スイッチング素子41が作動時に発熱する。
制御部50は、制御ランド231に電気的に接続するよう基板10に実装され、制御ランド231を経由して制御端子45に制御信号を印加することによりスイッチング素子41の作動を制御しモータ101に流れる電流を制御することでモータ101を制御可能である。
本実施形態では、入力パターン21は、入力ランド211に対し第3方向d3、第4方向d4、第5方向d5、第6方向d6および第7方向d7へ所定量以上延びるよう形成されている。また、出力ランド221および制御ランド231は、入力ランド211に対し第1方向d1側に位置している。
そして、第1延伸パターン24は、入力ランド211に対し第2方向d2および第8方向d8の両方へ延びるよう形成されている。そのため、スイッチング素子41の作動時の熱は、入力端子43および入力ランド211を経由して、入力パターン21の入力ランド211に対し第3方向d3、第4方向d4、第5方向d5、第6方向d6および第7方向d7に伝達するのに加え、入力ランド211に対し第2方向d2および第8方向d8に位置する第1延伸パターン24に伝達する。したがって、スイッチング素子41(半導体モジュール30)の熱を、入力パターン21および第1延伸パターン24を経由して効果的に放熱することができる。
また、(2)本実施形態では、第2延伸パターン25をさらに備えている。第2延伸パターン25は、第1延伸パターン24から第1方向d1に対し平行な方向へ延びるよう基板10の一方の面11に第1延伸パターン24と一体に形成されている。そのため、第1延伸パターン24に伝達したスイッチング素子41の熱は、さらに第2延伸パターン25に伝達し、拡散する。これにより、スイッチング素子41(半導体モジュール30)の熱をより効果的に放熱することができる。
また、(3)本実施形態では、特定パターン71、72、73とビア81とをさらに備えている。特定パターン71、72、73は、基板10の一方の面11と他方の面12との間、または、基板10の他方の面12に形成されている。ビア81は、一端が入力パターン21に接続し、他端が特定パターン72に接続するよう形成されている。そのため、スイッチング素子41の熱は、入力パターン21およびビア81を経由して特定パターン72に伝達し、拡散する。これにより、スイッチング素子41(半導体モジュール30)の熱をより一層効果的に放熱することができる。
また、(5)本実施形態では、ビア81は、一端が入力ランド211に対し第1方向d1側に位置するよう形成されている。そのため、スイッチング素子41(半導体モジュール30)の熱は、入力パターン21の入力ランド211に対し第3〜7方向、第2方向d2および第8方向d8の第1延伸パターン24、ならびに、第1方向d1のビア81、すなわち、入力ランド211に対し第1〜8方向の全方向に伝達し、拡散する。これにより、スイッチング素子41(半導体モジュール30)の熱をさらに効果的に放熱することができる。
また、(6)本実施形態では、第1放熱部材91と熱伝導部材92とをさらに備えている。第1放熱部材91は、基板10の一方の面11側に設けられ、熱伝導率が所定値以上で熱を拡散可能である。熱伝導部材92は、少なくとも半導体モジュール30(31〜34)と第1放熱部材91との間に設けられ、半導体モジュール30の熱を第1放熱部材91に伝達可能である。そのため、半導体モジュール30の熱を、熱伝導部材92および第1放熱部材91を経由して効果的に放熱することができる。
また、(7)本実施形態では、熱伝導部材92は、基板10、入力パターン21および出力パターン22に当接している。そのため、半導体モジュール30の熱は、基板10、入力パターン21、出力パターン22と第1放熱部材91とに接する熱伝導部材92を経由して第1放熱部材91に導かれる。これにより、半導体モジュール30の熱を、熱伝導部材92および第1放熱部材91を経由して、より効果的に放熱することができる。
また、(9)本実施形態では、半導体モジュール30(31〜34)は、熱伝導率が所定値以上で封止体42から露出するよう設けられる特定熱伝導部材46を有している。そのため、スイッチング素子41の熱を、特定熱伝導部材46を経由して効果的に放熱することができる。
また、(10)本実施形態では、電動パワーステアリング装置100は、上記電子制御ユニット1と、電子制御ユニット1により制御され、運転者による操舵を補助するアシストトルクを出力可能なモータ101と、を備えている。
本実施形態の電子制御ユニット1は、半導体モジュール30(スイッチング素子41)の放熱効果が高いため、大電流が流れることで発熱量が大きくなる電動パワーステアリング装置100の電子制御ユニットとして用いるのに好適である。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態による電子制御ユニットの一部を図5に示す。
第2実施形態では、ビア81に加え、ビア82を備えている。ビア81は、他端が特定パターン73に電気的に接続するよう形成されている。ビア82は、構成自体はビア81と同様である。ビア82は、入力パターン21のビア81とは異なる位置において、一端が入力パターン21に電気的に接続し、他端が特定パターン73に電気的に接続するよう形成されている。
また、第2実施形態では、第2放熱部材93および熱伝導部材94をさらに備えている。
第2放熱部材93は、第1放熱部材91と同様、例えばアルミ等の熱伝導率が所定値以上で熱を拡散可能な金属により板状に形成されている。第2放熱部材93は、面方向が基板10の面方向と概ね平行になるよう、基板10の他方の面12側に設けられている(図5参照)。
熱伝導部材94は、熱伝導部材92と同様、例えば放熱グリスである。熱伝導部材94は、基板10と第2放熱部材93との間に設けられている。ここで、熱伝導部材94は、基板10および特定パターン73と第2放熱部材93とに当接するよう設けられている。そのため、半導体モジュール30(31〜34)の熱は、基板10、特定パターン73および熱伝導部材94を経由して第2放熱部材93に導かれる。
以上説明したように、(8)本実施形態では、第2放熱部材93をさらに備えている。第2放熱部材93は、基板10の他方の面12側に設けられ、熱伝導率が所定値以上で熱を拡散可能である。そのため、半導体モジュール30(31〜34)の熱は、基板10を経由して第2放熱部材93に伝達し、拡散する。これにより、半導体モジュール30の熱を、第2放熱部材93を経由して、より一層効果的に放熱することができる。
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態による電子制御ユニットの一部を図6に示す。
第3実施形態は、第1延伸パターン24および第2延伸パターン25を備えない点で第1実施形態と異なる。その他の構成は、第1実施形態と同様である。
以上説明したように、(4)本実施形態では、特定パターン71、72、73と、第1延伸パターン24および第2延伸パターン25に代えて設けられるビア81とを備えている。ここで、特定パターン71、72、73は、基板10の一方の面11と他方の面12との間、または、基板10の他方の面12に形成されている。ビア81は、一端が入力パターン21に接続し、他端が特定パターン72に接続するよう形成されている(図2参照)。本実施形態では、スイッチング素子41の作動時の熱は、入力端子43および入力ランド211を経由して、入力パターン21の入力ランド211に対し第3方向d3、第4方向d4、第5方向d5、第6方向d6および第7方向d7に伝達するのに加え、ビア81を経由して特定パターン72に伝達する。したがって、スイッチング素子41(半導体モジュール30)の熱を、入力パターン21、ビア81および特定パターン72を経由して効果的に放熱することができる。
また、(5)本実施形態では、ビア81は、一端が入力ランド211に対し第1方向d1側に位置するよう形成されている。そのため、スイッチング素子41(半導体モジュール30)の熱は、入力パターン21の入力ランド211に対し第3〜7方向、第2方向d2および第8方向d8の第1延伸パターン24、ならびに、第1方向d1のビア81、すなわち、入力ランド211に対し第1〜8方向の全方向に伝達し、拡散する。これにより、スイッチング素子41(半導体モジュール30)の熱をさらに効果的に放熱することができる。
(他の実施形態)
本発明の他の実施形態では、第1延伸パターンは、入力ランドに対し第2方向または第8方向のいずれか一方へ延びるよう形成されていてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、第1延伸パターンを備えつつ、第2延伸パターンを備えない構成としてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、入力パターンと特定パターンとを接続するビアは、一端が入力パターンの入力ランドに対し、どの方向または箇所に位置するよう設けられていてもよい。また、ビアを備えない構成としてもよい。また、特定パターンを備えない構成としてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、基板の第1放熱部材とは反対側に、基板を覆うカバーを設けることとしてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、熱伝導部材(92)は、基板、入力パターンおよび出力パターンの少なくともいずれか1つに当接することとしてもよい。また、熱伝導部材(92)は、半導体モジュールのみに当接することとしてもよい。また、第1放熱部材は、凹部を有していなくてもよい。また、第1放熱部材および熱伝導部材(92)を備えない構成としてもよい。また、第1放熱部材および第2放熱部材は、アルミに限らず、銅、銀、鉄等の金属、アルミナ等の金属酸化物、セラミック体、カーボンまたはダイアモンド等、熱伝導率が所定値以上であれば、どのような材料により形成されていてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、半導体モジュールの特定熱伝導部材(46)は、出力端子と一体に形成されていなくてもよい。また、特定熱伝導部材は、スイッチング素子に電気的に接続していなくてもよい。また、特定熱伝導部材は、アルミや銅に限らず、銀、鉄等の金属、アルミナ等の金属酸化物、セラミック体、カーボンまたはダイアモンド等、熱伝導率が所定値以上であれば、どのような材料により形成されていてもよい。また、半導体モジュールは、特定熱伝導部材を有していなくてもよい。この場合、半導体モジュールの出力端子は、一端がスイッチング素子に直接接続される。
また、上述の実施形態では、半導体モジュール31〜34でHブリッジ回路を構成し、ブラシ付きのモータ101をHブリッジ駆動により回転駆動する例を示した。これに対し、本発明の他の実施形態では、例えば、高電位側および低電位側に設けた2つの半導体モジュール(スイッチング素子)でスイッチング素子対を構成し、ブラシレスモータの相と同数のスイッチング素子対でインバータを構成し、制御部によりインバータを経由してモータをブラシレス駆動することとしてもよい。例えば、3相のブラシレスモータの場合、スイッチング素子対3つ、すなわち、半導体モジュール(スイッチング素子)6つでインバータを構成することが考えられる。また、スイッチング素子の故障時等の対応のため、複数系統のインバータを備える構成としてもよい。例えば、3相のブラシレスモータに対し2系統のインバータを設ける場合、半導体モジュール(スイッチング素子)は12個となる。複数の半導体モジュールのそれぞれに対し、上述の入力パターン、第1延伸パターン、第2延伸パターン、ビア等を適用すれば、各半導体モジュールの熱を効果的に放熱することができる。このように、本発明では、ブラシ付きモータ、または、複数相のブラシレスモータを、制御対象のモータとして用いることができる。
また、本発明の他の実施形態では、入力ランド、出力ランド、制御ランドは、矩形に限らず、三角形、多角形、円形、楕円形等、どのような形状に形成されていてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、半導体モジュールは、MOS−FETに限らず、IGBT、電源IC、トランジスタ等、スイッチング機能を有する半導体パッケージであれば、どのようなものを用いてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、コンデンサ61は、アルミ電解コンデンサに限らず、導電性高分子コンデンサまたはハイブリッドコンデンサ等どのような種類のコンデンサでもよい。
また、本発明の他の実施形態では、コンデンサ61、リレー62、63、コイル64、シャント抵抗65、マイコン51、カスタムIC52は、基板の一方の面または他方の面のいずれの面に実装されていてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、半導体モジュール30(31〜34)、コンデンサ61、リレー62、63、コイル64、シャント抵抗65は、挿入実装型の部品(THD)であってもよい。
また、上述の実施形態では、リレー62、63としてメカリレーを採用する例を示した。これに対し、本発明の他の実施形態では、リレー62、63を、それぞれ、例えば2つの半導体モジュール30の極性を反対にして配置することにより構成する半導体リレーとしてもよい。この場合、リレー62、63を構成する半導体モジュール30に対し、上述の入力パターン、第1延伸パターン、第2延伸パターンまたはビア等を適用すれば、当該半導体モジュール30の熱を効果的に放熱することができる。
また、本発明の他の実施形態では、コンデンサ61、コイル64、シャント抵抗65を備えない構成としてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、電子制御ユニットは、制御対象としてのモータと一体に形成されていてもよい。この場合、電子制御ユニットの第1放熱部材(91)を、例えばモータのフレームエンド等と一体に形成することにより、電動パワーステアリング装置の部材点数の低減、および、小型化を図ることができる。
また、本発明による電子制御ユニットは、ラックアシスト型やコラムアシスト型等、どのような方式の電動パワーステアリング装置にも適用することができる。
また、本発明による電子制御ユニットは、電動パワーステアリング装置に限らず、他の装置のモータ等の駆動を制御するのに用いてもよい。
このように、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の形態で実施可能である。
1 ・・・・・電子制御ユニット
10 ・・・・基板
11 ・・・・基板の一方の面
21 ・・・・入力パターン
211 ・・・入力ランド
22 ・・・・出力パターン
221 ・・・出力ランド
23 ・・・・制御パターン
231 ・・・制御ランド
24 ・・・・第1延伸パターン
30、31、32、33、34 ・・・半導体モジュール
41 ・・・・スイッチング素子
42 ・・・・封止体
43 ・・・・入力端子
44 ・・・・出力端子
45 ・・・・制御端子
50 ・・・・制御部
51 ・・・・マイコン(制御部)
52 ・・・・カスタムIC(制御部)

Claims (10)

  1. 制御対象(101)を制御する電子制御ユニット(1)であって、
    基板(10)と、
    前記基板の一方の面(11)に形成され、入力ランド(211)を有する入力パターン(21)と、
    前記基板の一方の面に形成され、出力ランド(221)を有する出力パターン(22)と、
    前記基板の一方の面に形成され、制御ランド(231)を有する制御パターン(23)と、
    前記入力パターンから延びるよう前記基板の一方の面に前記入力パターンと一体に形成される第1延伸パターン(24)と、
    スイッチング素子(41)、
    前記スイッチング素子を覆う封止体(42)、
    一端が前記スイッチング素子に接続し他端が前記封止体から露出し前記入力ランドに電気的に接続するよう設けられ前記スイッチング素子への電流が入力される入力端子(43)、
    一端が前記スイッチング素子に接続し他端が前記封止体から露出し前記出力ランドに電気的に接続するよう設けられ前記入力端子を経由して前記スイッチング素子に入力された電流を出力する出力端子(44)、および、
    一端が前記スイッチング素子に接続し他端が前記封止体から露出し前記制御ランドに電気的に接続するよう設けられ前記入力端子と前記出力端子との間の電流の流れを許容または遮断するための信号である制御信号が印加される制御端子(45)を有し、前記基板の一方の面に実装され、前記スイッチング素子が作動時に発熱する半導体モジュール(30、31、32、33、34)と、
    前記制御ランドに電気的に接続するよう前記基板に実装され、前記制御ランドを経由して前記制御端子に前記制御信号を印加することにより前記スイッチング素子の作動を制御し前記制御対象に流れる電流を制御することで前記制御対象を制御可能な制御部(50、51、52)と、を備え、
    前記基板の一方の面において前記入力ランドから見て所定の方向を第1方向(d1)、当該第1方向に対し前記入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第2方向(d2)、当該第2方向に対し前記入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第3方向(d3)、当該第3方向に対し前記入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第4方向(d4)、当該第4方向に対し前記入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第5方向(d5)、当該第5方向に対し前記入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第6方向(d6)、当該第6方向に対し前記入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第7方向(d7)、当該第7方向に対し前記入力ランドの周方向の一方側へ45度回転した方向を第8方向(d8)とすると、
    前記入力パターンは、前記入力ランドに対し前記第3方向、前記第4方向、前記第5方向、前記第6方向および前記第7方向へ所定量以上延びるよう形成されており、
    前記出力ランドおよび前記制御ランドは、前記入力ランドに対し前記第1方向側に位置し、
    前記第1延伸パターンは、前記入力ランドに対し前記第2方向または前記第8方向の少なくとも一方へ延びるよう形成されていることを特徴とする電子制御ユニット。
  2. 前記第1延伸パターンから前記第1方向に対し平行な方向へ延びるよう前記基板の一方の面に前記第1延伸パターンと一体に形成される第2延伸パターン(25)をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の電子制御ユニット。
  3. 前記基板の一方の面と他方の面(12)との間、または、前記基板の他方の面に形成される特定パターン(71、72、73)と、
    一端が前記入力パターンに接続し、他端が前記特定パターンに接続するよう形成されるビア(81、82)と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の電子制御ユニット。
  4. 前記基板の一方の面と他方の面(12)との間、または、前記基板の他方の面に形成される特定パターン(71、72、73)と、
    前記第1延伸パターンに代えて設けられ、一端が前記入力パターンに接続し、他端が前記特定パターンに接続するよう形成されるビア(81、82)と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の電子制御ユニット。
  5. 前記ビアは、一端が前記入力ランドに対し前記第1方向側に位置するよう形成されていることを特徴とする請求項3または4に記載の電子制御ユニット。
  6. 前記基板の一方の面側に設けられ、熱伝導率が所定値以上で熱を拡散可能な第1放熱部材(91)と、
    少なくとも前記半導体モジュールと前記第1放熱部材との間に設けられ、前記半導体モジュールの熱を前記第1放熱部材に伝達可能な熱伝導部材(92)と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の電子制御ユニット。
  7. 前記熱伝導部材は、前記基板、前記入力パターンおよび前記出力パターンの少なくともいずれか1つに当接していることを特徴とする請求項6に記載の電子制御ユニット。
  8. 前記基板の他方の面側に設けられ、熱伝導率が所定値以上で熱を拡散可能な第2放熱部材(93)をさらに備えることを特徴とする請求項6または7に記載の電子制御ユニット。
  9. 前記半導体モジュールは、熱伝導率が所定値以上で前記封止体から露出するよう設けられる特定熱伝導部材(46)を有していることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の電子制御ユニット。
  10. 請求項1〜9のいずれか一項に記載の電子制御ユニットと、
    前記電子制御ユニットにより制御され、運転者による操舵を補助するアシストトルクを出力可能な前記制御対象と、
    を備える電動パワーステアリング装置(100)。
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