JP2010532585A - 高ドープ基板の拡散制御 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、概して、エピタキシャル半導体構造体、特に電子部品の製造に用いられるエピタキシャルシリコンウェーハと、それらを調製するための方法に関する。より具体的には、エピタキシャル構造体は、N型ドーパントを高ドープされた(N+)またはP型ドーパントを高ドープされた(P+)単結晶シリコン基板と、N型またはP型ドーパントを低ドープされたエピタキシャル層とを含み、高ドープ基板(heavily doped substrate)は、低ドープエピタキシャル層(lightly doped epitaxial layer)の近傍に、エピタキシャル層へのシリコン格子間原子(silicon interstitial)の拡散を抑制または防止できる高濃度構造(high concentration of structures)を有する領域を含み、それにより当該エピタキシャル層内へのシリコン格子間原子の拡散を減少する。
スライスされた)ウェーハには、過飽和濃度の酸素が存在している。
本発明の1つの態様によれば、N/N+、P/P+、N/P+あるいはP/N+のエピタキシャルシリコンウェーハであって、エピタキシャル層の近傍に、自己格子間シリコン原子のシンクとして機能できる転位ループを含む領域を備えて、それによりエピタキシャル層への拡散を抑制したエピタキシャルシリコンウェーハを調製することができる。本願明細書において、この領域は「自己格子間シリコン原子シンク層」、「格子間原子シンク層」、あるいは単に「シンク層」と称されている。
再び図1を参照すると、シリコン基板10は、チョクラルスキー結晶成長法によって成長させた単結晶インゴットからスライスされた単結晶シリコンウェーハから得られる。単結晶シリコンウェーハは、中心軸と、中心軸に対してほぼ垂直な前面および裏面と、円周端面と、中心軸から円周端面まで延在する範囲(radius)とを有している。ウェーハは研磨されるか、あるいは代わりとして、研磨せずにラッピングおよびエッチングされる。さらに、ウェーハは、支配的な(predominant)固有の点欠陥として、空孔あるいは自己格子間原子の点欠陥を持っていてもよい。例えば、ウェーハは、中心から端面まで空孔が支配的でも、中心から端面まで自己格子間原子が支配的でもよく、あるいはウェーハは、自己格子間原子が支配的な材料(self-interstitial dominated material)の軸対称なリングに囲まれた空孔が支配的な材料(vacancy dominated material)の中心コアを含んでいてもよい。
再び図1を参照すると、自己格子間シリコン原子シンク層14は、転位ループ15の集団を含んでいる。さらに、格子間原子シンク層14はウェーハの実質的な半径方向の幅にわたって存在する。図1に示された実施態様では、格子間原子シンク層は、基板10の全直径を横切って延在している。この実施態様は好ましいが、格子間原子シンク層は、全直径にわたって延在していなくてもよい。したがって、一般的に、格子間原子シンク層14は、ウェーハ半径の長さの少なくとも約10%の半径方向の幅を有しているだろう。典型的には、半径方向の幅はもっと大きくてもよく、例えばウェーハ半径の少なくとも約25%、より典型的には少なくとも約35%、さらに典型的には少なくとも約45%であろう。さらに、格子間原子シンク層14は、転位ループが表面13に延在しなければ、可能な限り表面13に近接して形成されてもよい。格子間原子シンク層14は、表面13(図2)からの深さ、あるいは基板10とエピタキシャル層11との対応する界面(図1)からの深さが、好ましくは少なくとも約100Åであり、より好ましくは少なくとも250Å、少なくとも約600Å、少なくとも約850Å、さらには少なくとも約1100Åである。
再び図1を参照すると、エピタキシャル層11は、本技術分野で一般的に知られている手法によって、アニールされたシリコンウェーハの表面に堆積あるいは成長される。シリコンウェーハの表面には転位ループがないのが好ましい。ある実施態様では、エピタキシャル層の平均厚さは少なくとも約5cmである。ある実施態様では、注入基板をアニールして転位ループを生み出した後に、エピタキシャル層11を成長させる。別の実施態様では、注入基板をアニールして転位ループを生み出すとともに、エピタキシャル層11を成長させる。さらに別の実施態様では、エピタキシャル層を成長させる前あるいは成長させた後に、注入ウェーハを部分的にアニールして転位ループを生み出す。したがって、有利には、アニーリング工程およびエピタキシャル成長工程は同じ装置中で行なわれるだろう。
ある実施態様では、基板中の酸素析出物のふるまいを改善するために、ウェーハにも酸素析出物の核溶解工程(oxygen precipitate nuclei dissolution step)を施す。言い換えれば、基板中の酸素析出物を制限あるいは防止することにより、低ドープエピタキシャル層へのドーパント(また他の不純物)の拡散に対する、さらに進んだ制御が得られるだろう。処理パラメータが転位ループの完全性(integrity)を危うくしない限り、溶解工程は、自己格子間シリコン原子シンク層の形成の前、後、あるいはその一部として行なってもよい。自己格子間シリコン原子シンク層が形成される前に、この工程を行なうのが好ましい。
ある実施態様では、ポリシリコン層は、上に詳細に述べたアニーリング工程前に、高ドープ基板の裏面上に堆積される。ポリシリコン層の結晶粒界は、ドーパントのゲッターサイトとして機能する。一般的に、ポリシリコン層は、本技術分野で従来知られている任意の手法によって堆積されるだろう。米国特許US5792700またはUS5310698に全て記載されているように、例えばポリシリコン層は、シラン(SiH4)ガスおよびヒ素ドーピングを用いた化学気相成長法によって堆積されてもよい。
以下の制限しない実施例は、本発明をさらに図示し説明するために提供される。本発明は本願明細書に提供される詳細のいずれにも制限されるべきでない。
Claims (35)
- エピタキシャルシリコンウェーハを製造する方法であって、
高ドープ単結晶シリコン基板中に転位ループ層を形成する工程であって、
前記高ドープシリコン基板は、チョクラルスキー法によって成長させたインゴットからスライスされ、中心軸と、前記中心軸に対してほぼ垂直な前面および裏面と、前記前面と前記裏面とを接続する円周端面と、前記中心軸から前記円周端面まで延在する範囲と、約5mΩ・cm未満の抵抗率と、を有しており、
転位ループは前面に延在しない、転位ループ層形成工程と、
前記エピタキシャルシリコンウェーハを形成するために、前記高ドープシリコン基板の前記前面にエピタキシャルシリコン層を堆積する工程であって、前記エピタキシャル層は、約10mΩ・cmより大きな抵抗率を有する、堆積工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。 - 前記転位ループは、前記高ドープ単結晶シリコン基板へのイオン注入と、少なくとも約750℃でのアニールとによって形成されることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記注入イオンは、シリコン、ゲルマニウム、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノンおよびそれらの組合せから成る群から選ばれることを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
- 前記イオン注入は、少なくとも約30keVのエネルギーレベルで行われることを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
- 前記イオン注入工程は、少なくとも約6×1013原子/cm2を注入することを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
- 前記アニールは、少なくとも約3秒行われることを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
- 前記高ドープシリコン基板はN型ドーパントを含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記高ドープシリコン基板は、P、As、Sbおよびそれらの組合せから成る群から選ばれたドーパントを含むことを特徴とする請求項7に記載の製造方法。
- 前記高ドープシリコン基板はP型ドーパントを含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記高ドープシリコン基板は、B、Al、Gaおよびそれらの組合せから成る群から選ばれたドーパントを含むことを特徴とする請求項9に記載の製造方法。
- 前記エピタキシャル層はN型ドーパントを含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記エピタキシャル層は、P、Asおよびそれらの組合せから成る群から選ばれたドーパントを含むことを特徴とする請求項11に記載の製造方法。
- 前記エピタキシャル層はP型ドーパントを含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記エピタキシャル層は、B、Al、Gaおよびそれらの組合せから成る群から選ばれたドーパントを含むことを特徴とする請求項13に記載の製造方法。
- 前記エピタキシャル層は、少なくとも約5cmの厚さで堆積されることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記アニーリング工程の前に、前記高ドープ単結晶シリコン基板の前記裏面にポリシリコン層を堆積する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記層が、前記高ドープシリコン基板の前記前面から少なくとも約100Åの深さにあることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記転位ループ層は、少なくとも約1×108ループ/cm2の濃度を有することを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記転位ループ層が、半径の少なくとも約10%の半径方向の幅を有していることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 既存の酸素析出物を溶解するために、少なくとも1150℃の温度で高ドープ単結晶シリコン基板をアニーリングするアニーリング工程と、
前記高ドープシリコン基板を、アニーリング温度から室温まで冷却する冷却工程と、をさらに含み、
N+単結晶シリコン基板に均一濃度の空孔を導入するために、
(i)前記アニーリング工程の雰囲気が制御されるか、
(ii)前記冷却工程中に冷却速度が制御されるか、あるいは、
(iii)前記アニーリング工程の前記雰囲気が制御され、且つ前記冷却工程中に前記冷却速度が制御され、
前記均一濃度は、酸化析出物熱処理中に酸素析出物を触媒するのに不十分であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。 - 前記アニーリング工程と前記エピタキシャルシリコン層の前記堆積工程とが同じ装置の中で行なわれ、
前記冷却工程は、前記エピタキシャルシリコン層の前記堆積工程の後に行なわれ、
前記アニーリング温度から前記空孔が実際に不動になる温度までの前記冷却速度は、わずか毎秒20℃であることを特徴とする請求項20に記載の製造方法。 - 前記高ドープシリコン基板の冷却工程が、
前記アニーリング温度から約1150℃よりは低いが約950℃よりは高い温度まで毎秒20℃を超える冷却速度で冷却する過程と、
その次に、その温度範囲内において少なくとも約2秒保持する過程と、
を含むことを特徴とする請求項20に記載の製造方法。 - チョクラルスキー法によって成長させたインゴットからスライスされた高ドープ単結晶シリコン基板であって、
中心軸と、前記中心軸に対してほぼ垂直な前面および裏面と、前記前面と前記裏面とを接続する円周端面と、前記中心軸から前記円周端面まで延在する範囲と、約5mΩ・cm未満の抵抗率と、を有している前記高ドープ単結晶シリコン基板と、
エピタキシャルシリコンウェーハを形成している前記高ドープシリコン基板の前記前面上のエピタキシャルシリコン層であって、
前記エピタキシャルシリコン層は約10mΩ・cmより大きな抵抗率を有している、エピタキシャルシリコン層と、
前記基板中の転位ループ層であって、転位ループは前記基板と前記エピタキシャル層との界面まで延在していない、転位ループ層と、
を含むことを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハ。 - 前記高ドープシリコン基板はN型ドーパントを含むことを特徴とする請求項23に記載のウェーハ。
- 前記高ドープシリコン基板は、P、As、Sbおよびそれらの組合せから成る群から選ばれたドーパントを含むことを特徴とする請求項24に記載のウェーハ。
- 前記高ドープシリコン基板はP型ドーパントを含むことを特徴とする請求項23に記載のウェーハ。
- 前記高ドープシリコン基板は、B、Al、Gaおよびそれらの組合せから成る群から選ばれたドーパントを含むことを特徴とする請求項26に記載のウェーハ。
- 前記エピタキシャル層はN型ドーパントを含むことを特徴とする請求項23に記載のウェーハ。
- 前記エピタキシャル層は、P、Asおよびそれらの組合せから成る群から選ばれたドーパントを含むことを特徴とする請求項28に記載のウェーハ。
- 前記エピタキシャル層はP型ドーパントを含むことを特徴とする請求項23に記載のウェーハ。
- 前記エピタキシャル層は、B、Al、Gaおよびそれらの組合せから成る群から選ばれたドーパントを含むことを特徴とする請求項30に記載のウェーハ。
- 前記高ドープシリコン基板は、酸素析出物の核が実質的にないことを特徴とする請求項23に記載のウェーハ。
- 前記転位ループ層が、前記基板と前記エピタキシャル層との前記界面から少なくとも約100Åの深さにあることを特徴とする請求項23に記載のウェーハ。
- 前記転位ループ層は、少なくとも約1×108ループ/cm2の濃度を有することを特徴とする請求項23に記載のウェーハ。
- 前記転位ループ層が、半径の少なくとも約10%の半径方向の幅を有していることを特徴とする請求項23に記載のウェーハ。
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