JP2010522425A - パターニングされた薄いsoi - Google Patents
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Abstract
Description
− ウェハの背面と表面との間の導電性を利用した、バルク領域上のコンポーネント、例えば、縦型コンポーネント。
− 完全に互いに分離され、且つ、基板と分離されたSOI(silicon on insulator)領域上のコンポーネント、例えば、MOSコンポーネント、MEMSシステム、MOEMSシステム。
− 左側(上端半導体層10)及び
− 右側(バルク基板20)
を含み、これらは、厚さdOXを有する酸化層30により分離されている。
C(z,t)は、時間t、及びzにおける酸素濃度である。
D(T)は、半導体層内における酸素の拡散係数(単位:cm2/s)である。
− 左側のフラックスが、右側のフラックスよりも大きいと(図5の大きい矢印)、酸化層30の分解をもたらす。
− 右側のフラックスが、左側のフラックスよりも大きいと(図5の小さい矢印)、酸化膜30の成長をもたらす。
− 熱処理の非常に早い段階において、酸化層30の厚さは増大する(バルク基板20からの右側の拡散が、半導体層10を通じた左側の拡散よりも多くなる)。
− その後、一般的には数秒後、酸化膜分解が始まる(バルク基板20からの右側の拡散が、半導体層10を通じた左側の拡散よりも少なくなる)。
また、C0(T)は、アニール温度における半導体内の平衡酸素分解度(equilibrium oxygen solubility)である。
− 1100℃で2時間、又は
− 1200℃で10分、又は
− 1300℃で4分。
バルク基板と、
厚さが、100から1000オングストローム、好ましくは、250から500オングストロームである酸化層と、
厚さが、250から5000オングストローム、好ましくは、250から1000オングストロームである半導体層と、
を備えている。
Claims (32)
- エレクトロニクス又はオプトエレクトロニクス用の構造(50)を処理する方法であって、
前記構造は、
バルク基板(20)と、
酸化層(30)と、
半導体層(10)と、
を順に備え、
前記方法は、
前記半導体層(10)上に所望のパターンを定めるためのマスク手段を設けることと、
前記所望のパターンに対応する前記酸化層(30)の複数の領域(32)内において制御された厚さの酸化物を除去するための熱処理を行うことと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記制御された厚さは、少なくともいくつかの前記領域(32)において、前記酸化層全体の厚さであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記制御された厚さは、全ての前記領域(32)において、前記酸化層全体の厚さであることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記所望のパターンに対応する前記半導体層(10)の前記領域(12)は、制御された厚さを有することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記半導体層(10)の前記領域(12)の前記制御された厚さは、250から5000オングストロームであることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記半導体層(10)の前記領域(12)の前記制御された厚さは、1000オングストロームよりも薄いことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記マスク手段は、前記所望のパターンに対して相補的なパターンにより前記半導体層(10)を覆うマスク(80)であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記マスク(80)は、前記半導体層(10)の熱酸化により形成されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記マスク(80)は、前記半導体層(10)上への窒化物又は酸化物の堆積により形成されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記マスク手段は、前記半導体層(10)の複数のマスク領域(11)により形成され、前記複数のマスク領域(11)は、前記所望のパターンに対応する前記半導体層の前記領域(12)よりも厚いことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記マスク領域(11)は、前記所望のパターンに対応する前記半導体層の前記領域(12)よりも、少なくとも1.5倍厚いことを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記熱処理は、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で、制御された温度及び制御された継続時間にて行われ、
前記半導体層の前記領域(12)の前記制御された厚さ、前記制御された温度、及び前記制御された継続時間は、前記所望のパターンに対応する前記酸化層の前記領域(32)において制御された厚さの酸化物を分解するよう選択される、
ことを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の方法。 - 前記制御された温度は、1100℃から1300℃の間であり、前記制御された継続時間は、5分から5時間の間であることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記半導体層(10)の前記領域(12)の前記制御された厚さ、及び前記制御された温度は、前記酸化層の平均除去速度が少なくとも0.5オングストローム/分となるよう選択されることを特徴とする請求項12又は13に記載の方法。
- 前記熱処理前の前記酸化層(30)の厚さは、100から1000オングストロームであることを特徴とする請求項1から14のいずれか1項に記載の方法。
- エレクトロニクス又はオプトエレクトロニクス用の構造(50)を製造する方法であって、
前記構造は、
バルク層(20)と、酸化層(30)と、半導体層(10)とを順に備え、
前記方法は、
(a)半導体層(10)を設けるステップと、
(b)酸化層(30)が結合界面に形成されるよう前記半導体層(10)をバルク基板(20)と結合させ、前記基板(20)、酸化層(30)、及び半導体層(10)を順に備える構造(50)を形成するステップと、
(c)前記半導体層(10)上に所望のパターンを定めるためのマスク手段を設けるステップと、
(d)前記所望のパターンに対応する前記酸化層の複数の領域(32)内において制御された厚さの酸化物を除去するための熱処理を行うステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記制御された厚さは、少なくともいくつかの前記領域(32)において、前記酸化層全体の厚さであることを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記制御された厚さは、全ての前記領域(32)において、前記酸化層全体の厚さであることを特徴とする請求項16又は17に記載の方法。
- 前記半導体層(10)は、前記所望のパターンに対応する前記領域(12)において、制御された厚さを有することを特徴とする請求項16から18のいずれか1項に記載の方法。
- 前記所望のパターンに対応する前記半導体層(10)の前記領域(12)の前記制御された厚さは、250から5000オングストロームであることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記所望のパターンに対応する前記半導体層(10)の前記領域(12)の前記制御された厚さは、1000オングストロームよりも薄いことを特徴とする請求項20に記載の方法。
- ステップ(c)は、前記所望のパターンに対して相補的なパターンにより、前記半導体層(10)上にマスク(80)を形成することを含むことを特徴とする請求項16から21のいずれか1項に記載の方法。
- ステップ(c)は、前記所望のパターンにより前記半導体層(10)をエッチングして、前記所望のパターンに対応する前記領域(12)よりも厚い複数のマスク領域(11)を形成することを含むことを特徴とする請求項16から21のいずれか1項に記載の方法。
- 前記マスク領域(11)は、前記所望のパターンに対応する前記領域(12)よりも、少なくとも1.5倍厚いことを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記熱処理は、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で、制御された温度及び制御された継続時間にて行われ、
前記半導体層の前記領域(12)の前記制御された厚さ、前記制御された温度、及び前記制御された継続時間は、前記所望のパターンに対応する前記酸化層の前記領域(32)において制御された厚さの酸化物を分解するよう選択される、
ことを特徴とする請求項16から24のいずれか1項に記載の方法。 - 前記制御された温度は、1100℃から1300℃の間であり、前記制御された継続時間は、5分から5時間の間であることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記熱処理前の前記酸化層(30)の厚さは、100から1000オングストロームであることを特徴とする請求項25又は26に記載の方法。
- バルク基板(20)と、酸化層(30)と、半導体層(10)とを順に備える、エレクトロニクス又はオプトエレクトロニクス用の構造であって、
前記酸化層は、厚さが選択的に制御された複数の領域(31,32)を有することを特徴とする構造。 - 前記酸化層は、第1の厚さを有する複数の領域(31)と、第2のより薄い厚さを有する複数の領域(32)とを有することを特徴とする請求項28に記載の構造。
- 前記酸化層は、酸化物を有さない複数の領域(32)を有することを特徴とする請求項28又は29に記載の構造。
- 前記半導体層の厚さは、250から5000オングストロームであることを特徴とする請求項28から30のいずれか1項に記載の構造。
- 前記酸化層(30)の厚さは、100から1000オングストロームであることを特徴とする請求項28から31のいずれか1項に記載の構造。
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