JP2006148066A - ゲルマニウム・オン・インシュレータ（ＧｅＯＩ）型ウェーハの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】薄いゲルマニウム層の電気的品質を改良したゲルマニウム・オン・インシュレータ型ウェーハの製造方法を得る。
【解決手段】ゲルマニウム基板１またはエピタキシャル・ゲルマニウム層を備える基板を設け、ゲルマニウム基板１の一つの主表面３上または主表面３内に誘電体層７を設け、ソース基板をハンドル基板５に取り付けることによりソース・ハンドル複合物を形成し、ソース基板内に前もって設けられ、実質的に主表面に平行な所定分離領域において、基板をソース・ハンドル複合物から取り外すことによりゲルマニウム・オン・インシュレータ・ウェーハを作製する工程を備える。誘電体膜の品質を向上し、同時によりコスト削減効果が高い製造工程を達成するために、ゲルマニウム基板１とハンドル基板５の間に誘電体層７として酸窒化ゲルマニウム層を設ける。
【選択図】図１

Description

本発明はゲルマニウム・オン・インシュレータ（ＧｅＯＩ）型ウェーハの製造方法に関する。

電子及びホールに対するその高い移動度のため、ゲルマニウムは、広く広まっているシリコンに加えて、半導体装置に対する関心対象の材料である。漏洩電流を阻止するためにますます多くのシリコン装置がシリコンオン・イン・シュレータ（ＳＯＩ）型ウェーハ上に製造されているように、同じ傾向をゲルマニウム上に成長させた装置に関して見ることができる。シリコンとゲルマニウムの間の主な違いは、安定な二酸化珪素とは異なり、自然の酸化ゲルマニウムは、ＧｅＯＩ型ウェーハにおいて誘電体の役割を果たすには十分なほど安定していないという事実である。

この問題を克服するために従来技術において、例えば、テトラ・エチル・オルト・シリケート（ＴＥＯＳ）またはＳｉＨ４から構成される二酸化珪素のような低温酸化物（ＬＴＯ）や、ＴＥＯＳまたは高温酸化物（ＨＴＯ）のような二酸化珪素状の層、または、例えば、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）または窒化ゲルマニウム（Ｇｅ_３Ｎ_４）のような非酸化物状の層を誘電体として使用することが提案されている。これらの層は通常、低圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）またはプラズマ加速化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）により堆積される。それらの誘電体はバルク・ゲルマニウム・ウェーハ上または、例えば、ゲルマニウム・ウェーハよりも安価なシリコンまたは炭化珪素ウェーハのような他の型のウェーハ上に前もって設けられた、例えば、薄いゲルマニウム層上に堆積される。

しかし、補助誘電体の堆積は下記の問題を有する。第一番目に、補助層誘電体の堆積により、ＳｉＯ_２層とＧｅの間の界面層は良好に制御されないことを意味する。この界面は、堆積に先立ち、Ｇｅ上に施された表面処理（例えば、洗浄）に依存する。第二番目に、堆積層の電気的特性と共に構造的特性を改善するために熱アニーリングを実行する必要がある。第三番目に、堆積層の表面粗さの程度は熱成長層と比べてより大きく、それゆえ堆積及びアニーリングされた酸化物の表面の品質を改善するために、研磨を実行することが必要となる。ＧｅＯＩウェーハの製造工程の間、誘電体の表面がハンドル基板に接着されるので、その表面の品質は重要な役割を果たす。

実際、ＧｅＯＩ型ウェーハを得るための典型的な方法は、下記のａ）一つの主表面上に誘電体層を堆積し、アニーリングと研磨をほどこしたゲルマニウム（Ｇｅ）基板またはエピタキシャルゲルマニウム層を備える基板のようなソース基板と提供する工程と、ｂ）この構造をハンドル基板に取り付けてソース・ハンドル複合物を形成する工程と、及びｃ）実質的に一つの主表面に平行に、前もって作製された所定分離領域において、ソース基板の一部をソース・ハンドル複合物の残余部から取り外すことによって、誘電体層と共に薄いＧｅ層をハンドル基板上に転移する工程とを備える。

自然酸化ゲルマニウムはＧｅＯＩ型ウェーハ上の誘電体として使用できず、それゆえ他の型の酸化物または窒化物を堆積、アニーリング、及び研磨する必要があるという上記の問題のため、現状技術のＧｅＯＩウェーハは、低品質の誘電体膜及び製造上の低いスループット、そして更にその結果として、ウェーハ１個当りのコストが高いという欠点を有する。

それゆえ、誘電体に関連する上記の問題を克服するためにＧｅＯＩ型ウェーハの製造工程の改良型を提供することが本発明の目的である。

この目的は、請求項１に記載の製造方法により解決される。

ゲルマニウム基板の一つの主表面上に、または主表面内に、酸窒化ゲルマニウム（ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ）層を設けることで下記の利点がえられる。まず第１に、それは、現状技術のＧｅＯＩウェーハにおいて使用される誘電体層に比べて非常に良好な電気的特性を有するゲルマニウム／酸窒化ゲルマニウム界面を提供する。ここで酸窒化ゲルマニウム界面は、ＧｅＯ_ｘＮ_ｙと形成母体であるゲルマニウムとの間の界面である。更に、酸窒化ゲルマニウム界面は、表面の粗さ、ナノトポロジー、側面の平坦性、及び粒子密度に関してウェーハ接着基準を満たし、それゆえハンドル基板との接着が容易である。

酸窒化ゲルマニウム界面の良好な電気的特性は、例えば、Ｔ．Ｎ．Ｊａｃｋｓｏｎ ｅｔ ａｌ．，ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．１２，ｐ．６０５，１９９１ と Ｃ．Ｏ．Ｃｈｕｉ ｅｔ ａｌ．，ＩＥＤＭ ２００３ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ，ｐａｇｅ ４３７，２００３により知られているゲルマニウムベースのＣＭＯＳ構造において以前に使用されている。驚くことに、ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層はまたＧｅＯＩウェーハ製造工程の取り付け及び取り外し工程と互換性があり、それゆえ全体の製造工程を容易にし、ウェーハ１個当りのコストを改良する。

有利な実施形態としては、本方法は更に、工程ｂ）と工程ｃ）の間に、すなわち酸窒化ゲルマニウム層を設ける工程と、ソース基板をハンドル基板に取り付ける工程の間に所定分離領域をソース基板内に作製する工程を備えることができる。これには、酸窒化ゲルマニウムとソース基板のゲルマニウムとの間に良好な界面が画定され、ＧｅＯＩウェーハ上に構築されるデバイスの良好な機能を保証するに十分な良好な電気的特性を有するという利点がある。例えば、ヘリウムや水素イオンのような原子種をソース基板に注入して、所定分離領域を得ることができるので有利である。それにより、驚くべきことに、注入イオンが通過するＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層は上記の優れた特性を失わないということが観察された。

工程ｂ）が酸窒化ゲルマニウム層を作製するために、ゲルマニウム基板を酸化する工程またはソース基板上の自然酸化物を使用して酸化ゲルマニウムを窒化する工程を備えることができることは利点である。特に、堆積層とは対照的に、熱的に成長した酸化物層は、例えば、表面の粗さが優れるなどのような膜特性の優位性があるので、ゲルマニウム基板の熱酸化は有利な工程である。熱酸化に加えて例えば、どちらもに酸素のプラズマ雰囲気を使用する電子サイクロトロン共鳴プラズマ酸化またはプラズマ陽極酸化のような代替技術を採用してＧｅを酸化することもできる。熱酸化に比べて成長速度を向上及び／または成長温度を下げることができる。得られた誘電体を安定化させるために、酸化ゲルマニウムの窒化を実行して、上述の優位性を有する安定した酸窒化ゲルマニウム層を最終的に得る。

工程ｂ）は少なくともアンモニア、二酸化窒素または一酸化窒素の一つを使用する窒化を備えることができると好適である。これらの気体は、更に製造コストを削減する簡単な方法での窒化を可能にする。また、窒化を、少なくともアンモニア、二酸化窒素または一酸化窒素の一つのプラズマを使用するプラズマ陽極窒化技術により実行できる。

更なる変形例においては、工程ｂ）は急速熱窒化による酸窒化ゲルマニウム層を作製する工程を備えることができる。これは相対的に短時間の間、加熱されたゲルマニウム基板、ゲルマニウム層または既酸化ゲルマニウム層をアンモニア雰囲気中に置く工程からなる。

一つの変形例においては、工程ｂ）はＮまたはＮ_２イオンを注入する工程を備えることができる。この結果、イオン注入を、酸窒化ゲルマニウム層を直接作製するのに使用でき、または既に形成された酸窒化ゲルマニウム層の化学量論的関係を変更するのに使用できる。イオンの線量及びエネルギーを適当に選ぶことにより、種々の酸窒化ゲルマニウムを、化学量論的ＧｅＮ_２Ｏから非化学量論的ＧｅＯ_ｘＮ_ｙまでの範囲で得ることができ、それにより、最終製品の要求に応じて、異なる酸窒化ゲルマニウム層を作製できるという自由度が広がる。

工程b）は更に、特に環式フッ素酸（ＣＨＦ）を使用してのゲルマニウム表面の洗浄工程を含むことができると好適である。ゲルマニウム基板表面の洗浄は酸窒化ゲルマニウム界面の品質を向上し、それにより、更にゲルマニウム・オン・インシュレータ・ウェーハの電気的特性を向上する。

好適な実施形態によれば、工程c）に先立ち、約０Å〜２０Åの厚さを有する酸窒化ゲルマニウム（ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ）層の表面層を、プラズマ活性化により活性化できる。プラズマ活性化を適用することにより、ハンドル基板に取り付ける（接着する）ときに、非活性化表面よりも更に強力な化学的接着が形成できるように、酸窒化ゲルマニウム層の表面の化学的性質を改質することができる。上記のプラズマ活性化は、プラズマ活性化による窒化であってもよい。これは、最終製品の製造に対するアニーリング温度とアニーリング時間の減少という結果につながる。

ハンドル基板の材料が、ゲルマニウム、シリコン、シリコン上の二酸化珪素（熱成長）、炭化珪素、砒化ガリウム、または水晶の一つであると好適である。これらの材料とＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層との接着は良好な接着特性をもって実現することができる。従って、実際には、酸窒化ゲルマニウムはゲルマニウムウェーハまたはソース基板それ自身を含むゲルマニウム層上に成長するので、複数種類のゲルマニウム・オン・インシュレータ・ウェーハを一つの及び同じ方法により得ることができる。

有利な実施形態として、本方法は、ソース・ハンドル複合物の形成に先立ち、追加層を、特に堆積二酸化珪素（ＳｉＯ_２）層をＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層上に設ける工程を更に備えることができる。この層の追加により接着表面が接着技術に対してより標準的な表面となるので、取り付け工程が容易になる。

第２追加層、特にＨｆＯ_２またはＳｉ_３Ｎ_４層は、追加層を設ける前に、ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層上に設けることができると好適である。この第２追加層によりＧｅＯＩウェーハの抵抗力、特に化学的作用に対する抵抗力が向上する。その構造におけるＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層の役割は、良好な電気的特性を保証する。

追加層を、所定分離領域の準備に先立ち設けることができれば有利である。これは、例えば注入イオンのエネルギーを自由に選択できるので、所定分離領域の作製を最適化することに使用することができる。

変形例によれば、堆積酸化物層の存在が埋込酸化物層の電気的性質に対して適していない場合は、ソース・ハンドル複合物の形成に先立ち、追加層を除去できる。ソース・ハンドル複合物の形成に先立ち追加層を除去すれば、イオン注入の間に起こり得る表面損傷が、最終製品の品質を下げないという利点になる。

本発明は更に、上記の方法により製造されたゲルマニウム・オン・インシュレータ（ＧｅＯＩ）ウェーハに関する。

本発明の方法の有利な実施形態を、図面を参照して下記に記述する。

下記において、本発明に係るゲルマニウム・オン・インシュレータ型ウェーハの製造方法は、Ｓｍａｒｔ Ｃｕｔ（登録商標）技術を使用して記述される。しかし、他の適切なインシュレータ上の半導体を提供する製造方法もまた、本発明に適用可能である。

図１のａは、ゲルマニウム（Ｇｅ）基板１を、または変形例として、一つの主表面上に設けられたエピタキシャルゲルマニウム層を有する基板を示している。ソース基板の表面３は、更なる処理に先立ち、例えば環式フッ素酸（ＣＨＦ）を使用して洗浄してもよい。

図１のｂは、ハンドル基板５を示し、ハンドル基板は、例えば、ゲルマニウムウェーハ、シリコンウェーハ、熱成長二酸化珪素層を有するシリコンウェーハ、炭化珪素層、シリコンゲルマミウムの正面を有するウェーハまたは砒化ガリウムウェーハで有り得る。場合によっては、水晶型ウェーハもまた使用可能である。ソース基板１とハンドル基板５の両者は、例えば２００ｍｍまたは３００ｍｍ型ウェーハのような、適切ならばいかなるサイズまたは形式を有してよい。

図１のｃは、Ｇｅ基板１の主表面３上または主表面３内に酸窒化ゲルマニウム層を設ける工程からなるゲルマニウム・オン・インシュレータ・ウェーハの本発明の製造方法の工程b)を示している。本実施形態において、酸窒化ゲルマニウム層（７）を得るためには、Ｇｅ基板１の表面層を酸化させることにより、自然酸化ゲルマニウムを少なくとも主表面３上にまたは主表面３内で熱成長させる。これは、酸素を含む雰囲気において約５５０℃の温度で達成される。通常は最大約５００Å〜３０００Åの範囲の厚さ、特には約１５００Åの厚さの酸化ゲルマニウム層の成長が続いて、その後、例えば、約３５０℃の温度において起こる窒化工程を実行する。温度は、アンモニア（ＮＨ_３）を含む雰囲気において、窒化中は、約６００℃まで上昇することもある。変形例として、二酸化窒素または一酸化窒素（ＮＯ_２またはＮＯ）もまた窒化を達成するために使用してもよい。通常、そのような工程は、処理する材料の厚さに依存し、約５００Å〜３０００Åの範囲における厚さ、特に約１５００Åの厚さを有する酸窒化ゲルマニウムに対して、約１０分ないし数時間かかる。このような条件においては、主に化学量論的なＧｅＮ_２Ｏが得られるが、非化学量論的酸窒化ゲルマニウムもまた、上記の工程パラメータの一つまたは二つ以上を変化させることにより、提案された方法により得られる。良好な表面特性を有する熱成長酸化物及び表面の品質に全く影響を及ばさない、または限られた影響しか及ぼさない窒化により、続く接着工程のための良好な界面が達成される。

酸化ゲルマニウムを熱成長させる代わりに、電子サイクロトロン共鳴プラズマ技術またはプラズマ陽極酸化技術を使用して成長させることも可能である。酸化物成長はその場合は、約８０℃〜４００℃の温度において実行でき、または同様な成長温度における熱酸化と比べて約４倍高い酸化物成長速度を得ることができる。更に、追加的にＮまたはＮ_２イオンを、酸化ゲルマニウムまたは酸窒化ゲルマニウム層に注入することも可能である。イオンの線量及びエネルギーは、達成したい化学量論的関係及び注入層の厚さにより選択される。

変形例によれば、約１００Åの酸窒化ゲルマニウム層７がまた、例えば、約６００℃にまで加熱されたゲルマニウムまたは酸化ゲルマニウムのどちらかを、約１分間、アンモニア（ＮＨ３）雰囲気に置く工程からなる急速熱窒化により得られる。本発明の他の変形例によれば、酸化ゲルマニウムもまた、雰囲気に晒されたときにゲルマニウムウェーハ表面上に存在する自然酸化物（数Å〜数十Åの厚さを有する）から構成することもできる。

図１のｄに示す次の工程において、主表面３に実質的に平行で、酸窒化ゲルマニウム層７を含んで設けられた所定分離領域９がソース基板１内に作製される。Ｓｍａｒｔ Ｃｕｔ技術においては、これは所定のエネルギー及び線量の、例えば水素イオンのような原子種８をソース基板１にイオン注入することにより達成される。この注入は、通常はあらかじめ設けられた酸窒化ゲルマニウム層７を通して起こる。

図１のｅに示す次の工程において、ハンドル基板５と、上面に酸窒化ゲルマニウム層７を有するソース基板１はお互い接着されて、ソース・ハンドル複合物１１が作製される。接着は、ハンドル基板５の主表面１３の一つと酸窒化ゲルマニウム層７の表面の間で起こる。酸窒化ゲルマニウム表面１５の表面品質は、表面の粗さ（典型的には１０Å未満、特には５Å未満）、ナノトポロジー、サイト平坦性及び粒子密度に関して接着基準を満たすので、二つの基板間の接着は、酸窒化ゲルマニウム層７の表面１５を前もって研磨することさえなしでも達成することができる。これは、二酸化珪素のような酸化物を堆積し、そしてアニーリングし、最終的にＣＭＰ研磨する従来技術の工程に関して主要な利点を表している。

変形例によれば、酸窒化ゲルマニウム表面層のプラズマ活性化を実行して、約０Å〜２０Åの厚さ有する表面層のプラズマ活性窒化を実行できる。

図１のｆは、取り外し工程の結果を示しており、その工程はＳｍａｒｔ Ｃｕｔ技術においてはソース・ハンドル複合物を熱アニーリングする工程から構成される。アニーリングの間に所定分離領域９は脆弱となり、ソース基板の残余部２１とゲルマニウム・オン・インシュレータ・ウェーハ１７の間で完全な取り外しが起こる。ここでゲルマニウム・オン・インシュレータ・ウェーハ１７はハンドル基板５と酸窒化ゲルマニウム層７及びゲルマニウム層１９から構成され、酸窒化ゲルマニウム層７及びゲルマニウム層１９は接着を介して元のソース基板１０からハンドル基板５上へ転移したものである。元のソース基板の残余部２１は除去され、それをＳＯＩ Ｓｍａｒｔ Ｃｕｔ工程中のように回収後、続くゲルマニウム・オン・インシュレータ製造工程においてソース基板１として再利用できる。

上記の本発明の工程により、コスト削減効果の高いゲルマニウム・オン・インシュレータ・ウェーハ１７を提供することが可能で、それは同時に、酸窒化ゲルマニウム層７と、ソース基板のゲルマニウムウェーハに対するその熱的界面と、ハンドル基板５に対するその接着界面とにおける優位な特性のために、高い品質を有する。

図２のａ〜ｆに示す本発明の方法の第２実施形態によれば、追加層が酸窒化ゲルマニウム層７とハンドル基板５の間に設けられ、例えば堆積ＳｉＯ_２表面のような、より標準的な接着表面を使用して接着を容易にする。第２実施形態は第１実施形態と同じ工程を備え、それゆえ工程を再び繰り返して説明はしないが、参照によりここに記述するものとする。図１のａ〜ｆと図２のａ〜ｆのように同じ参照番号を有する要素はお互いに対応し、それゆえその特性を再び繰り返し説明はしないが、参照によりここに記述するものとする。

図２のａに示す第２実施形態によれば、図１のｄに示す工程ステップに先立ち、ＳｉＯ_２層２３がＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層７上に堆積される。層２３は、ゲルマニウムとなじみのよい温度、典型的には７００℃未満の温度において、例えば、ＴＥＯＳまたはＳｉＨ４に基づくＰＥＣＶＤにより堆積される。この層２３は、数ナノメータ〜数百ナノメータの厚さを有してよい。この場合、図２のｂに示すソース・ハンドル複合物１１’は、図１のｅに示すソース・ハンドル複合物１１の層に加えて層２３を備える。

ゲルマニウムと酸化物の間の界面はＧｅＯ_ｘＮ_ｙ／Ｇｅ界面のままであり、それは前述したように非常に良好な電気的特性を有する。ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層７と堆積ＳｉＯ_２層２３の間の界面は低品質である。しかし、この界面は相対的にゲルマニウム層１９から遠いので、この層１９の電気的特性を損傷することはない。

第２実施形態の変形例によれば、例えばＨｆＯ_２またはＳｉ_３Ｎ_４のような第２追加層２５は、図２のｃに示すようにＳｉＯ_２層２３を設ける前に、ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層７上に堆積される。接着後、図２のｄに示すソース・ハンドル複合物１１”が得られ、それはソース・ハンドル複合物１１’と比較して一つ多く層、第２追加層２５を備える。

実際、堆積ＳｉＯ_２は、一般的に使用される熱的形成ＳｉＯ_２以外の異なる特性を有する。特に、堆積ＳｉＯ_２は、例えばフッ酸ＨＦなどによる化学作用に対して低い抵抗力を有する。これは、堆積ＳｉＯ_２層２３がＧｅＯＩ基板１７の最終埋込酸化物界面を形成する転移ゲルマニウム層１９の中にデバイスをあとで製造するときに問題となり得る。追加ＨｆＯ_２またはＳｉ_３Ｎ_４層２５はこの抵抗力を増す。

第２実施形態の第２変形例によれば、例えばＳｉＯ_２のような追加層２３が、図１のｄに示すイオン注入工程の前にＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層７上に堆積される。埋込酸化物の品質を向上するためにＧｅＯＩ基板１７の埋込酸化物として特に熱酸化物のみを形成することを要求される場合には、図１のｅに示す接着工程の前にこの層を除去することが必要となる。この場合、ＳｉＯ_２層２３の堆積に先立ち、ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層７上にＨｆＯ_２またはＳｉ_３Ｎ_４の第２追加層を堆積することは有利であり得る。この層の厚さは、数ナノメータ〜数百ナノメータであってよい。これにより、図１のｄに示すように、例えばＨＦを使用する化学作用により、注入工程後に堆積ＳｉＯ_２層を除去することが可能になる。図２のｅに示す結果としての構造（例えば、Ｇｅ／ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ／ＨｆＯ_２）は、その後、その表面１３上に熱ＳｉＯ２を備えていてもいなくてもよいハンドル基板５に直接接着され、図２のｆに示すソース・ハンドル複合物１１”’を形成する。

上記の全ての変形例において、ゲルマニウムとＧｅＯＩ誘電体の間の界面は常にゲルマニウム／ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ界面である。これにより、薄いゲルマニウム層７の電気的品質が保証される。

ａ〜ｆは本発明に係るゲルマニウム・オン・インシュレータ型ウェーハの製造方法の第１実施形態を示す。 ａ〜ｆは本発明に係るゲルマニウム・オン・インシュレータ型ウェーハの製造方法の第２実施形態を示す。

符号の説明

１…ウェーハ、３…主表面、５…ハンドル基板、７…酸窒化ゲルマニウム層、９…所定分離領域、１０…ソース基板、１１，１１”…ソース・ハンドル複合物、１３…主表面、１５…酸窒化ゲルマニウム表面、１７…ゲルマニウム・オン・インシュレータ・ウェーハ、１９…転移ゲルマニウム層、２１…残余部、２３…追加層、２５…追加層

Claims (14)

1. ａ）ゲルマニウム（Ｇｅ）基板またはエピタキシャルＧｅ層を備える基板をソース基板（１）として設ける工程と、
   ｂ）前記ソース基板（１）の一つの主表面（３）上または主表面（３）内に酸窒化ゲルマニウム（ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ）層（７）を設ける工程と、
   ｃ）ソース・ハンドル複合物（１１）を形成するために前記ソース基板（１）をハンドル基板（５）に取り付ける工程と、
   ｄ）前記ソース基板（１）内に前もって設けられ、実質的に前記主表面（３）に平行な所定分離領域（９）において、ＧｅＯＩ型ウェーハを作製するために、前記ソース基板（２１）を前記ソース・ハンドル複合物（１１）から取り外す工程と、
   を備えるゲルマニウム・オン・インシュレータ（ＧｅＯＩ）型ウェーハの製造方法。
2. 前記工程ｂ）とｃ）の間に、前記ソース基板（１）内に前記所定分離領域（９）を作製する工程を更に備える請求項１に記載の方法。
3. 前記工程ｂ）は：
   ｂ１）前記ソース基板（１）を酸化、または前記ソース基板（１）上の自然酸化物を使用する工程と、
   ｂ２）酸化Ｇｅを窒化してＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層（７）を作製する工程と、
   を備える請求項１または２に記載の方法。
4. 前記工程ｂ２）は、少なくともアンモニア（ＮＨ_３）、ＮＯ_２、及びＮＯの一つを使用して窒化することを備える請求項３に記載の方法。
5. 前記工程ｂ）は、急速熱窒化により前記ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層（７）を設ける工程ｂ１）を備える請求項１または２に記載の方法。
6. 前記工程ｂ）は、Ｎ及び／またはＮ_２イオンを注入する工程を含む請求項１〜５のいずれか1項に記載の方法。
7. 前記工程ｂ１）に先立ち、特に環式フッ素酸（ＣＨＦ）を使用することにより、前記主表面（３）を洗浄する工程を更に備える請求項３〜６のいずれか1項に記載の方法。
8. 前記工程ｃ）に先立ち、酸窒化ゲルマニウム（ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ）層（７）の約０Å〜２０Åの厚さの表面層（１５）をプラズマ活性化により活性化する請求項１〜７のいずれか1項に記載の方法。
9. 前記ハンドル基板（５）の材料は、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコン（Ｓｉ）、シリコン（Ｓｉ）上の熱成長二酸化珪素、炭化珪素（ＳｉＣ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）または水晶の一つである請求項１〜８のいずれか1項に記載の方法。
10. 前記ソース・ハンドル複合物（１１）の形成に先立ち、追加層（２３）、特に堆積二酸化珪素（ＳｉＯ_２）層を、前記ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層（７）上に設けることを更に備える請求項１〜項９のいずれか1項に記載の方法。
11. 前記追加層（２３）を設ける前に、第２追加層（２５）、特に、ＨｆＯ_２またはＳｉ_３Ｎ_４層をＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層（７）上に設けることを更に備える請求項１０に記載の方法。
12. 前記所定分離領域（９）の準備に先立ち、前記追加層（２３）を設ける請求項１０または１１に記載の方法。
13. 前記ソース・ハンドル複合物（１１）の形成に先立ち、前記追加層（２３）を除去する請求項１２に記載の方法。
14. 請求項１〜１３のいずれか1項に記載の方法で製造されるゲルマニウム・オン・インシュレータ（ＧｅＯＩ）ウェーハ。
    

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