JP2010519783A - レーザ生成プラズマｅｕｖ光源 - Google Patents

Abstract

ＥＵＶ光源チャンバ外での利用に向けて、ターゲット材料から生成され、例えば、リソグラフィスキャナ／ステッパにより集光されて中間領域に誘導されるプラズマからＥＵＶ光を供給する極端紫外線（ＥＵＶ）光源を提供する。本発明は、ＥＵＶ放射線とプラズマを出るイオンとを生成するプラズマをプラズマ部位で発生させるシステムを含むことができる装置を開示する。装置はまた、部位から距離ｄだけ隔てられた光学器械、例えば多層ミラー、及びプラズマと光学器械の間に配置された流動ガスを含むことができ、ガスは、イオンが光学器械に到達する前にイオンエネルギを予め選択した値未満に低減するように距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立する。一実施形態では、ガスは、ハロゲンを含むことができ、特定的な実施形態では、ガスは、５０体積パーセントを超える水素を含むことができる。
【選択図】図１

Description

本出願は、２００７年４月１０日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の米国特許出願出願番号第１１／７８６、１４５号に対する優先権を請求するものであり、また、代理人整理番号第２００７−００１０−０１号である、２００７年２月２６日出願の「ＥＵＶ光源」という名称の米国特許出願出願番号第６０／９０３、６４３号に対する優先権も請求するものであり、これらの特許の内容全体は、本明細書において引用により組み込まれている。

本出願は、代理人整理番号第２００２−００３０−０１号である、２００３年４月８日出願の「極端紫外線光源」という名称の米国特許出願出願番号第１０／４０９、２５４号の継続である、代理人整理番号第２００２−００３０−０８号である、２００５年４月１４日出願の「極端紫外線光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／１０７、５３５号の一部継続出願であり、これらの特許の各々の内容全体は、本明細書において引用により組み込まれている。

本出願は、代理人整理番号第２００５−００８５−０１号である、２００６年２月２１日出願の「プレパルスによるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／３５８、９８８号と、代理人整理番号第２００４−０００８−０１号である、２００５年２月２５日出願の「ＥＵＶプラズマ源ターゲット送出の方法及び装置」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／０６７、１２４号と、代理人整理番号第２００５−０００３−０１号である、２００５年６月２９日出願の「ＬＰＰ−ＥＵＶプラズマ源材料ターゲット送出システム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／１７４、４４３号と、代理人整理番号第２００５−０１０２−０１号である、現在特許出願中の「ＥＵＶ光源のためのソース材料分配器」という名称の米国特許出願と、代理人整理番号第２００５−００８１−０１号である、２００６年２月２１日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／３５８、９９２号と、代理人整理番号第２００５−００４４−０１号である、２００５年６月２９日出願の「ＬＰＰ−ＥＵＶ光源駆動レーザシステム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／１７４、２９９号と、代理人整理番号第２００６−０００３−０１号である、２００６年４月１７日出願の「ＥＵＶ光源のための代替燃料」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／４０６、２１６号と、代理人整理番号第２００６−００２５−０１号である、２００６年１０月１３日出願の「ＥＵＶ光源のための駆動レーザ送出システム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／５８０、４１４号と、代理人整理番号第２００６−００６−０１号である、２００６年１２月２２日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／６４４、１５３号と、代理人整理番号第２００６−００２７−０１号である、２００６年８月１６日出願の「ＥＵＶ光学器械」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／５０５、１７７号と、代理人整理番号第２００６−０００１−０１号である、２００６年６月１４日出願の「ＥＵＶ光源のための駆動レーザ」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第／４５２、５０１号と、２００５年８月９日にＷｅｂｂ他に付与された「長期遅延及び高ＴＩＳパルス伸長器」という名称の現在特許出願中の米国特許第６、９２８、０９３号と、代理人整理番号第２００４−０１４４−０１号である、２００６年３月３１日出願の「共焦点パルス伸長器」という名称の米国特許出願第１１／３９４、５１２号と、２００５年５月２６日出願の「線ビームとして成形されたレーザと基板上に堆積された膜の間での相互作用を実施するシステム及び方法」という名称の米国特許出願第１１／１３８、００１号（代理人整理番号第２００４−０１２８−０１号）と、現在は米国特許第６，６９３、９３９号であり、「ビーム送出を備えたレーザリソグラフィ光源」という名称の２００２年５月７日出願の米国特許出願第１０／１４１、２１６号と、２００３年９月２３日にＫｎｏｗｌｅｓ他に付与された「超狭帯域２チャンバ高繰返し数ガス放電レーザシステム」という名称の米国特許第６、６２５、１９１号と、代理人整理番号第２００１−００９０−０１号である、米国特許出願第１０／０１２００２号と、２００３年４月１５日にＮｅｓｓ他に付与された「正確なタイミング制御を備えた注入シードレーザ」という名称の米国特許第６、５４９、５５１号と、代理人整理番号第２００１−００２０−０１号である、米国特許出願第０９／８４８０４３号と、２００３年５月２０日にＭｙｅｒｓ他に付与された「超狭帯域２チャンバ高繰返し数ガス放電レーザシステム」という名称の米国特許第６、５６７、４５０号と、代理人整理番号第２００１−００８４−０１号である、米国特許出願第０９／９４３、３４３号と、代理人整理番号第２００５−００８６−０１号である、２００６年８月２５日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源のためのソース材料回収ユニット」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／５０９、９２５号とに関連し、これらの特許の各々の内容全体は、本明細書において引用により組み込まれている。
本発明の開示は、ＥＵＶ光源チャンバ外での利用に向けて、ターゲット材料から生成され、例えば、リソグラフィスキャナ／ステッパにより集光されて中間領域に誘導されるプラズマからＥＵＶ光を供給する極端紫外線（ＥＵＶ）光源に関する。

極端紫外線光、例えば、約５０ｎｍ又はそれ未満の波長（軟Ｘ線とも呼ばれることもある）を有し、かつ約１３．５ｎｍの波長での光を含む電磁放射線は、フォトリソグラフィ処理において使用し、基板、例えば、シリコンウェーハ内の極めて小さな特徴部を生成することができる。
ＥＵＶ光を生成する方法には、１つ又はそれよりも多くの輝線がＥＵＶ範囲にある少なくとも１つの元素、例えば、キセノン、リチウム、又は錫を有する材料をプラズマ状態に変換することがあるが、必ずしもこれに限定されるわけではない。レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）いうことが多い１つのこのような方法においては、所要のプラズマは、所要の線放出元素を有する材料の液滴、流れ、又はクラスターのようなターゲット材料をレーザビームで照射することによって生成することができる。

１つの特定のＬＰＰ技術では、１つ又はそれよりも多くのプレパルスで、次に主パルスでターゲット材料液滴を照射することを伴う。この点に関して、ＣＯ₂レーザは、ＬＰＰ工程で「主」パルスを生成する駆動レーザとしてある一定の利点を示す場合がある。これは、特に、溶融錫液滴のようなある一定のターゲット材料に対して当て嵌まるであろう。例えば、１つの利点は、比較的高い変換効率、例えば、出力ＥＵＶ帯域内電力と駆動レーザ入力電力の比を生成する機能を含むことができる。

より理論的には、ＬＰＰ光源は、キセノン（Ｘｅ）、錫（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）のような光源元素内にレーザエネルギを堆積させることによってＥＵＶ放射線を発生させ、数十ｅＶの電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマを生成する。これらのイオンの脱励起及び再結合中に生成された高エネルギ放射線は、全方向にプラズマから放出される。１つの一般的な構成においては、近垂直入射ミラー（「集光ミラー」と呼ぶことが多い）は、光を集めて中間位置、例えば焦点に誘導する（かつ一部の構成においては集束させる）ためにプラズマから距離を置いて位置決めされる。集められた光は、次に、中間位置から１組のスキャナ光学器械、及び最終的にはウェーハまで中継することができる。典型的な設定においては、ＥＵＶ光は、光源内でプラズマから中間位置まで１〜２ｍ進まなければならず、従って、ある一定の状況においては、帯域内ＥＵＶ光の吸収率が比較的低いガスを光源チャンバ内で使用することが有利である場合がある。一構成においては、レーザビームは、プラズマ発生に向けて集光ミラーの中央開口部を通って液滴ターゲット上に集束させることができる。後方に放出されるＥＵＶ放射線は、次に、集光ミラーにより近垂直入射で反射されて中間位置に誘導される。この構成の１つの利点は、ミラーの背後側からの熱管理により制御することができる熱負荷容量が大きくかつ変形の可能性が低い質量が比較的大きい集光器シェルを使用することができることである。

上述の構成に対して、典型的には、インタフェース装備の複数の層による段階的な高温安定コーティングを有する集光ミラーを使用して、様々な入射角で比較的高いＥＵＶ反射率を提供する。これらの近垂直入射（ＮＩ）集光ミラーは、良好な熱負荷容量、並びに高熱負荷の下での良好な画像忠実度を示す傾向がある。多層（ＭＬ）コーティングも、帯域外（ＯＯＢ）ＥＵＶ放射線の実質的なスペクトルフィルタリングを提供することができる。更に、ＭＬコーティングは、積層化することができ、又は層周期の数を増すことができ、ＮＩ集光器の有効寿命を延長する犠牲層を提供する。

大量製造（ＨＶＭ）環境での使用のために設計されるＥＵＶ光源に対しては、集光ミラーの寿命は、効率、休止時間、及び最終的には経費に影響を与える極めて重要なパラメータである。作動中に、デブリが、集光ミラー面を劣化させる可能性があるプラズマの副産物として生成される。これらのデブリは、ターゲット材料の高エネルギイオン、中性原子、及びクラスターの形態とすることができる。これらの３つの形式のデブリのうちの集光ミラーコーティングに関する最も危険なものは、典型的にはイオン流束である。一般的に、上述の構成に対しては、ターゲット材料の大部分は、集光器面から離れる方向に（すなわち、レーザビームの方向に）移動するので、集光器に衝突する液滴ターゲットからの中性原子及びクラスターの量は少量だと考えられる。デブリ軽減及び／又は集光器清浄化技術がない場合、ターゲット材料及び汚濁物質の堆積、並びに集光器多層コーティングのスパッタリング及び入射粒子の注入により、ミラーの反射率が実質的に低減する可能性がある。

より詳細には、約数キロ電子ボルトのエネルギを有するイオンの表面との相互作用は、ＭＬＭコーティングの材料の侵蝕をもたらす。１つの研究においては、１００万パルス当たり〜０．２層の侵蝕率が観測された。この層除去は、プラズマから放出された高エネルギ粒子の衝突中のスパッタリングの結果とすることができる。上述のように、集光ミラーコーティングは、犠牲層を含み、それでも完全なＥＵＶ反射率をもたらすことができる。０．２層／Ｍパルスの侵蝕率及び５００犠牲層を仮定すると、無保護集光器は、僅か約２．２ｘ１０⁹パルスにわたってのみ有用と考えられ、これは、５０ｋＨｚの繰返し数でＨＶＭ環境における約２日の寿命に相当する。

米国特許出願出願番号第１１／７８６、１４５号 米国特許出願出願番号第６０／９０３、６４３号 米国特許出願出願番号第１０／４０９、２５４号 米国特許出願出願番号第１１／１０７、５３５号 米国特許出願出願番号第１１／３５８、９８８号 米国特許出願出願番号第１１／０６７、１２４号 米国特許出願出願番号第１１／１７４、４４３号 米国特許出願出願番号第１１／３５８、９９２号 米国特許出願出願番号第１１／１７４、２９９号 米国特許出願出願番号第１１／４０６、２１６号 米国特許出願出願番号第１１／５８０、４１４号 米国特許出願出願番号第１１／６４４、１５３号 米国特許出願出願番号第１１／５０５、１７７号 米国特許出願出願番号第／４５２、５０１号 米国特許第６、９２８、０９３号 米国特許出願第１１／３９４、５１２号 米国特許出願第１１／１３８、００１号 米国特許第６，６９３、９３９号 米国特許出願第１０／１４１、２１６号 米国特許第６、６２５、１９１号 米国特許出願第１０／０１２００２号 米国特許第６、５４９、５５１号 米国特許出願第０９／８４８０４３号 米国特許第６、５６７、４５０号 米国特許出願第０９／９４３、３４３号 米国特許出願出願番号第１１／５０９、９２５号

上記を念頭において、本出願人は、「イオン停止緩衝ガス」を使用した「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源」及び対応する使用方法を開示する。

一態様では、ＥＵＶ放射線とプラズマを出るイオンとを生成するプラズマをプラズマ部位で発生させるシステムを含むことができる装置を開示する。装置はまた、部位から距離ｄだけ隔てられた光学器械、例えば多層ミラー、及びプラズマと光学器械の間に配置された流動ガスを含むことができ、ガスは、イオンが光学器械に到達する前にイオンエネルギを１００ｅＶ未満、及び一部の場合では３０ｅＶ未満に低減するように距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立する。この態様の一実施形態では、ガスは、ハロゲンを含むことができ、特定的な実施形態では、ガスは、５０体積パーセントを超える水素を含むことができる。ガスは、重水素を含むことができる。プラズマは、Ｓｎを含むことができる。レーザは、利得媒体を含むことができ、利得媒体は、ＣＯ₂を含むことができる。ガス、プラズマ、及び利得媒体のための他の材料も適切に使用することができる。

この態様の一配置において、システムは、液滴を供給する液滴発生器と、液滴を照射してプラズマを生成するレーザとを含むことができる。

この態様の一構成において、システムは、チャンバを含むことができ、光学器械及びプラズマは、チャンバ内に配置することができ、ガスは、チャンバ内に導入され、プラズマ発生中にそこから排気することができる。特定の構成においては、オンデマンド水素発生システム及び／又は放出前に排気水素と混合する希釈ガスの供給源を使用することができる。
作動的には、この態様に対して、ガスは、水素を含むことができ、圧力は、１００ｍＴｏｒｒを超えるとすることができる。一部の実施に対しては、１００ｓｃｃｍを超えるガス流量を使用することができる。
１つの設定において、この態様に対して、光学器械、例えば集光ミラーは、中間位置にＥＵＶ光を誘導することができ、装置は、プラズマと中間位置の間に配置することができる多重チャンネル減圧構造体を更に含むことができる。

別の態様では、ＥＵＶ放射線とプラズマを出るイオンとを生成するプラズマをプラズマ部位で発生させるシステムと、部位から距離ｄだけ隔てられた光学器械と、ハロゲンを含むガスとを含むことができる装置を開示し、ガスは、プラズマと光学器械の間に配置されて、イオンが光学器械に到達する前にイオンエネルギを１００ｅＶ未満、及び一部の場合には３０ｅＶ未満に低減するように距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立する。１つの特定的な実施形態では、ハロゲンは、臭素を含むことができる。

別の態様では、ＥＵＶ放射線とプラズマを出るイオンとを生成するプラズマをプラズマ部位で発生させるシステムを含むことができて、システムがパルス整形器を有する照射源を含む装置を開示する。この態様に対して、照射源は、ターゲット材料を照射するためのパルス成形ビームを生成し、対応する非成形ビームよりも低い初期イオンエネルギを有するプラズマを生成することができる。この態様に対して、装置は、部位から距離ｄだけ隔てられた光学器械と、プラズマと光学器械の間に配置された流動ガスとを更に含むことができ、ガスは、イオンが光学器械に到達する前にイオンエネルギを１００ｅＶ未満、及び一部の場合には３０ｅＶ未満に低減するように距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立する。
この態様の一実施例では、パルス整形ビームは、少なくとも１つのプレパルス及び少なくとも１つの主パルスを含むことができる。
この態様の特定的な実施形態では、パルス整形器は、可飽和吸収体、レーザスパークを生成する光学配置、パルス伸長器、及びパルスを切り取るように作動可能なシャッターのうちの１つ又はそれよりも多くを含むことができる。

別の態様では、装置は、レーザビームを発生させるレーザ源と、照射区画でレーザビームによって照射され、プラズマを形成してＥＵＶ光を放出するソース材料と、照射区画から距離Ｄ₁だけ隔てられた中間位置にＥＵＶ光を反射するミラーとを含むことができる。また、この態様に対しては、装置は、照射区画からソース材料を受け取るように位置決めすることができる受取構造体を含むことができ、受取構造体には、ＥＵＶ光がミラーから中間領域に進むことを可能にする少なくとも１つの通路が形成され、受取構造体は、中間領域から距離Ｄ₂だけ隔てられ、Ｄ₁＞Ｄ₂である。
この態様の一実施形態では、受取構造体は、円錐形シェルを含むことができ、特定的な実施形態では、円錐形シェルは、軸線を定めることができ、受取構造体は、複数の半径方向に配向されたベーン及び／又は円錐シェルを更に含むことができる。

この態様の一配置においては、受取構造体のための温度制御システムを設けることができ、特定の配置では、ソース材料は、錫を含むことができ、受取構造体の少なくとも一部分は、錫の融点を超える温度に維持することができる。
この態様の一部の実施形態では、ミラーは、照射区画から距離ｄだけ隔てることができ、流動ガスは、照射区画とミラーの間に配置することができ、ガスは、イオンが光学器械に到達する前にイオンエネルギを１００ｅＶ未満、及び一部の場合には３０ｅＶ未満に低減するように距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立する。

レーザ生成プラズマＥＵＶ光源の簡略化された概略図である。 イオンが大幅に散乱するが、２００ｍｍの距離ｄにわたって５０ｍＴｏｒｒのアルゴンガス中で停止されないことを示すＳＲＩＭソフトウエアを用いた計算プロットを示す図である。 イオンは散乱が小さくなり（図２Ａと比較して）、約１７０ｍｍの距離ｄで４００ｍＴｏｒｒの水素ガス中で実質的に停止することができることを示すＳＲＩＭソフトウエアを用いた計算プロットを示す図である。 プラズマから１６．５ｃｍ離れた場所での３つの異なる水素圧でのイオン停止を示す測定プロットを示す図である。 図３の曲線１５０で示すような初期イオンエネルギを有するイオンに関するプラズマから１６．５ｃｍ離れた場所での最大観測エネルギと水素圧とを示す図である。 水素圧の関数としての１４５ｃｍという距離ｄを通過した後の帯域内ＥＵＶ信号と、プラズマから１６．５ｃｍ離れた場所でイオン流束を∫Ｉ（Ｅ）ｄＥとして計算した状態の水素圧の関数としてのイオン流束とを示す図である。 ＳＲＩＭシミュレーションソフトウエアを用いて計算したような様々な初期イオンエネルギのガス圧（水素ガス及びヘリウムガスに関する）の関数としてのイオン飛程（ｃｍ単位）のプロットを示す図である。 チャンバの各部の圧力を低減することによって減圧部におけるガスによるＥＵＶ光の吸収を低減する減圧構造体を有する光源を示す図である。 パルス整形されなかった駆動レーザパルスに関するイオン信号を示す図である。 パルス後縁を切り取ることによってパルス整形された駆動レーザパルスのイオン信号を示す図である。 パルスを示し、パルスの一部、すなわち、イオン流束を低減するために切り取ることができる後縁部分を示す図である。 パルストリミングを通じて整形パルスを生成する配置を示す図である。 レーザスパークを用いたパルストリミングのための光学配置４００を示す図である。 可飽和吸収材料を用いたパルストリミングのための光学配置４００を示す図である。 プレパルス発生を通じて整形パルスを生成する配置を示す図である。 プレパルス及び主パルスの両方が共通の増幅器を通過するプレパルス発生を通じて整形パルスを生成する配置を示す図である。 発振器ユニット、時間的パルス伸長器、及び増幅器ユニットを含むレーザ源の別の実施形態を示す図である。 パルス伸長器を使用して取得することができる第１のパルス形状を示す図である。 パルス伸長器を使用して取得することができる別のパルス形状を示す図である。 パルス伸長器を使用して取得することができる更に別のパルス形状を示す図である。 照射区画からソース材料を受け取るように位置決めされた受取構造体を有するＥＵＶ光源の概略断面図である。 図１１に示す受取構造体の詳細図である。 図１２で線１３−１３に沿って見られるような受取構造体の断面図である。 ＥＵＶ光源内に位置決めされた受取構造体の別の実施形態を示す図である。 図１４に示す受取構造体の詳細図である。 図１５で線１６−１６に沿って見られるような受取構造体の断面図である。

最初に図１を参照すると、実施形態の一態様によるＥＵＶ光源、例えばレーザ生成プラズマＥＵＶ光源２０の概略図が示されている。図１に示し、かつ以下でより詳細に説明するように、ＬＰＰ光源２０は、光パルスの列を生成して、チャンバ２６内に光パルスを送出するシステム２２を含むことができる。以下で詳細するように、光パルスは、システム２２から１つ又はそれよりも多くのビーム路に沿って、かつチャンバ２６内に進んで照射区画で１つ又はそれよりも多くのターゲットを照明することができる。

図１に更に示すように、ＥＵＶ光源２０は、例えば、液滴が、１つ又はそれよりも多くの光パルス、例えば、１つ又はそれよりも多くのプレパルスと、次に、１つ又はそれよりも多くの主パルスと相互作用して最終的にプラズマを生成してＥＵＶ発光を生成する照射領域２８までチャンバ２６内部にターゲット材料の液滴を送出するターゲット材料送出システム２４を含むことができる。ターゲット材料には、錫、リチウム、キセノン、又はその組合せを含む材料を含むことができるが、必ずしもこれらに限定されるものではない。ＥＵＶ放出元素、例えば、錫、リチウム、キセノンなどは、液滴及び／又は液滴内に含まれた固体粒子の形態、又は個別の量でＥＵＶ放出元素をターゲット体積まで供給するあらゆる他の形態とすることができる。例えば、元素錫は、純粋な錫として、錫化合物、例えば、ＳｎＢｒ₄、ＳｎＢｒ₂、ＳｎＨ₄として、錫合金、例えば、錫ガリウム合金、錫インジウム合金、錫インジウムガリウム合金又はその組合せとして使用することができる。使用される材料に基づいて、ターゲット材料は、室温を含む様々な温度で、又は室温の近くで（例えば、錫合金、ＳｎＢｒ₄）、高温で（例えば、純粋な錫）、室温よりも低い温度で（例えば、ＳｎＨ₄）照射領域２８に供給することができ、又は一部の場合には、比較的揮発性のもの、例えば、ＳｎＢｒ₄とすることができる。ＬＰＰ−ＥＵＶ源におけるこれらの材料の使用に関する更なる詳細は、代理人整理番号第２００６−０００３−０１号である、２００６年４月１７日出願の「ＥＵＶ光源のための代替燃料」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／４０６、２１６号に呈示されており、この特許の内容全体は、引用により本明細書に先に組み込まれている。

引き続き図１に対しては、ＥＵＶ光源２０は、光学器械、例えば、モリブデン及びシリコンの交互層を有する漸変多層コーティングを有する例えば先端を切った楕円面の形態の集光ミラーを含むことができる。図１は、システム２２によって生成された光パルスが照射領域２８を通過及び到達することを可能にする開口を構成することができる光学器械３０を示している。図示のように、光学器械３０は、例えば、照射領域２８内又はその近くに第１の焦点、及びＥＵＶ光を光源２０から出力して、例えば、集積回路リソグラフィツール（図示せず）に入力することができるいわゆる中間領域４０に第２の焦点を有する楕円ミラーとすることができる。図示のように、光学器械３０は、光学器械３０上の最も近い作動可能点が、照射領域２８から距離ｄに位置するように位置決めされる。他の光学器械は、ＥＵＶ光を利用するための装置へのその後の送出に向けて光を集光して中間位置に誘導する楕円面鏡の代わりに使用することができ、例えば、光学器械は、放物線状とすることができ、又は環状断面を有するビームを中間位置に送出するように構成することができることは認められるものとする。例えば、内容が本明細書において引用により組み込まれている、代理人整理番号第２００６−００２７−０１号である、２００６年８月１６日出願の「ＥＵＶ光学器械」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／５０５、１７７号を参照されたい。

本明細書で使用する時、用語「光学器械」及び派生語は、以下に限定されるものではないが、入射光を反射及び／又は透過し、及び／又は入射光で作動する構成要素を含み、以下に限定されるものではないが、レンズ、窓、フィルタ、くさび、プリズム、グリズム、グレーディング、エタロン、拡散器、送信ファイバ、検出器、及び他の計器構成要素、開口、絞り、及び多層ミラー、近垂直入射ミラー、斜め入射ミラー、鏡面反射体、及び拡散反射体を含むミラーを含む。更に、本明細書で使用する時、用語「光学器械」及び派生語は、単独で作動するか、又はＥＵＶ出力光波長、照射レーザ波長、測定に適する波長、又は何らかの他の波長のような１つ又はそれよりも多くの特定の波長範囲内で有利な構成要素に限定されることを意味するものではない。

引き続き図１を参照すると、ＥＵＶ光源２０はまた、ＥＵＶコントローラ６０を含むことができ、これはまた、システム２２内の１つ又はそれよりも多くのランプ及び／又はレーザ装置をトリガさせることによってチャンバ２６内への送出に向けて光パルスを生成する発射制御システム６５を含むことができる。ＥＵＶ光源２０はまた、例えば、照射領域２８に対して１つ又はそれよりも多くの液滴の位置を示す出力を供給する１つ又はそれよりも多くの液滴撮像器７０を含むことができる液滴位置検知システムを含むことができる。撮像器７０は、液滴位置検出フィードバックシステム６２にこの出力を供給することができ、液滴位置検出フィードバックシステム６２は、例えば、液滴単位で又は平均して液滴誤差を計算することができる液滴位置及び軌跡を計算することができる。液滴誤差は、次に、コントローラ６０への入力として供給することができ、コントローラは、例えば、光源タイミング回路を制御するために、及び／又は例えばチャンバ２６内の照射領域２８に送出されている光パルスの位置及び／又は集束力を変えるようにレーザビーム位置及び成形システムを制御するためにシステム２２に位置、方向、及び／又はタイミング補正信号を供給することができる。

図１に更に示すように、ＥＵＶ光源２０は、例えば、望ましい照射領域２８に到達する液滴の誤差を補正するように液滴送出機構９２からのソース材料の放出点を修正するためにコントローラ６０からの信号（かつ一部の実施では、上述の液滴誤差又はそこから導出された何らかの一部の数量を含むことができる）に応答して作動可能である液滴送出制御システム９０を含むことができる。

ＥＵＶ光源２０に対して、液滴送出機構９２は、例えば、１）分配器を出る１つ又はそれよりも多くの流れの液滴、又は２）分配器を出てその後表面張力により液滴に分解する１つ又はそれよりも多くの連続的な流れを生成する液滴分配器を含むことができる。いずれの場合にも、１つ又はそれよりも多くの液滴が同時に照射領域２８内に存在するように液滴を生成して照射領域２８に送出することができ、１つ又はそれよりも多くの後続レーザパルス、例えば、主パルスへの露光に適する拡張されたターゲットを形成してＥＵＶ放出を生成するように１つ又はそれよりも多くの液滴を同時に初期パルス、例えば、プレパルスによって照射することができる。一実施形態では、多重オリフィス分配器を使用して「シャワーヘッド形式」の効果をもたらすことができる。一般的に、ＥＵＶ光源２０に対しては、液滴分配器は、変調式又は非変調式とすることができ、かつターゲット材料を通過させて１つ又はそれよりも多くの液滴流を生成する１つ又はいくつかのオリフィスを含むことができる。上述の分配器及び相対的な利点に関する更なる詳細は、代理人整理番号第２００５−００８５−０１号である、２００６年２月２１日出願の「プレパルスによるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／３５８、９８８号と、代理人整理番号第２００４−０００８−０１号である、２００５年２月２５日出願の「ＥＵＶプラズマ源ターゲット送出の方法及び装置」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／０６７、１２４号と、代理人整理番号第２００５−０００３−０１号である、２００５年６月２９日出願の「ＬＰＰ−ＥＵＶソース材料ターゲット送出システム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／１７４、４４３号とに見ることができ、これらの各々の内容は、本明細書において引用により組み込まれている。

ＥＵＶ光源２０は、光源２０によって生成されたＥＵＶ光の様々な特性を測定する１つ又はそれよりも多くのＥＵＶ測定計器を含むことができる。これらの特性には、例えば、強度（例えば、全体的強度又は特定のスペクトル帯域内での強度）、スペクトル帯域幅、偏光などを含むことができる。ＥＵＶ光源２０に対しては、計器類は、例えば、ピックオフミラーを使用してＥＵＶ出力の一部をサンプリングするか又は「未回収」ＥＵＶ光をサンプリングすることによって、下流側ツール、例えば、フォトリソグラフィスキャナがオンラインである間に作動するように構成することができ、及び／又はＥＵＶ光源２０のＥＵＶ出力全体を測定することによって下流側ツール、例えば、フォトリソグラフィスキャナがオフラインである間に作動させることができる。

上述のように、照射領域２８のターゲットの照射により、プラズマが生成されてＥＵＶ発光がもたらされる。更に、この工程の副産物として、プラズマを出るイオンを一般的に全方向に生成することができる。一般的に、プラズマを出るイオンの初期エネルギは、飛程にわたって変化し、飛程は、照射光の波長、エネルギ、強度、及びパルス形状、及びターゲット材料の組成、サイズ、形状、及び形態を含むがこれらに限定されないいくつかの要素により影響される。先にも示したように、これらのイオンは、衰えない場合には、ミラー、レーザ入力窓、測定窓、フィルタなどの近くの光学器械を劣化する場合がある。

図１は、流動ガスをプラズマ（照射領域２８）と光学器械の間に配置することができることを示すが、ガスは、イオンが光学器械に到達する前にイオンエネルギをターゲット最大エネルギレベルまで低減するように距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立する。例えば、約１０ｅｖと２００ｅｖの間、一部の場合には、３０ｅＶよりも小さいターゲット最大エネルギレベルまでイオンエネルギを低減するのに十分なガス圧をもたらすことができる。図１に示す装置の作動に対しては、距離ｄにわたってターゲット圧力を確立する流動ガスがＥＵＶ発光中に存在することが考えられている。適切なガス組成及びガス圧を選択する際に考慮することができる要素には、ガス組成のイオン停止電力（例えば、約２０ｃｍの距離にわたって約３０ｅＶ未満にイオンを減速）及び圧力の関数としてガスのＥＵＶ吸収量（例えば、ＥＵＶ光がプラズマから集光ミラーまで、次に、中間領域４０に進む時にｌ〜２ｍの距離にわたって問題のない帯域内ＥＵＶ吸収量をもたらす）がある。

適切なガスには、特定の用途に基づいて、水素、例えば、５０パーセントを超える水素、重水素、ヘリウム、及びその組合せを含むことができる。例えば、最大初期イオンエネルギ及びプラズマからの約１５ｃｍの距離ｄを有するイオンを生成するプラズマに対しては、約３０ｅＶ未満にイオンエネルギを低減する適切なガスは、約５００ｍｔｏｒｒの圧力での水素ガスとすることができる。ＳＲＩＭ（物質中のイオン停止及び飛程）ソフトウエア（ｗｗｗ−ｓｒｉｍ−ｏｒｇウェブサイトで入手可能）を使用して、選択したエネルギ未満にイオン（初期イオンエネルギを有する）のエネルギを低減するのに必要とされるガス圧（特定の距離ｄにわたって作動可能）を判断することができる。圧力から、ガスによる予想ＥＵＶ吸収量を計算することができる。チャンバに導入されたガスは、チャンバ条件、イオン、及び／又はプラズマと反応し、イオン、例えば、洗浄／エッチング及び／又はイオン減速に有効であると考えられる原子状水素及び／又は水素イオンを解離及び／又は生成することができることは認められるものとする。

図１は、光源２０が、ガスをチャンバ２６内に導入するための制御されたガス供給源１００と、ガスをチャンバ２６から除去するための調節可能ポンプ１０２とを含むことができることを更に示している。この構成では、流動ガスを光学器械３０と照射領域２８の間に配置することができる。チャンバ２６からのガスの除去を行って熱を除去することにより、チャンバ２６内の温度を制御して光学器械３０の温度を制御し、及び／又はチャンバから汚濁物質、蒸気、金属粉末などを除去することができる。これらの汚濁物質は、光学器械を劣化させ、及び／又はＥＵＶ光を吸収する可能性がある。ガス供給源１００及びポンプ１０２の制御を使用して、チャンバ２６を通して選択ガス圧及び選択流量を維持することができる。一般的に、選択流量は、光源の繰返し数及びＥＵＶ出力パルスエネルギに依存する。一例として、光学器械３０が照射部位２８から１５ｃｍの場所に位置決めされたＳｎターゲット及びＣＯ₂レーザシステムに対しては、約５００ｍＪのレーザパルスエネルギ及び１０〜１００ｋＨｚの範囲のＥＵＶ出力繰返し数、約１００ｓｃｃｍ又はそれよりも大きい流量を使用することができる。

光源２０に対しては、ガス供給源１００は、いくつかのガス、例えばＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、及びＨＢｒを別々に導入することができ、又は混合物として導入することができる。更に、図１は、ガスが１つの位置で導入されることを示しているが、ガスは、複数の位置で導入することができると共に複数の位置で除去することができることは認められるものとする。ガスは、タンクを通じて供給することができ、又は局所的に生成することができる。例えば、ガス供給源１００は、オンデマンド水素／重水素発生器を含むことができる。イオン交換膜を用いて水素／重水素を水／重水から抽出するための装置を含むいくつかの形式が利用可能である。このような装置は、商品名「水素発生器」で「Ｄｏｍｎｉｃｋ Ｈｕｎｔｅｒ」により市販及び販売されている。例えば、詳細に対しては、ｗｗｗ−ｄｏｍｎｉｃｋｈｕｎｔｅｒ−ｃｏｍウェブサイトを参照されたい。

使用するガスに基づいて、希釈ガスの供給源１０４を使用して大気放出前に放出ガスを希釈することができる。例えば、Ｈ₂使用時に（４〜２５％の濃度では爆発性かある傾向がある）、Ｎ₂の時のような希釈ガスを使用して、放出前にＨ₂濃度を低減することができる（一般的に４％未満、より好ましくは、０．４％未満に）。代替的に又は希釈ガスの使用に加えて、恐らく白金触媒を有する触媒コンバータを使用して水素を水に変換することができる。

イオンエネルギを低減するための適切なガスには、水素（プロチウム同位元素及び重水素同位元素）、ヘリウム、及びその組合せを含むことができるが、これらに限定されない、更に、ハロゲンを有するガスのような光学器械表面に堆積した汚濁物質を除去する洗浄／エッチングガスを含めることができる。例えば、エッチング液ガスとしては、ＨＢｒ、ＨＩ、Ｂｒ₂、Ｃｌ₂、ＨＣｌ、又はその組合せを含むことができる。一例として、Ｓｎ又はＳｎ化合物がターゲット材料として使用される時の適切な組成は、５０〜９９％Ｈ₂及び１〜５０％ＨＢｒを含むことができる。図１に示すように、洗浄器１０５を設置してエッチング液ガス蒸気の一部又は全部を除去することができる。

図２Ａは、１０ｋｅＶの初期エネルギを有するイオンが大幅に散乱しているが、２００ｍｍの距離ｄにわたって５０Ｔｏｒｒのアルゴンガス中で停止されないことを示すＳＲＩＭソフトウエアを用いた計算プロットを示す図である。一方、図２Ｂは、１０ｋｅＶの初期エネルギを有するイオンが散乱が小さくなっており（図２Ａと比較して）、約１７０ｍｍの距離ｄで４００ｍＴｏｒｒの水素ガス中で実質的に停止することができることを示すＳＲＩＭソフトウエアを用いた計算プロットを示す図である。

図３は、３つの異なる水素圧でのイオン停止を示す測定プロットを示す図である。図示のように、あらゆる他の停止ガス水素がない場合、イオンエネルギの分布は、最大初期イオンエネルギが約３ｋｅＶであることを示す曲線１５０により表される。これらのイオンは、帯域内変換（例えば、ＣＥ〜４．５％）に関する最適強度でＣＯ₂レーザパルスで平坦なＳｎターゲットを照射することによって生成したものである。測定は、照射区画から約１６．５ｃｍで位置決めされ、かつ入力レーザビーム軸線から約４５度の角度でイオンを受け取るように位置決めされたファラデーカップ（「Ｋｉｍｂａｌｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ」製モデルＦＣ−７３Ａ）を使用して行った。曲線１５２は、約３ｋｅＶの初期最大イオンエネルギを有するイオンに対しては、最大イオンエネルギが１２０ｍＴｏｒｒの均一な非流動水素ガス中で１６．５ｃｍの距離ｄにわたって約１．５ｋｅＶに低減されることを示している。曲線１５４は、約３ｋｅＶの初期最大イオンエネルギを有するイオンに対しては、最大イオンエネルギが２１０ｍＴｏｒｒの均一な非流動水素ガス中で１６．５ｃｍの距離ｄにわたって約０．９ｋｅＶに低減されることを示している。曲線１５６は、約３ｋｅＶの初期最大イオンエネルギを有するイオンに対しては、最大イオンエネルギが２９０ｍＴｏｒｒの均一な非流動水素ガス中で１６．５ｃｍの距離ｄにわたって約０．２５ｋｅＶに低減されることを示している。図３は、３つの水素圧に関する２ｍ経路にわたる計算ＥＵＶ透過率も示しており、１２０ｍＴｏｒｒの水素ガスは、９６％の透過率を有し、２１０ｍＴｏｒｒの水素ガスは、９３％の透過率を有し、２９０ｍＴｏｒｒの水素ガスは、９０％の透過率を有する。

図４Ａは、照射区画から１６．５ｃｍの場所に、かつ入力レーザビーム軸線から約４５度の角度で位置決めされたファラデーカップを使用した図３の曲線１５０で示すような初期イオンエネルギを有するイオンに関する最大観測エネルギと水素圧のプロットを示している。図４Ｂは、水素圧の関数としての１４５ｃｍという距離ｄを通過した後の帯域内ＥＵＶ信号と、イオン流束を∫Ｉ（Ｅ）ｄｅとして計算した水素圧の関数としてのイオン流束とを示す図である。図４Ｃは、様々な初期イオンエネルギに関し、及びＳＲＩＭシミュレーションソフトウエア（上述のような）を用いて計算したような水素ガス及びヘリウムガスに関するガス圧の関数としてのイオン飛程（ｃｍ単位）のプロットを示す図である。

上述のデータは、問題がないレベルのＥＵＶ吸収量で約４桁分イオン流束（すなわち、エネルギと一体化した信号）を抑制するのに使用することができるイオン軽減技術を明らかにするものである。上述のように、集光ミラーコーティングは、少なくとも約５００犠牲層を含むことができ、それでも完全なＥＵＶ反射率をもたらすことができる。０．２層／１００万パルス（イオン軽減がない場合）の測定侵蝕率及び１０⁴の抑制係数（上述の軽減による）を考慮して、１０¹²パルスを超える集光器寿命は、大量製造環境における集光ミラーの約１年の作動に相当すると推定される。

図４Ｄは、チャンバ２６内にガスを導入するための制御されたガス供給源１００と、チャンバ２６からガスを除去する（必要であれば希釈ガス１０４’で）調節可能ポンプ１０２’とを含むことができる光源２０’を示している。光源２０’に対しては、ガスは、イオンが光学器械３０’に到達する前にイオンエネルギをターゲット最大エネルギレベルまで低減するように距離ｄ（図１に図示）にわたって作動するのに十分なガス圧を確立することができる。図４Ｄに示す構成に対しては、減圧構造体１５０を設置して、チャンバ２６の各部の圧力（例えば構造体１５０と中間領域４０’の間）を低減することによってガスによるＥＵＶ光の吸収を低減することができる。図示のように、減圧構造体１５０は、照射位置２８と中間点４０’の間に配置することができ、光が光学器械３０から中間点４０’に進んでＥＵＶ光吸収を最小にすることを可能にするように配置された複数の半径方向及び／又は同心円の円錐形ベーンを有する多重チャンネル構造体を含むことができる。同時に、構造体１５０は、ガス流動に対する重要な抵抗をもたらすことができ、従って、イオン減速ガス圧は、構造体１５０と光学器械３０’の間の容積に対して局在化させることができる。

パルス整形
図５Ａ〜図５Ｂは、イオン流束は、パルス整形ビームをターゲットに照射することによって低減することができることを示している。イオン流束を低減するパルス整形の使用は、特定の用途に基づいて単独で又は上述のようなイオン減速ガスの使用、ホイルシールドの使用（減速ガス又は偏向ガスの有無を問わず）、及びイオンを偏向又は減速度せる電場及び／又は磁場の使用のような１つ又はそれよりも多くの他のイオン軽減技術と組み合わせて用いることができる。図５Ａは、未整形パルスのためのイオン信号を示し、図５Ｂは、パルス後縁を切り取ることによってパルス整形された駆動レーザパルスのためのイオン信号を示している。図５Ｃは、パルストリミングをグラフで示している。そこで分るように、パルス２０２波形の後縁部２００を以下に説明する技術のうちの１つを用いて整えて、その後ターゲットを照射してＥＵＶ発光を生成すると共にイオン流束を低減する整形パルスを生成することができる。図５Ｃは、後縁のトリミングを示すが、前縁も整えて、その後ターゲットを照射してＥＵＶ発光を生成すると共にイオン流束を低減する整形パルスを生成することができることは認められるものとする。

図６は、イオン流束低減をもたらすパルストリミングを通じてパルス整形ビームを発生させるように使用することができる配置を示している。図６に示すように、光パルスを生成してチャンバ２６’内に光パルスを送出するシステム２２は、装置３２６、例えば、レーザパルス、例えば、各パルスがパルス持続時間を有する主パルスを生成する発振器と、１つ又はそれよりも多くの増幅チャンバを有する増幅器３２７とを含むことができる。注：一部の実施形態に対しては、装置３２６は、プレパルスを送出することができ、又は別々の装置（図示せず）を含めてプレパルスを送出することができる。図示のように、システム２２’はまた、元のパルスの時間的部分だけを照射領域２８’に送出してターゲット材料を照射するようにパルスを変える、例えば切り取るように作動可能なシャッター３２８を含むことができる。

図６は、この配置が、パルストリミングを検証又は制御するための制御ループ、例えば、フィードバックループ内に使用されるファラデーカップ又は他のイオンエネルギメータのような任意的な測定計器９４’を含むことができることも示している。（注：計器９４’及びその接続は、任意的な構成要素であることを示すために破線で示されている。）代替的に、パルストリミングは、開ループで制御することができ（すなわち、制御なしとすることができ、例えば、一定のパルストリミングを使用することができる）、従って、測定計器は、これらの実施例には不要とすることができる。図示の任意的な配置に対しては、コントローラ６０’は、測定計器９４’から信号、例えば、フィードバック信号、例えば、イオンエネルギ、イオン流束、又は最大イオンエネルギを示す信号を受信してシャッター３２８と通信することができる。

図６に示すＥＵＶ光源に対しては、シャッター３２８（概略的に図示）は、例えばナノ秒範囲の時間応答を有する電気光学スイッチ、例えば、Ｐｏｃｋｅｌ‘ｓ又はＫｅｒｒセルと、偏光子とを含むことができる。例えば、装置３２６、例えば、ＣＯ₂レーザ装置は、装置３２６を出る光が１次偏光方向を有するように偏光子及び／又はＢｒｅｗｓｔｅｒ窓を使用することができる。この配置では、シャッターは、電気光学スイッチと、装置３２６によって定められる１次偏光方向に直交して整列した透過軸を有する偏光子とを含むことができる。従って、スイッチが通電された時、光は、装置３２６から照射領域２８’に通過することができる。一方、スイッチが切られた時、装置３２６を出る光の偏光は、回転して吸収され、及び／又は偏光子により（ビーム経路から離れて照射領域２８’に）反射される。図６に示す配置の１つの特徴は、シャッター３２８を増幅器３２７の上流側に位置決めすることができるということであり、これは、シャッター３２８での比較的低いレーザ光強度のために一部の用途においては有益であろう。

図６に示す装置２２’としての使用に適切なレーザには、パルス状レーザ装置、例えば、比較的高電力、例えば、１０ｋＷ又はそれよりも高く、高パルス繰返し数、例えば、５０ｋＨｚ又はそれよりも高く作動する、例えば、ＤＣ又はＲＦ励起で、例えば、９．３μｍ又は１０．６μｍで放射線を生成するパルス状ガス放電ＣＯ₂レーザ装置を含むことができる。１つの特定的な実施では、レーザは、増幅の複数の段を備えたＭＯＰＡ構成を有し、かつ例えば１００ｋＨｚ作動が可能である低エネルギ及び高繰返し数の「Ｑスイッチ式主発振器（ＭＯ）」により開始されてシードパルスを有する軸流ＲＦ励起ＣＯ₂式とすることができる。ＭＯから、レーザパルスは、次に、ＬＰＰチャンバに入る前に増幅、整形、及び集束させることができる。連続励起ＣＯ₂増幅器をシステム２２’に使用することができる。例えば、発振器及び３つの増幅器（Ｏ−ＰＡ１−ＰＡ２−ＰＡ３構成）を有する適切なＣＯ₂レーザ装置は、代理人整理番号第２００５−００４４−０１号である、２００５年６月２９日出願の「ＬＰＰ−ＥＵＶ光源駆動レーザシステム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／１７４、２９９号に開示されており、この特許の内容全体は、引用により本明細書に先に組み込まれている。

用途に基づいて、他の形式のレーザ、例えば、高電力及び高パルス繰返し数で作動するエキシマ又は分子フッ素レーザも適切であるとすることができる。その例は、例えば、ファイバ又は円板状活性媒体を有する固体レーザ、例えば、米国特許第６、６２５、１９１号、米国特許第６、５４９、５５１号、及び米国特許第６、５６７、４５０号に示すようなＭＯＰＡ構成エキシマレーザシステム、１つ又はそれよりも多くのチャンバ、例えば、発振チャンバ及び１つ又はそれよりも多くの増幅チャンバ（増幅チャンバは並列又は直列）を有するエキシマレーザ、主発振器／電力発振器（ＭＯＰＯ）構成、電力発振器／電力増幅器（ＰＯＰＡ）構成を含み、又は１つ又はそれよりも多くのエキシマ又は分子フッ素増幅器又は発振器チャンバにシードする固体レーザが適切とすることができる。他の設計も可能である。

図７は、予め選択した強度を超える光が焦点４０６でスパークし、従って、平行化光学器械４０８に到達しないように、ガス環境、例えば、空気において焦点４０６にパルス光ビーム４０４を集束させる第１の光学器械４０２を有するパルストリミングのための光学配置４００を示している。図示の配置に対しては、共焦点レンズ対を使用して集束及び平行化させるが、他の光学配置も適切とすることができることは認められるものとする。この技術は、パルスピークを含むパルスの一部分を切り取ることを可能し、又はこの技術は、パルスを含まないパルス部分を切り取るように構成することができる。

図７Ａは、光源５０２からのパルス列を適切な可飽和吸収材料セル５０４に通過させる別のパルストリミングのための光学配置５００を示している。例えば、ＣＯ₂レーザからの１０．６μｍレーザ光のための適切な可飽和吸収材料は、ＳＦ₆ガスとすることができる。任意的に、図７に示されている共焦点レンズ対のような光学配置を用いて、可飽和吸収材料セル５０４の強度を最適化することができる。
配置４００、５００の各々は、特に高いＥＵＶ光源繰返し数で流動ガスを使用して各パルスの後にガス（スパークガス又は可飽和吸収ガス）を補給することができることは認められるものとする。更に、複数の増幅器を有する駆動レーザに対しては、配置４００、５００は、増幅器間で又は増幅器チェーンの下流側で第１の増幅器の前に位置決めすることができる。

図８は、プレパルス発生を通じてパルス整形ビーム生成するために使用することができ、結果としてイオン流束低減になる配置を示している。本明細書で使用する時、用語パルス整形ビームは、以下に限定されるものではないが、切り取られたパルス（上述のような）、及びターゲットが１つ又はそれよりも多くのプレパルスと次に１つ又はそれよりも多くの主パルスとによって照射されるプレパルス、主パルスシーケンスを含む。本明細書での使用に対しては、プレパルス及び主パルスは、共通のレーザ又は異なるレーザから開始することができ、一部の場合には、プレパルス及び主パルスは、例えば遅延経路を使用して操作されていた単一パルスの異なるピークを構成することができる。

図８に示すように、システム２２’’は、それぞれ、プレパルス及び主パルスを生成するのに使用する２つの別々の装置１３００、１３０２を含むことができる。図８は、ビーム結合器１３０６が、共通ビーム路１３０８に沿って装置１３００、１３０２からのパルスを結合するために使用することができることも示している。装置３００は、例えば、インコヒーレント光又はレーザを生成するランプとすることができる。装置１３００としての使用に適切なレーザには、エキシマ、ＣＯ₂のようなパルス状ガス放電レーザ、パルス固体レーザ、例えば、円盤型Ｎｄ：ＹＡＧなどを含むことができる。光装置１３０２は、一般的にレーザであり（上述のように）、装置３００に使用されるのと異なる形式のレーザとすることができる。

更に図８により示すように、装置１３００は、照射領域２８ａに送出されるプレパルス１３１０ａ、ｂの列を生成する。ターゲット容積においては、各プレパルスは、少なくとも１つの液滴を照射して拡張されたターゲットを生成することができる。また、装置１３０２は、主パルス１３１２ａ、ｂの列を発生させ、各主パルスは、照射領域２８ａで又はその近くでそれぞれの拡張されたターゲットを照射してＥＵＶ光出力を生成するためのものである。

全てというわけではなく一部の配置においては、イオンエネルギは、次に、計器９４’’（破線で任意的なものとして図示）により測定し、フィードバック制御ループにおいて使用して、その後の「整形パルス」の形状を変えるように（すなわち、一定の非変更パルス形状の使用に対する代替として）１つ又はそれよりも多くのプレパルスパラメータを制御することができる。この光学配置に対しては、図８に示すように、コントローラ６０’’は、計器９４から、信号、例えば、フィードバック信号、例えば、イオンエネルギ、イオンスペクトルなどを示す信号を受信して、発射制御システム６５’’と通信し、光源３００、３０２の一方又は両方を独立にトリガし、及び／又は装置１３００の放電電圧を制御することができる。コントローラ６０’’及び発射制御システム６５’’は個別の要素として示されているが、コントローラ６０’’及び発射制御システム６５’’は共通の装置に一体化することができ、及び／又は１つ又はそれよりも多くのプロセッサ、メモリボードなどを共有することができることは認められるものとする。例えば、プレパルスパラメータは、プレパルス１３１０ａと対応する主パルス１３１２ａ間の遅延時間Δｔとすることができる。これは、装置１３００、１３０２のトリガ時間を制御することによって達成することができる。代替的に又は追加的に、プレパルスのパルスエネルギは、ＥＵＶ出力強度を制御するように変えることができる。

図９は、プレパルスの列を生成する光源及び主パルスの列を生成する光源が共通のパルス増幅器を通過することができるシステム２２’’を有する別の実施形態を示している。この設定に対しては、主パルスは、図示のような、かつ１３１６（発振器）、１３１８（ＰＡ１）、１３２０（ＰＡ２）、１３１４（ＰＡ３）と指定された４チャンバＯ−ＰＡ１−ＰＡ２−ＰＡ３アーキテクチャを使用して生成することができる。レーザ装置１３００’によって生成されたパルスは、図示のように、照射領域２８ｂへの送出前に、増幅のためにＰＡ１３１４を通過することができる。３つの増幅器が図２Ｂに示されているが、３つよりも多い、及び僅か１つの増幅チャンバをシステム２２’’’に対して指定することができることは認められるものとする。一定の非変更パルス形状の使用の代替として、コントローラ６０’’’は、計器９４’’’から、信号、例えば、フィードバック信号、例えば、イオンエネルギ、イオンスペクトルなどを示す信号を受信し、発射制御システム６５’’’と通信して装置１３００’’’及び／又は発振器１３１６を独立にトリガし、及び／又は装置２２’’’によって生成したパルス形状を制御することができる。このようにして、プレパルスパラメータ、例えば、プレパルスに対応する主パルス単位の遅延時間、及び／又はプレパルスのパルスエネルギを変えてパルス形状を制御することができる。

図１０は、パルス伸長器２３００を使用して整形パルスを生成してイオン流束を低減することができる配置を示している。図１０に示すように、光源２０２２’は、発振器ユニット２２００’、時間的パルス伸長器／乗算器２３００、及び増幅ユニット２２０２’を含むことができる。図１０は、発振器ユニット２２００’と増幅ユニット２２０２’の間に位置決めされたパルス伸長器２３００を示すが、パルス伸長器２３００は、増幅ユニットの下流側に位置決めすることができ（より高い光出力を受けると考えられるが）、又は単一チャンバレーザと共に使用して「整形パルス」を生成することができることは認められるものとする。時間的パルス伸長器に関する更なる詳細は、２００５年８月９日にＷｅｂｂ他に付与された「長期遅延高ＴＩＳパルス伸長器」という名称の米国特許第６、９２８、０９３号と、２００６年３月３１日出願の「共焦点パルス伸長器」という名称の米国特許出願第１１／３９４、５１２号（代理人整理番号第２００４−０１４４−０１号）と、２００５年５月２６日出願の「線ビームとして成形されたレーザと基板上に堆積された膜の間での相互作用を実行するシステム及び方法」という名称の米国特許出願第１１／１３８、００１号（代理人整理番号第２００４−０１２８−０１号）と、現在米国特許第６，６９３、９３９号である、２００２年５月７日出願の「ビーム送出を備えたレーザリソグラフィ光源」という名称の米国特許出願第１０／１４１、２１６号とに見ることができ、これらの各々の開示内容は、本明細書において引用により組み込まれている。

一般的に、これらの光パルス伸長器は、遅延経路２３０４に沿って一部のビームを通過させるビームスプリッタ２３０２を含み、適切なビームスプリッタ反射率及び遅延ビーム路長を選択することによって、伸長器を出るパルス形状を制御することができる。具体的には、パルス伸長器２３００は、単一ピーク（すなわち、強度と時間のプロットにおいて）を通常有する入力パルスを受け取って、複数の時間的に離間したピークを有するパルスを出力する。図示のように、伸長器２３００は、実質的に無損失性とすることができる。
図示の伸長器２３００に対しては、ビームスプリッタ２３０２の反射率は、出力ピークの相対マグニチュードに影響を与え、遅延経路の長さは、ピーク間で時間的分離を確立することができる。従って、出力パルス形状は、ビームスプリッタ反射率の適切な選択及び遅延経路の長さにより設計することができる。

一部の用途に最適とすることができる１つの特定のパルス形状は、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、プレパルスピーク、次により強い主パルスピークを含む。更に詳しくいえば、図１０Ａは、パルス伸長器を出るパルス２３１０の形状を示しており、ビームスプリッタの反射率は、第２のピーク２３１２の強度が第１のピーク２３１４よりも増大するように選択したものであり、遅延経路長は、最初の２つのピークが時間ｔ₁により分離されるように選択したものである。例示上、図１０Ｂは、パルス伸長器を出るパルス２３１０の形状を示しており、ビームスプリッタの反射率は、図１０Ａに対応するビームスプリッタとほぼ同じであり、従って、第２のピーク２３１２’は、強度は第１のピーク２３１４’よりも大きいが、より長い遅延経路長を使用しており、ここでは、２つのピークは、時間ｔ₂により分離され、ｔ₂＞ｔ₁である。一方、図１０Ｃは、同じく例示上、パルス伸長器を出るパルス２３１０’’の形状を示しており、ビームスプリッタの反射率は、図１０Ａに対応するビームスプリッタを下回り、従って、第２のピーク２３１２’’は、強度は第１のピーク２３１４’’よりも小さい。尚、パルス２３１０’’の遅延経路長は、パルス３２１０の遅延経路長とほぼ同じであり、結果としてピーク分離時間ｔ₃になり、ｔ₃＝ｔ₁である。従って、図１０Ａ〜図１０Ｃは、ビームスプリッタ反射率及び遅延ビーム路長を変えることによって、広範囲のパルス形状を生成することができることを示している。
プレパルスの使用の詳細は、代理人整理番号第２００５−００８５−０１号である、２００６年２月２１日出願の「プレパルスによるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／３５８、９８８号に見ることができ、この特許の開示内容全体は、本明細書において引用により組み込まれている。

図１１は、照射区画３００４からソース材料を受け取るように位置決めされた受取構造体３００２を有する装置３０００を示している。本明細書で開示するように、特定の用途に基づいて、受取構造体３００２は、単独で、又は上述のようなイオン減速ガスの使用、ホイルシールドの使用（減速ガス又は偏向ガスの有無を問わず）、イオンを偏向又は減速度せる電場及び／又は磁場の使用、及びパルス整形ビームの使用（上述のような）のような１つ又はそれよりも多くの他のデブリ軽減技術と組み合わせて使用することができる。

図１１により示すように、装置３０００は、レーザ入力窓３０１０を通じてチャンバ３００８に入り、照射区画３００４でソース材料を照射し、プラズマを形成してＥＵＶ光を放出するレーザビーム３００６を生成するレーザ源（図示せず）を含むことができる。ミラー３０１２（例えば多層楕円面鏡）は、チャンバ３００８内に配置して図示のように中間領域３０１４にＥＵＶ光を誘導するように位置決めすることができる。中間領域３０１４は、ミラー３０１２の形状及び構成に基づいて、図示のように焦点とすることができ、又は例えばリング状断面などを有する何らかの他の形状を有することができる。

図１１は、受取構造体３００２が、中間領域３０１４から距離Ｄ₂に位置決めされ、中間領域３０１４が、照射区画３００４から距離Ｄ₂に位置決めされていることを更に示し、図１１から、Ｄ₁＞Ｄ₂であるということが見出されている。図１１〜図１３に示す受取構造体の特定的な実施形態に対しては、受取構造体３００２は、軸線３０１８を定めることができる円錐形シェルを含むことができ、受取構造体３００２は、複数の（この場合は６つ）半径方向に配向されたベーン３０２０を更に含むことができるということが見出されている（入れ子状円錐ベーンを示す図４Ｄも参照されたい）。図示のように、ビームストップ３０２２を設置することができる。装置３０００に対しては、ビームストップ３０４は、受取構造体３００２と別々であるか、受取構造体３００２取り付けられているか、又は受取構造体３００２と一体に構成することができる。

引き続き図１１に対しては、受取構造体３００２を予め選択した作動温度（又は予め選択した温度範囲）に維持するように受取構造体３００２を加熱及び／又は冷却する温度制御システム０２４を設置することができる。例えば、水又は液体ガリウムのような熱交換流体を通過させる通路を受取構造体３００２内に形成することができる。熱交換流体は、次に、温度制御システム３０２４内の１つ又はそれよりも多くの加熱及び／又は冷却サブシステムを通過することができる。代替的に又は上述の外部加熱及び／又は冷却サブシステムに加えて、例えば、ジュール・トムソン膨張を利用する１つ又はそれよりも多くの加熱器、例えば、抵抗加熱器など、及び／又は冷却ユニットを受取構造体３００２内に組み込むことができる。

装置３０００の作動においては、液滴のようなターゲット材料は、プラズマを生成するために１つ又はそれよりも多くのパルスによって照射される。一般的に、照射されたターゲット材料は、ビーム方向に沿って移動して広い立体角で広がる。材料の大部分は、ビームストップ３０２２により回収することができ、ビームストップ３０２２は、温度制御することができる。例えば、ＬＰＰターゲット材料を回収して誘導する温度制御ビームストップは、代理人整理番号第２００５−００８６−０１号である、２００６年８月２５日出願の「レーザ生成プラズマＥＵＶ光源のためのソース材料回収ユニット」という名称の現在特許出願中の米国特許出願出願番号第１１／５０９、９２５号に開示かつ特許請求されており、この特許の開示内容全体は、本明細書において引用により組み込まれている。

ターゲット材料照射の副産物には、金属紛、ターゲット材料蒸気、及びミクロ液滴又はクラスターを含むことができ、かつターゲット材料照射の副産物は、いくつかの形態とすることができ、例えば、錫、例えば、純粋な錫、又は錫化合物、例えば、ＳｎＢｒ₄、ＳｎＨ₄、ＳｎＢｒ₂などがソース材料として使用された時、副産物には、錫及び酸化物を含む錫化合物を含むことができる。例えば集光ミラー侵蝕などからのちり及び他の汚濁物質が、チャンバ内に存在する恐れもある。これらの副産物は、特に光学器械を損傷し、かつＥＵＶ放射線を吸収／散乱させる。

一例としてかつ非制限的に、受取構造体３００２は、液体及び固体を回収（一部の場合には、固形物を再溶融）及び／又は蒸気を凝集するように機能することができる。Ｓｎを含むターゲット材料に対しては、受取構造体３００２の作動可能な表面の一部又は全ては、Ｓｎの融点を超える例えば約２３０℃を超える温度に維持することができる。この温度では、ミクロ液滴は、受取構造体３００２の表面に固着し、一部の場合には、重力により下方へ流動する場合がある。固化金属粉末は、溶融材料再溶融されて下方に流動する場合もある。Ｓｎ（例えば、酸化物）の化合物は、液体の流れにより捕集されてチャンバから除去することができる。受取構造体３００２は、表面から液体金属を回収することができる底部まで液体金属流を誘導する中間接続チャンネル（図示せず）を有することができる。チャンネルの位置及び方向は、受取構造体３００２上の液体の適正な流動を保証するようにＥＵＶ源方位に対して構成することができる（例えば、光源軸線は、約２８度で水平線に対して傾かせることができる）。一方、一部の用途においては、受取構造体３００２の作動可能な表面の一部又は全ては、Ｓｎの融点よりも低い温度、例えば、約２３０℃未満（Ｓｎを含むターゲット材料に対して）の温度に維持することができる。これらの温度では、結露が容易にされ、液体及び固体受取構造体３００２上に蓄積させることができる。

受取構造体３００２は、蒸気、例えば、チャンバ内に存在するＳｎ蒸気を凝縮する低温捕捉器として機能することができる。次表は、様々な温度でのＳｎ蒸気圧を示している。

（表）

装置３０００の典型的な作動は、２５０〜５００Ｃの範囲に受取構造体３００２を維持することに関わる場合がある。Ｓｎ蒸気平衡圧は、約１０^-11ｔｏｒｒ未満であると推定することができる。装置３０００に対しては、受取構造体３００２を通過するＳｎ蒸気は、受取構造体３００２の壁部に拡散して蒸気圧が所定の温度で平衡圧よりも低い場合は壁部上に凝縮することができる。

壁部上の結露による蒸気濃度の減衰は、一般的に縦横比によって定められる。無限幅を有する平坦な離間した平行板に対しては、濃度ｎは、板長さの関数として以下の式により説明される。

ここで、ｎ₀は、入口の蒸気濃度であり、ｘは、チャンネルに沿った座標であり、ａは、板間の距離である。余弦関数は、半径方向のプロフィールを説明するものである。シリンダチャンネルに対しては、分布は以下により説明される。

ここで、Ｒは、シリンダ半径、半径方向分布は、ベッセル関数Ｊ₀により説明される。従って、板及びシリンダの両方に対しては、指数部の高い縦横比ｘ／ａ又はｘ／Ｒにより、結果として、大きな縦横比の場合は板又はシリンダの長さに沿った蒸気圧の大きな減衰になる。この分析から、図１１〜図１６に示す受取構造体３００２、３００２’に対しては、蒸気圧減衰が、半径方向に配向されたベーン３０２０、３０２０’間の間隔に依存することは認められるものとする。

図１１は、ツール、例えば、リソグラフィスキャナ（図示せず））を利用するＥＵＶ光は、最小ＮＡ角度３０２６と最大ＮＡ角度３０２８間でＥＵＶ光を利用することができるに過ぎないことを示している。このようなツールに対しては、受取構造体３００２は、受取構造体３００２の中心部３０３０が最小ＮＡ角度３０２６内に位置し、円錐形シェル３０１６が最大ＮＡ角度３０２８で、最大ＮＡ角度３０２８の近くに、又は最大ＮＡ角度３０２８外に配置することができるように寸法決め及び構成することができる。

典型的には、装置３０００に対しては、有意な量の材料が立体角３０３１を超えて広がり、従って、ビームストップ３０４をやり過ごす恐れがあり、立体角３０３１は、図示のように、照射領域３００４から発して受取構造体３００２まで延び、交差点３０３４で受取構造体３００２に到達する線３０３２により制限される。また図示のように、受信構造体３００２は、交差点３０３４を過ぎてかつ中間領域３０１４に向けて延びることができる。すなわち、受信構造体３００２の縁部３０３５は、交差点３０３４と中間領域３０１４の間に位置決めすることができる。他方の末端では、受信構造体３００２の縁部３０３７は、ミラー３０１２に取り付けるか又はミラー３０１２の近くに位置決めすることができる。付属機器、例えば、液滴発生器、測定機器などが照射区画３００４で相互作用することを可能にするためにポート（図示せず）を設置することができる。

図１１は、装置３０００が、例えば、１つ又はそれよりも多くのガスを導入かつ排気するために吸入ポート３０３６及び排気ポンプ３０３８ａ、ｂを含むことができることも示している。これらのガスは、イオン減速に（上述のように）、及び／又は１つ又はそれよりも多くの光学器械、例えば、ミラー３０１２をエッチング／洗浄するために、及び／又は受取構造体３００２によるちり／蒸気の回収を助けるために使用することができる。

図１４〜図１６は、付加的な半径方向ベーン３０２０’を含む受取構造体３００２’の別の実施形態を示す（図１１〜図１３に示す受取構造体３００２と比較して）。これらの付加的なベーン３０２０’により、結果として縦横比増大になり、従って、受取構造体３００２の蒸気貫通の減衰の増大になる。ＥＵＶの何らかの減衰もベーン３０２０’から発生する場合があるが、この小さいＥＵＶ減衰は、ガス流動に対するベーンによる受取構造体３００２’の高い抵抗による総ＥＵＶ透過率の利得よりも小さいと考えられることは認められるものとする。この「抵抗」により、照射区画３００４’と中間領域３０１４’との圧力の差が発生する場合がある。照射領域３００４’の近くの方が圧力が低いことによって、結果として、ＥＵＶ吸収量が少なくなり、一方、中間領域３０１４’の近くの方が高い圧力は、イオンを減速し、及び／又は光学器械、例えばミラー３０１２’をエッチング／洗浄するのに有用と考えられる。受取構造体３００２’に対しては、半径方向ベーン３０２０’は、有効ＥＵＶ光が中間領域３０１４’に到達することを阻止することを低減するスキャナ光学器械によって定められた陰の区域内に位置することができる。

図１４及び図１５は、受取構造体３００２’壁部が、受取構造体３００２’と別々であるか、又は受取構造体３００２’と一体に構成することができるシール３０５０によりチャンバの壁部に封入することができることを更に示している。
図１４は、装置３０００’が、例えば、１つ又はそれよりも多くのガスを導入かつ排気するために吸入ポート３０３６’及び排気ポンプ３０３８ａ’、ｂ’を含むことができることも示している。これらのガスは、イオン減速に（上述のように）、及び／又は１つ又はそれよりも多くの光学器械、例えば、ミラー３０１２’をエッチング／洗浄するために、及び／又は受取構造体３００２’によるちり／蒸気の回収を助けるために使用することができる。構造のこの協働により、ガスは、ベーン３０２０によって形成された受取構造体３００２内のチャンネルを通過する。粘性流の場合（平均自由行程がベーン３０２０’間の距離よりも小さい場合に当て嵌まる）、受取構造体３００２’の前側と遠い側の間の圧力差は、ベーン３０２０’間の距離の二乗に反比例する。ある一定の距離では、圧力の大部分は、受取構造体３００２’上で落ち、イオンを停止するプラズマ領域内の所要圧力では、受取構造体３００２背後の圧力は、更に非常に小さくなり、従って、ＥＵＶの総減衰量は、ベーンなしよりも下回ると考えられる。ベーンの長さ（図１５の遠い縁部３０５２の位置）は、中間領域３０１４’の近くでの低圧ガスの容積を増大させるように最適化することができる。

「３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２」を満足するために必要とされる詳細において本特許出願において説明しかつ例示した特定の実施形態は、上述の実施形態の１つ又はそれよりも多くの上述の目的を、及び上述の実施形態により又はその目的のあらゆる他の理由で又はその目的のために解決すべき問題を完全に達成することができるが、上述の実施形態は、本出願によって広く考察された内容を単に例示しかつ代表することは、当業者によって理解されるものとする。単数形での以下の請求項における要素への言及は、解釈において、明示的に説明していない限り、このような要素が「１つ及び１つのみ」であることを意味するように意図しておらず、かつ意味しないものとし、「１つ又はそれよりも多い」を意味する意図とし、かつ意味するものとする。当業者に公知か又は後で公知になる上述の実施形態の要素のいずれかに対する全ての構造的及び機能的均等物は、引用により本明細書に明示的に組み込まれると共に、特許請求の範囲によって包含されるように意図されている。本明細書及び／又は本出願の請求項に使用され、かつ本明細書及び／又は本出願の請求項に明示的に意味を与えられたあらゆる用語は、このような用語に関するあらゆる辞書上の意味又は他の一般的に使用される意味によらず、その意味を有するものとする。実施形態として本明細書で説明した装置又は方法は、それが特許請求の範囲によって包含されるように本出願において説明した各及び全て問題に対処又は解決することを意図しておらず、また必要でもない。本発明の開示内容におけるいかなる要素、構成要素、又は方法段階も、その要素、構成要素、又は方法段階が特許請求の範囲において明示的に詳細に説明されているか否かに関係なく、一般大衆に捧げられることを意図したものではない。特許請求の範囲におけるいかなる請求項の要素も、その要素が「〜のための手段」という語句を使用して明示的に列挙されるか又は方法の請求項の場合にはその要素が「行為」ではなく「段階」として列挙されていない限り、「３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２」第６項の規定に基づいて解釈されないものとする。

２０ レーザ生成プラズマＥＵＶ光源
２２ 光パルス送出システム
２６ チャンバ
２８ 照射領域

Claims (32)

1. プラズマ部位でＥＵＶ放射線とプラズマを出るイオンとを生成するプラズマを発生させるシステムと、
   前記部位から距離ｄだけ隔てられた光学器械と、
   前記プラズマ及び光学器械の間に配置され、前記イオンが該光学器械に到達する前にイオンエネルギを１００ｅＶ未満に低減するように前記距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立する流動ガスと、
   を含むことを特徴とする装置。
2. 前記ガスは、水素を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 前記ガスは、５０体積パーセントよりも多い水素を含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
4. 前記ガスは、重水素を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
5. 前記プラズマは、Ｓｎを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
6. 前記光学器械は、多層ミラーであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
7. 前記システムは、液滴を供給する液滴発生器と、液滴を照射して前記プラズマを生成するレーザとを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
8. 前記レーザは、利得媒体を含み、該利得媒体は、ＣＯ₂を含むことを特徴とする請求項７に記載の装置。
9. 前記システムは、チャンバを含み、前記光学器械及びプラズマは、該チャンバ内に配置され、
   前記ガスは、前記チャンバ内に導入されてプラズマ発生中にそこから排気される、
   ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
10. オンデマンド水素発生システムを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の装置。
11. 前記ガスは、水素を含み、
    放出前に排気水素と混合する希釈ガスの供給源、
    を更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
12. 前記ガスは、水素を含み、その圧力は、１００ｍＴｏｒｒよりも高いことを特徴とする請求項１に記載の装置。
13. 前記ガスの流量が、１００ｓｃｃｍよりも多いことを特徴とする請求項１に記載の装置。
14. 集光ミラーが、ＥＵＶ光を中間位置に誘導し、
    前記プラズマと前記中間位置の間に配置された多重チャンネル減圧構造体、
    を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
15. プラズマ部位でＥＵＶ放射線とプラズマを出るイオンとを生成するプラズマを発生させるシステムと、
    前記部位から距離ｄだけ隔てられた光学器械と、
    ハロゲン含み、前記プラズマ及び光学器械の間に配置され、前記イオンが該光学器械に到達する前にイオンエネルギを１００ｅＶ未満に低減するように前記距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立するガスと、
    を含むことを特徴とする装置。
16. 前記ハロゲンは、臭素を含むことを特徴とする請求項１５に記載の装置。
17. パルス整形器を有する照射源を含み、プラズマ部位でＥＵＶ放射線とプラズマを出るイオンとを生成するプラズマを発生させるシステム、
    を含み、
    前記照射源は、ターゲット材料を照射して対応する非成形ビームよりも低い初期イオンエネルギを有するプラズマを生成するためのパルス整形ビームを生成し、
    前記部位から距離ｄだけ隔てられた光学器械と、
    前記プラズマ及び光学器械の間に配置され、前記イオンが該光学器械に到達する前にイオンエネルギを１００ｅＶ未満に低減するように前記距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立するガスと、
    を更に含むことを特徴とする装置。
18. 前記パルス整形ビームは、少なくとも１つのプレパルス及び少なくとも１つの主パルスを含むことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
19. 前記パルス整形器は、可飽和吸収体を含むことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
20. 前記パルス整形器は、レーザスパークを生成する光学配置を含むことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
21. 前記パルス整形器は、パルスを切り取るように作動可能なシャッターを含むことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
22. 前記パルス整形器は、パルス伸長器を含むことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
23. レーザビームを発生させるレーザ源と、
    プラズマを形成してＥＵＶ光を放出するために照射区画で前記レーザビームによって照射されるソース材料と、
    前記照射区画から距離Ｄ₁だけ隔てられた中間領域にＥＵＶ光を反射するミラーと、
    前記照射区画からソース材料を受け取るように位置決めされ、ＥＵＶ光が前記ミラーから前記中間領域まで進むことを可能にする少なくとも１つの通路が形成され、Ｄ₁＞Ｄ₂の時に該中間領域から距離Ｄ₂だけ隔てられた受取構造体と、
    を含むことを特徴とする装置。
24. 前記受取構造体は、円錐形シェルを含むことを特徴とする請求項２３に記載の装置。
25. 前記円錐形シェルは、軸線を定め、前記受取構造体は、複数の半径方向に配向されたベーンを更に含むことを特徴とする請求項２３に記載の装置。
26. 前記受取構造体のための温度制御システムを更に含むことを特徴とする請求項２３に記載の装置。
27. 前記ソース材料は、錫を含み、前記受取構造体の少なくとも一部分が、錫の融点を超える温度に維持されることを特徴とする請求項２３に記載の装置。
28. 前記ミラーは、前記照射区画から距離ｄだけ隔てられ、流動ガスが、該照射区画及びミラーの間に配置され、該ガスは、前記イオンが該光学器械に到達する前にイオンエネルギを１００ｅＶ未満に低減するように前記距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立することを特徴とする請求項２３に記載の装置。
29. 前記ガスは、前記イオンが前記光学器械に到達する前にイオンエネルギを３０ｅＶ未満に低減するように前記距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立することを特徴とする請求項１に記載の装置。
30. 前記ガスは、前記イオンが前記光学器械に到達する前にイオンエネルギを３０ｅＶ未満に低減するように前記距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立することを特徴とする請求項１５に記載の装置。
31. 前記ガスは、前記イオンが前記光学器械に到達する前にイオンエネルギを３０ｅＶ未満に低減するように前記距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立することを特徴とする請求項１７に記載の装置。
32. 前記ガスは、前記イオンが前記光学器械に到達する前にイオンエネルギを３０ｅＶ未満に低減するように前記距離ｄにわたって作動するのに十分なガス圧を確立することを特徴とする請求項２８に記載の装置。

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