JP2022503714A - 光学変調器の制御 - Google Patents

Abstract

極端紫外線（ＥＵＶ）光源のための装置は、電気光学材料を含み、相互に時間的に分離した複数の光パルスを含むパルス光ビームを受光するように構成された光学変調システムと、電気光学材料に第１の光パルスが入射している間に電気光学材料に第１の電気パルスを印加し、電気光学変調器に第２の光パルスが入射している間に電気光学材料に第２の電気パルスを印加し、電気光学材料に第１の光パルスが入射した後であって電気光学材料に第２の光パルスが入射する前に電気光学材料に中間電気パルスを印加するように、電源を制御するよう構成された制御システムと、を含む。
【選択図】 図２Ａ

Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０１８年１０月１８日に出願された「Control of an Optical Modulator」と題する米国特許出願第６２／７４７，５１８号の優先権を主張する。これは参照により全体が本願に含まれる。

[0002] 本開示は光学変調器の制御に関する。例えば、光学変調器における光漏れ（optical leakage）を制御することができる。光学変調器は、極端紫外線（ＥＵＶ）光源及び／又はリソグラフィシステムの一部であり得る。

[0003] 例えば、２０ナノメートル（ｎｍ）以下、５～２０ｎｍの間、又は１３～１４ｎｍの間の波長の光を含む、１００ｎｍ以下の波長を有する（時として軟ｘ線とも称される）電磁放射のような極端紫外線（「ＥＵＶ」）光は、フォトリソグラフィプロセスで使用され、レジスト層において重合を開始することにより、例えばシリコンウェーハのような基板に極めて小さいフィーチャを生成することができる。

[0004] ＥＵＶ光を発生する方法は、必ずしも限定ではないが、例えばキセノン、リチウム、又はスズのような、ＥＵＶ範囲に輝線を有する元素を含む材料を、プラズマ状態に変換することを含む。しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」：laser produced plasma）と呼ばれる１つのそのような方法では、例えば材料の小滴、プレート、テープ、流れ、又はクラスタの形態であるターゲット材料を、駆動レーザと称されることのある増幅光ビームで照射することにより、必要なプラズマを生成できる。このプロセスでは、プラズマは通常、例えば真空チャンバのような密閉容器内で生成され、様々なタイプのメトロロジ機器を用いて監視される。

[0005] １つの全体的な態様において、極端紫外線（ＥＵＶ）光源のための装置は、電気光学材料を含み、相互に時間的に分離した複数の光パルス（pulse of light）を含むパルス光ビームを受光するように構成された光学変調システムと、電気光学材料に第１の光パルスが入射している間に電気光学材料に第１の電気パルスを印加し、電気光学変調器に第２の光パルスが入射している間に電気光学材料に第２の電気パルスを印加し、電気光学材料に第１の光パルスが入射した後であって電気光学材料に第２の光パルスが入射する前に電気光学材料に中間電気パルスを印加するように、電源を制御するよう構成された制御システムと、を含む。

[0006] 実施例は、以下の特徴のうち１つ又はを含み得る。電気光学材料に印加された第１の電気パルスは電気光学材料に物理的効果を生じ、この物理的効果は、電気光学材料に中間電気パルスが印加されるときに電気光学材料に存在し得る。物理的効果は、電気光学材料内を進む音響波及び／又は機械的歪みを含み得る。電気光学材料に中間電気パルスを印加すると物理的効果は低減し得る。

[0007] 第１の光パルス及び第２の光パルスは、パルス光ビーム内の連続した光パルスであり得る。

[0008] 制御システムは、第１の電気パルスと中間電気パルスとの間の時間量を制御するように構成することができる。

[0009] 電気光学材料は半導体を含み得る。

[0010] 電気光学材料は絶縁体を含み得る。

[0011] 電気光学材料は電気光学結晶を含み得る。

[0012] 装置は、少なくとも１つの偏光ベース光学要素を更に含み得る。

[0013] 別の全体的な態様において、光学パルス（optical pulse）を形成するための装置は、電気光学材料を含み、オン状態で光を透過させると共にオフ状態で光を阻止するように構成された光学変調システムを含む。光学変調システムは、相互に時間的に分離した少なくとも第１の光パルス及び第２の光パルスを含むパルス光ビームを受光するように構成されている。制御システムを電圧源に結合することができる。制御システムは、電気光学変調器に第１の光パルスが入射している間に、電圧源に、電気光学変調器をオン状態に切り換えるよう構成された第１の電圧パルスを電気光学変調器に印加させることによって第１の形成された光学パルスを発生し、電気光学材料に中間電圧パルスを印加し、第１の電圧パルス及び中間電圧パルスを印加した後であって電気光学材料に第２の光パルスが入射している間に、第２の電圧パルスを電気光学材料に印加することによって第２の形成された光学パルスを発生する、ように構成されている。第２の電圧パルスは、電気光学変調器をオン状態に切り換えるよう構成されている。電気光学材料に対する中間電圧パルスの印加によって、第２の形成された光学パルスの特性が制御される。

[0014] 実施例は、以下の特徴のうち１つ以上を含み得る。第２の形成された光学パルスはペデスタル部（pedestal portion）及び主要部を含み、第２の形成された光学パルスの特性はペデスタルの特性を含み、電気光学材料に対する中間電圧パルスの印加によってペデスタル部の特性を制御できるようになっている。ペデスタル部及び主要部は時間的に連続し得る。ペデスタル部の特性は、ペデスタル部の時間長、最大強度、及び／又は平均強度とすることができる。

[0015] 電気光学材料に対する中間電圧パルスの印加によって、オフ状態で光学変調システムを透過する光漏れ光の量が変化し得る。電気光学材料に対する中間電圧パルスの印加によって、オフ状態で光学変調システムを透過する光漏れ光が低減し得る。

[0016] いくつかの実施例において、制御システムは、第１の時点で第１の電圧パルスを電気光学材料に印加させ、制御システムは、第１の時点の後の第２の時点で中間電圧パルスを電気光学材料に印加させる。第２の時点及び第１の時点は遅延時間だけ時間的に分離し、制御システムは更に、遅延時間を調整することによって第２の形成された光学パルスの特性を制御するように構成されている。

[0017] また、制御システムは、中間電圧パルスの振幅、時間長、及び位相を制御するように構成することができる。

[0018] 制御システムは更に、ペデスタル部の測定された特性の指示を受信し、受信した指示に基づいて中間電圧パルスの特性を調整する、ように構成することができる。

[0019] 制御システムは更に、プラズマによって生成された極端紫外線（ＥＵＶ）光の量の指示を受信し、ＥＵＶ光の量の受信した指示に基づいて中間電圧パルスの特性を調整する、ように構成することができる。中間電圧パルスの特性を調整するように構成されている制御システムは、中間電圧パルスの振幅、中間電圧パルスの時間長、中間電圧パルスの位相、及び／又は、電気光学材料に中間電圧パルスを印加する時点である第２の時点を調整するように構成された制御システムを含み得る。

[0020] 別の全体的な態様において、光学パルスの特性を調整する方法は、光学変調システムに光が入射している間に光学変調システムの電気光学材料に第１の電圧パルスを印加することによって第１の光学パルスを形成することと、第１の電圧パルスを印加した後に電気光学材料に中間電圧パルスを印加することと、第１の電圧パルス及び中間電圧パルスの後であって電気光学材料に光が入射している間に第２の電圧パルスを電気光学材料に印加することによって第２の光学パルスを形成することと、を含む。第２の光学パルスの特性は中間電圧パルスの印加に基づいて調整される。

[0021] 実施例は、以下の特徴のうち１つ以上を含み得る。第１の光学パルスを増幅して、増幅した第１の光学パルスを形成することができる。増幅した第１の光学パルスとターゲット材料との相互作用によって生成されたプラズマから放出される極端紫外線（ＥＵＶ）光の量の指示を受信することができる。プラズマから放出されるＥＵＶ光の量の受信した指示に基づいて、中間電圧パルスの少なくとも１つの特性を決定できる。中間電圧パルスの少なくとも１つの特性は、第１の電圧パルスの印加後の時間遅延を含み得る。中間電圧パルスの少なくとも１つの特性を決定することは、プラズマから放出されるＥＵＶ光の量の受信した指示に基づいて時間遅延を決定することを含み得る。中間電圧パルスの少なくとも１つの特性は、中間電圧パルスの振幅及び／又は長さを含み得る。中間電圧パルスの少なくとも１つの特性を決定することは、中間電圧パルスの振幅及び／又は長さを決定することを含み得る。

[0022] いくつかの実施例において、第２の光学パルスはペデスタル部及び主要部を含み、中間電圧パルスの印加に基づいてペデスタル部の特性が調整される。ペデスタル部は主要部と時間的に連続し得る。

[0023] 別の一般的なにおいて、極端紫外線（ＥＵＶ）光源は、容器と、この容器に結合されるように構成されたターゲット材料供給装置と、パルス光ビームを受光するよう位置決めされるように構成され、電気光学材料を含む光学変調システムと、電圧源に結合された制御システムであって、電圧源に複数の形成電圧パルスを電気光学材料に印加させ、複数の形成電圧パルスの各々は異なる時点で電気光学材料に印加され、電圧源に少なくとも１つの中間電圧パルスを電気光学材料に印加させ、少なくとも１つの中間電圧パルスは複数の形成電圧パルスのうち２つの間に電気光学材料に印加される、ように構成された制御システムと、を含む。

[0024] 実施例は、以下の特徴のうち１つ以上を含み得る。ターゲット材料供給装置は、容器内のターゲット領域へ複数のターゲット材料小滴を提供するように構成することができ、ターゲット材料小滴はターゲット送出レートでターゲット領域に到達し、制御システムは、ターゲット送出レートに依存する形成レートで電気光学材料に形成電圧パルスを印加する。

[0025] 中間電圧パルスの特徴は振幅及び／又は位相を含み得る。制御システムは更に、形成レートに関連付けて記憶された振幅及び／又は位相にアクセスし、電圧源に、アクセスした振幅及び／又は位相で中間電圧パルスを生成させる、ように構成することができる。制御システムは更に、形成電圧パルスの１つと中間電圧パルスの１つとの間の時間遅延を制御するように構成することができる。

[0026] ＥＵＶ光源は光学増幅器も含み得る。電気光学材料に形成電圧パルスを印加するたびに光学パルスを形成することができる。形成された光学パルスは光学増幅器によって増幅されて増幅光学パルスを形成し得る。制御システムは更に、容器内でプラズマによって生成されたＥＵＶ光の量を測定するよう構成されたメトロロジシステムに結合するように構成できる。プラズマは、形成された増幅光学パルスでターゲット材料を照射することによって形成され得る。制御システムは更に、メトロロジシステムから測定されたＥＵＶ光の量を受信するように構成できる。制御システムは更に、測定されたＥＵＶ光の量に基づいて中間電圧パルスの１つ以上の特徴を変更するように構成できる。中間電圧パルスの１つ以上の特徴は、中間電圧パルスの振幅、中間電圧パルスの時間長、中間電圧パルスの位相、及び／又は最新の形成電圧パルスの印加後の時間遅延を含み得る。

[0027] 上述の技術のいずれかの実施例は、ＥＵＶ光源、システム、方法、プロセス、デバイス、又は装置を含み得る。１つ以上の実施例の詳細は、添付図面及び以下の記載に述べられている。他の特徴は、記載及び図面から、また特許請求の範囲から明らかとなるであろう。

[0028] ＥＵＶリソグラフィシステムの一例のブロック図である。 [0029] 変調システムの一例のブロック図である。 [0030] 光学パルスの一例の図である。 [0031] 図２Ｂの光学パルスから形成された修正光学パルス（modified optical pulse）の一例の図である。 [0032] 時間の関数としての光学ビーム（optical beam）の一例の図である。 [0033] 時間の関数としての電気信号の一例の図である。 [0034] 照射光学パルスの特性を制御するためのプロセスの一例のフローチャートである。 [0035] リソグラフィ装置の一例のブロック図である。 [0035] リソグラフィ装置の一例のブロック図である。 [0036] ＥＵＶ光源の一例のブロック図である。

[0037] 電気光学変調器の光漏れを制御するための技術を記載する。電気光学変調器は、初期光ビームを変調して修正光学パルスを形成するために用いられる。電気光学変調器は電気光学材料を含む。電気光学材料に電気信号（例えば有限長を有する電圧パルス）を印加することで、初期光ビームが変調されて修正光学パルスが形成されるように電気光学材料の屈折率を変化させる。電気信号の印加後、電気光学材料に中間電気信号を印加する。以下で更に詳しく検討するように、電気光学材料に対する中間電気信号の印加によって、電気光学変調器の光漏れを制御することができる。中間電気信号は、電気信号によって発生した音響波を軽減させるか、変化させるか、又は制御する。音響波を制御すると電気光学変調器の光漏れの量も制御され、これにより、次いで形成される（又は後に形成される）修正光学パルスの特徴又は特性を制御することが可能となる。

[0038] 図１を参照すると、システム１００のブロック図が示されている。システム１００はＥＵＶリソグラフィシステムの一例である。システム１００はＥＵＶ光源１０１を含み、これはＥＵＶ光１９６をリソグラフィ装置１９５に提供する。リソグラフィ装置１９５は、ＥＵＶ光１９６でウェーハ（例えばシリコンウェーハ）を露光して、ウェーハ上に電子フィーチャを形成する。ＥＵＶ光１９６は、ターゲット１１８内のターゲット材料を照射光学パルス１０８で照射することにより形成されたプラズマ１９７から放出される。ターゲット材料は、プラズマ状態でＥＵＶ光を放出する任意の材料（例えばスズ）である。

[0039] ＥＵＶ光源１０１は光学パルス発生システム１０４を含み、これは修正光学パルス１０７から増幅光学パルス１０８を生成する。光学パルス発生システム１０４は光源１０５を含み、これは、例えばパルス（例えばＱスイッチ）もしくは連続波炭酸ガス（ＣＯ_２）レーザ、又は固体レーザ（例えばＮｄ：ＹＡＧレーザもしくはエルビウムドープファイバ（Ｅｒ：ガラス）レーザ）とすることができる。光源１０５は、光パルス列又は連続光ビームとすることができる光学ビーム１０６（又は光ビーム（light beam）１０６）を生成する。光源１０５は、電気光学材料１２２を含む変調システム１２０へ向かう経路１１１上に光学ビーム１０６を放出する。電気光学材料１２２は経路１１１上にあり、光学ビーム１０６は電気光学材料１２２に入射する。

[0040] 変調システム１２０は、電気光学効果に基づいて光学ビーム１０６を変調する電気光学変調器である。電気光学効果は、電源１２３によって発生した直流（ＤＣ）又は低周波数電界１２４の印加により生じる電気光学材料１２２の屈折率の変化を表す。電源１２３は、例えば電圧源、関数発生器、又は電力供給とすればよい。光学ビーム１０６が電気光学材料１２２に入射している間に電気光学材料１２２の電気光学効果を制御することにより、変調システム１２０は光学ビーム１０６の位相、偏光、又は振幅を変調してパルス１０７を形成する。

[0041] 電界１２４を用いて、変調システム１２０が光を伝送するか否かを制御できる。電界１２４を用いて、光学ビーム１０６の１又は複数の特定部分のみが電気光学材料１２２を通過するように電気光学材料１２２を制御することができる。このようにして、変調システム１２０は光学ビーム１０６の一部からパルス１０７を形成する。

[0042] また、光学パルス発生システム１０４は１つ以上の光学増幅器１３０も含み、各光学増幅器１３０は経路１１１上に利得媒体１３２を含む。利得媒体１３２はポンピングによってエネルギを受け、このエネルギをパルス１０７に提供することで、パルス１０７は増幅されて増幅光学パルス１０８又は照射光学パルス１０８になる。パルス１０７の増幅量は、増幅器１３０及び利得媒体１３２の利得によって決定する。利得は、増幅器１３０が入力光ビームに与えるエネルギの増大量又は増大率である。

[0043] パルス１０８は、経路１１１上を、ターゲット１１８を収容する真空容器１８０の方へ伝搬する。パルス１０８及びターゲット１１８は、真空容器１８０内のターゲット領域１１５において相互作用し、この相互作用は、ターゲット１１８内のターゲット材料の少なくとも一部を、ＥＵＶ光１９６を放出するプラズマ１９７に変換する。

[0044] 電気光学材料１２２に電界１２４を印加すると、材料１２２に音響波が発生する。音響波は、材料１２２に歪みを生じ、電界１２４が材料１２２に印加されなくなった後及び／又は電界１２４の特性が変化した後も持続する可能性がある。音響波によって生じた歪みは、材料１２２の屈折率が変化することが予想されない時間期間中であっても材料１２２の屈折率を変化させる。こういった屈折率の変化は光漏れを招く恐れがある。光漏れは、変調システム１２０が、光が変調システム１２０を通過してはならない状態である場合に、変調器１２０を通過する光である。以下で検討するように、電界１２４は、材料１２２に印加されて、材料１２２における残留音響波を軽減及び／又は制御することにより光漏れを軽減及び／又は制御する成分（例えばパルス）を含む。

[0045] また、ＥＵＶ光源１０１は、ターゲット領域１１５に対して位置決めされたメトロロジシステム１８２も含む。メトロロジシステム１８２は、ＥＵＶ光１９６を検知するように構成された１つ以上のセンサ１８４を含む。メトロロジシステム１８２は、真空チャンバ１８０内の（例えばターゲット領域１１５における）ＥＵＶ光１９６の量の表現を発生する。メトロロジシステム１８２は、測定されたＥＵＶ光の量を表すデータを、通信リンク１８３を介して制御システム１７５に提供する。

[0046] いくつかの実施例において、メトロロジシステム１８２は光学検知システム１８５も含み、これは、パルス１０７及び／又は増幅パルス１０８の特性を制御するように構成された１つ以上の光学センサを含む。光学検知システム１８５は、検知システム１８５がパルス１０７及び／又は増幅パルス１０８の特性（例えばペデスタル部の特性）を決定できるようにパルス１０７及び／又はパルス１０８の１又は複数の波長を検出できる任意のセンサを含み得る。図１の例において、光学検知システム１８５はメトロロジシステム１８２の一部であるが、光学検知システム１８５はメトロロジシステム１８２とは別個であってもよい。例えば光学検知システム１８５は、変調システム１２０と光学増幅器１３０との間で光学パルス１０７のサンプルを受信するように位置決めすることができる。また、光学検知システム１８５は、光学パルス１０７及び／又はパルス１０８の測定に関連したデータを制御システム１７５に提供することができる。いくつかの実施例において、ＥＵＶセンサ１８４及び／又は光学検知システム１８５からの情報は、制御システム１７５によって電界１２４のパラメータを設定及び／又は変更するために用いられる。

[0047] 制御システム１７５は、メトロロジシステム１８２からデータを受信することに加えて、通信インタフェース１７６を介してパルス発生システム１０４と及び／又はパルス発生システム１０４のいずれかのコンポーネントとデータ及び／又は情報を交換する。例えばいくつかの実施例において、制御システム１７５は、変調システム１２０及び／又は光源１０５を動作させるトリガ信号を提供することができる。別の例において、制御システム１７５は、照射光学パルス１０８のインスタンスとターゲット１１８のインスタンスとの間の多くの相互作用についてＥＵＶセンサ１８４からＥＵＶ光の測定量を受信して、電界１２４の特定のパラメータ又は特性に可能な多くの設定のうちどれが最大のＥＵＶ光量を発生するかを決定できる。更に別の例において、制御システム１７５は、電界１２４を発生する電源１２３にデータ及び／又は情報を提供する。この例では、制御システム１７５により提供されるデータは、例えば電界１２４の振幅及び／又は２つのパルス間の時間遅延のような電界１２４の様々な特性を決定する。

[0048] 制御システム１７５は、電子プロセッサ１７７と、電子ストレージ１７８と、入出力（Ｉ／Ｏ）インタフェース１７９と、を含む。電子プロセッサ１７７は、汎用又は特殊用途マイクロプロセッサのようなコンピュータプログラムの実行に適した１つ以上のプロセッサや、任意の種類のデジタルコンピュータの１つ以上の任意のプロセッサを含む。一般に電子プロセッサは、読み取り専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、又はそれら双方から命令及びデータを受信する。電子プロセッサ１７７は任意のタイプの電子プロセッサとすればよい。

[0049] 電子ストレージ１７８は、ＲＡＭ等の揮発性メモリ、又は不揮発性メモリとすることができる。いくつかの実施例において、電子ストレージ１７８は不揮発性及び揮発性の部分又はコンポーネントを含む。電子ストレージ１７８は、制御システム１７５及び／又は制御システム１７５のコンポーネントの動作に使用されるデータ及び情報を記憶することができる。

[0050] また、電子ストレージ１７８は、コンピュータプログラムとして命令を記憶することができる。この命令が実行された場合、プロセッサ１７７は、制御システム１７５、変調システム１２０、及び／又は光源１０５のコンポーネントと通信を行う。例えば光源１０５がパルス源である実施例では、命令は電子プロセッサ１７７に信号を発生させる命令であり、この信号によって光源１０５は光学パルスを放出することができる。

[0051] Ｉ／Ｏインタフェース１７９は任意の種類の電子インタフェースであり、これによって制御システム１７５は、オペレータ、変調システム１２０、及び／又は光源１０５、及び／又は別の電子デバイスで実行している自動化プロセスとの間で、データ及び信号を受信及び／又は送出することができる。例えばＩ／Ｏインタフェース１７９は、視覚ディスプレイ、キーボード、及び通信インタフェースのうち１つ以上を含み得る。

[0052] 図２Ａは変調システム２２０のブロック図である。変調システム２２０は、変調システム１２０（図１）の実施例の一例である。変調システム２２０は電気光学材料１２２を含み、これは、図２Ａに示されている実施例では電極２２３ａ、２２３ｂ間に位置決めされている。電極２２３ａ、２２３ｂは、電極２２３ａ、２２３ｂ間に電界を形成するよう制御可能である。例えば、制御システム１７５によって電圧源２２３は電圧信号２１４を電極２２３ｂに与えて、電極２２３ｂが電極２２３ａとは異なる電圧に保持されるようにすることで、電気光学材料１２２の両端に電界又は電位差（Ｖ）を生成できる。

[0053] 更に、変調システム２２０は電気光学材料１２２の２つ以上のインスタンスを含み得る。例えば変調システム２２０は、２つの電気光学材料１２２、もしくは３つの電気光学材料１２２を含むか、又は、用途に適した任意の数をビーム経路１１１上に配置することができる。また、電気光学材料１２２の各インスタンスは、その電気光学材料１２２に電界を印加するように制御可能である電極２２３ａ、２２３ｂを含む。電気光学材料１２２の２つ以上のインスタンスを含む実施例において、各電気光学材料１２２に印加される電界は同一であるか、又は電気光学フィールド（electro-optic field）のうち少なくともいくつかは異なる可能性がある。これらの電気光学材料１２２は制御システム１７５によってグループとして制御されるか、又は、様々な電界は制御システム１７５の各インスタンスによって個別に制御可能である。

[0054] また、変調システム２２０は１つ以上の偏光ベース光学要素２２４も含む。図２Ａの例では、偏光ベース光学要素２２４は１つだけ図示されている。しかしながら他の実施例では、追加の偏光ベース光学要素２２４を含めてもよい。例えば、光学ビーム１０６を受光する変調システム２２０の側に第２の偏光ベース光学要素２２４が存在してもよい。更に、偏光ベース光学要素２２４は電気光学材料１２２から物理的に分離しているものとして図示されているが、他の実施例も可能である。例えば、光学要素２２４及び電気光学材料１２２が相互に接触した状態であるように、偏光ベース光学要素２２４を電気光学材料１２２上に形成されたフィルムとしてもよい。

[0055] 偏光ベース光学要素２２４は、光の偏光状態に基づいて光と相互作用する任意の光学要素である。例えば偏光ベース光学要素２２４は、水平方向の偏光を透過させると共に垂直方向の偏光を阻止する、又はその逆である直線偏光子とすればよい。偏光ベース光学要素２２４は、水平方向の偏光を透過させると共に垂直方向の偏光を反射する偏光ビームスプリッタとしてもよい。偏光ベース光学要素２２４は、特定の偏光状態を有する光以外の全ての光を吸収する光学要素としてもよい。いくつかの実施例において、偏光ベース光学要素２２４は４分の１波長板を含み得る。少なくとも１つの偏光ベース光学要素２２４は、電気光学材料１２２を通過する光を受光すると共に特定の偏光状態の光をビーム経路１１１上へ誘導するように位置決めされている。

[0056] 上記で検討したように、図２には１つの電気光学材料１２２及び１つの偏光ベース光学要素２２４が示されているが、これらのコンポーネントの一方又は双方を２つ以上、ビーム経路１１１上で相互に直列に配置して変調システム１２０に含めることも可能である。例えば変調システムは、ビーム経路１１１上に直列の３つの偏光ベース光学要素２２４及び２つの電気光学材料１２２を含み、３つの偏光ベース光学要素２２４のうち２つの間に各電気光学材料１２２を置くことができる。

[0057] 電気光学材料１２２は、光学ビーム１０６のそれ以上の波長の１つを透過させる任意の材料とすることができる。光学ビーム１０６が１０．６ミクロン（μｍ）の波長の光を含む実施例では、材料１２２は例えば、テルル化カドミウム亜鉛（ＣｄＺｎＴｅ又はＣＺＴ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、及び／又はガリウムヒ素（ＧａＡｓ）とすることができる。他の波長では他の材料を使用できる。例えば材料１２２は、一カリウムリン酸塩（ＫＤＰ）、無水リン酸アンモニウム（ＡＤＰ）、クォーツ、塩化第一銅（ＣｕＣｌ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）、ガリウムリン（ＧａＰ）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、又はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）とすることができる。光学ビーム１０６の１つ以上の波長を透過させると共に外力の印加に応答して複屈折を示す他の材料も、材料１２２として使用できる。例えば、材料１２２としてクォーツを用いることができる。

[0058] また、電気光学材料１２２は異方性も示す。異方性を示す材料では、材料の特性（屈折率等）は空間的に非均一である。このため、制御可能な外力（電位差（Ｖ）等）を印加することで、材料１２２の特性を１又は複数の特定方向に沿って変化させることができる。例えば、外力を印加することにより、材料１２２を伝搬する光の様々な偏光成分の屈折率を制御できる。従って、電極２２３ａ、２２３ｂ間の電位差（Ｖ）を制御することにより、材料１２２を通過する光の偏光状態を制御することができる。

[0059] 理想的な動作のもとでは、変調システム２２０が光を透過させるのは、材料１２２に印加された電位差Ｖによって材料１２２を通過する光の偏光状態が偏光ベース光学要素２２４の偏光条件と合致した場合だけである。例えば、偏光ベース光学要素２２４が水平方向の偏光をビーム経路１１１上へ透過させるように位置決めされた直線偏光子であり、かつ、光学ビーム１０６が最初に材料１２２へ入射する際に垂直方向に偏光されている場合、パルス１０７が形成されるのは、光学ビーム１０６が偏光ベース光学要素２２４と相互作用する前に材料１２２に印加された電位差Ｖによって光学ビーム１０６の偏光状態が変化して光学ビーム１０６が水平方向の偏光になった場合だけである。

[0060] 変調システム２２０は、光を意図的に透過させるよう制御されている場合はいつでもオン状態であると考えられる。例えば、印加される電位差Ｖが、光学ビーム１０６の偏光状態が偏光ベース光学要素２２４と合致するようなものである場合、光学変調システム２２０はオン状態であると考えられ、パルス１０７が形成される。印加される電位差Ｖが、光学ビーム１０６の偏光状態が偏光ベース光学要素２２４と直交すると予想されるようなものである場合、光学変調システム２２０はオフ状態である。理想的な条件のもとでは、光学変調システム２２０がオフ状態である場合には光学ビーム１０６は変調システム１２０を通過しない。

[0061] しかしながら、電位差Ｖを材料１２２に印加すると材料１２２に音響波が伝搬する。こういった音響波は、材料１２２から電位差Ｖが除去された後も持続し得る。更に、音響波は材料１２２内に歪みを生じ、この歪みによって材料１２２の光学特性が変化し、電位差Ｖが印加されていない場合であっても入射光が（光漏れとして）変調システム２２０を通過する可能性がある。このため実際の動作では、材料１２２に入射する光が変調システム２２０を通過するはずでない偏光ベース光学要素２２４の偏光状態であっても、変調システム２２０はスプリアス光（光漏れ）を透過させる恐れがある。例えば、照射光学パルスの形成直前に光漏れが存在する場合、光漏れは照射光学パルスにペデスタル部を形成する。

[0062] 図２Ｂ及び図２Ｃも参照すると、光学パルス２０６の一例の図（図２Ｂ）と、光学パルス２０６から形成された修正光学パルス２０７の一例（図２Ｃ）が示されている。パルス２０７はペデスタル部２２５及び主要部２６８を含む。図２Ｂは時間の関数としてパルス２０６の強度を示し、図２Ｃは時間の関数としてパルス２０７の強度を示す。

[0063] パルス２０６は、ほぼガウス形である時間プロファイル（強度対時間）を有する。パルス２０６は、変調システム２２０と相互作用してパルス２０７を形成する。制御システム１７５は、パルス２０６の特定部分２６７を選択又は抽出するように変調システム２２０を制御する。図２Ｂの例では、変調システム２２０は時点ｔ＝ｔａにおいて光を透過させるように設定され、時点ｔ＝ｔｂにおいて光を阻止するように設定されている。言い換えると、光学変調システム２２０は、部分２６７における光（これは時点ｔａとｔｂとの間のパルス２０６内の光である）のみを透過させるように意図されている。例えば制御システム１７５は、電気光学材料１２２を通過する光の偏光が偏光ベース光学要素２２４の偏光と合致するように電圧信号２１４を印加することで、時点ｔａで光を透過させるよう変調システム２２０を制御できる。電圧信号２１４を除去することによって、時点ｔｂで光の透過を停止するように変調システム２２０を制御できる。

[0064] しかしながら、電気光学材料１２２における音響波（又は、偏光ベース光学要素２２４の予想できない動作のような他の外乱）に起因して、ｔａの前の時点及び／又はｔｂの後の時点で変調システム２２０を光漏れが透過する可能性がある。図２Ｂの例において、漏れ光２６６は時点ｔａの直前に発生する光漏れである。漏れ光２６６は部分２６７の直前に変調モジュール１２０を通過する。

[0065] 図２Ｃを参照すると、漏れ光２６６はペデスタル部２２５を形成する。図示の例では、ペデスタル部２２５は２２１で表されたウィンドウ内で発生し、ペデスタル部２２５はパルス２０７の残り部分よりも早期に発生する。ペデスタル部２２５でない光学パルス２０７の部分を主要部２６８と呼ぶ。ペデスタル部２２５及び主要部２６８は双方とも光学パルス２０７の部分であり、ペデスタル部２２５は主要部２６８と時間的につながっている。言い換えると、ペデスタル部２２５と主要部２６８との間に光が存在しない期間はない。

[0066] ペデスタル部２２５は、主要部２６８とは異なる時間プロファイル（時間の関数としての強度）を有する。例えば、ペデスタル部２２５の平均及び最大の強度及び光学エネルギは、主要部２６８の平均及び最大の強度及び光学エネルギよりも小さい。また、ペデスタル部２２５の形状は主要部２６８の形状とは異なる。更に、ペデスタル部２２５の特徴（例えば強度、時間プロファイル、及び／又は長さ）は、光漏れなしで形成されるパルスの早期の部分の特徴とは異なる。

[0067] 修正パルス２０７は、ターゲット領域１１５へ伝搬する増幅パルス２０８を形成するため増幅器１３０によって増幅される。増幅パルス２０８はペデスタル部２２５及び主要部２６８を含み、増幅パルス２０８の各部分２２５、２６８は修正パルス２０７の対応部分よりも強度が大きい。図２Ｃの例では、ペデスタル部２２５は主要部２６８の前に発生し、主要部２６８よりも前にターゲット１１８に到達する。いくつかの実施例において、主要部２６８は、ターゲット１１８内のターゲット材料の少なくとも一部を、ＥＵＶ光を放出するプラズマに変換するのに充分な強度又はエネルギを有する。ペデスタル部２２５は、主要部２６８ほど大きいエネルギを持たず、ターゲット材料をプラズマに変換するのに充分なエネルギを持つ場合もそうでない場合もある。しかしながら、ペデスタル部２２５の光はターゲット１１８で反射し、ターゲット１１８の表面から材料を蒸発させ、及び／又はターゲット１１８の部分を引きちぎる（break off）可能性がある。ペデスタル部２２５は、主要部２６８がターゲット１１８に到達する前にターゲット１１８を変化させることによってプラズマ形成を妨げる、及び／又は経路１１１上を戻ってくる望ましくない反射を発生させる恐れがある。

[0068] 一方、ペデスタル部２２５は、ターゲット１１８の特性（例えば密度、形状、及び／又は大きさ）がプラズマ形成にいっそう好ましいものとなるようにターゲット１１８を調節することができる。このため、光漏れの量を制御することによってペデスタル部２２５の光量を制御することが望ましい。制御システム１７５は、パルス２０７の形成前に電気光学材料１２２に印加される中間電気信号によって、光漏れの量（この例では漏れ光２６６）を制御する。

[0069] 図２Ｂ及び図２Ｃに関して検討したパルス２０７は、修正光学パルス２０７の一例として与えられる。パルス２０７は他の形態を有することも可能である。例えば、漏れ光２６６が時点ｔａよりも前に発生し、ペデスタル部２２５が主要部２６８から分離している場合がある。こういった実施例では、ペデスタル部２２５と主要部２６８との間に光が存在しない期間がある。更に、漏れ光２６６が時点ｔｂよりも後に発生し、ペデスタル部２２５が主要部２６８の後に発生する場合がある。こういった実施例では、ペデスタル部２２５は主要部２６８の後にターゲット１１５に到達する。いくつかの実施例では、漏れ光２６６が時点ｔａの前と時点ｔｂの後に発生し、主要部２６８の各側にペデスタル部２２５が存在する。

[0070] 図３Ａは、時間の関数としての光学ビーム３０６の強度のプロットである。図３Ｂは、時間の関数としての電気信号３２４の電圧のプロットである。図３Ａ及び図３Ｂでは同一の時間スケールが用いられる。電気信号３２４は、制御システム１７５が制御する関数発生器によって生成されて電気光学材料１２２（図１及び図２Ａ）に印加することができる電気信号の一例である。電気信号３２４は、変調システム２２０（図２Ａ）に関連付けて検討される。光学ビーム３０６は、電気光学材料１２２に入射することができる光学ビーム（又は光ビーム）の一例である。

[0071] 光学ビーム３０６は光の２つの初期光学パルスを含む。すなわち、材料１２２に入射する第１の初期光学パルス３０６＿１と第２の初期光学パルス３０６＿２である。第１の初期光学パルス３０６＿１が材料１２２に入射した後、第２の初期パルス３０６＿２が材料１２２に入射する。第１の光学パルス３０６＿１及び第２の光学パルス３０６＿２は、相互に時間的に分離した別個の光学パルスである。光学ビーム３０６は、初期光学パルス３０６＿１及び３０６＿２の他にも光学パルスを含み得る。

[0072] 電気信号３２４は、時点ｔ１で開始して材料１２２に印加される第１の電気パルス３２５ａ＿１と、時点ｔ２で開始して材料１２２に印加される第２の電気パルス３２５ａ＿２を含む。電気パルス３２５ａ＿１、３２５ａ＿２は、それぞれ有限の時間長３３１＿１、３３１＿２にわたってＡボルトの振幅を有する電圧パルスである。このため、電気パルス３２５ａ＿１及び３２５ａ＿２を印加すると、それぞれ時間長３３１＿１、３３１＿２にわたって電圧Ａが材料１２２に印加される。

[0073] 電圧Ａは、変調システム２２０をオン状態とするのに充分な電圧である。従って、電気パルス３２５ａ＿１及び３２５ａ＿２が材料１２２に印加されている間、材料１２２に入射する光は光学変調システム２２０を透過する。電気パルス３２５ａ＿１及び３２５ａ＿２の終了後、変調システム２２０はオフ状態に戻る。

[0074] 時間長３３１＿１及び３３１＿２は同一であるか又は異なる可能性がある。図３Ｂの実施例では、第１及び第２の電気パルス３２５ａ＿１及び３２５ａ＿２は同一の電圧振幅（Ａ）を有する。しかしながら他の実施例では、電気パルス３２５ａ＿１及び３２５ａ＿２は異なる電圧振幅を有し、電気パルス３２５ａ＿１及び３２５ａ＿２は双方とも変調システム２２０をオン状態に遷移させるのに充分な電圧を有する。

[0075] 電気信号３２４は、時点ｔｉで材料１２２に印加される中間電気パルス３２５ｂ＿１も含む。時点ｔｉは時点ｔ１の後かつ時点ｔ２の前に発生する。時点ｔｉは、第１の電気パルス３２５ａ＿１の終了時点から遅延時間３３０だけ離れている。中間電気パルス３２５ｂ＿１は、時間長又は時間幅３３２にわたって振幅Ｂを有する。

[0076] 時点０において、変調システム２２０はオフ状態である。時点ｔ１で第１の電気パルス３２５ａ＿１を印加すると、変調システム２２０はオン状態に遷移する。時点ｔ１では、第１の光学パルス３０６＿１が材料１２２に入射している。第１の電気パルス３２５ａ＿１の時間長は第１の光学パルス３０６＿１の時間長よりも短い。従って、時間長３３１＿１の間に材料１２２に入射する第１の光学パルス３０６＿１の部分のみが材料１２２を通過する。材料を通過する第１の光学パルス３０６＿１の部分が、修正光学パルス（図２Ｃの修正光学パルス２０７等）を形成する。材料１２２に第１の電気パルス３２５ａ＿１を印加すると、材料１２２に音響波が生じる。音響波は歪みを生じ、材料１２２の光学特性を変化させる。音響波は、第１の電気信号３２５ａ＿１が終了して材料１２２に電圧が印加されなくなった後も材料１２２内を伝搬し続ける。第１の電気信号３２５ａ＿１の印加により生じた音響波は、第２の光学パルス３０６＿２が材料１２２に入射したが第２の電気信号３２５ａ＿２が材料１２２に印加される前に存在することがある。こういった状況では、変調システム２２０がオフ状態であるにもかかわらず光が変調システム２２０を通過する可能性がある。このような光が光漏れであり、変調システム２２０によって形成される光学パルスレーザにペデスタルを形成する。

[0077] 図４は、照射光学パルスの特性を制御するためのプロセス４００の一例のフローチャートである。照射光学パルスはペデスタル部を含み得る。プロセス４００について、ＥＵＶ光源１０１及び制御システム１７５（図１）、変調システム２２０（図２Ａ）、光学ビーム３０６（図３Ａ）、及び電気信号３２４（図３Ｂ）に関連付けて検討する。しかしながら、プロセス４００を、他のＥＵＶ光源、他の光学ビーム、他の電気信号、及び／又は他の電気光学変調システムによって実行することも可能である。

[0078] 変調システム２２０を用いて第１の修正光学パルスを形成する（４１０）。第１の修正光学パルスを形成するには、第１の光学パルス３０６＿１を材料１２２に入射させ、時点ｔ１で第１の電圧パルス３２５ａ＿１を材料１２２に印加する。時点ｔ１では、第１の光学パルス３０６＿１が材料１２２に入射しており、変調システム２２０はオン状態である。このため、時点ｔ１で開始して時間長３３１＿１の終了までの第１の光学パルス３０６＿１の部分が、材料１２２を通過し、第１の修正光学パルスになる。更に、第１の電圧パルス３２５ａ＿１の印加によって音響波が材料１２２内を伝搬する。この音響波を第１の音響波と呼ぶ。この音響は、第１の電圧パルス３２５ａ＿１が終了して変調システム２２０がオフ状態になった後も材料１２２内を伝搬し続ける可能性がある。

[0079] 材料１２２に中間電圧パルス３２５ｂ＿１を印加する（４２０）。材料１２２に中間電圧３２５ｂ＿１を印加することによっても、音響波（第２の音響波と呼ぶ）が材料１２２内を伝搬する。第２の音響波は第１の音響波と干渉する。強め合う干渉によって音響波の振幅が増大し、弱め合う干渉によって音響波の振幅が低減する。中間電圧パルス３２５ｂ＿１の振幅及び／又は時間長３３２は、第２の音響波の振幅を決定する。遅延３３０は、第１の音響波に対する第２の音響波の位相を決定する。従って、遅延３３０及び／又は振幅Ｂを制御することにより、第１及び第２の音響波間の相互作用の性質を制御することができる。例えば、第２の音響波が第１の音響波と同一の振幅及び反対の位相を有する場合、第１及び第２の音響波は、中間電気パルス３２５ｂ＿１の印加後に音響波が材料１２２内を伝搬しないように干渉し合う。

[0080] 変調システム２２０を用いて第２の修正光学パルスを形成する（４３０）。第２の修正光学パルスは、中間電圧パルス３２５ｂ＿１を材料１２２に印加した後に形成される。第２の光学パルス３０６＿２が材料１２２に入射する。時点ｔ２で、第２の電圧パルス３２５ａ＿２を材料１２２に印加して、変調システム２２０をオン状態に遷移させる。時点ｔ２で開始して時間長３３１＿２の終了までの第２の光学パルス３０６＿２の部分が材料１２２を透過する。

[0081] 上記で検討したように、第１の音響波と第２の音響波は干渉し、材料１２２における音響波の特徴はこの干渉の性質に依存する。音響波は材料１２２に歪みを発生し、材料１２２の屈折率を変化させる。こういった屈折率の変化により、変調システム２２０がオフ状態の場合に光が光漏れとして変調システム２２０を通過する可能性がある。中間電圧パルス３２５ｂ＿１を用いて、第２の光学パルス３０６＿２の１つ以上の特性を所望のように変更する。例えば、中間電圧パルス３２５ｂ＿１を用いて、第２の光学パルス３０６＿２の最大又は平均強度、時間長、及び／又は時間プロファイルを変更することができる。いくつかの実施例では、中間電圧パルス３２５ｂ＿１を用いてペデスタル部を制御及び／又は形成する。

[0082] 例えば、材料１２２における音響波の特徴に応じて、時点ｔ２の前又は電圧パルス３２５ａ＿２が印加されなくなった後（変調システム２２０がオフ状態である場合）に材料１２２に入射する第２の光学パルス３０６＿２の光の一部も、光漏れとして変調システム２２０を透過させて、第２の修正光学パルスにペデスタル部を形成することができる。ペデスタルの強度、時間長、及び他の特性は、材料１２２における音響波を調整することで制御可能である光漏れ量に依存する。材料１２２における音響波は、材料１２２に中間電圧パルス３２５ｂ＿１を印加することによって制御、調整、又は軽減することができる。従って、中間電圧パルス３２５ｂ＿１を印加することにより、ペデスタル部の１つ以上の特性が制御又は調整される。更に、中間電圧パルス３２５ｂ＿１により、光学パルス３０６＿２の主要部の１つ以上の特性を制御することができる。

[0083] 中間電圧パルス３２５ｂ＿１を用いて、第２の光学パルス３０６＿２の１つ以上の特性を他の手法で制御することも可能である。例えば上記で検討したように、ペデスタル部は修正パルスの主要部から時間的に分離している場合がある。こういった実施例では、中間電圧パルス３２５ｂ＿１を用いて、分離したペデスタル部及び／又は主要部を変更することができる。

[0084] 更に、光学ビーム３０６が追加の光学パルスを含み、電気信号３２４が追加の電圧パルスを含むことがある。いくつかの実施例において、制御システム１７５は、ＥＵＶセンサ１８４（図１）が測定した、修正光学パルスとターゲット材料１１８との間の相互作用により発生したＥＵＶ光の量の指示を受信する。例えば、中間電圧パルスの最適な設定を決定するため中間電圧パルスの特性を変化させながら、２以上の相互作用にわたってＥＵＶ光の測定量を追跡する。いくつかの相互作用の各々で遅延３３０を変化させて、どの遅延３３０が最大のＥＵＶ光を生成するかを決定できる。別の例では、中間電圧パルス３２５ｂ＿１の振幅Ｂを変化させて、最大のＥＵＶ光を生成する振幅Ｂを決定する。

[0085] いくつかの実施例では、電子ストレージ１７８に、振幅Ｂ、幅３３２、及び／又は遅延３３０の最適値を光学ビーム３０６のパルス繰り返し率と相関付けるルックアップテーブル又はデータベースを記憶して、光学ビーム３０６の繰り返し率が変化した場合に振幅Ｂ及び／又は遅延３３０を変更するようにしてもよい。

[0086] 図５及び図６は、システム１２０及び２２等の変調システムを用いることができるリソグラフィ装置に関する。図５は、ソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置５００のブロック図である。リソグラフィ装置５００は以下のものを含む。
・放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ
・パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ
・基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴ
・パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば反射型投影システム）ＰＳ

[0087] 照明システムは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、又は他のタイプの光学コンポーネントのような様々なタイプの光学コンポーネント、又はそれらのいずれかの組み合わせを含むことができる。

[0088] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、及び他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造は、機械式、真空式、静電式、又は他のクランプ技術を使用してパターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルであり、必要に応じて固定式又は可動式とすることができる。支持構造は、例えば投影システムに対してパターニングデバイスが所望の位置にあることを保証できる。

[0089] 「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するため使用できる任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームに付与されるパターンは、集積回路等のターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に対応し得る。

[0090] パターニングデバイスは透過型又は反射型とすることができる。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、小型ミラーのマトリクス配列を使用しており、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜させることができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。

[0091] 投影システムＰＳは、照明システムＩＬと同様、使用する露光放射、又は真空の使用のような他の要因に合わせて適宜、例えば屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電気型、又はその他のタイプの光学コンポーネントのような様々なタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用に真空を使用することが望ましい場合がある。従って、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に真空環境を提供することができる。

[0092] 図５及び図６の例において、この装置は反射型である（例えば反射マスクを使用する）。リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプとすることができる。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、又は、１つ以上のテーブルを露光に使用している間に１つ以上の他のテーブルで準備ステップを実行することができる。

[0093] 図５を参照すると、イルミネータＩＬはソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線放射ビームを受光する。ＥＵＶ光を生成する方法は、必ずしも限定ではないが、例えばキセノン、リチウム、又はスズのような、ＥＵＶ範囲内に１つ以上の輝線がある少なくとも１つの元素を有する材料をプラズマ状態に変換することを含む。しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれる１つのそのような方法では、必要な線発光元素を有する材料の小滴、流れ、又はクラスタ等の燃料をレーザビームで照射することにより、必要なプラズマを生成する。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（図５には図示されていない）を含むＥＵＶ放射システムの一部とすることができる。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射のような出力放射を放出し、この出力放射はソースコレクタモジュール内に配置された放射コレクタを用いて集光される。例えば炭酸ガス（ＣＯ_２）レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを提供する場合、レーザとソースコレクタモジュールは別個の構成要素である可能性がある。

[0094] そのような場合、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、レーザからソースコレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを用いて渡される。その他の場合、例えば放射源がしばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合は、放射源はソースコレクタモジュールの一体部分である可能性がある。

[0095] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えることができる。通常、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側半径範囲及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。更に、イルミネータＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス及びファセット瞳ミラーデバイスのような様々な他のコンポーネントも含むことができる。イルミネータＩＬを用いて、放射ビームが断面において所望の均一性と強度分布を有するように調節することができる。

[0096] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）を使用して、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を用いて、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせすることができる。

[0097] 図示されている装置は、以下のモードのうち少なくとも１つで使用可能である。
１．ステップモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に維持しながら、放射ビームに付与されたパターン全体を１回でターゲット部分Ｃに投影する（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴをＸ方向及び／又はＹ方向に移動させる。
２．スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンしながら、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって決定することができる。
３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴがプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持されると共に基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴの各移動の後に又はスキャン中の連続した放射パルスと放射パルスとの間に、プログラマブルパターニングデバイスが必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及したタイプのプログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。

[0098] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0099] 図６は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置５００の実施例を更に詳しく示す。ソースコレクタモジュールＳＯは、このソースコレクタモジュールＳＯの閉鎖構造６２０内に真空環境を維持できるように構築及び配置されている。システムＩＬ及びＰＳも同様にそれら自身の真空環境内に収容されている。レーザ生成ＬＰＰプラズマ源によって、ＥＵＶ放射放出プラズマ２を形成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯの機能は、プラズマ２からのＥＵＶ放射ビーム２０を仮想光源点に合焦させるように送出することである。仮想光源点は一般に中間焦点（ＩＦ）と称される。ソースコレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが閉鎖構造６２０のアパーチャ６２１に又はその近傍に位置するように構成されている。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２の像である。

[0100] 中間焦点ＩＦにおけるアパーチャ６２１から、放射は、この例ではファセットフィールドミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバイス２４を含む照明システムＩＬを横断する。これらのデバイスはいわゆる「フライアイ（fly’s eye）」イルミネータを形成する。これは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１の所望の角度分布を与えると共に、パターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与える（参照番号６６０で示されている）ように配置されている。支持構造（マスクテーブル）ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡでビーム２１が反射されると、パターン付きビーム２６が形成される。このパターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射要素２８、３０を介して、基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。基板Ｗ上のターゲット部分Ｃを露光するため、基板テーブルＷＴ及びパターニングデバイステーブルＭＴが同期した移動を行って照明スリットを通してパターニングデバイスＭＡ上のパターンをスキャンすると同時に、放射パルスを発生させる。

[0101] 各システムＩＬ及びＰＳは、閉鎖構造６２０と同様の閉鎖構造によって画定されたそれら自身の真空環境又は近真空（near-vacuum）環境内に配置されている。一般に、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳ内には、図示するよりも多くの要素が存在し得る。更に、図示するよりも多くのミラーが存在する場合がある。例えば、照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内には、図６に示すもの以外に１つから６つの追加の反射要素が存在することがある。

[0102] ソースコレクタモジュールＳＯについて更に詳しく検討すると、レーザ６２３を含むレーザエネルギソースが、ターゲット材料を含む燃料にレーザエネルギ６２４を堆積するように配置されている。ターゲット材料は、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）等、プラズマ状態でＥＵＶ放射を放出する任意の材料とすればよい。プラズマ２は、数１０電子ボルト（ｅＶ）の電子温度を有する高度に電離したプラズマである。例えばテルビウム（Ｔｂ）及びガドリニウム（Ｇｄ）のような他の燃料材料によって、より高いエネルギのＥＵＶ放射を発生させることも可能である。これらのイオンの脱励起及び再結合中に発生した高エネルギ放射がプラズマから放出され、近法線入射コレクタ３によって収集され、アパーチャ６２１に合焦される。プラズマ２及びアパーチャ６２１は、それぞれコレクタＣＯの第１及び第２の焦点に位置付けられている。

[0103] 図６に示されているコレクタ３は単一の曲面ミラーであるが、コレクタは他の形態をとってもよい。例えばコレクタは、２つの放射収集面を有するシュヴァルツシルトコレクタとしてもよい。一実施形態においてコレクタは、相互に入れ子状になった複数の実質的に円筒形のリフレクタを含むかすめ入射コレクタとしてもよい。

[0104] 例えば液体スズである燃料を送出するため、高周波数の小滴の流れ６２８をプラズマ２の所望の位置に向けて発射するよう配置された小滴ジェネレータ６２６が、閉鎖構造６２０内に配置されている。小滴ジェネレータ６２６は、ターゲット形成装置２１６とすることができる、及び／又は接着剤２３４等の接着剤を含む。動作中、レーザエネルギ６２４は小滴ジェネレータ６２６の動作と同期して送出され、各燃料小滴をプラズマ２に変えるための放射インパルスを送出する。小滴送出の周波数は数キロヘルツとすることができ、例えば５０ｋＨｚである。実際には、レーザエネルギ６２４は少なくとも２つのパルスで送出される。すなわち、燃料材料を小さいクラウドに気化させるため、限られたエネルギのプレパルスがプラズマ位置に到達する前の小滴へ送出され、次いで、プラズマ２を発生させるため、レーザエネルギのメインパルス６２４が所望の位置のクラウドへ送出される。閉鎖構造６２０の反対側にトラップ６３０が設けられ、何らかの理由でプラズマに変わらない燃料を捕捉する。

[0105] 小滴ジェネレータ６２６は、燃料液体（例えば溶融スズ）を収容するリザーバ６０１、フィルタ６６９、及びノズル６０２を備えている。ノズル６０２は、燃料液体の小滴をプラズマ２の形成位置の方へ放出するように構成されている。リザーバ６０１内の圧力と、ピエゾアクチュエータ（図示せず）によってノズルに加えられる振動との組み合わせによって、燃料液体の小滴をノズル６０２から放出させることができる。

[0106] 当業者に既知のように、装置とその様々なコンポーネント、及び放射ビーム２０、２１、２６のジオメトリ及び挙動を測定及び記述するため、基準軸Ｘ、Ｙ、及びＺを規定することができる。装置の各部分において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸の局所基準系（local reference frame）を規定することができる。図６の例において、Ｚ軸は、システム内の所与のポイントにおいて光軸Ｏ方向とほぼ一致し、概ねパターニングデバイス（レチクル）ＭＡの面に垂直であると共に基板Ｗの面に垂直である。図６に示されているように、ソースコレクタモジュールにおいて、Ｘ軸は燃料の流れ６２８の方向とほぼ一致し、Ｙ軸はＸ軸に直交し紙面から出ていく方向である。一方、レチクルＭＡを保持する支持構造ＭＴの近傍において、Ｘ軸は、Ｙ軸と位置合わせされたスキャン方向を概ね横断する。便宜上、図６の概略図のこのエリアでは、Ｘ軸は図示されているように紙面から出ていく方向である。これらの指定は当技術分野において従来からのものであり、本明細書でも便宜的に採用される。原理上、装置及びその挙動を記述するため任意の基準系を選択することができる。

[0107] 典型的な装置では、全体としてソースコレクタモジュール及びリソグラフィ装置５００の動作に使用される多数の追加コンポーネントが存在するが、ここには図示されていない。これらには、例えばコレクタ３及び他の光学系に損傷を与えるかそれらの性能を低下させる燃料材料の堆積を防止するように、閉鎖された真空内の汚染の効果を低減又は軽減するための構成が含まれる。存在するが詳述しない他の特徴部には、リソグラフィ装置５００の様々なコンポーネント及びサブシステムの制御に関与する全てのセンサ、コントローラ、及びアクチュエータがある。

[0108] 図７を参照すると、ＬＰＰ ＥＵＶ光源７００の実施例が示されている。光源７００は、リソグラフィ装置５００におけるソースコレクタモジュールＳＯとして使用できる。更に、図１の光学パルス発生システム１０４は駆動レーザ７１５の一部とすることができる。駆動レーザ７１５はレーザ６２３（図６）として使用できる。

[0109] ＬＰＰ ＥＵＶ光源７００は、プラズマ形成位置７０５のターゲット混合物７１４を、ビーム経路に沿ってターゲット混合物７１４の方へ進行する増幅光ビーム７１０で照射することによって形成される。図１、図２Ａ、図２Ｂ、及び図３に関して検討されたターゲット材料、並びに図１に関して検討されたターゲットの流れ１２１内のターゲットは、ターゲット混合物７１４であるか又はターゲット混合物７１４を含むことができる。プラズマ形成位置７０５は真空チャンバ７３０の内部７０７にある。増幅光ビーム７１０がターゲット混合物７１４に当たると、ターゲット混合物７１４内のターゲット材料は、ＥＵＶ範囲内に輝線がある元素を有するプラズマ状態に変換される。生成されたプラズマは、ターゲット混合物７１４内のターゲット材料の組成に応じた特定の特徴を有する。これらの特徴は、プラズマによって生成されるＥＵＶ光の波長、並びにプラズマから放出されるデブリの種類及び量を含み得る。

[0110] 光源７００は供給システム７２５も含む。供給システム７２５は、液体小滴、液体流、固体粒子もしくはクラスタ、液体小滴に含まれる固体粒子、又は液体流に含まれる固体粒子の形態であるターゲット混合物７１４を、送出、制御、及び誘導する。ターゲット混合物７１４はターゲット材料を含み、これは例えば、水、スズ、リチウム、キセノン、又は、プラズマ状態に変換された場合にＥＵＶ範囲内に輝線を有する任意の材料である。例えば元素スズは、純粋なスズ（Ｓｎ）として、例えばＳｎＢｒ_４、ＳｎＢｒ_２、ＳｎＨ_４のようなスズ化合物として、例えばスズ－ガリウム合金、スズ－インジウム合金、スズ－インジウム－ガリウム合金、又はこれらの合金の組み合わせのようなスズ合金として、使用され得る。ターゲット混合物７１４は、非ターゲット粒子のような不純物も含み得る。従って、不純物が存在しない状況では、ターゲット混合物７１４はターゲット材料でのみ構成される。ターゲット混合物７１４は、供給システム７２５によってチャンバ７３０の内部７０７へ、更にプラズマ形成位置７０５へ送出される。

[0111] 光源７００は駆動レーザシステム７１５を含み、これは、レーザシステム７１５の１又は複数の利得媒体内の反転分布によって増幅光ビーム７１０を生成する。光源７００は、レーザシステム７１５とプラズマ形成位置７０５との間にビームデリバリシステムを含む。ビームデリバリシステムは、ビーム伝送システム７２０及びフォーカスアセンブリ７２２を含む。ビーム伝送システム７２０は、レーザシステム７１５から増幅光ビーム７１０を受光し、必要に応じて増幅光ビーム７１０を方向操作及び変更し、増幅光ビーム７１０をフォーカスアセンブリ７２２に出力する。フォーカスアセンブリ７２２は、増幅光ビーム７１０を受光し、ビーム７１０をプラズマ形成位置７０５に合焦する。

[0112] いくつかの実施例においてレーザシステム７１５は、１以上のメインパルスを提供し、場合によっては１以上のプレパルスも提供するための、１以上の光増幅器、レーザ、及び／又はランプを含み得る。１以上のプレパルスを含む実施例では、１以上のプレパルスの経路に光学パルス発生システム１０４のような光学パルス発生システムを配置することができる。各光増幅器は、所望の波長を高い利得で光学的に増幅することができる利得媒体、励起源、及び内部光学系を含む。光増幅器は、レーザミラー、又はレーザキャビティを形成する他のフィードバックデバイスを有する場合も有しない場合もある。従ってレーザシステム７１５は、レーザキャビティが存在しない場合であっても、レーザ増幅器の利得媒体における反転分布によって増幅光ビーム７１０を生成する。更にレーザシステム７１５は、レーザシステム７１５に充分なフィードバックを与えるレーザキャビティが存在する場合、コヒーレントなレーザビームである増幅光ビーム７１０を生成できる。「増幅光ビーム」という用語は、増幅されているだけで必ずしもコヒーレントなレーザ発振でないレーザシステム７１５からの光、及び増幅されていると共にコヒーレントなレーザ発振であるレーザシステム７１５からの光のうち１つ以上を包含する。

[0113] レーザシステム７１５における光増幅器は、利得媒体としてＣＯ_２を含む充填ガスを含み、波長が約９１００ｎｍ～約１１０００ｎｍ、特に約１０６００ｎｍの光を、８００以上の利得で増幅できる。レーザシステム７１５で使用するのに適した増幅器及びレーザは、パルスレーザデバイスを含み得る。これは例えば、ＤＣ又はＲＦ励起によって約９３００ｎｍ又は約１０６００ｎｍの放射を生成し、例えば１０ｋＷ以上の比較的高いパワーで、例えば４０ｋＨｚ以上の高いパルス繰り返し率で動作するパルスガス放電ＣＯ_２レーザデバイスである。パルス繰り返し率は例えば５０ｋＨｚとすればよい。また、レーザシステム７１５における光増幅器は、レーザシステム７１５をもっと高いパワーで動作させる場合に使用され得る水のような冷却システムも含むことができる。

[0114] 光源７００は、増幅光ビーム７１０を通過させてプラズマ形成位置７０５に到達させることができるアパーチャ７４０を有するコレクタミラー７３５を含む。コレクタミラー７３５は例えば、プラズマ形成位置７０５に主焦点を有すると共に中間位置７４５に二次焦点（中間焦点とも呼ばれる）を有する楕円ミラーであり得る。中間位置７４５でＥＵＶ光は光源７００から出力し、例えば集積回路リソグラフィツール（図示せず）に入力することができる。光源７００は、端部が開口した中空円錐形シュラウド７５０（例えばガス円錐（cone））も含むことができる。これは、コレクタミラー７３５からプラズマ形成位置７０５に向かってテーパ状であり、増幅光ビーム７１０がプラズマ形成位置７０５に到達することを可能としながら、フォーカスアセンブリ７２２及び／又はビーム伝送システム７２０内に入るプラズマ生成デブリの量を低減させる。この目的のため、シュラウドにおいて、プラズマ形成位置７０５の方へ誘導されるガス流を提供することができる。

[0115] 光源７００は、小滴位置検出フィードバックシステム７５６と、レーザ制御システム７５７と、ビーム制御システム７５８と、に接続されているマスタコントローラ７５５も含むことができる。光源７００は１以上のターゲット又は小滴撮像器７６０を含むことができ、これは、例えばプラズマ形成位置７０５に対する小滴の位置を示す出力を与え、この出力を小滴位置検出フィードバックシステム７５６に提供する。小滴位置検出フィードバックシステム７５６は、例えば小滴の位置及び軌道を計算することができ、それらから小滴ごとに又は平均値として小滴位置誤差が計算され得る。これにより、小滴位置検出フィードバックシステム７５６は、小滴位置誤差をマスタコントローラ７５５に対する入力として提供する。従ってマスタコントローラ７５５は、例えばレーザ位置、方向、及びタイミング補正信号を、例えばレーザタイミング回路の制御に使用するためレーザ制御システム７５７に提供し、及び／又はビーム制御システム７５８に提供して、ビーム伝送システム７２０の増幅光ビームの位置及び整形を制御し、チャンバ７３０内のビーム焦点スポットの位置及び／又は集光力を変化させることができる。

[0116] 供給システム７２５はターゲット材料送出制御システム７２６を含む。ターゲット材料送出制御システム７２６は、マスタコントローラ７５５からの信号に応答して動作可能であり、例えば、ターゲット材料供給装置７２７によって放出される小滴の放出点を変更して、所望のプラズマ形成位置７０５に到達する小滴の誤差を補正する。ターゲット材料供給装置７２７は、接着剤２３４等の接着剤を使用するターゲット形成装置を含む。

[0117] 更に、光源７００は光源検出器７６５及び７７０を含むことができる。これらは、限定ではないが、パルスエネルギ、波長の関数としてのエネルギ分布、特定の波長帯内のエネルギ、特定の波長帯外のエネルギ、ＥＵＶ強度の角度分布、及び／又は平均パワーを含む１つ以上のＥＵＶ光パラメータを測定する。光源検出器７６５は、マスタコントローラ７５５によって使用されるフィードバック信号を発生する。フィードバック信号は、効果的かつ効率的なＥＵＶ光生成のため適切なときに適切な場所で小滴を正確に捕らえるために、例えばレーザパルスのタイミング及び焦点のようなパラメータの誤差を示すことができる。

[0118] 光源７００は、光源７００の様々なセクションを位置合わせするため又は増幅光ビーム７１０をプラズマ形成位置７０５へ方向操作するのを支援するために使用され得るガイドレーザ７７５も含むことができる。ガイドレーザ７７５に関連して、光源７００は、フォーカスアセンブリ７２２内に配置されてガイドレーザ７７５からの光の一部と増幅光ビーム７１０をサンプリングするメトロロジシステム７２４を含む。他の実施例では、メトロロジシステム７２４はビーム伝送システム７２０内に配置される。メトロロジシステム７２４は、光のサブセットをサンプリング又は方向転換する光学要素を含むことができ、そのような光学要素は、ガイドレーザビーム及び増幅光ビーム７１０のパワーに耐えられる任意の材料から作製される。マスタコントローラ７５５がガイドレーザ７７５からのサンプリングされた光を解析し、この情報を用いてビーム制御システム７５８を介してフォーカスアセンブリ７２２内のコンポーネントを調整するので、メトロロジシステム７２４及びマスタコントローラ７５５からビーム解析システムが形成されている。

[0119] 従って、要約すると、光源７００は増幅光ビーム７１０を生成し、これはビーム経路に沿って誘導されてプラズマ形成位置７０５のターゲット混合物７１４を照射して、混合物７１４内のターゲット材料を、ＥＵＶ範囲内の光を放出するプラズマに変換する。増幅光ビーム７１０は、レーザシステム７１５の設計及び特性に基づいて決定される特定の波長（駆動レーザ波長とも称される）で動作する。更に、ターゲット材料がコヒーレントなレーザ光を生成するのに充分なフィードバックをレーザシステム７１５に与える場合、又は駆動レーザシステム７１５がレーザキャビティを形成する適切な光学フィードバックを含む場合、増幅光ビーム７１０はレーザビームであり得る。

[0120] 実施例は、以下の条項を用いて更に記載することができる。
１．極端紫外線（ＥＵＶ）光源のための装置であって、
電気光学材料を含み、相互に時間的に分離した複数の光パルスを含むパルス光ビームを受光するように構成された光学変調システムと、
電気光学変調器に第１の光パルスが入射している間に電気光学材料に第１の電気パルスを印加し、電気光学材料に第２の光パルスが入射している間に電気光学材料に第２の電気パルスを印加し、電気光学材料に第１の光パルスが入射した後であって電気光学材料に第２の光パルスが入射する前に電気光学材料に中間電気パルスを印加するように、電源を制御するよう構成された制御システムと、
を備える装置。
２．電気光学材料に第１の電気パルスを印加すると電気光学材料に物理的効果が生じ、物理的効果は、電気光学材料に中間電気パルスが印加されるときに電気光学材料に存在する、条項１に記載の装置。
３．物理的効果は、電気光学材料内を進む音響波及び／又は機械的歪みを含む、条項２に記載の装置。
４．電気光学材料に中間電気パルスを印加すると物理的効果が低減する、条項２に記載の装置。
５．第１の光パルス及び第２の光パルスはパルス光ビーム内の連続した光パルスである、条項１に記載の装置。
６．制御システムは第１の電気パルスと中間電気パルスとの間の時間量を制御するように構成されている、条項１に記載の装置。
７．電気光学材料は半導体を含む、条項１に記載の装置。
８．電気光学材料は絶縁体を含む、条項１に記載の装置。
９．電気光学材料は電気光学結晶を含む、条項１に記載の装置。
１０．少なくとも１つの偏光ベース光学要素を更に備える、条項１に記載の装置。
１１．中間電気パルスは、第１の電気パルスによって生じた音響外乱と干渉する音響外乱を発生させる、条項１に記載の装置。
１２．光学パルスを形成するための装置であって、
電気光学材料を含み、オン状態で光を透過させると共にオフ状態で光を阻止するように構成され、相互に時間的に分離した少なくとも第１の光パルス及び第２の光パルスを含むパルス光ビームを受光するように構成された光学変調システムと、
電圧源に結合された制御システムであって、
電気光学変調器に第１の光パルスが入射している間に、電圧源に、電気光学変調器をオン状態に切り換えるよう構成された第１の電圧パルスを電気光学変調器に印加させることによって第１の形成された光学パルスを発生し、
電気光学材料に中間電圧パルスを印加し、
第１の電圧パルス及び中間電圧パルスを印加した後であって電気光学材料に第２の光パルスが入射している間に、第２の電圧パルスを電気光学材料に印加することによって第２の形成された光学パルスを発生する、ように構成された制御システムと、を備え、第２の電圧パルスは電気光学変調器をオン状態に切り換えるよう構成され、電気光学材料に対する中間電圧パルスの印加によって第２の形成された光学パルスの特性が制御される、装置。
１３．第２の形成された光学パルスはペデスタル部及び主要部を含み、第２の形成された光学パルスの特性はペデスタルの特性を含み、電気光学材料に対する中間電圧パルスの印加によってペデスタル部の特性が制御されるようになっている、条項１２に記載の装置。
１４．ペデスタル部及び主要部は時間的に連続している、条項１３に記載の装置。
１５．ペデスタル部の特性は、ペデスタル部の時間長、最大強度、及び／又は平均強度を含む、条項１３に記載の装置。
１６．電気光学材料に対する中間電圧パルスの印加によって、オフ状態で光学変調システムを透過する光漏れ光の量が変化する、条項１２に記載の装置。
１７．電気光学材料に対する中間電圧パルスの印加によって、オフ状態で光学変調システムを透過する光漏れ光が低減する、条項１６に記載の装置。
１８．制御システムは第１の時点で第１の電圧パルスを電気光学材料に印加させ、
制御システムは第１の時点の後の第２の時点で中間電圧パルスを電気光学材料に印加させ、
第２の時点及び第１の時点は遅延時間だけ時間的に分離し、
制御システムは更に、遅延時間を調整することによって第２の形成された光学パルスの特性を制御するように構成されている、条項１２に記載の装置。
１９．制御システムは更に、中間電圧パルスの振幅、時間長、及び位相のうち少なくとも１つを制御するように構成されている、条項１８に記載の装置。
２０．制御システムは更に、
ペデスタル部の測定された特性の指示を受信し、
受信した指示に基づいて中間電圧パルスの特性を調整する、
ように構成されている、条項１３に記載の装置。
２１．制御システムは更に、
プラズマによって生成された極端紫外線（ＥＵＶ）光の量の指示を受信し、
ＥＵＶ光の量の受信した指示に基づいて中間電圧パルスの特性を調整する、
ように構成されている、条項１２に記載の装置。
２２．中間電圧パルスの特性を調整するように構成されている制御システムは、中間電圧パルスの振幅、中間電圧パルスの時間長、中間電圧パルスの位相、及び／又は、電気光学材料に中間電圧パルスを印加する時点である第２の時点を調整するように構成された制御システムを含む、条項２１に記載の装置。
２３．光学パルスのペデスタルの特性を調整する方法であって、
光学変調システムに光が入射している間に光学変調システムの電気光学材料に第１の電圧パルスを印加することによって第１の光学パルスを形成することと、
第１の電圧パルスを印加した後に電気光学材料に中間電圧パルスを印加することと、
第１の電圧パルス及び中間電圧パルスの後であって電気光学材料に光が入射している間に第２の電圧パルスを電気光学材料に印加することによって第２の光学パルスを形成することと、を含み、第２の光学パルスの特性は中間電圧パルスの印加に基づいて調整される、方法。
２４．第１の光学パルスを増幅して、増幅した第１の光学パルスを形成することと、
増幅した第１の光学パルスとターゲット材料との相互作用によって生成されたプラズマから放出される極端紫外線（ＥＵＶ）光の量の指示を受信することと、
プラズマから放出されるＥＵＶ光の量の受信した指示に基づいて中間電圧パルスの少なくとも１つの特性を決定することと、
を更に含む、条項２３に記載の方法。
２５．中間電圧パルスの少なくとも１つの特性は第１の電圧パルスの印加後の時間遅延を含み、中間電圧パルスの少なくとも１つの特性を決定することは、プラズマから放出されるＥＵＶ光の量の受信した指示に基づいて時間遅延を決定することを含む、条項２４に記載の方法。
２６．中間電圧パルスの少なくとも１つの特性は中間電圧パルスの振幅及び／又は長さを含み、中間電圧パルスの少なくとも１つの特性を決定することは、中間電圧パルスの振幅及び／又は長さを決定することを含む、条項２４に記載の方法。
２７．第２の光学パルスはペデスタル部及び主要部を含み、中間電圧パルスの印加に基づいてペデスタル部の特性が調整される、条項２３に記載の方法。
２８．ペデスタル部は主要部と時間的に連続している、条項２７に記載の方法。
２９．極端紫外線（ＥＵＶ）光源であって、
容器と、
容器に結合されるように構成されたターゲット材料供給装置と、
パルス光ビームを受光するよう位置決めされるように構成され、電気光学材料を含む光学変調システムと、
電圧源に結合された制御システムであって、
電圧源に複数の形成電圧パルスを電気光学材料に印加させ、複数の形成電圧パルスの各々は異なる時点で電気光学材料に印加され、
電圧源に少なくとも１つの中間電圧パルスを電気光学材料に印加させ、少なくとも１つの中間電圧パルスは複数の形成電圧パルスのうち２つの連続した形成電圧パルスの間に電気光学材料に印加される、
ように構成された制御システムと、
を備えるＥＵＶ光源。
３０．ターゲット材料供給装置は容器内のターゲット領域へ複数のターゲット材料小滴を提供するように構成され、ターゲット材料小滴はターゲット送出レートでターゲット領域に到達し、制御システムは、ターゲット送出レートに依存する形成レートで電気光学材料に形成電圧パルスを印加する、条項２９に記載のＥＵＶ光源。
３１．中間電圧パルスの特徴は振幅及び／又は位相を含み、
制御システムは更に、
形成レートに関連付けて記憶された振幅及び／又は位相にアクセスし、
電圧源に、アクセスした振幅及び／又は位相で中間電圧パルスを生成させる、
ように構成されている、条項２８に記載のＥＵＶ光源。
３２．制御システムは更に、形成電圧パルスの１つと中間電圧パルスの１つとの間の時間遅延を制御するように構成されている、条項２９に記載のＥＵＶ光源。
３３．更に光学増幅器を備え、
電気光学材料に形成電圧パルスを印加するたびに光学パルスが形成され、
形成された光学パルスは光学増幅器によって増幅されて増幅光学パルスを形成し、
制御システムは更に、容器内でプラズマによって生成されたＥＵＶ光の量を測定するよう構成されたメトロロジシステムに結合するように構成され、
プラズマは、形成された増幅光学パルスでターゲット材料を照射することによって形成され、
制御システムは、メトロロジシステムから測定されたＥＵＶ光の量を受信するように構成され、
制御システムは、測定されたＥＵＶ光の量に基づいて中間電圧パルスの１つ以上の特徴を変更するように構成されている、条項２９に記載のＥＵＶ光源。
３４．中間電圧パルスの１つ以上の特徴は、中間電圧パルスの振幅、中間電圧パルスの時間長、中間電圧パルスの位相、及び／又は最新の形成電圧パルスの印加後の時間遅延を含む、条項３３に記載のＥＵＶ光源。

[0121] 他の実施例も特許請求の範囲内である。

Claims (34)

1. 極端紫外線（ＥＵＶ）光源のための装置であって、
   電気光学材料を含み、相互に時間的に分離した複数の光パルスを含むパルス光ビームを受光するように構成された光学変調システムと、
   前記電気光学変調器に第１の光パルスが入射している間に前記電気光学材料に第１の電気パルスを印加し、前記電気光学材料に第２の光パルスが入射している間に前記電気光学材料に第２の電気パルスを印加し、前記電気光学材料に前記第１の光パルスが入射した後であって前記電気光学材料に前記第２の光パルスが入射する前に前記電気光学材料に中間電気パルスを印加するように、電源を制御するよう構成された制御システムと、
   を備える装置。
2. 前記電気光学材料に前記第１の電気パルスを印加すると前記電気光学材料に物理的効果が生じ、前記物理的効果は、前記電気光学材料に前記中間電気パルスが印加されるときに前記電気光学材料に存在する、請求項１に記載の装置。
3. 前記物理的効果は、前記電気光学材料内を進む音響波及び／又は機械的歪みを含む、請求項２に記載の装置。
4. 前記電気光学材料に前記中間電気パルスを印加すると前記物理的効果が低減する、請求項２に記載の装置。
5. 前記第１の光パルス及び前記第２の光パルスは前記パルス光ビーム内の連続した光パルスである、請求項１に記載の装置。
6. 前記制御システムは前記第１の電気パルスと前記中間電気パルスとの間の時間量を制御するように構成されている、請求項１に記載の装置。
7. 前記電気光学材料は半導体を含む、請求項１に記載の装置。
8. 前記電気光学材料は絶縁体を含む、請求項１に記載の装置。
9. 前記電気光学材料は電気光学結晶を含む、請求項１に記載の装置。
10. 少なくとも１つの偏光ベース光学要素を更に備える、請求項１に記載の装置。
11. 前記中間電気パルスは、前記第１の電気パルスによって生じた音響外乱と干渉する音響外乱を発生させる、請求項１に記載の装置。
12. 光学パルスを形成するための装置であって、
    電気光学材料を含み、オン状態で光を透過させると共にオフ状態で光を阻止するように構成され、相互に時間的に分離した少なくとも第１の光パルス及び第２の光パルスを含むパルス光ビームを受光するように構成された光学変調システムと、
    電圧源に結合された制御システムであって、
    前記電気光学変調器に前記第１の光パルスが入射している間に、前記電圧源に、前記電気光学変調器を前記オン状態に切り換えるよう構成された第１の電圧パルスを前記電気光学変調器に印加させることによって第１の形成された光学パルスを発生し、
    前記電気光学材料に中間電圧パルスを印加し、
    前記第１の電圧パルス及び前記中間電圧パルスを印加した後であって前記電気光学材料に前記第２の光パルスが入射している間に、第２の電圧パルスを前記電気光学材料に印加することによって第２の形成された光学パルスを発生する、ように構成された制御システムと、を備え、前記第２の電圧パルスは前記電気光学変調器を前記オン状態に切り換えるよう構成され、前記電気光学材料に対する前記中間電圧パルスの前記印加によって前記第２の形成された光学パルスの特性が制御される、装置。
13. 前記第２の形成された光学パルスはペデスタル部及び主要部を含み、前記第２の形成された光学パルスの前記特性は前記ペデスタルの特性を含み、前記電気光学材料に対する前記中間電圧パルスの前記印加によって前記ペデスタル部の特性が制御されるようになっている、請求項１２に記載の装置。
14. 前記ペデスタル部及び前記主要部は時間的に連続している、請求項１３に記載の装置。
15. 前記ペデスタル部の前記特性は、前記ペデスタル部の時間長、最大強度、及び／又は平均強度を含む、請求項１３に記載の装置。
16. 前記電気光学材料に対する前記中間電圧パルスの前記印加によって、前記オフ状態で前記光学変調システムを透過する光漏れ光の量が変化する、請求項１２に記載の装置。
17. 前記電気光学材料に対する前記中間電圧パルスの前記印加によって、前記オフ状態で前記光学変調システムを透過する光漏れ光が低減する、請求項１６に記載の装置。
18. 前記制御システムは第１の時点で前記第１の電圧パルスを前記電気光学材料に印加させ、
    前記制御システムは前記第１の時点の後の第２の時点で前記中間電圧パルスを前記電気光学材料に印加させ、
    前記第２の時点及び前記第１の時点は遅延時間だけ時間的に分離し、
    前記制御システムは更に、前記遅延時間を調整することによって前記第２の形成された光学パルスの特性を制御するように構成されている、請求項１２に記載の装置。
19. 制御システムは更に、前記中間電圧パルスの振幅、時間長、及び位相のうち少なくとも１つを制御するように構成されている、請求項１８に記載の装置。
20. 前記制御システムは更に、
    前記ペデスタル部の測定された特性の指示を受信し、
    前記受信した指示に基づいて前記中間電圧パルスの特性を調整する、
    ように構成されている、請求項１３に記載の装置。
21. 前記制御システムは更に、
    プラズマによって生成された極端紫外線（ＥＵＶ）光の量の指示を受信し、
    前記ＥＵＶ光の量の前記受信した指示に基づいて前記中間電圧パルスの特性を調整する、
    ように構成されている、請求項１２に記載の装置。
22. 前記中間電圧パルスの特性を調整するように構成されている前記制御システムは、前記中間電圧パルスの振幅、前記中間電圧パルスの時間長、前記中間電圧パルスの位相、及び／又は、前記電気光学材料に前記中間電圧パルスを印加する時点である第２の時点を調整するように構成された前記制御システムを含む、請求項２１に記載の装置。
23. 光学パルスの特性を調整する方法であって、
    光学変調システムに光が入射している間に前記光学変調システムの電気光学材料に第１の電圧パルスを印加することによって第１の光学パルスを形成することと、
    前記第１の電圧パルスを印加した後に前記電気光学材料に中間電圧パルスを印加することと、
    前記第１の電圧パルス及び前記中間電圧パルスの後であって前記電気光学材料に光が入射している間に第２の電圧パルスを前記電気光学材料に印加することによって第２の光学パルスを形成することと、を含み、前記第２の光学パルスの特性は前記中間電圧パルスの前記印加に基づく、方法。
24. 前記第１の光学パルスを増幅して、増幅した第１の光学パルスを形成することと、
    前記増幅した第１の光学パルスとターゲット材料との相互作用によって生成されたプラズマから放出される極端紫外線（ＥＵＶ）光の量の指示を受信することと、
    前記プラズマから放出される前記ＥＵＶ光の量の前記受信した指示に基づいて前記中間電圧パルスの少なくとも１つの特性を決定することと、
    を更に含む、請求項２３に記載の方法。
25. 前記中間電圧パルスの前記少なくとも１つの特性は前記第１の電圧パルスの前記印加後の時間遅延を含み、前記中間電圧パルスの少なくとも１つの特性を決定することは、前記プラズマから放出される前記ＥＵＶ光の量の前記受信した指示に基づいて前記時間遅延を決定することを含む、請求項２４に記載の方法。
26. 前記中間電圧パルスの前記少なくとも１つの特性は前記中間電圧パルスの振幅及び／又は長さを含み、前記中間電圧パルスの少なくとも１つの特性を決定することは、前記中間電圧パルスの前記振幅及び／又は長さを決定することを含む、請求項２４に記載の方法。
27. 前記第２の光学パルスはペデスタル部及び主要部を含み、前記中間電圧パルスの前記印加に基づいて前記ペデスタル部の特性が調整される、請求項２３に記載の方法。
28. 前記ペデスタル部は前記主要部と時間的に連続している、請求項２７に記載の方法。
29. 極端紫外線（ＥＵＶ）光源であって、
    容器と、
    前記容器に結合されるように構成されたターゲット材料供給装置と、
    パルス光ビームを受光するよう位置決めされるように構成され、電気光学材料を含む光学変調システムと、
    電圧源に結合された制御システムであって、
    前記電圧源に複数の形成電圧パルスを前記電気光学材料に印加させ、前記複数の形成電圧パルスの各々は異なる時点で前記電気光学材料に印加され、
    前記電圧源に少なくとも１つの中間電圧パルスを前記電気光学材料に印加させ、前記少なくとも１つの中間電圧パルスは前記複数の形成電圧パルスのうち２つの連続した形成電圧パルスの間に前記電気光学材料に印加される、
    ように構成された制御システムと、
    を備えるＥＵＶ光源。
30. 前記ターゲット材料供給装置は前記容器内のターゲット領域へ複数のターゲット材料小滴を提供するように構成され、前記ターゲット材料小滴はターゲット送出レートで前記ターゲット領域に到達し、前記制御システムは、前記ターゲット送出レートに依存する形成レートで前記電気光学材料に前記形成電圧パルスを印加する、請求項２９に記載のＥＵＶ光源。
31. 前記中間電圧パルスの特徴は振幅及び／又は位相を含み、
    前記制御システムは更に、
    前記形成レートに関連付けて記憶された振幅及び／又は位相にアクセスし、
    前記電圧源に、前記アクセスした振幅及び／又は位相で前記中間電圧パルスを生成させる、
    ように構成されている、請求項２９に記載のＥＵＶ光源。
32. 前記制御システムは更に、前記形成電圧パルスの１つと前記中間電圧パルスの１つとの間の時間遅延を制御するように構成されている、請求項２９に記載のＥＵＶ光源。
33. 更に光学増幅器を備え、
    前記電気光学材料に形成電圧パルスを印加するたびに光学パルスが形成され、
    前記形成された光学パルスは前記光学増幅器によって増幅されて増幅光学パルスを形成し、
    前記制御システムは更に、前記容器内でプラズマによって生成されたＥＵＶ光の量を測定するよう構成されたメトロロジシステムに結合するように構成され、
    前記プラズマは、前記形成された増幅光学パルスで前記ターゲット材料を照射することによって形成され、
    前記制御システムは、前記メトロロジシステムから前記測定されたＥＵＶ光の量を受信するように構成され、
    前記制御システムは、前記測定されたＥＵＶ光の量に基づいて前記中間電圧パルスの１つ以上の特徴を変更するように構成されている、請求項２９に記載のＥＵＶ光源。
34. 前記中間電圧パルスの前記１つ以上の特徴は、前記中間電圧パルスの振幅、前記中間電圧パルスの時間長、前記中間電圧パルスの位相、及び／又は最新の形成電圧パルスの印加後の時間遅延を含む、請求項３３に記載のＥＵＶ光源。

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