JP2010507022A5 - - Google Patents
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Description
本明細書で引用した特許、特許文書、及び刊行物の全ての開示内容は、それぞれが個々に援用された場合と同様に、その全内容が参照によって援用される。抵触がある場合は、定義を含めて、本明細書が支配するものとする。本発明の様々な変更及び改変は、本発明の範囲及び趣旨を逸脱せずに、当業者には明らかとなるであろう。例示的な実施形態及び実施例は例示のみを提供し、本発明の範囲の制限を意図しない。本発明の範囲は以下に記載する請求項にのみ制限される。
以下に、本願発明に関連する発明の実施形態について列挙する。
[実施形態1]
少なくとも1つの易洗浄金属基材又は易洗浄金属化基材を形成する方法であって、
ケイ素、酸素、及び水素を含む層を基材の表面の少なくとも一部にプラズマ蒸着によって形成する工程と、
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物を、ケイ素、酸素、及び水素を含む層の表面の少なくとも一部に適用する工程と、を含む、方法。
[実施形態2]
前記ケイ素、酸素、及び水素を含む層の形成が、オルガノシリコン又はシラン化合物の少なくとも1つを含むガスのイオン化を含む、実施形態1に記載の方法。
[実施形態3]
前記オルガノシリコン又はシラン化合物の少なくとも1つのケイ素が、前記ガスの全原子量を基準にして前記ガスの少なくとも約5原子%の量で存在する、実施形態2に記載の方法。
[実施形態4]
前記ガスがオルガノシリコンを含む、実施形態2又は3に記載の方法。
[実施形態5]
前記オルガノシリコンがテトラメチルシランを含む、実施形態4に記載の方法。
[実施形態6]
前記ケイ素、酸素、及び水素を含む層が、炭素を更に含む、実施形態1〜5のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態7]
前記ガスがシラン化合物を含む、実施形態2又は3に記載の方法。
[実施形態8]
前記シラン化合物がSiH 4 を含む、実施形態7に記載の方法。
[実施形態9]
前記ガスが酸素を更に含む、実施形態2〜8のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態10]
前記ガスが、アルゴン、アンモニア、水素、及び窒素の少なくとも1つを更に含む、実施形態9に記載の方法。
[実施形態11]
前記ガスが、アンモニア、水素、及び窒素の少なくとも1つの総量がガスの少なくとも約5モル%であって約50モル%以下であるように、アンモニア、水素、及び窒素の少なくとも1つを更に含む、実施形態10に記載の方法。
[実施形態12]
前記ケイ素、酸素、及び水素を含む層のプラズマ蒸着が、約5秒以上及び約15秒以下の時間で実施される、実施形態1〜11のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態13]
前記時間が約10秒である、実施形態12に記載の方法。
[実施形態14]
前記基材が、ケイ素、酸素、及び水素を含む層のプラズマ蒸着の前に酸素プラズマに曝露される、実施形態1〜13のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態15]
前記ケイ素、酸素、及び水素を含む層が酸素プラズマに曝露される、実施形態1〜14のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態16]
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物がポリフルオロポリエーテルシランである、実施形態1〜15のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態17]
前記ポリフルオロポリエーテルシランが式Iaであり:
R f [Q’−C(R) 2 −Si(Y’) 3−x (R 1a ) x ] z Ia
式中、
R f は一価又は多価のポリフルオロポリエーテルセグメントであり、
Q’は有機二価連結基であり、
各Rは独立して水素又はC 1〜4 アルキル基であり、
各Y’は、ハロゲン、アルコキシ、アシルオキシ、ポリアルキレンオキシ、及びアリールオキシ基から成る群から独立して選択される加水分解性基であり、
R 1a はC 1〜8 アルキル又はフェニル基であり、
xは0又は1又は2であり、
zは1、2、3、又は4である、実施形態16に記載の方法。
[実施形態18]
前記ポリフルオロポリエーテルセグメント、R f が、−(C n F 2n O)−、−(CF(Z)O)−、−(CF(Z)C n F 2n O)−、−(C n F 2n CF(Z)O)−、−(CF 2 CF(Z)O)−、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される全フッ素化繰返し単位を含み、式中、Zはペルフルオロアルキル基、酸素含有ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、又は酸素置換ペルフルオロアルコキシ基であり、この各々が線状、分岐状、又は環状であることができ、1〜9個の炭素原子及び酸素含有又は酸素置換の場合には4個までの酸素原子を有し、nは1〜12の整数である、実施形態17に記載の方法。
[実施形態19]
zが2であり、R f が−CF 2 O(CF 2 O) m (C 2 F 4 O) p CF 2 −、−CF(CF 3 )−(OCF 2 CF(CF 3 )) p O−R f ’−O(CF(CF 3 )CF 2 O) p CF(CF 3 )−、−CF 2 O(C 2 F 4 O) p CF 2 −、及び−(CF 2 ) 3 O(C 4 F 8 O) p (CF 2 ) 3 −からなる群から選択され、式中R f ’は、少なくとも1つの炭素原子を含有し、鎖にO又はNが割り込んだ、二価のペルフルオロアルキレン基であり、mは1〜50であり、pは3〜40である、実施形態17又は18に記載の方法。
[実施形態20]
R f が−CF 2 O(CF 2 O) m (C 2 F 4 O) p CF 2 −であり、Q’−C(R) 2 −Si(Y’) 3−x (R 1a ) x はC(O)NH(CH 2 ) 3 Si(OR’) 3 であり、式中R’はメチル又はエチルである、実施形態19に記載の方法。
[実施形態21]
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物が有機溶媒を更に含む、実施形態1〜15のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態22]
前記ポリフルオロポリエーテルシランが、ポリフルオロポリエーテルシランと有機溶媒とを含む組成物として適用される、実施形態16〜20のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態23]
前記有機溶媒がフッ素化溶媒である、実施形態21又は22に記載の方法。
[実施形態24]
前記有機溶媒が低級アルコールである、実施形態21又は22に記載の方法。
[実施形態25]
前記組成物が酸を更に含む、実施形態24に記載の方法。
[実施形態26]
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物である実施形態1〜15のいずれか一項又はポリフルオロポリエーテルシランが化学蒸着によって適用される実施形態16〜20のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態27]
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物の適用後に基材を高温に曝すことを更に含む、実施形態1〜15、21、及び実施形態21に従属する実施形態23、24、及び25のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態28]
ポリフルオロポリエーテルシランの適用後に基材を高温に曝す工程を更に含む、実施形態16〜20、22、実施形態22に従属する実施形態23、24、及び25、及び実施形態26のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態29]
組成物の適用後に基材を約15℃〜約30℃の温度で乾燥する工程を更に含む、実施形態25に記載の方法。
[実施形態30]
少なくとも1つの金属基材又は金属化基材と、
前記基材上に配置されたプラズマ蒸着層であって、少なくとも10原子%のケイ素と、少なくとも10原子%の酸素と、少なくとも5原子%の水素とを含み、ここですべての原子%の値はプラズマ蒸着層の全原子量に基づき、
前記プラズマ蒸着層に固着したポリフルオロポリエーテル含有コーティングと、を含み、前記ポリフルオロポリエーテル含有コーティングが、次式Ibのポリフルオロポリエーテルシラン基を含み:
R f [Q’−C(R) 2 −Si(O−) 3−x (R 1a ) x ] z Ib
これは少なくとも1つの共有結合をプラズマ蒸着層と共有し、
式中:
R f は一価又は多価のポリフルオロポリエーテルセグメントであり、
Q’は有機二価連結基であり、
各Rは独立して水素又はC 1〜4 アルキル基であり、
R 1a はC 1〜8 アルキル又はフェニル基であり、
xは0又は1又は2であり、
zは1、2、3、又は4である、易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態31]
前記プラズマ蒸着層が、プラズマ蒸着層の全原子量を基準にして、少なくとも約20原子%のケイ素を含む、実施形態30に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態32]
前記プラズマ蒸着層が、プラズマ蒸着層の全原子量を基準にして、少なくとも約15原子%の酸素を更に含む、実施形態30又は31に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態33]
前記プラズマ蒸着層が、炭素又は窒素の少なくとも1つの全原子含有量がプラズマ蒸着層の全原子量を基準にして少なくとも5原子%であるように、炭素又は窒素の少なくとも1つを更に含む、実施形態30〜32のいずれか一項に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態34]
前記プラズマ蒸着層が、炭素の全原子含有量がプラズマ蒸着層の全原子量を基準にして少なくとも約5原子%であるように炭素を更に含む、実施形態33に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態35]
前記プラズマ蒸着層の厚さが少なくとも約0.5nm及び約100nm以下である、実施形態30〜34のいずれか一項に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態36]
前記プラズマ蒸着層の厚さが少なくとも約1nm及び約10nm以下である、実施形態35に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態37]
ポリフルオロポリエーテルセグメント、R f が、−(C n F 2n O)−、−(CF(Z)O)−、−(CF(Z)C n F 2n O)−、−(C n F 2n CF(Z)O)−、−(CF 2 CF(Z)O)−、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される全フッ素化繰返し単位を包含し、式中、Zはペルフルオロアルキル基、酸素含有ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、又は酸素置換ペルフルオロアルコキシ基であり、この各々が線状、分岐状、又は環状であることができ、1〜9個の炭素原子及び酸素含有又は酸素置換の場合には4個までの酸素原子を有し、nは1〜12の整数である、実施形態30〜36のいずれか一項に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態38]
zが2であり、R f が−CF 2 O(CF 2 O) m (C 2 F 4 O) p CF 2 −、−CF(CF 3 )−(OCF 2 CF(CF 3 )) p O−R f ’−O(CF(CF 3 )CF 2 O) p CF(CF 3 )−、−CF 2 O(C 2 F 4 O) p CF 2 −、及び−(CF 2 ) 3 O(C 4 F 8 O) p (CF 2 ) 3 −からなる群から選択され、式中R f ’は、少なくとも1つの炭素原子を含有し、任意にO又はNが鎖に割り込んだ二価のペルフルオロアルキレン基であり、mは1〜50であり、pは3〜40である、実施形態30〜36のいずれか一項に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態39]
R f が、−CF 2 O(CF 2 O) m (C 2 F 4 O) p CF 2 −であり、Q−C(R) 2 −Si(Y) 3−x (R 1 ) x がC(O)NH(CH 2 ) 3 Si(OR 1 ) 3 であり、式中R 1 はメチル又はエチルである、実施形態38に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態40]
前記基材が硬質面を含む、実施形態1〜29のいずれか一項に記載の方法又は実施形態30〜39のいずれか一項に記載の易洗浄物品。
[実施形態41]
前記基材がクロム又はクロム合金を含む、実施形態1〜29及び40のいずれか一項に記載の方法又は実施形態30〜40のいずれか一項に記載の易洗浄物品。
以下に、本願発明に関連する発明の実施形態について列挙する。
[実施形態1]
少なくとも1つの易洗浄金属基材又は易洗浄金属化基材を形成する方法であって、
ケイ素、酸素、及び水素を含む層を基材の表面の少なくとも一部にプラズマ蒸着によって形成する工程と、
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物を、ケイ素、酸素、及び水素を含む層の表面の少なくとも一部に適用する工程と、を含む、方法。
[実施形態2]
前記ケイ素、酸素、及び水素を含む層の形成が、オルガノシリコン又はシラン化合物の少なくとも1つを含むガスのイオン化を含む、実施形態1に記載の方法。
[実施形態3]
前記オルガノシリコン又はシラン化合物の少なくとも1つのケイ素が、前記ガスの全原子量を基準にして前記ガスの少なくとも約5原子%の量で存在する、実施形態2に記載の方法。
[実施形態4]
前記ガスがオルガノシリコンを含む、実施形態2又は3に記載の方法。
[実施形態5]
前記オルガノシリコンがテトラメチルシランを含む、実施形態4に記載の方法。
[実施形態6]
前記ケイ素、酸素、及び水素を含む層が、炭素を更に含む、実施形態1〜5のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態7]
前記ガスがシラン化合物を含む、実施形態2又は3に記載の方法。
[実施形態8]
前記シラン化合物がSiH 4 を含む、実施形態7に記載の方法。
[実施形態9]
前記ガスが酸素を更に含む、実施形態2〜8のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態10]
前記ガスが、アルゴン、アンモニア、水素、及び窒素の少なくとも1つを更に含む、実施形態9に記載の方法。
[実施形態11]
前記ガスが、アンモニア、水素、及び窒素の少なくとも1つの総量がガスの少なくとも約5モル%であって約50モル%以下であるように、アンモニア、水素、及び窒素の少なくとも1つを更に含む、実施形態10に記載の方法。
[実施形態12]
前記ケイ素、酸素、及び水素を含む層のプラズマ蒸着が、約5秒以上及び約15秒以下の時間で実施される、実施形態1〜11のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態13]
前記時間が約10秒である、実施形態12に記載の方法。
[実施形態14]
前記基材が、ケイ素、酸素、及び水素を含む層のプラズマ蒸着の前に酸素プラズマに曝露される、実施形態1〜13のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態15]
前記ケイ素、酸素、及び水素を含む層が酸素プラズマに曝露される、実施形態1〜14のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態16]
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物がポリフルオロポリエーテルシランである、実施形態1〜15のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態17]
前記ポリフルオロポリエーテルシランが式Iaであり:
R f [Q’−C(R) 2 −Si(Y’) 3−x (R 1a ) x ] z Ia
式中、
R f は一価又は多価のポリフルオロポリエーテルセグメントであり、
Q’は有機二価連結基であり、
各Rは独立して水素又はC 1〜4 アルキル基であり、
各Y’は、ハロゲン、アルコキシ、アシルオキシ、ポリアルキレンオキシ、及びアリールオキシ基から成る群から独立して選択される加水分解性基であり、
R 1a はC 1〜8 アルキル又はフェニル基であり、
xは0又は1又は2であり、
zは1、2、3、又は4である、実施形態16に記載の方法。
[実施形態18]
前記ポリフルオロポリエーテルセグメント、R f が、−(C n F 2n O)−、−(CF(Z)O)−、−(CF(Z)C n F 2n O)−、−(C n F 2n CF(Z)O)−、−(CF 2 CF(Z)O)−、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される全フッ素化繰返し単位を含み、式中、Zはペルフルオロアルキル基、酸素含有ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、又は酸素置換ペルフルオロアルコキシ基であり、この各々が線状、分岐状、又は環状であることができ、1〜9個の炭素原子及び酸素含有又は酸素置換の場合には4個までの酸素原子を有し、nは1〜12の整数である、実施形態17に記載の方法。
[実施形態19]
zが2であり、R f が−CF 2 O(CF 2 O) m (C 2 F 4 O) p CF 2 −、−CF(CF 3 )−(OCF 2 CF(CF 3 )) p O−R f ’−O(CF(CF 3 )CF 2 O) p CF(CF 3 )−、−CF 2 O(C 2 F 4 O) p CF 2 −、及び−(CF 2 ) 3 O(C 4 F 8 O) p (CF 2 ) 3 −からなる群から選択され、式中R f ’は、少なくとも1つの炭素原子を含有し、鎖にO又はNが割り込んだ、二価のペルフルオロアルキレン基であり、mは1〜50であり、pは3〜40である、実施形態17又は18に記載の方法。
[実施形態20]
R f が−CF 2 O(CF 2 O) m (C 2 F 4 O) p CF 2 −であり、Q’−C(R) 2 −Si(Y’) 3−x (R 1a ) x はC(O)NH(CH 2 ) 3 Si(OR’) 3 であり、式中R’はメチル又はエチルである、実施形態19に記載の方法。
[実施形態21]
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物が有機溶媒を更に含む、実施形態1〜15のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態22]
前記ポリフルオロポリエーテルシランが、ポリフルオロポリエーテルシランと有機溶媒とを含む組成物として適用される、実施形態16〜20のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態23]
前記有機溶媒がフッ素化溶媒である、実施形態21又は22に記載の方法。
[実施形態24]
前記有機溶媒が低級アルコールである、実施形態21又は22に記載の方法。
[実施形態25]
前記組成物が酸を更に含む、実施形態24に記載の方法。
[実施形態26]
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物である実施形態1〜15のいずれか一項又はポリフルオロポリエーテルシランが化学蒸着によって適用される実施形態16〜20のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態27]
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物の適用後に基材を高温に曝すことを更に含む、実施形態1〜15、21、及び実施形態21に従属する実施形態23、24、及び25のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態28]
ポリフルオロポリエーテルシランの適用後に基材を高温に曝す工程を更に含む、実施形態16〜20、22、実施形態22に従属する実施形態23、24、及び25、及び実施形態26のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態29]
組成物の適用後に基材を約15℃〜約30℃の温度で乾燥する工程を更に含む、実施形態25に記載の方法。
[実施形態30]
少なくとも1つの金属基材又は金属化基材と、
前記基材上に配置されたプラズマ蒸着層であって、少なくとも10原子%のケイ素と、少なくとも10原子%の酸素と、少なくとも5原子%の水素とを含み、ここですべての原子%の値はプラズマ蒸着層の全原子量に基づき、
前記プラズマ蒸着層に固着したポリフルオロポリエーテル含有コーティングと、を含み、前記ポリフルオロポリエーテル含有コーティングが、次式Ibのポリフルオロポリエーテルシラン基を含み:
R f [Q’−C(R) 2 −Si(O−) 3−x (R 1a ) x ] z Ib
これは少なくとも1つの共有結合をプラズマ蒸着層と共有し、
式中:
R f は一価又は多価のポリフルオロポリエーテルセグメントであり、
Q’は有機二価連結基であり、
各Rは独立して水素又はC 1〜4 アルキル基であり、
R 1a はC 1〜8 アルキル又はフェニル基であり、
xは0又は1又は2であり、
zは1、2、3、又は4である、易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態31]
前記プラズマ蒸着層が、プラズマ蒸着層の全原子量を基準にして、少なくとも約20原子%のケイ素を含む、実施形態30に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態32]
前記プラズマ蒸着層が、プラズマ蒸着層の全原子量を基準にして、少なくとも約15原子%の酸素を更に含む、実施形態30又は31に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態33]
前記プラズマ蒸着層が、炭素又は窒素の少なくとも1つの全原子含有量がプラズマ蒸着層の全原子量を基準にして少なくとも5原子%であるように、炭素又は窒素の少なくとも1つを更に含む、実施形態30〜32のいずれか一項に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態34]
前記プラズマ蒸着層が、炭素の全原子含有量がプラズマ蒸着層の全原子量を基準にして少なくとも約5原子%であるように炭素を更に含む、実施形態33に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態35]
前記プラズマ蒸着層の厚さが少なくとも約0.5nm及び約100nm以下である、実施形態30〜34のいずれか一項に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態36]
前記プラズマ蒸着層の厚さが少なくとも約1nm及び約10nm以下である、実施形態35に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態37]
ポリフルオロポリエーテルセグメント、R f が、−(C n F 2n O)−、−(CF(Z)O)−、−(CF(Z)C n F 2n O)−、−(C n F 2n CF(Z)O)−、−(CF 2 CF(Z)O)−、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される全フッ素化繰返し単位を包含し、式中、Zはペルフルオロアルキル基、酸素含有ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、又は酸素置換ペルフルオロアルコキシ基であり、この各々が線状、分岐状、又は環状であることができ、1〜9個の炭素原子及び酸素含有又は酸素置換の場合には4個までの酸素原子を有し、nは1〜12の整数である、実施形態30〜36のいずれか一項に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態38]
zが2であり、R f が−CF 2 O(CF 2 O) m (C 2 F 4 O) p CF 2 −、−CF(CF 3 )−(OCF 2 CF(CF 3 )) p O−R f ’−O(CF(CF 3 )CF 2 O) p CF(CF 3 )−、−CF 2 O(C 2 F 4 O) p CF 2 −、及び−(CF 2 ) 3 O(C 4 F 8 O) p (CF 2 ) 3 −からなる群から選択され、式中R f ’は、少なくとも1つの炭素原子を含有し、任意にO又はNが鎖に割り込んだ二価のペルフルオロアルキレン基であり、mは1〜50であり、pは3〜40である、実施形態30〜36のいずれか一項に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態39]
R f が、−CF 2 O(CF 2 O) m (C 2 F 4 O) p CF 2 −であり、Q−C(R) 2 −Si(Y) 3−x (R 1 ) x がC(O)NH(CH 2 ) 3 Si(OR 1 ) 3 であり、式中R 1 はメチル又はエチルである、実施形態38に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態40]
前記基材が硬質面を含む、実施形態1〜29のいずれか一項に記載の方法又は実施形態30〜39のいずれか一項に記載の易洗浄物品。
[実施形態41]
前記基材がクロム又はクロム合金を含む、実施形態1〜29及び40のいずれか一項に記載の方法又は実施形態30〜40のいずれか一項に記載の易洗浄物品。
Claims (4)
- 少なくとも1つの易洗浄金属基材又は易洗浄金属化基材を形成する方法であって、
ケイ素、酸素、及び水素を含む層を基材の表面の少なくとも一部にプラズマ蒸着によって形成する工程と、
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物を、ケイ素、酸素、及び水素を含む層の表面の少なくとも一部に適用する工程と、を含む、方法。 - 前記ケイ素、酸素、及び水素を含む層の形成が、オルガノシリコン又はシラン化合物の少なくとも1つを含むガスのイオン化を含む、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物がポリフルオロポリエーテルシランである、請求項1または2に記載の方法。
- 少なくとも1つの金属基材又は金属化基材と、
前記基材上に配置されたプラズマ蒸着層であって、少なくとも10原子%のケイ素と、少なくとも10原子%の酸素と、少なくとも5原子%の水素とを含み、ここですべての原子%の値はプラズマ蒸着層の全原子量に基づき、
前記プラズマ蒸着層に固着したポリフルオロポリエーテル含有コーティングと、を含み、前記ポリフルオロポリエーテル含有コーティングが、次式Ibのポリフルオロポリエーテルシラン基を含み:
Rf[Q’−C(R)2−Si(O−)3−x(R1a)x]z Ib
これは少なくとも1つの共有結合をプラズマ蒸着層と共有し、
式中:
Rfは一価又は多価のポリフルオロポリエーテルセグメントであり、
Q’は有機二価連結基であり、
各Rは独立して水素又はC1〜4アルキル基であり、
R1aはC1〜8アルキル又はフェニル基であり、
xは0又は1又は2であり、
zは1、2、3、又は4である、易洗浄コーティングされた物品。
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