JP2010198797A - 有機ｅｌ素子用ガラス基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】有機ＥＬ素子からの光取り出し効率を高めることができる有機ＥＬ素子用ガラス基板及びその製造方法並びに有機ＥＬ装置を得る。
【解決手段】表面に透明導電膜４が形成され、該透明導電膜４の上に有機ＥＬ素子が形成される有機ＥＬ素子用ガラス基板３であって、透明導電膜４が形成される側の表面１ａに、有機ＥＬ素子からの光を散乱するための凹凸面が形成されたガラス板１と、ガラス板１より高い屈折率を有し、ガラス板１の凹凸面の上に設けられるガラス焼成膜２とを備え、ガラス焼成膜２が、ガラス板１の凹凸面の凹凸を平坦化することによって、透明導電膜４が形成される表面２ａをガラス焼成膜２が与えることを特徴としている。
【選択図】図１

Description

本発明は、有機ＥＬ素子に用いられるガラス基板及びその製造方法に関するものである。

近年、家電製品の普及、大型化・多機能化などの理由から、家庭などの生活空間で消費されるエネルギーが増えている。特に、照明用途におけるエネルギー消費が多いため、生活用の照明として普及している蛍光灯照明などに代わる高効率な代替照明が活発に検討されている。例えば、ＬＥＤ照明が、白熱球の代替として採用され始めている。

照明用光源は、限られた範囲を照らす「指向性光源」と、広範囲に照らす「拡散光源」に分けられる。ＬＥＤ照明は、「指向性光源」に相当するため、「拡散光源」に該当する蛍光灯の代替光源が望まれており、このような代替光源として、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）照明が有力な候補と考えられている。

有機ＥＬ素子は、ガラス基板と、陽極である透明電極と、電流の注入によって発光するエレクトロルミネッセンスを呈する有機化合物からなる一層または複数層の発光層を含む有機層と、陰極とを備えた素子である。有機ＥＬ素子に用いられる有機層としては、低分子色素系材料や共役高分子系材料などが用いられており、発光層として形成する場合、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などとの積層構造が形成される。このような積層構造を有する有機層を、陽極と陰極の間に配置し、陽極と陰極に電界を印加することにより、陽極である透明電極から注入された正孔と、陰極から注入された電子とが、発光層内で再結合し、その再結合エネルギーによって発光中心が励起され、発光するという原理を有している。

有機ＥＬ素子は、薄型テレビとして普及している液晶やプラズマディスプレイと比較して、同等の発光効率を有しており、携帯電話やディスプレイ用途としての採用が進められている。しかしながら、照明用光源としては、輝度がまだ実用レベルには十分ではないといわれており、さらなる発光効率の改善が必要とされている。

特に、照明用光源として用いる有機ＥＬ素子においては、有機ＥＬ素子から発光する光を拡散させ、光取り出し効率を高める検討がなされている。

光取り出し効率を高める方法として、特許文献１においては、透明導電層の外側に光散乱層を設けることが提案されている。また、特許文献２においては、有機ＥＬ素子の光取り出し側に、プリズム部材、偏光部材、位相差部材を設け、輝度を向上させることが提案されている。

一方、特許文献３などにおいては、ガラス基板と透明電極の界面の反射を低減する手法として、ガラス基板表面にサンドブラストや、プレス等で凹凸を形成する方法が提案されている。凹凸を形成した面の上には、透明電極を形成しにくいので、凹凸面の上にゾルゲル法などで形成したシリカゾルやチタニアゾルなどを塗布し、高屈折率層を形成することが提案されている。しかしながら、このような方法では、ゾルゲル法などで形成した高屈折率層から水分が放出され、有機ＥＬ素子を劣化させるなどの問題がある。また、ゾルゲル法などで調製したシリカゾルやチタニアゾルなどを塗布し加熱した場合、膜にひび割れ等が生じ、均質な膜を形成することができず、凹凸を埋めて平坦な膜表面を形成することができないという問題があった。

特開２００８−２５１２１７号公報 特開２００８−２５８３０２号公報 特開２００４−２９６４３８号公報

本発明の目的は、有機ＥＬ素子からの光取り出し効率を高めることができる有機ＥＬ素子用ガラス基板及びその製造方法並びに有機ＥＬ装置を提供することにある。

本発明の有機ＥＬ素子用ガラス基板は、表面に透明導電膜が形成され、該透明導電膜の上に有機ＥＬ素子が形成される有機ＥＬ素子用ガラス基板であって、透明導電膜が形成される側の表面に、有機ＥＬ素子からの光を散乱するための凹凸面が形成されたガラス板と、ガラス板より高い屈折率を有し、ガラス板の凹凸面の上に設けられるガラス焼成膜とを備え、ガラス焼成膜が、ガラス板の凹凸面の凹凸を平坦化することによって、透明導電膜が形成される表面をガラス焼成膜が与えることを特徴としている。

本発明においては、ガラス板の透明導電膜が形成される側の表面に、有機ＥＬ素子からの光を散乱させるための凹凸面を形成し、この上に、ガラス板より高い屈折率を有するガラス焼成膜を形成している。このガラス焼成膜は、ガラスペーストなどを焼成することにより形成されるものであるので、緻密なガラス膜を形成することができ、凹凸面の凹凸を平坦化し、透明導電膜を形成することができる平坦な表面を形成することができる。

従って、本発明によれば、ガラス板とガラス焼成膜の間に凹凸を有する界面を形成することができ、ガラス板とガラス焼成膜の界面において、有機ＥＬ素子からの光を効果的に散乱させることができるので、有機ＥＬ素子からの光取り出し効率を高めることができる。

また、ガラス焼成膜により、ガラス板の凹凸面の凹凸を平坦化することができるので、ガラス焼成膜の平坦な表面の上に、透明電極膜を形成することができる。このため、良好な膜質の透明導電膜を形成することができる。

また、本発明においては、ガラス焼成膜がガラス板より高い屈折率を有している。このため、ガラス焼成膜の屈折率を透明導電膜の屈折率に近づけることができ、透明導電膜とガラス焼成膜との界面における光の反射を低減することができ、有機ＥＬ素子からの光取り出し効率をさらに高めることができる。

本発明において、ガラス焼成膜の屈折率ｎ_ｄは、１．８〜２．２の範囲であることが好ましい。ガラス焼成膜の屈折率ｎ_ｄが１．８未満であると、透明導電膜とガラス焼成膜の屈折率の差が大きくなりすぎ、透明導電膜とガラス焼成膜の界面での光の反射の割合が大きくなり、光取り出し効率を十分に高めることができない場合がある。また、ガラス焼成膜の屈折率ｎ_ｄが２．２を超えると、ガラス焼成膜の屈折率ｎ_ｄが透明導電膜の屈折率より大きくなりすぎる場合があり、ガラス焼成膜と透明導電膜の界面での光の反射が大きくなり、光取り出し効率を高めることができない場合がある。

本発明において、ガラス焼成膜中のアルカリ金属酸化物含有量は、モル百分率で１４％以下であることが好ましい。アルカリ金属酸化物含有量を１４％以下とすることにより、その上に形成される透明導電膜の導電性にアルカリ金属酸化物が悪影響を与えることを低減することができる。なお、本発明においては、ガラス焼成膜の上に、必ずしも直接透明導電膜を形成しなくてもよい。例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）膜や酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）などの薄膜を、ガラス焼成膜の上に保護膜として設け、その上に透明導電膜を形成してもよい。

本発明における透明導電膜は、有機ＥＬ素子において、透明導電膜として用いることができるものであれば、特に限定されるものではない。例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性を有する複合酸化物薄膜を用いることができる。本発明においては、特に、インジウム錫酸化物が好ましく用いられる。

本発明における有機ＥＬ素子用ガラス基板は、有機ＥＬ素子からの光を散乱させ、拡散して発光することができるものである。このため、照明用の有機ＥＬ素子に特に好ましく適用することができる。

本発明の有機ＥＬ素子形成用基板は、上記本発明の有機ＥＬ素子用ガラス基板と、該ガラス基板のガラス焼成膜上に形成される透明導電膜とを備えることを特徴としている。

本発明の有機ＥＬ素子形成用基板は、上記本発明のガラス基板のガラス焼成膜の上に透明導電膜を形成したものであるので、有機ＥＬ素子からの光の取り出し効率を高めることができる。

本発明の製造方法は、上記本発明の有機ＥＬ素子用ガラス基板を製造することができる方法であり、ガラス基板の表面に凹凸面を形成する工程と、凹凸面の上にガラスペーストを塗布する工程と、塗布したガラスペーストを焼成して、ガラス焼成膜を形成する工程とを備えている。

本発明の製造方法によれば、上記本発明の有機ＥＬ素子用ガラス基板を容易に製造することができる。

本発明の有機ＥＬ装置は、上記本発明の有機ＥＬ素子形成用基板の上に、有機ＥＬ素子が形成されたことを特徴としている。

本発明の有機ＥＬ装置は、上記本発明の有機ＥＬ素子用基板のガラス焼成膜の上に透明導電膜を形成し、透明導電膜の上に有機ＥＬ素子が形成されたものであるので、有機ＥＬ素子からの光取り出し効率を高めることができる。このため、例えば、照明用の有機ＥＬ装置などとして、好適に用いることができる。

本発明によれば、有機ＥＬ素子からの光取り出し効率を高めることができる。

本発明に従う一実施形態の有機ＥＬ素子用ガラス基板及び有機ＥＬ素子形成用基板を示す模式的断面図。 本発明に従う一実施形態の有機ＥＬ装置を示す模式的断面図。

以下、本発明を具体的な実施形態により説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。

図１は、本発明に従う一実施形態の有機ＥＬ素子用ガラス基板及び有機ＥＬ素子形成用基板を示す模式的断面図である。

図１に示す有機ＥＬ素子用ガラス基板３は、図２に示す有機ＥＬ装置のガラス基板として用いることができるものである。

図２を参照して、有機ＥＬ素子用ガラス基板３の上には、透明導電膜４が形成されており、透明導電膜４の上には、有機ＥＬ素子層５が形成されており、有機ＥＬ素子層５の上には、陰極６が形成されている。

本実施形態において、透明導電膜４は、陽極として機能し、有機ＥＬ素子層５は、陽極としての透明導電膜４と、陰極６の間に形成されている。

有機ＥＬ素子層５は、発光層を備えており、発光層と透明導電膜４の間には、必要に応じて、ホール注入層、ホール輸送層などが形成されている。また、発光層と陰極６の間には、必要に応じて、電子輸送層、電子注入層などが形成されている。

有機ＥＬ素子層５の発光層で発光した光は、透明導電膜４及びガラス基板３を通り、外部に取り出される。

図１を参照して、本実施形態の有機ＥＬ素子用ガラス基板３について説明する。有機ＥＬ素子用ガラス基板３は、ガラス板１とガラス焼成膜２とから構成されている。

ガラス板１の表面１ａは、透明導電膜４が形成される側の表面であり、表面１ａには、図１に示すように、凹凸面が形成されている。凹凸面はガラス板１の表面１ａ全体に形成されていてもよいし、有機ＥＬ素子を形成する領域においてのみ形成されていてもよい。凹凸面は、例えば、サンドブラスト法、ガラス板表面のプレス成形、ロール成板法、ゾルゲルスプレー法、エッチング法などの方法で形成することができる。

ガラス板１の表面１ａの凹凸面の上には、ガラス焼成膜２が設けられている。

ガラス焼成膜に用いることができるガラス系としては、Ｂｉ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｌａ−Ｔｉ系ガラスなどが挙げられる。

Ｂｉ系ガラスの組成としては、例えば、モル百分率で、Ｂｉ_２Ｏ_３ ２０〜４０％、ＺｎＯ ０〜３０％、Ｂ_２Ｏ_３ ２０〜５０％、ＳｉＯ_２ １〜３０％、ＣａＯ＋ＢａＯ ０〜１５％、Ｎａ_２Ｏ＋Ｌｉ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０〜６％の組成範囲が挙げられる。

Ｐｂ系ガラスの組成としては、例えば、モル百分率で、ＰｂＯ ３０〜５０％、Ｂ_２Ｏ_３ ２５〜４０％、ＳｉＯ_２ ３〜２５％、ＺｎＯ ０〜２５％、Ｎａ_２Ｏ＋Ｌｉ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０〜６％の組成範囲が挙げられる。

Ｌａ−Ｔｉ系ガラスの組成としては、例えば、モル百分率で、Ｌａ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５ １０〜２５％、ＴｉＯ_２＋ＺｒＯ_２ １７〜２５％、Ｂｉ_２Ｏ_３ ０〜６％、Ｎａ_２Ｏ＋Ｌｉ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ４〜１４％、ＢａＯ ０〜１０％、ＳｉＯ_２＋Ｂ_２Ｏ_３ ３５〜５０％の組成範囲が挙げられる。このガラス組成範囲において、Ｂ_２Ｏ_３／ＳｉＯ_２の比率は２〜５の範囲であることがさらに好ましい。

特に、ガラス焼成膜に用いるガラス系として、上記の組成範囲内のガラスを用いると、６６０℃以下（特には、６００℃以下）の軟化点を有するガラスとなりやすく、低い温度でガラス板上に平坦なガラス焼成膜を形成することができると共に、ガラス板の変形も抑えることができる。

ガラス焼成膜２は、例えば、ガラス板１の表面１ａの凹凸面の上に、ガラスペーストを塗布した後、塗布したガラスペーストを焼成することにより、形成することができる。

ガラスペーストは、ガラス粉末、バインダー、溶剤等が含まれる。

ガラス粉末の粒度は、特に限定されるものではないが、平均粒径Ｄ_５０が３．０μｍ以下、最大粒径Ｄ_ｍａｘが２０μｍ以下のものが好ましく用いられる。ガラス組成としては、上記のように、Ｂｉ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｌａ−Ｔｉ系ガラスなどが挙げられるが、これらのガラス組成に限定されるものではない。ガラス粉末のガラスペースト中の含有量は、４０〜８０質量％程度が一般的である。

バインダーとしては、例えば、有機樹脂バインダーを用いることができる。有機樹脂バインダーとしては、熱可塑性ものが好ましく用いられ、例えば、ポリブチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、エチルセルロース等が挙げられる。樹脂バインダーは、単独または複数の種類を混合して用いることができる。樹脂バインダーの含有量は、０．１〜２０質量％程度が一般的である。

溶剤は、バインダーを溶解できるものであればよく、例えば、ターピネオール（Ｔｅｒ）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＣ）、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（ＢＣＡ）、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオールモノイソブチレート、ジヒドロターピネオールなどが挙げられる。これらは、単独または複数の種類を混合して用いることができる。その含有量は、例えば、１０〜４０質量％程度が一般的である。

ガラスペーストには、さらに、可塑剤、分散剤等を含有させることができる。

可塑剤は、乾燥速度をコントロールするとともに、乾燥膜に柔軟性を与える成分であり、その含有量は、０〜１０質量％程度が一般的である。可塑剤としては、ブチルベンジルフタレート、ジオクチルフタレート、ジイソオクチルフタレート、ジカプリルフタレート、ジブチルフタレート等が挙げられる。可塑剤は単独または複数の種類を混合して用いることができる。

分散剤としては、イオン系もしくはノニオン系の分散剤を用いることができる。分散剤の使用量は、０．０１〜５質量％程度が一般的である。

ガラスペースト等の焼成は、一般に、ガラスペースト等に含有されるガラス粉末の軟化点付近の温度、もしくは、それより高い温度に加熱し焼成して形成される。一般には、ガラス粉末の軟化点±１０℃程度、もしくは軟化点より１５０℃以上高い温度に加熱して焼成することが好ましい。焼成時間は、焼成温度等により適宜調整される。焼成により、ガラス粉末が軟化し、均質なガラス焼成膜が形成される。

ガラス板１の凹凸面の上に、ガラス焼成膜２を設けることにより、ガラス板１の凹凸面の凹凸を平坦化することができる。透明導電膜４は、ガラス焼成膜２の平坦な表面２ａの上に形成される。上述のように、ガラス焼成膜２の上に直接透明導電膜４を形成してもよいし、ガラス焼成膜２の上に、ＳｉＯ_２やＴａ_２Ｏ_５などの保護膜を形成し、この保護膜の上に透明導電膜４を形成してもよい。

ガラス板１の表面１ａの凹凸面の表面粗さＲａは、必要とされる有機ＥＬ素子からの光の散乱の程度を考慮し設定することができる。例えば、表面粗さＲａは、０．０５〜２μｍの範囲とすることが好ましく、さらに好ましくは、０．０５〜１．５μｍの範囲である。表面粗さＲａが小さすぎると、十分な光取り出し効率が得られない場合がある。また、表面粗さＲａが大きすぎると、十分な光取り出し効率が得られないとともに、凹凸面を埋めるためのガラスの量が多くなり、透過率が低下する場合がある。

ガラス焼成膜２の表面２ａの表面粗さＲａは、０．６μｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくは、０．４μｍ以下である。ガラス焼成膜２の表面２ａの表面粗さＲａは、小さい方がその上に形成される透明導電膜４の膜形成が容易となる。また、表面粗さＲａが大きくなりすぎると、透明導電膜の膜質が不均一となり、有機ＥＬ装置の発光に悪影響を与えるため好ましくない。

以上のようにして、ガラス板１の表面１ａの凹凸面上にガラス焼成膜２を設けることにより、本実施形態の有機ＥＬ素子用ガラス基板３が形成される。

有機ＥＬ素子用ガラス基板のガラス焼成膜２の上に、透明導電膜４を形成することにより、本実施形態の有機ＥＬ素子形成用基板７が形成される。

有機ＥＬ素子形成用基板７の上に、有機ＥＬ素子層５及び陰極６を形成することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置を作製することができる。

一般に、有機ＥＬ素子層５及び陰極６を形成した後、空気中の水分や酸素等を遮断するため、ガラスやエポキシ樹脂などを用いて有機ＥＬ素子を封止する。

有機ＥＬ素子層５の発光層から発光した光は、透明導電膜４及びガラス基板３を通り、外部に取り出される。本実施形態においては、ガラス焼成膜２とガラス板１の間に凹凸面が形成されているので、ガラス板１とガラス焼成膜２との界面における光の反射を低減させ、光を散乱させることができる。このため、この界面部分で反射して素子内に戻る光の量を低減することができ、外部への光取り出し効率を高めることができる。

また、ガラス焼成膜２の屈折率は、ガラス板１の屈折率より高いので、透明導電膜４の屈折率に近い値となっており、ガラス焼成膜２と透明導電膜４との間の界面における光の反射を低減することができ、有機ＥＬ素子からの光の取り出し効率をさらに高めることができる。

以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

〔ガラス粉末の調製〕
質量％で表１に示すガラス組成となるように、各原料を調合し、均一に混合した。次いで、混合した原料を白金ルツボに入れ、１３００℃で２時間溶融した後、溶融ガラスを薄板状に成形した。次に、これらをボールミルにて粉砕し、気流分級して平均粒径Ｄ_５０が２．１μｍ、最大粒径Ｄ_ｍａｘが９．２μｍのガラス粉末を得た。

得られたガラス粉末について、熱膨張係数α、軟化点、及び屈折率ｎ_ｄを、以下のようにして測定し、測定結果を表１に示した。

＜熱膨張係数の測定＞
各試料粉末をプレス成形し、得られた成形体を５８０℃で１０分間焼成した後、直径４ｍｍ、長さ４０ｍｍの円柱状に研磨加工した。この試料を用いて、ＪＩＳ（日本工業規格）Ｒ３１０２に準拠して、３０〜３００℃の温度範囲における熱膨張係数を求めた。

＜ガラスの軟化点の測定＞
マクロ型示差熱分析計を用いて、ガラス粉末の軟化点を求めた。第４の変曲点の値を軟化点とした。

＜屈折率の測定＞
粉末にする前のガラスブロックを切り出して、Ｖブロック法にて精密屈折率計により測定し、ｎ_ｄの値を求めた。

表１に示すように、試料Ｎｏ．１〜５の各ガラス粉末は、熱膨張係数が７５〜９１×１０^−７／℃であり、軟化点は５２０℃以下であり、屈折率は１．８３〜１．９６の範囲であった。

〔ガラスペーストの作製〕
表１に示したガラス粉末の各試料を用いてガラスペーストを作製した。樹脂バインダーとしてエチルセルロース（ダウケミカル社製、重量平均分子量（Ｍｗ）約１８万）を用い、有機溶剤としてテルピネオールを用い、ガラス粉末：樹脂バインダー：有機溶剤の重量比が７０：２：２８となるようにこれらを混合し、３本ロールミルにて混練を行い、ガラスペーストを作製した。

〔ガラス基板の作製〕
ガラス板としては、日本電気硝子株式会社社製、商品名「ＰＰ−８Ｃ」（厚み１．８ｍｍ、熱膨張係数８４×１０^−７／℃）を５ｃｍ角に分割したものを用いた。このガラス板の表面を、サンドブラスト法で処理し、その後超音波洗浄して、表面に凹凸面を形成した。ガラス板の表面に形成した凹凸面の表面粗さＲａは、０．９μｍであった。

ガラス板の凹凸面の上に、上記のようにして作製したガラスペーストをアプリケータで塗布し、１２０℃にて１０分間乾燥した後、表２に示す焼成温度及び焼成時間で焼成し、ガラス焼成膜を形成した。

ガラス焼成膜の膜厚及びその表面の表面粗さＲａは、表２に示す通りである。

サンドブラスト法による凹凸面の形成は、不二製作所製のニューマブラスターにより、研磨材としてアルミナ粉（♯６００）を用い、エアー圧０．２ＭＰａで行った。また、表面粗さＲａは、以下のようにして測定した。

＜表面粗さＲａの測定＞
ガラス板の凹凸面及びガラス焼成膜の表面の表面粗さＲａは、東京精密社製サーフコムを用いて、ＪＩＳ Ｂ０６３３（２００１）に準拠して測定した。

ガラス焼成膜の膜厚は、ガラス基板の断面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することにより測定した。

〔有機ＥＬ装置の作製〕
上記のようにして作製したガラス基板のガラス焼成膜の上に、保護膜としてＴａ_２Ｏ_５膜を５０ｎｍの厚みでスパッタリング法により形成した。次に、透明導電膜として、ＩＴＯ膜を３００ｎｍの厚みとなるようにスパッタリン法により形成した。

次に、塩酸エッチングにより、ＩＴＯ膜を３ｃｍ角のパターンになるようにパターニングした。パターニングした透明導電膜の上に、有機ＥＬ素子層、及び陰極を形成した。有機ＥＬ素子層としては、蒸着法によりα-ＮＰＤ（Ｂｉｓ［Ｎ−（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）からなる正孔輸送層、及び発光層、Ａｌｑ_３からなる電子輸送層、ＬｉＦからなる電子注入層を形成し、各層の層厚が合計１００ｎｍとなるようにした。陰極としては、アルミニウム電極を膜厚１００ｎｍとなるように形成した。なお、透明導電膜及び陰極の膜厚は水晶発振式膜厚計により求めた。

比較例として、ガラス板表面の凹凸面の形成及びその上へのガラス焼成膜の形成を行わずに、ガラス板の上に直接保護膜及び透明導電膜を形成し、その上に有機ＥＬ素子層及び陰極を形成した有機ＥＬ装置を作製した。

〔光取り出し効率の評価〕
上記のようにして作製した有機ＥＬ装置を積分球内に取り付けて１０Ａ／ｍ^２の電流密度を与えて発光させ、積分球内に備えた検出器により素子から外部へ取り出された光子数を測定した。電流値と検出した光子数から外部量子効率を求め、比較例を１００とした相対値を光取り出し効率として算出した。得られた光取り出し効率を表２に示す。

表２に示す結果から明らかなように、本発明に従う実施例１〜４のガラス基板を用いた有機ＥＬ装置においては、比較例１の基板を用いた有機ＥＬ装置に比べ、高い光取り出し効率が得られている。

１…ガラス板
１ａ…凹凸面が形成されたガラス板の表面
２…ガラス焼成膜
２ａ…ガラス焼成膜の表面
３…有機ＥＬ素子用ガラス基板
４…透明導電膜
５…有機ＥＬ素子層
６…陰極
７…有機ＥＬ素子形成用基板

Claims (8)

1. 表面に透明導電膜が形成され、該透明導電膜の上に有機ＥＬ素子が形成される有機ＥＬ素子用ガラス基板であって、
   前記透明導電膜が形成される側の表面に、前記有機ＥＬ素子からの光を散乱するための凹凸面が形成されたガラス板と、
   前記ガラス板より高い屈折率を有し、前記ガラス板の前記凹凸面の上に設けられるガラス焼成膜とを備え、
   前記ガラス焼成膜が、前記ガラス板の前記凹凸面の凹凸を平坦化することによって、前記透明導電膜が形成される表面を前記ガラス焼成膜が与えることを特徴とする有機ＥＬ素子用ガラス基板。
2. 前記ガラス焼成膜の屈折率ｎ_ｄが１．８〜２．２の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子用ガラス基板。
3. 前記ガラス焼成膜中のアルカリ金属酸化物含有量が、モル百分率で１４％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子用ガラス基板。
4. 前記透明導電膜が、インジウム錫酸化物から形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子用ガラス基板。
5. 前記有機ＥＬ素子が照明用の有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子用ガラス基板。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子用ガラス基板と、
   前記ガラス基板の前記ガラス焼成膜の上に形成される透明導電膜とを備えることを特徴とする有機ＥＬ素子形成用基板。
7. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子用ガラス基板を製造する方法であって、
   前記ガラス板に前記凹凸面を形成する工程と、
   前記凹凸面の上にガラスペーストを塗布する工程と、
   塗布した前記ガラスペーストを焼成して前記ガラス焼成膜を形成する工程とを備えることを特徴とする有機ＥＬ素子用ガラス基板の製造方法。
8. 請求項６に記載の基板の上に、有機ＥＬ素子が形成されたことを特徴とする有機ＥＬ装置。

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